JPH01125930A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPH01125930A JPH01125930A JP62284711A JP28471187A JPH01125930A JP H01125930 A JPH01125930 A JP H01125930A JP 62284711 A JP62284711 A JP 62284711A JP 28471187 A JP28471187 A JP 28471187A JP H01125930 A JPH01125930 A JP H01125930A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- frame
- membrane
- ray mask
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はＸ線リソグラフィ用マスクの構成材料に関し、
熱膨張係数が近似し且つ耐薬品性に乏しい材料を支持枠
として使用可能ならしめることを目的とし、 シリコンと同じ或いは近似の熱膨張係数を有し、且つシ
リコンを腐食する薬品によって同様に腐食される材料の
表面を、窒化硼素、炭窒化硼素、炭化珪素或いは窒化珪
素で被覆した環状成型体を支持枠として使用する如く構
成する。
として使用可能ならしめることを目的とし、 シリコンと同じ或いは近似の熱膨張係数を有し、且つシ
リコンを腐食する薬品によって同様に腐食される材料の
表面を、窒化硼素、炭窒化硼素、炭化珪素或いは窒化珪
素で被覆した環状成型体を支持枠として使用する如く構
成する。
本発明はＸ線リソグラフィ用マスクの構成材料に関する
ものである。
ものである。
Ｘ線リソグラフィは半導体装置の製造等に多用されてい
るが、微細パターンの形成を目的とするものであるから
、残留応力などによってパターンが変形することは避け
ねばならない。
るが、微細パターンの形成を目的とするものであるから
、残留応力などによってパターンが変形することは避け
ねばならない。
更にその基本構造は、高密度のＸ線吸収体から成るマス
クパターンを、Ｘ線吸収が無視できる程の薄さのメンブ
レンで保持するものであり、補強構造が不可欠であると
ころから、現実のＸ線マスクの構造は製、遣方法に密接
に関わっている。
クパターンを、Ｘ線吸収が無視できる程の薄さのメンブ
レンで保持するものであり、補強構造が不可欠であると
ころから、現実のＸ線マスクの構造は製、遣方法に密接
に関わっている。
公知のＸ線マスクの通常のものは第３図の構造を有する
。即ち、メンブレンと呼ばれるＸ線吸収の少ない薄膜１
の上に、所定のパターンに成形されたＸ線吸収体２を被
着した構造を基本とし、メンブレンを完全な平面に形成
するための補助材であるＳｉウェファ３と、全体に機械
的強度を与えるための支持枠４から成る。図は切断面を
模式的に示すものであるが、全体の平面形状は円形であ
り、支持枠そのものは平らな円環形である。
。即ち、メンブレンと呼ばれるＸ線吸収の少ない薄膜１
の上に、所定のパターンに成形されたＸ線吸収体２を被
着した構造を基本とし、メンブレンを完全な平面に形成
するための補助材であるＳｉウェファ３と、全体に機械
的強度を与えるための支持枠４から成る。図は切断面を
模式的に示すものであるが、全体の平面形状は円形であ
り、支持枠そのものは平らな円環形である。
かかる構造を実現するための一般的な製造方法は、第４
図（ａｌに示す如く、Ｓｉウェファ３の表面にＳｉＣ或
いはポリマーなどの皮膜１′を設け、同図（ｂｌに示す
如く支持枠４を接着した後、Ｓｉウェファの背面からＨ
Ｆ／ＨＮＯ，系エツチング液でエツチングを施してメン
ブレン１を形成し、更に引き続き、その上に所定パター
ンの吸収体２を形成するというものである。
図（ａｌに示す如く、Ｓｉウェファ３の表面にＳｉＣ或
いはポリマーなどの皮膜１′を設け、同図（ｂｌに示す
如く支持枠４を接着した後、Ｓｉウェファの背面からＨ
Ｆ／ＨＮＯ，系エツチング液でエツチングを施してメン
ブレン１を形成し、更に引き続き、その上に所定パター
ンの吸収体２を形成するというものである。
この工程では吸収体パターンの形成などにレジスト類が
使用され、そのベーキング等の処理のため２００℃程度
に昇温されることが避けられないから、支持枠の熱膨張
係数がＳｔに対し著しく異なると、この熱履歴の応力に
よって歪が発生することになる。
使用され、そのベーキング等の処理のため２００℃程度
に昇温されることが避けられないから、支持枠の熱膨張
係数がＳｔに対し著しく異なると、この熱履歴の応力に
よって歪が発生することになる。
単に熱膨張係数だけを合わせるのであれば、パイレック
スガラスやＳｉのバルクを支持枠として用いればよいこ
とになるが、このような材料ではＳｉウェファを背面か
らエツチングする工程で一緒にエツチングされてしまう
。それを避けようとすれば製造方法が複雑になり、歩留
まり或いはコストの面で不利となる。
スガラスやＳｉのバルクを支持枠として用いればよいこ
とになるが、このような材料ではＳｉウェファを背面か
らエツチングする工程で一緒にエツチングされてしまう
。それを避けようとすれば製造方法が複雑になり、歩留
まり或いはコストの面で不利となる。
従来知られている支持枠の材料は、大別すると、（１）
Ｂ ｅ、 ＡＩ 、 Ｔ ｉ、’ Ｃｒ或いはステンレ
ス鋼等の金属系、（２）石英、（３）パイレックス等の
ガラス系、（４１Ｓｉであるが、金属系はＳｉに比べて
熱膨張係数が大きすぎ、反対に石英は小さ過ぎるため、
上記の熱処理で応力が生ずることになる。パイレックス
は熱膨張係数はＳｔに近いが耐薬品性に問題があり、Ｓ
ｉの等方性エツチング液であるＨＦ／ＨＮ○、に侵され
るので、そのままでは使えない。
Ｂ ｅ、 ＡＩ 、 Ｔ ｉ、’ Ｃｒ或いはステンレ
ス鋼等の金属系、（２）石英、（３）パイレックス等の
ガラス系、（４１Ｓｉであるが、金属系はＳｉに比べて
熱膨張係数が大きすぎ、反対に石英は小さ過ぎるため、
上記の熱処理で応力が生ずることになる。パイレックス
は熱膨張係数はＳｔに近いが耐薬品性に問題があり、Ｓ
ｉの等方性エツチング液であるＨＦ／ＨＮ○、に侵され
るので、そのままでは使えない。
ＳｉＣのようなセラミックを使用するという着想もある
が、成型精度を高めようとすると、コストが上昇する等
の問題がある。
が、成型精度を高めようとすると、コストが上昇する等
の問題がある。
本発明は熱膨張係数に主眼を置いて材料を選択した場合
、耐エツチング特性に問題が生ずる点を解消しようとす
るものである。
、耐エツチング特性に問題が生ずる点を解消しようとす
るものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕
パイレックスなど、熱膨張係数がＳｉに近いガラス系材
料はＳｔのエツチング液に同様に侵される問題を解決す
るため、本発明では シリコンと同じ或いは近似の熱膨張係数を有し、且つシ
リコンを腐食する薬品によって同様に腐食される材料の
表面を、窒化硼素、炭窒化硼素、炭化珪素或いは窒化珪
素で被覆した環状成型体を支持枠とする。
料はＳｔのエツチング液に同様に侵される問題を解決す
るため、本発明では シリコンと同じ或いは近似の熱膨張係数を有し、且つシ
リコンを腐食する薬品によって同様に腐食される材料の
表面を、窒化硼素、炭窒化硼素、炭化珪素或いは窒化珪
素で被覆した環状成型体を支持枠とする。
窒化硼素、炭窒化硼素、炭化珪素或いは窒化珪素といっ
た材料はメンブレンとしても使用される材料であり、通
常のＳｔエツチング液には侵されないという特徴がある
。従って支持枠の表面にこれ等の材料を被覆しておけば
、Ｓｉウェファを背面からエツチングする工程でも支持
枠が損傷を受けることがない。
た材料はメンブレンとしても使用される材料であり、通
常のＳｔエツチング液には侵されないという特徴がある
。従って支持枠の表面にこれ等の材料を被覆しておけば
、Ｓｉウェファを背面からエツチングする工程でも支持
枠が損傷を受けることがない。
第１図は本発明の一つの実施例を示す断面模式図である
。メンブレン１は公知の材料、例えばＳｉＣであり、Ｘ
線吸収体２も同様で、例えばタングステン或いは金など
の重金属である。３のＳｉウェファが、メンブレンを完
全な平面に形成するための補助材である点も公知技術と
同様である。
。メンブレン１は公知の材料、例えばＳｉＣであり、Ｘ
線吸収体２も同様で、例えばタングステン或いは金など
の重金属である。３のＳｉウェファが、メンブレンを完
全な平面に形成するための補助材である点も公知技術と
同様である。
４はパイレックスガラスを平板円環形に成型した支持枠
であり、その表面はＳｉＣ皮膜５によっテ被覆されてい
る。該支持枠とメンブレンを保持するＳｉウニ、ファ３
の環状残片とはエポキシ系の接着剤によって固着されて
いる。
であり、その表面はＳｉＣ皮膜５によっテ被覆されてい
る。該支持枠とメンブレンを保持するＳｉウニ、ファ３
の環状残片とはエポキシ系の接着剤によって固着されて
いる。
かかる構成体は第２図に示す工程によって製造される。
以下、同図を参照しながら、実施例の構造の製造工程を
説明する。
説明する。
先ず、Ｓｉウェファ３の全面にＣＶＤ法によって２〜６
μｍの厚さの５ｉＣ１！Ｉｆ’を被着しく（ａ）図）、
メンブレン形成部分の背面のＳ ｉ Ｃ＠を選択的に除
去する（（ｂ）図）。
μｍの厚さの５ｉＣ１！Ｉｆ’を被着しく（ａ）図）、
メンブレン形成部分の背面のＳ ｉ Ｃ＠を選択的に除
去する（（ｂ）図）。
別に、厚さ５■のパイレックスガラスを平板円（（Ｃ）
図）。
図）。
ＳｉＣ皮膜を選択的に除去したＳｉウェファとＳｉＣ被
覆したパイレックス支持枠をエポキシ系の接着剤で接着
し、ＳｉウェファをＩＦ／ＨＮＯｓ系の等方性エラチン
・ダ液でエツチングしく （ｄ）図）、メンブレンｌを
形成する（（ｅ）図）、この時、支持枠はＳｉＣ被覆さ
れているのでエツチング液に侵されることがない。
覆したパイレックス支持枠をエポキシ系の接着剤で接着
し、ＳｉウェファをＩＦ／ＨＮＯｓ系の等方性エラチン
・ダ液でエツチングしく （ｄ）図）、メンブレンｌを
形成する（（ｅ）図）、この時、支持枠はＳｉＣ被覆さ
れているのでエツチング液に侵されることがない。
メンブレン上面にＷ膜を堆積してパターニングし、場合
により金めっきして所定の形状のｘｖＡ吸収体２を形成
する（（ｆ）図）。
により金めっきして所定の形状のｘｖＡ吸収体２を形成
する（（ｆ）図）。
上記実施例で使用した材料の他に、支持枠には単結晶Ｓ
ｉ或いは多結晶Ｓｉが、メンブレンにはＢＮＳＢＮＣ，
Ｓ ｉＮあるいはポリマーなどが使用可能であり、支持
枠の被覆にはメンブレンと同様の材料が使用できる。メ
ンブレンと支持枠被覆膜に同材料を使用すれば、エツチ
ング液の選択上有利である。
ｉ或いは多結晶Ｓｉが、メンブレンにはＢＮＳＢＮＣ，
Ｓ ｉＮあるいはポリマーなどが使用可能であり、支持
枠の被覆にはメンブレンと同様の材料が使用できる。メ
ンブレンと支持枠被覆膜に同材料を使用すれば、エツチ
ング液の選択上有利である。
以上の説明から明らかなように、本発明のＸ線マスクは
Ｓｔと熱膨張係数の近似した材料を支持枠としているの
で、製造工程中の温度変化による熱歪の発生がなく、微
細パターンを精度良く形成することが出来る。
Ｓｔと熱膨張係数の近似した材料を支持枠としているの
で、製造工程中の温度変化による熱歪の発生がなく、微
細パターンを精度良く形成することが出来る。
また、本発明の構造では、Ｓｉウェファをエツチングす
る工程でも、支持枠はエツチングされることがない。
る工程でも、支持枠はエツチングされることがない。
第１図は実施例のＸ線マスクの断面模式図、第２図は本
発明の製造工程例を示す模式図、第３図は公知のＸ線マ
スクの断面模式図、第４図は公知の製造工程を示す模式
図 であって、 図に於いて １はメンブレン、 １′はＳ ｉＣｓ ２はＸ線吸収体、 ３はＳｉウェファ、 ４は支持枠、 ５はＳｉＣ皮膜 である。 第１図 本発明の製造工程例を示す模式図 第２図
発明の製造工程例を示す模式図、第３図は公知のＸ線マ
スクの断面模式図、第４図は公知の製造工程を示す模式
図 であって、 図に於いて １はメンブレン、 １′はＳ ｉＣｓ ２はＸ線吸収体、 ３はＳｉウェファ、 ４は支持枠、 ５はＳｉＣ皮膜 である。 第１図 本発明の製造工程例を示す模式図 第２図
Claims (1)
- シリコンと同じ或いは近似の熱膨張係数を有し、且つ
シリコンを腐食する薬品によって同様に腐食される材料
の表面を、窒化硼素、炭窒化硼素、炭化珪素或いは窒化
珪素で被覆した環状成型体を支持枠として構成されるこ
とを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284711A JPH01125930A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284711A JPH01125930A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125930A true JPH01125930A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17681991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62284711A Pending JPH01125930A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181906A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347663A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | Hall indicator system for elevator |
| JPS53143171A (en) * | 1977-05-20 | 1978-12-13 | Hitachi Ltd | Mask for x-ray transfer |
| JPS61245162A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
| JPS61255346A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Hitachi Metals Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JPS62149132A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-07-03 | マイクロニクス コ−ポレ−シヨン | Ｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの製造方法及びその結果得られる構成体 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62284711A patent/JPH01125930A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347663A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | Hall indicator system for elevator |
| JPS53143171A (en) * | 1977-05-20 | 1978-12-13 | Hitachi Ltd | Mask for x-ray transfer |
| JPS61245162A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
| JPS61255346A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Hitachi Metals Ltd | Ｘ線露光用マスク |
| JPS62149132A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-07-03 | マイクロニクス コ−ポレ−シヨン | Ｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの製造方法及びその結果得られる構成体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181906A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体 |
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