JPH01125830A - 半導体ウェーハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨方法Info
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- JPH01125830A JPH01125830A JP62284867A JP28486787A JPH01125830A JP H01125830 A JPH01125830 A JP H01125830A JP 62284867 A JP62284867 A JP 62284867A JP 28486787 A JP28486787 A JP 28486787A JP H01125830 A JPH01125830 A JP H01125830A
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- Japan
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- semiconductor wafer
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- polishing
- wafer
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体ウェーハの一面側を保持具に嵌合装着
して該半導体ウェーハの他面側を研磨する研磨方法の改
良に関する。
して該半導体ウェーハの他面側を研磨する研磨方法の改
良に関する。
（従来の技術とその問題点）
一般に、半導体ウェーハの研磨方法の一例二゛シて保持
具のプレートに半導体ウェーハの−・面側（非研磨面側
ンを嵌合装着し、その半導体つｆ −ハの他面側（研磨
面側）を研磨装置の定盤表面の研磨布に圧接させて研磨
する研磨方法が知られている。その研磨方法による鏡面
加工は、第３図に示す如く、保持具を構成するプレート
９にフィルム状のクツション材１０を張り合わせ、更に
そのクツション材１０の下面にウェーハ１１の外径より
梢々大径な窓孔１２′を開穿した支持板１２を固着し、
窓孔１２′にウェーハを嵌合装着して研磨加工を行うも
のである。
具のプレートに半導体ウェーハの−・面側（非研磨面側
ンを嵌合装着し、その半導体つｆ −ハの他面側（研磨
面側）を研磨装置の定盤表面の研磨布に圧接させて研磨
する研磨方法が知られている。その研磨方法による鏡面
加工は、第３図に示す如く、保持具を構成するプレート
９にフィルム状のクツション材１０を張り合わせ、更に
そのクツション材１０の下面にウェーハ１１の外径より
梢々大径な窓孔１２′を開穿した支持板１２を固着し、
窓孔１２′にウェーハを嵌合装着して研磨加工を行うも
のである。
ところで、研磨加工されるウェーハの非研磨面に傷が付
くのを防止するためプレートにウェーハよりも軟らかい
クツション材が貼着されるが、そのクツション材は両面
粘着テープ等で貼り合せられる時両者間に空気が入るな
どしてクツション材表面の平坦度を出すのが困難となり
、その結果保持されるウェーハに傾きが生じ、それによ
って研磨されたウェーハの厚みが不均一になるといった
不具合を有する。尚、ウェーハを平坦に保持する手段と
しては、硬質体で形成されたプレートそのままの表面に
半導体ウェーハを当接させることが考えられるが、この
場合は硬質体にウェーハが直接当たるため非研磨面に傷
及び研磨材による汚れ等が付き易く、又、プレートへの
脱着の際に当てるなどしてウェーハが破損するなどの問
題点を有する。尚、半導体つ１−ハの非研磨面を保護す
る手段として特開昭６２−５１２２６号公報に記載の発
明が提案されているが、その保護膜は合成樹脂製の保護
材であるため、上述した従来方法のクツション材と保護
膜は類似し、半導体ウェーハに比較して硬度が軟らかい
ため、該ウェーハの平坦度を向上させることが困難であ
るという難点がある。
くのを防止するためプレートにウェーハよりも軟らかい
クツション材が貼着されるが、そのクツション材は両面
粘着テープ等で貼り合せられる時両者間に空気が入るな
どしてクツション材表面の平坦度を出すのが困難となり
、その結果保持されるウェーハに傾きが生じ、それによ
って研磨されたウェーハの厚みが不均一になるといった
不具合を有する。尚、ウェーハを平坦に保持する手段と
しては、硬質体で形成されたプレートそのままの表面に
半導体ウェーハを当接させることが考えられるが、この
場合は硬質体にウェーハが直接当たるため非研磨面に傷
及び研磨材による汚れ等が付き易く、又、プレートへの
脱着の際に当てるなどしてウェーハが破損するなどの問
題点を有する。尚、半導体つ１−ハの非研磨面を保護す
る手段として特開昭６２−５１２２６号公報に記載の発
明が提案されているが、その保護膜は合成樹脂製の保護
材であるため、上述した従来方法のクツション材と保護
膜は類似し、半導体ウェーハに比較して硬度が軟らかい
ため、該ウェーハの平坦度を向上させることが困難であ
るという難点がある。
（発明の目的）
この発明は上述した如き従来の事情に鑑み、研磨作業中
に、半導体ウェーハの非研磨面側が傷付いたり汚損する
のを防止すると共に、半導体つ１−ハの平坦度を再現し
て均一な厚さに研磨することが出来る研磨方法を提供す
ることにある。
に、半導体ウェーハの非研磨面側が傷付いたり汚損する
のを防止すると共に、半導体つ１−ハの平坦度を再現し
て均一な厚さに研磨することが出来る研磨方法を提供す
ることにある。
（発明の構成）
上記目的を達成Ｊるために本発明が講じた技術的手段は
、半導体ウェーハの非研磨面側を予め酸化膜で被覆し、
研磨加工終了後、前記酸化膜を除去する方法とする。
、半導体ウェーハの非研磨面側を予め酸化膜で被覆し、
研磨加工終了後、前記酸化膜を除去する方法とする。
上記の酸化膜を形成する方法としては、半導体ウェーハ
の基材がシリコン（Ｓｉ）である場合は酸化炉法、Ｃ−
Ｖ−Ｄ法が採用出来、半導体ウェーハの基材がシリコン
以外のＧＧＧ、石英板等である場合はＣ−Ｖ−Ｏ法が採
用される。
の基材がシリコン（Ｓｉ）である場合は酸化炉法、Ｃ−
Ｖ−Ｄ法が採用出来、半導体ウェーハの基材がシリコン
以外のＧＧＧ、石英板等である場合はＣ−Ｖ−Ｏ法が採
用される。
（作 用）
上記方法によれば、保持具のプレートに半導体ウェーハ
の非研磨面に施した酸化膜が当接して研磨されるため、
非研磨面は被覆保護されると共に、酸化膜は均一な膜厚
で硬いため半導体ウェーハの平坦度をそのまま再現し、
研磨を可能とする。
の非研磨面に施した酸化膜が当接して研磨されるため、
非研磨面は被覆保護されると共に、酸化膜は均一な膜厚
で硬いため半導体ウェーハの平坦度をそのまま再現し、
研磨を可能とする。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明すると、第
１図は保持具に固定する前の半導体ウェーハを示し、半
導体ウェーハ１の非研磨面１ａ側に酸化膜２を形成づる
。
１図は保持具に固定する前の半導体ウェーハを示し、半
導体ウェーハ１の非研磨面１ａ側に酸化膜２を形成づる
。
上記酸化ＷＡ２は半導体ウェーハ１の基材にＣ−Ｖ−Ｄ
法により非研磨面１ａに酸化膜２を形成すると共に、そ
の膜厚は５００〜２０，０００人で全面を均一な厚さと
する。
法により非研磨面１ａに酸化膜２を形成すると共に、そ
の膜厚は５００〜２０，０００人で全面を均一な厚さと
する。
以上の如くして非研磨面１ａに酸化膜２を形成した半導
体つｌ−ハ１はウェーハ保持具Ａに嵌合装着して研磨作
業が行われる。
体つｌ−ハ１はウェーハ保持具Ａに嵌合装着して研磨作
業が行われる。
上記ウェーハ保持具Ａはプレート３と、そのプレート３
を保持する加圧ヘッド４と、半導体つ工−ハ１が嵌入す
る窓孔６を開穿した支持板５とで構成されている。
を保持する加圧ヘッド４と、半導体つ工−ハ１が嵌入す
る窓孔６を開穿した支持板５とで構成されている。
従って、半導体ウェーハ１の非研磨面１ａ側を被覆する
酸化膜２をプレート３と対向させた状態で支持板５の窓
孔６内のプレート３上に載置し、この半導体ウェーハ１
の酸化膜２とプレート３との間に介在させた水の表面張
力によって半導体ウェーハ１を保持具Ａに保持固定する
。以上の状態で半導体ウェーハ１の研磨面１ｂ側を定盤
７表面の研磨布８に圧接させ、加圧ヘッド４及び研磨機
の定盤７を夫々回転さゼて半導体ウェーハ１の研磨布１
ｂを研磨加工する。上記の研磨加工において、半導体ウ
ェーハ１の非研磨面１ａ側は硬度膜である酸化膜を介し
てプレート３に保持されるため、非研磨面１ａ側に傷が
付くのを確実に防止できると共に、硬質材のプレート３
に、硬度膜で均一な厚さの酸化膜２が当接するため、プ
レート表面の平ｌ！ｌ疾はそのまま再現され、その結果
、定盤７上の研磨布８に対する半導体ウェーハ１の加圧
も全面均一に行われて均一な厚さに研磨加工が行われる
。研磨完了模における酸化膜２の洗浄除去は、フッ酸等
によって行う。
酸化膜２をプレート３と対向させた状態で支持板５の窓
孔６内のプレート３上に載置し、この半導体ウェーハ１
の酸化膜２とプレート３との間に介在させた水の表面張
力によって半導体ウェーハ１を保持具Ａに保持固定する
。以上の状態で半導体ウェーハ１の研磨面１ｂ側を定盤
７表面の研磨布８に圧接させ、加圧ヘッド４及び研磨機
の定盤７を夫々回転さゼて半導体ウェーハ１の研磨布１
ｂを研磨加工する。上記の研磨加工において、半導体ウ
ェーハ１の非研磨面１ａ側は硬度膜である酸化膜を介し
てプレート３に保持されるため、非研磨面１ａ側に傷が
付くのを確実に防止できると共に、硬質材のプレート３
に、硬度膜で均一な厚さの酸化膜２が当接するため、プ
レート表面の平ｌ！ｌ疾はそのまま再現され、その結果
、定盤７上の研磨布８に対する半導体ウェーハ１の加圧
も全面均一に行われて均一な厚さに研磨加工が行われる
。研磨完了模における酸化膜２の洗浄除去は、フッ酸等
によって行う。
（発明の効果）
本発明の研磨方法は以上詳述した如く、半導体ウェーハ
の非研磨面側を予め酸化膜で被覆し、研磨加工終了後、
前記酸化膜を除去するようにしたものであるから、保持
具におけるプレートとの当接面にクツション材などを介
在せずども非研磨面に傷が付くのを確実に防止し得ると
共に、酸化膜は硬度膜で均一な厚さに形成できるため、
プレート表面の平坦度をそのまま再現することができる
。
の非研磨面側を予め酸化膜で被覆し、研磨加工終了後、
前記酸化膜を除去するようにしたものであるから、保持
具におけるプレートとの当接面にクツション材などを介
在せずども非研磨面に傷が付くのを確実に防止し得ると
共に、酸化膜は硬度膜で均一な厚さに形成できるため、
プレート表面の平坦度をそのまま再現することができる
。
従って、半導体ウェーハの加圧は全面均一に行わ゛れ、
研磨終了後のウェーハは均一な厚さに仕上げることがで
きる。
研磨終了後のウェーハは均一な厚さに仕上げることがで
きる。
依って、高品質の研磨を行うことができる研磨方法を提
供できる。
供できる。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は酸化膜を施した
半導体ウェーハの一部切欠斜視図、第２図は研磨状態の
断面図、第３図は保持具の従来構造を示す断面図である
。 図中、 １：半導体ウェーハ １ａ：半導体ウェーハの非研磨面 ２：Ｍ化膜
半導体ウェーハの一部切欠斜視図、第２図は研磨状態の
断面図、第３図は保持具の従来構造を示す断面図である
。 図中、 １：半導体ウェーハ １ａ：半導体ウェーハの非研磨面 ２：Ｍ化膜
Claims (1)
- 半導体ウェーハの非研磨面側を保持具に嵌合装着した
状態で該ウェーハの研磨面側を研磨装置の定盤表面の研
磨布に圧接させて研磨する研磨方法において、前記半導
体ウェーハの非研磨面側を予め酸化膜で被覆し、研磨加
工終了後、前記酸化膜を除去することを特徴とする研磨
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284867A JPH01125830A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284867A JPH01125830A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125830A true JPH01125830A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17684058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62284867A Pending JPH01125830A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104153A (ja) * | 1992-03-16 | 1994-04-15 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655052A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mechanical and chemical polishing |
| JPS5927529A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-14 | Clarion Co Ltd | 半導体装置用ウエフアの製造方法 |
| JPS6251226A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Toshiba Corp | 研磨方法 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62284867A patent/JPH01125830A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655052A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mechanical and chemical polishing |
| JPS5927529A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-14 | Clarion Co Ltd | 半導体装置用ウエフアの製造方法 |
| JPS6251226A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Toshiba Corp | 研磨方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104153A (ja) * | 1992-03-16 | 1994-04-15 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の製造方法 |
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