JPH0426982B2 - - Google Patents

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JPH0426982B2
JPH0426982B2 JP62300310A JP30031087A JPH0426982B2 JP H0426982 B2 JPH0426982 B2 JP H0426982B2 JP 62300310 A JP62300310 A JP 62300310A JP 30031087 A JP30031087 A JP 30031087A JP H0426982 B2 JPH0426982 B2 JP H0426982B2
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JP
Japan
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workpiece
carrier plate
mounting material
mounting
thermoplastic resin
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JP62300310A
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JPS63162155A (ja
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Deii Budeingaa Uiriamu
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Original Assignee
Individual
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Publication of JPS63162155A publication Critical patent/JPS63162155A/ja
Publication of JPH0426982B2 publication Critical patent/JPH0426982B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H10P90/123—Preparing bulk and homogeneous wafers by grinding or lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、平坦な工作物、特に、シリコンウエ
ーハなどの半導体材料を研磨、ラツプ仕上げ及び
研削するためにキヤリアプレートに取付ける工作
物取付け方法に関する。
従来の技術 従来、シリコンエーハなどの半導体を研磨加工
する際、工作物ウエーハをキヤリアプレートに取
付ける方法としてワツクス式と、ワツクスレス式
の２方法がある。前者は、シリコンウエーハの裏
面にワツクスを薄膜状に被覆するか、キヤリアプ
レートの表面にワツクス溶液の非常に薄い層をス
ピンコーチングにより被覆する方法である。その
場合、溶媒は蒸発し、非常に平面度の高いワツク
スの薄膜が残され、このワツクスの表面上にウエ
ーハを直接押し付けてキヤリアプレートに取付け
る。しかし、このようなワツクス方式は、作業者
の熟練依存度が高いこと、塵埃、粉塵、その他の
汚染に対する許容度が低いなどの欠点がある他、
ウエーハの研磨が終了するたびに、キヤリアプレ
ートからウエーハを外した後、次の研磨工程の前
にキヤリアプレートの表面からワツクスを完全に
除去する必要がある。しかも、そのような洗浄工
程にはトリクレンなどの地下汚染や作業環境の悪
化を招く塩素系溶剤を用いなければならず、その
廃棄処理に費用と時間がかかる。
これに対して、近年提案されているワツクスレ
ス方式（ワツクスを使用しない方式）として、ウ
エーハのサイズに対応する大きさの穴を有する型
板（テンプレート）を用意し、多層積層体（裏当
材と、ウエーハ取付材）から成るウエーハ保持用
パツドを型板の裏面全体に両面テープにより固着
させるテンプレート（型板）・アツセンブリー方
式が提案されている。この方法は、上記ワツクス
方式とは異なり、水貼りによりウエーハを取付材
に貼りつけるので、上述した溶剤使用により誘起
される諸問題は回避される。ウエーハのサイズ毎
に高価な専用キヤリアプレートを用意する必要が
なく、ウエーハのサイズに対応する穴を備えたテ
ンプレート・アツセンブリーを用意すればよいと
いう利点は得られるが、研磨加工を繰り返すこと
により取付材が繰り返し圧縮応力による変形を受
け劣化する。そのときには、比較的安価であると
はいえ、テンプレート・アツセンブリー全体を取
換える必要があり、やはりウエーハ１枚当たりの
コストがかなり割高になる。更に、多層積層体の
ウエーハ保持用パツドがキヤリアプレートに固定
されて動かず、積層体を構成する各層の厚みむら
が増幅されてウエーハの研磨面に影響し、研磨精
度が低下する。このテンプレート・アツセンブリ
ー方式は、操作の便と掃除の便の両面において重
要な改良をもたらした。しかしながら、この改良
は、最終部品における平面度を犠牲にして得られ
たものにすぎない。
産業界、特にエレクトロニクス業界は、常に、
より平面度の高い部品を求めているので、上述し
た工作物取付方式は、不満足なものである。「ワ
ツクスレス」方式による場合の平面度の低下の主
な原因は、裏当材又は取付材の精度欠落である。
エレクトロニクス産業では、今日、直径150mmの
工作物に凹凸1μ以内の平面度を必要とするよう
なウエーハ基材の仕様を考えている。ラツプ仕上
げ工作物にそのような平面度を達成するには、通
常、加工すべき工作物をその所要の平面度と少く
とも同等の平面度の基準表面に当接させて固定し
なければならない。しかし、ワツクスレス取付法
に使用される取付材では、そのような精度に形成
するのは、経済的にみて、あるいは実用上からみ
て不可能である。そのような取付材における精度
の欠落は、取付材自体の柔軟性又は圧縮性によつ
てある程度補償することができる。しかしなが
ら、複数個のウエーハを柔軟な、又は圧縮自在の
取付材を用いてキヤリアプレートに取付けた場
合、うねり作用が生じ、最終仕上り工作物の平面
度が著しく損われる。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、従来のワツクス方式及びワツクスレ
ス方式のいずれにも随伴する上述のような問題点
を解決することを企図したものであり、今日エレ
クトロニクス産業において直径150mmのウエーハ
で1μ以内の凹凸に仕上げられた平面度のウエー
ハやマスクが要求されることに鑑みて、シリコ
ン、ガラス又はその他の材料でできた平坦な工作
物に研削、ラツプ仕上又は研磨などの加工を施す
間できうる限り平面度の高い表面を得るためにそ
れらの平坦な工作物をそれぞれ独立して取付け、
研磨面の微少な傾きを補償しウエーハの研磨精度
を向上させる改良された工作物取付け方法を提供
する。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するために、平坦
な工作物を研磨、ラツプ仕上げ及び研削するため
にキヤリアプレートに取り付ける工作物取付け方
法であつて、 中心部をスピンドルに回転自在に取付けること
ができるようになされたキヤリアプレートと、該
キヤリアプレートの一方の面と協同して空洞を画
定する少なくとも１つの貫通穴を有する平坦な型
板を準備し、 該型板をキヤリアプレートの面に脱着自在に固
定し、 前記空洞内に挿入することができる容積圧縮性
の工作物取付材を準備し、 該取付材を該空洞内に挿入し、取付材と前記キ
ヤリアプレートの面との間に熱可塑性樹脂を介在
させ、 該熱可塑性樹脂を溶融させるのに十分な温度に
加熱し、 仕上り工作物に望まれる平面度と同等又はそれ
以上の平面度にまで予め研磨された基準面体を準
備し、 該基準面体を前記取付材の上に載せ、前記熱可
塑性樹脂の溶融温度より低い温度下で、しかし該
熱可塑性樹脂がまた溶融状態にあり、流動性を維
持している間に取付材及び基準面体を研磨時の加
工圧にほぼ等しい圧力で押圧し、 該圧力に保持したままで熱可塑性樹脂を冷却硬
化させて、前記取付材をキヤリアプレートに脱着
自在に接合させ、 前記基準面体を取付材から取外し、その取付材
上に工作物を取付けることから成る工作物取付け
方法を提供する。
実施例の説明 以下に、本発明の工作物取付け方法を添付図を
参照して説明する。本発明の方法によれば、研磨
機の工作物キヤリアプレート１２の平坦面に、工
作物（ウエーハ）を挿入するための少なくとも１
つの穴１６を穿設した平坦な型板１０を接着剤層
１４によつて脱着自在に固着する。
キヤリアプレート１２は、通常、0.5μm以内の
平面度にまでラツプ仕上し、表面を硬くし、腐食
を防止するためにクロームを蒸着した鋳鉄によつ
て製造する。キヤリアプレートは、研磨機の研磨
用平面体であつて、キヤリアプレートは上定盤と
も称され、使用時には、キヤリアプレート（上定
盤）に工作物（ウエーハ）を取付け、研磨機の定
盤（下定盤）に研磨材を装着し、上下定盤を合わ
せて研磨（加工）圧をかけキヤリアプレートを回
転させ上下定盤の間の隙間に砥液を注流しながら
研磨を行なう。
型板１０には、ウエーハ取付材２４を受け入れ
るのに十分な直径の貫通穴１６を必要個数だけ等
間隔をおいて形成する。各穴１６は、隣接するキ
ヤリアプレート１２の平坦面と協同して空洞を形
成する。型板１０の、取付材２４を入れる穴１６
は、パンチで打ち抜くか、あるいはレーザで切り
抜くこともできるが、機械加工によつて穿設した
場合、穴の縁が工作物を研磨中確実に保持するこ
とが認められた。
型板１０は、米国Ｇ−10と称されるガラス繊維
入りエポキシ樹脂で形成することができるが、Ｇ
−10の他に、例えばポリカーボネート、ポリウレ
タン、アセタール、フエノール樹脂、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル等のプラス
チツクなどの他の材料を用いることもできる。た
だし、型板１０の素材として金属材を使用するの
は適当ではない。なぜなら、金属材は、摩耗率が
高く、硬いために工作物の縁を欠いてしまうおそ
れがあるからである。
型板１０は適当な接着剤層１４によつてキヤリ
アプレート１２に固着させる。接着剤としては、
3M社のNo.583のようなホツトメルト型フエノール
樹脂が良好であり、型板を交換する場合、熱又は
アセトンにより容易に軟化させ除去することがで
きる。型板１０をキヤリアプレート１２に固定す
る場合、接着剤層１４が型板１０の穴１６によつ
て画定される部分のキヤリアプレート１２上に残
らないようにすることが肝要である。即ち、キヤ
リアプレート１２の各空洞の部分には接着材層１
４を被着させない。
各空洞には同型の取付材２４を挿入することが
できるようにする。通常、キヤリアプレートは下
向きで使用されるが、準備の段階ではキヤリアプ
レート上の型板１０の穴１６を上に向けるように
して操作するのが便利である。
取付材２４は、柔軟な高圧縮性シートであり、
復元性を有する微孔質（マイクロポーラス又はマ
イクロフオーム）シート又はフイルムによつて形
成される。このような取付材は、水に濡れても紙
のように弱々しくならず、しわにもならず、適当
な弾力を保ち、取付け平面（キヤリアプレート）
に対しても大きな許容性をもつている。
取付材２４の材料としては、例えば、模造皮革
を得るために開発された凝固微孔質（マイクロポ
ーラス）フイルムや、微気泡（マイクロフオー
ム）のインフレートフオームなどが好適であるこ
とが認められた。前者の材料の例としては、米国
特許第4021161号に記載された中間層、米国特許
第3871938号、4006052号、3284274号、3492154
号、3565668号、3524791号、及び3208875号に記
載されたフイルムなどがある。ある種のフイルム
の場合は、直径500μもの大きな微孔の存在でさ
えも、圧縮永久歪特性を劣化させることなく、初
期圧縮弾性率を低くする利点があると考えられ
る。
取付材２４の容積圧縮弾性率は、最終製品に得
られる平面度に非常に強い影響力を有することが
認められた。取付材２４が通常の研磨時の作用力
（即ち加工圧）を受けて、その材料の圧縮可能範
囲の10ないし60％に圧縮される状態で研磨される
ウエーハが最も高い平面度を示した。圧縮度は、
取付材に、それ以上容積圧縮を示さなくなるまで
順次に高い荷重をその極限までかけることによつ
て測定することができる。例えば、ある特定材料
の0.381mm（15ミル）厚のマイクロポーラスフイ
ルムの極限圧縮時の厚さは0.127mm（５ミル）で
あつた。このフイルムの場合、その圧縮可能範囲
の10〜60％の圧縮は、0.0254〜0.1524mm（１〜６
ミル）の圧縮に相当する。
更に又、取付材２４にとつては、圧縮永久歪が
非常に有害であることが分かつた。取付材２４の
圧縮永久歪はゼロであるのが理想であり、実際上
可能なかぎり低い圧縮永久歪値を有する材料であ
ることが望ましい。又、ヒステリシスの高い材料
では、最終製品に良好な平面度が得られないこと
が認められるので、ヒステリシスも低いほどよ
い。これは、取付材が研磨又はラツプ仕上操作の
作用力を受けて屈曲したとき過熱や不均一な熱を
生じるためであると考えられる。
最終製品の平面度に及ぼす影響という点では取
付材２４は、最も重要な要素である。この取付材
は、工作物２６の裏面に直接接触させるようにし
た場合に最も効果的に使用しうることが確認され
た。取付材２４は、その密度を減少させることに
よつて、あるいは又、その表面をサンドブラスト
処理して、その気孔を露出させ、表面の圧縮弾性
率を低下させることによつても良い結果が得られ
ることが認められた。
本発明の方法によれば、キヤリアプレート１２
に取付材２４を脱着自在に接合する手段として、
常温では固体であるが一定温度以上で軟化し始
め、温度を下げると硬化する、例えばペンタリン
Ｃ（商標名）（溶融温度約85℃）のような熱可塑性
樹脂を用いる。このような熱可塑性樹脂を型板１
０の穴即ち空洞１６内でキヤリアプレート１２の
表面即ち空洞の底面上に導入し、空洞を、熱可塑
性樹脂を溶融させるのに十分な温度にまで加熱し
た後、空洞内に取付材を挿入する。あるいは、先
に空洞内の熱可塑性樹脂の上に取付材２４を載せ
てから空洞を加熱してもよい。次ぎに、仕上り工
作物（ウエーハ）２６に望まれる平面度と同等又
はそれ以上の平面度の基準面をもつ、予め研磨さ
れた基準面体（「ウエーハブランク」又は「ウエ
ーハダミー」又は単に「ブランク」又は「ダミ
ー」とも称する）を取付材２４の上に載せ、前記
熱可塑性樹脂の溶融温度より低い温度下で、しか
し該熱可塑性樹脂がまだ溶融状態にあり、流動性
を維持している間に取付材及びダミーを研磨時の
加工圧にほぼ等しい圧力で押圧し、その圧力に保
持したままで熱可塑性樹脂を冷却硬化させ、取付
材２４をキヤリアプレートに脱着自在に接合させ
る。
次ぎに、基準面体即ちダミーを取付材２４から
取外し、その取付材に研磨すべき工作物（ウエー
ハ）を取付ける。取付材２４と工作物２６との合
計の厚さは、型板１０と接着剤層１４との合計の
厚さより大きいので、工作物２６は、それと隣接
する型板１０の露出面を越えて突出する（第２図
参照）。キヤリアプレート１２は、スピンドル３
０上で軸受２８の回りに回転自在とする。取付材
２４へのウエーハの取付けは、取付材の表面に水
や、ポリエチレングリコール等のグリコール類又
は粘性液体を滴下して工作物を押付け吸着保持さ
せることによつて行なう。
次いで、研磨機の定盤（下定盤）（図示せず）
に研磨材を装着し、キヤリアプレート（上定盤）
１２を定盤に合わせて研磨（加工）圧をかけ、キ
ヤリアプレートを回転させ上下定盤の間の隙間に
砥液を注流しながら研磨を行なう。
叙上のように本発明によれば、研磨すべき工作
物に望まれる研磨精度以上に研磨された平面度の
（超平坦な）基準面をもつ基準面体（ダミー）を
取付材２４に載せ、上記熱可塑性樹脂がまだ溶融
状態にあり流動性を維持している間にダミー及び
取付材をキヤリアプレートに圧接させる。この押
圧力は、実際に加工すべき工作物を取付材に取付
けて研磨する際に工作物にかける研磨圧にほぼ等
しい一定の圧力とする。それによつて、フイルム
状取付材２４が予め研磨操作のときと同様に圧縮
され、流動状態にある熱可塑性樹脂が流動し自動
的に取付材とキヤリアプレートとの間に分配され
て、フイルム状取付材２４及びキヤリアプレート
１２の面の凹凸を補償する（埋め合わせる）。従
つて、取付材は、樹脂が冷却硬化されると、後に
それに取り付けて研磨すべき工作物に対し均一な
平坦面を呈示することができ、研磨操作の際工作
物の全面に亘つて均一な圧力を及ぼすことができ
る。従つて、ダミーを取除き、工作物（ウエー
ハ）をこの取付材に取付けて研磨した場合、研磨
が進行するにつれて工作物は、取付材との協同に
よつて基準面体（ダミー）の超平坦な平面度に達
するまで自動的に圧力を均一化するように働きな
がら研磨されていく。換言すれば、圧力が均一化
する状態は、工作物が超平坦なダミーと同じ平面
度を得たときにはじめて達成される。しかも、取
付材２４は、圧縮性材料であり、復元性を有する
ので、外からの偏つた作用圧や、取付材の傾き、
工作物（ウエーハ）の平面上の微小な凹凸等に鋭
敏に対応して精細に研磨圧力を均一化し研磨結果
を良好ならしめる。かくして、本発明の方法によ
れば、超平坦な基準面をもつ基準面体、即ちダミ
ーと同等の、極めて高い仕上り平面度が得られ
る。
研磨により損傷が激しいのは、ウエーハを取付
ける取付材の部分である。研磨時にあつては、砥
液が常に工作物に向かつて注流されており、全体
が高速度で回転しているので、工作物と取付材２
４との接合部から砥液が進入して汚染されるばか
りでなく、取付材２４は、使用により次第に摩耗
し、弾力性を減退し、材料的老化も起こすので、
取換えなければならないが、本発明の方法によれ
ば従来のように型枠全体を取換えるのでなく、そ
の一部分である取付材のみを各穴ごとに個々に取
換えればよく、きわめて経済的である。しかも、
本発明の方法に使用される熱可塑性樹脂は従来の
ワツクスに比べて簡単に溶融し、キヤリアプレー
トの面から容易に除去することができるので、取
付材の脱着は甚だ簡単であり、キヤリアプレート
面の掃除も簡単である。
以下に、本発明の方法を実施した具体例を説明
する。
直径203mm、厚さ1.27mmのガラス繊維入りエポ
キシ樹脂（米国でＧ−10と称される材料）のシー
トの円板を型板１０とし、これを0.762mmにまで
ラツプ仕上げし、機械加工により直径77mmの穴１
６を３個穿設した。この型板１０をその裏面に両
面粘着テープを貼りキヤリアプレート１２に取付
けた。次いで、型板１０を上にしてキヤリアプレ
ート１２をオーブン内に入れ、150℃の温度にま
で加熱した。20％のポリプロピレングリコールを
含有したペンタリンＣ（商標名）樹脂（熱可塑性
樹脂）正１グラムを各穴１６によつて画定される
空洞の中央部に置いて溶融させた。次いで、各空
洞内に直径76.8mmの微孔質（マイクロポーラス）
ウレタンの円盤状フイルムから成る取付材２４を
挿入した。各取付材（即ち円板状フイルム）の上
面に、直径76.2mm、厚さ0.508mmの既に研磨され
た超平坦な基準面をもつシリコンウエーハ（ウエ
ーハダミー）を載せた。次いで、この組立体全体
を上記樹脂が溶融状態にあつて暖かい間にプレス
内に入れ、ダミー及び取付材に22.5Kgのプレス圧
力をかけ、20℃にまで冷却した。５分後その組立
体をプレスから取出し、ウエーハダミーを円板状
フイルム（取付材）から外した。次ぎに、円板状
取付材の表面を水で湿し、研磨すべきウエーハを
取付けて固定し、砥液を注流しながら研磨した。
結果は、下記のように良好であつた。
取付材の容積圧縮率 40％ 測定圧 300ｇ／cm3 仕上りウエーハの精度 TTV値 2.5μ 更に続けて同一の円板状取付材を用いてウエーハ
の研磨操作を行つたところ、25枚目のウエーハで
取付材は、ウエーハの仕上り平面度を劣化させる
ほどに摩耗又は汚染されていることが認められ
た。この時点で、キヤリアプレートを150℃（即
し、上記樹脂を溶融させるのに十分な温度ではあ
るが、型板１０をキヤリアプレート１２に接合し
ている接着材を溶融しない温度）にまで再加熱す
ることによつて取付材を外して、新しい取付材を
最初のものと同様の態様で空洞に挿入した。取付
材の交換は容易に行うことができた。
発明の作用効果 本発明によつて得られる作用効果は下記の通り
である。
仕上り工作物に望まれる平面度と同等又はそれ
以上の平面度にまで予め研磨された基準面体（ダ
ミー）を工作物取付材の上に載せ、工作物をキヤ
リアプレートに接合するための熱可塑性樹脂の溶
融温度より低い温度下で、しかし熱可塑性樹脂が
まだ溶融状態にあり、流動性を維持している間に
取付材及び基準面体を研磨時の加工圧にほぼ等し
い圧力で押圧するので、流動状態にある熱可塑性
樹脂が流動し自動的に取付材とキヤリアプレート
との間に分配されて、取付材及びキヤリアプレー
トの面の凹凸を補償する（埋め合わせる）。従つ
て、取付材は、樹脂が冷却硬化されると、後にそ
れに取付けて研磨すべき工作物に対し均一な平坦
面を呈示することができ、基準面体と同等の極め
て高い仕上り平面度が得られる。
取付材は、圧縮性材料であり、復元性を有する
ので、外からの偏つた作用圧や、取付材の傾き、
工作物（ウエーハ）の平面上の微小な凹凸等に鋭
敏に対応して精細に研磨圧力を均一化し研磨結果
を良好ならしめる。
工作物をワツクスを介して直接キヤリアプレー
トの面に取付ける従来のワツクス式取付け法と異
なり、工作物を取付け、除去するのに熟練を要さ
ない。
従来のワツクスに比べて本発明の方法に用いら
れる熱可塑性樹脂は取扱が容易（簡単に溶融させ
除去することができる）であり、しかも、１つの
工作物を研磨するたびにワツクスを除去洗浄し新
たにワツクスを塗り替える必要がなく、何個かの
工作物を研磨した後摩耗又は汚損した取付材だけ
を個々に（型板の各穴の取付材ごとに）取換えれ
ばよいので、熱可塑性樹脂の塗り替え作業の頻度
を少なくすることができ、作業能率を大幅に向上
することができる。
製造費の高いキヤリアプレートを交換する必要
がないことはもちろん、型板をも交換する必要な
しに工作物を保持するための安価な取付材だけを
交換すればよいので、極めて経済的である。
研磨操作中工作物が熱可塑性樹脂に直接接触し
ないので樹脂による汚染がなく、溶剤による洗浄
を必要としない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法を実施するための工作物
ホルダの下からみた平面図、第２図は第１図の線
２−２に沿つてみた断面図である。 １０……型板、１２……キヤリアプレート、１
４……接着剤層、１６……穴、２０……熱可塑性
樹脂、２４……取付材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 平坦な工作物を研磨、ラツプ仕上げ及び研削
    するためにキヤリアプレートに取付ける工作物取
    付け方法であつて、 中心部をスピンドルに回転自在に取付けること
    ができるようになされたキヤリアプレートと、該
    キヤリアプレートの一方の面と協同して空洞を画
    定する少なくとも１つの貫通穴を有する平坦な型
    板を準備し、 該型板をキヤリアプレートの面に脱着自在に固
    定し、 前記空洞内に挿入することができる容積圧縮性
    の工作物取付材を準備し、 該取付材を該空洞内に挿入し、取付材と前記キ
    ヤリアプレートの面との間に熱可塑性樹脂を介在
    させ、 該熱可塑性樹脂を溶融させるのに十分な温度に
    加熱し、 仕上り工作物に望まれる平面度と同等又はそれ
    以上の平面度にまで予め研磨された基準面体を準
    備し、 該基準面体を前記取付材の上に載せ、前記熱可
    塑性樹脂の溶融温度より低い温度下で、しかし該
    熱可塑性樹脂がまだ溶融状態にあり、流動性を維
    持している間に取付材及び基準面体を研磨時の加
    工圧にほぼ等しい圧力で押圧し、 該圧力に保持したままで熱可塑性樹脂を冷却硬
    化させて、前記取付材をキヤリアプレートに脱着
    自在に接合させ、 前記基準面体を取付材から取外し、その取付材
    上に工作物を取付けることから成る工作物取付け
    方法。
JP62300310A 1982-09-23 1987-11-30 研磨のための工作物取付け方法 Granted JPS63162155A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US422124 1982-09-23
US06/422,124 US4512113A (en) 1982-09-23 1982-09-23 Workpiece holder for polishing operation

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US (1) US4512113A (ja)
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Families Citing this family (472)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0185767B1 (en) * 1984-05-29 1991-01-23 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Film for machining wafers
DE3524978A1 (de) * 1985-07-12 1987-01-22 Wacker Chemitronic Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben
JPS6310058U (ja) * 1986-07-07 1988-01-22
JPH0734498Y2 (ja) * 1988-02-03 1995-08-02 日東電工株式会社 スペーサー
US5243791A (en) * 1989-04-25 1993-09-14 Amp Incorporated Polishing fixture and method for polishing light emitting devices
US5257478A (en) * 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
US5146083A (en) * 1990-09-21 1992-09-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High temperature fiber optic microphone having a pressure-sensing reflective membrane under tensile stress
US5193316A (en) * 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5267418A (en) * 1992-05-27 1993-12-07 International Business Machines Corporation Confined water fixture for holding wafers undergoing chemical-mechanical polishing
US5256599A (en) * 1992-06-01 1993-10-26 Motorola, Inc. Semiconductor wafer wax mounting and thinning process
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5443416A (en) * 1993-09-09 1995-08-22 Cybeq Systems Incorporated Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus
US5473433A (en) * 1993-12-07 1995-12-05 At&T Corp. Method of high yield manufacture of VLSI type integrated circuit devices by determining critical surface characteristics of mounting films
US5733175A (en) * 1994-04-25 1998-03-31 Leach; Michael A. Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher
US5607341A (en) * 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5692950A (en) * 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US5716258A (en) * 1996-11-26 1998-02-10 Metcalf; Robert L. Semiconductor wafer polishing machine and method
US5882245A (en) * 1997-02-28 1999-03-16 Advanced Ceramics Research, Inc. Polymer carrier gears for polishing of flat objects
US6425812B1 (en) 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US6485361B1 (en) * 1997-12-18 2002-11-26 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for holding and delayering a semiconductor die
US6020262A (en) * 1998-03-06 2000-02-01 Siemens Aktiengesellschaft Methods and apparatus for chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer
US6152807A (en) 1998-07-07 2000-11-28 International Business Machines Corporation Lapping and polishing fixture having flexible sides
JP2000071170A (ja) 1998-08-28 2000-03-07 Nitta Ind Corp 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法
DE19901338C1 (de) * 1999-01-15 2000-03-02 Reishauer Ag Verfahren zum Profilieren von schnelldrehenden Schleifschnecken sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6238592B1 (en) 1999-03-10 2001-05-29 3M Innovative Properties Company Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication
US6855043B1 (en) * 1999-07-09 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Carrier head with a modified flexible membrane
US6431959B1 (en) * 1999-12-20 2002-08-13 Lam Research Corporation System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon
US6479386B1 (en) 2000-02-16 2002-11-12 Memc Electronic Materials, Inc. Process for reducing surface variations for polished wafer
US6666756B1 (en) 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
DE10054159A1 (de) * 2000-11-02 2002-05-16 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Montage von Halbleiterscheiben
US6645049B2 (en) * 2001-04-23 2003-11-11 Phuong Van Nguyen Polishing holder for silicon wafers and method of use thereof
US6612905B2 (en) * 2001-04-23 2003-09-02 Phuong Van Nguyen Silicon wafer polishing holder and method of use thereof
US7654885B2 (en) * 2003-10-03 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
US7588481B2 (en) * 2005-08-31 2009-09-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer polishing method and polished wafer
US8087975B2 (en) * 2007-04-30 2012-01-03 San Fang Chemical Industry Co., Ltd. Composite sheet for mounting a workpiece and the method for making the same
US8182315B2 (en) * 2008-03-24 2012-05-22 Phuong Van Nguyen Chemical mechanical polishing pad and dresser
CN103252711B (zh) * 2008-03-25 2016-06-29 应用材料公司 改良的承载头薄膜
US20100112905A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Leonard Borucki Wafer head template for chemical mechanical polishing and a method for its use
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US10160093B2 (en) 2008-12-12 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane roughness to control polishing rate
JP5446250B2 (ja) * 2008-12-25 2014-03-19 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ基板の研磨方法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP2010247254A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨ヘッドの製造方法及び研磨装置
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5545640B2 (ja) * 2010-05-11 2014-07-09 株式会社ディスコ 研削方法
US8414361B2 (en) * 2010-08-13 2013-04-09 Phuong Van Nguyen Silicon carbide, sapphire, germanium, silicon and pattern wafer polishing templates holder
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
USD684551S1 (en) 2011-07-07 2013-06-18 Phuong Van Nguyen Wafer polishing pad holder
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
USD726133S1 (en) 2012-03-20 2015-04-07 Veeco Instruments Inc. Keyed spindle
USD712852S1 (en) 2012-03-20 2014-09-09 Veeco Instruments Inc. Spindle key
USD687790S1 (en) * 2012-03-20 2013-08-13 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
USD695241S1 (en) * 2012-03-20 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD690671S1 (en) * 2012-03-20 2013-10-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD687791S1 (en) * 2012-03-20 2013-08-13 Veeco Instruments Inc. Multi-keyed wafer carrier
USD686582S1 (en) * 2012-03-20 2013-07-23 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD711332S1 (en) 2012-03-20 2014-08-19 Veeco Instruments Inc. Multi-keyed spindle
USD686175S1 (en) * 2012-03-20 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
USD695242S1 (en) * 2012-03-20 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having pockets
US9816184B2 (en) 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US20130267155A1 (en) * 2012-04-09 2013-10-10 Phuong Van Nguyen Wafer Polishing Pad Holder Template
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
USD743357S1 (en) * 2013-03-01 2015-11-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN106992112A (zh) * 2016-01-21 2017-07-28 苏州新美光纳米科技有限公司 超薄晶片的抛光方法
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US20170252893A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-07 P.R. Hoffman Machine Products Inc. Polishing machine work piece holder
US10556317B2 (en) * 2016-03-03 2020-02-11 P.R. Hoffman Machine Products Inc. Polishing machine wafer holder
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN107457688A (zh) * 2017-10-01 2017-12-12 德清凯晶光电科技有限公司 大基片游星轮
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10573547B1 (en) 2018-11-05 2020-02-25 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc Apparatus and method for facilitating planar delayering of integrated circuit die
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
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JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
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KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
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USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN115070619B (zh) * 2022-08-18 2023-08-22 苏州燎塬半导体有限公司 一种锑化物磨抛夹具及锑化物晶片的磨抛方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3453783A (en) * 1966-06-30 1969-07-08 Texas Instruments Inc Apparatus for holding silicon slices
US3449870A (en) * 1967-01-24 1969-06-17 Geoscience Instr Corp Method and apparatus for mounting thin elements
US3924361A (en) * 1973-05-29 1975-12-09 Rca Corp Method of shaping semiconductor workpieces
JPS5027195A (ja) * 1973-07-13 1975-03-20
US4081928A (en) * 1974-05-16 1978-04-04 Texas Instruments Incorporated Silicon slice carrier block and plug assembly
JPS5185588A (ja) * 1975-01-24 1976-07-27 Hitachi Ltd
US4132037A (en) * 1977-02-28 1979-01-02 Siltec Corporation Apparatus for polishing semiconductor wafers
JPS5931213B2 (ja) * 1977-11-18 1984-07-31 三菱電機株式会社 半導体ウエハのラツプ定盤への接着方法
US4221083A (en) * 1978-01-03 1980-09-09 Valley Industrial Products Heat shield blocking and mounting disc for lens grinding
JPS5511767A (en) * 1978-07-12 1980-01-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd Mirror finishing method of semiconductor wafer
JPS56146667A (en) * 1980-04-18 1981-11-14 Hitachi Ltd Mirror surface grinder

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63162155A (ja) 1988-07-05
JPS5959347A (ja) 1984-04-05
JPH035414Y2 (ja) 1991-02-12
JPS5950665U (ja) 1984-04-03
JPH0335063B2 (ja) 1991-05-24
US4512113A (en) 1985-04-23

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