JPS61140942A - リソグラフイ−用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフイ−用マスク構造体Info
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- JPS61140942A JPS61140942A JP59261838A JP26183884A JPS61140942A JP S61140942 A JPS61140942 A JP S61140942A JP 59261838 A JP59261838 A JP 59261838A JP 26183884 A JP26183884 A JP 26183884A JP S61140942 A JPS61140942 A JP S61140942A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はリソグラフィー用マスク構造体に関する。
［従来の技術］
Ｘ線リソグラフィーは、Ｘ線固有の直進性、非干渉性、
低回折性などに基づき、これまでの可視光や紫外光によ
るリソグラフィーより優れた多くの点を持っており、サ
ブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目され
つつある。
低回折性などに基づき、これまでの可視光や紫外光によ
るリソグラフィーより優れた多くの点を持っており、サ
ブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目され
つつある。
Ｘ線リソグラフィーは可視光や紫外光によるリソグラフ
ィーに比較して多くの優位点を持ちながらも、Ｘ線源の
パワー不足、レジストの低感度、アラインメントの困難
さ、マスク材料の選定及び加工方法の困難さなどから、
生産性が低く、コストが高いという欠点があり、実用化
が遅れている。
ィーに比較して多くの優位点を持ちながらも、Ｘ線源の
パワー不足、レジストの低感度、アラインメントの困難
さ、マスク材料の選定及び加工方法の困難さなどから、
生産性が低く、コストが高いという欠点があり、実用化
が遅れている。
その中でＸ線リソグラフィー用マスクを取上げてみると
、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク保持
体（即ち光線透過体）としてガラス板および石英板が利
用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいては利用で
きる光線の波長が１〜２００人とされており、これまで
のガラス板や石英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく
且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるを得ないためＸ線を
充分に透過させないので、これらはＸ線リソグラフィー
用マスク保持体の材料としては不適である。
、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク保持
体（即ち光線透過体）としてガラス板および石英板が利
用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいては利用で
きる光線の波長が１〜２００人とされており、これまで
のガラス板や石英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく
且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるを得ないためＸ線を
充分に透過させないので、これらはＸ線リソグラフィー
用マスク保持体の材料としては不適である。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するため、Ｘ線リ
ソグラフィー用マスク保持体の材料として密度の低い無
機物や有機物が検討されつつある。この様な材料として
は、たとえばベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｔ）、ケ
イ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）の単体およびそれらの化合
物などの無機物、またはポリイミド、ポリアミド、ポリ
エステル、パリレンなどの有機物が挙げられる。
ソグラフィー用マスク保持体の材料として密度の低い無
機物や有機物が検討されつつある。この様な材料として
は、たとえばベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｔ）、ケ
イ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）の単体およびそれらの化合
物などの無機物、またはポリイミド、ポリアミド、ポリ
エステル、パリレンなどの有機物が挙げられる。
これらの物質をＸ線リソグラフィー用マスク保持体の材
料として実際に用いるためには、Ｘ線透過ｉ）をできる
だけ大きくするために薄膜化することが必要であり、無
機物の場合で数ｇｍ以下、有機物の場合で数十ｐｍ以下
の厚さに形成することが要求されている。このため、た
とえば無機物薄膜およびその複合膜からなるマスク保持
体の形成にあたっては、平面性に優れたシリコンウェハ
ー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン、
窒化ポロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後にシ
リコンウェハーをエツチングによって除去するという方
法が提案されている。
料として実際に用いるためには、Ｘ線透過ｉ）をできる
だけ大きくするために薄膜化することが必要であり、無
機物の場合で数ｇｍ以下、有機物の場合で数十ｐｍ以下
の厚さに形成することが要求されている。このため、た
とえば無機物薄膜およびその複合膜からなるマスク保持
体の形成にあたっては、平面性に優れたシリコンウェハ
ー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン、
窒化ポロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後にシ
リコンウェハーをエツチングによって除去するという方
法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リソグラフ
ィー用マスク（即ちＸ線吸収体“）としては、一般に密
度の高い物質たとえば金、白金、タングステン、タンタ
ル、銅、ニッケルなどのＲＨ？！望ましくは０．５〜Ｉ
ｇｍ厚の薄膜からなるものが好ましい、この様なマスク
は、たとえば上記Ｘ線透過膜上に一様に上記高密度物質
の薄膜を形成した後、レジストを塗布し、該レジストに
電子ビーム、光などにより所望のパターン描画を行ない
、しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パター
ンに作成される。
ィー用マスク（即ちＸ線吸収体“）としては、一般に密
度の高い物質たとえば金、白金、タングステン、タンタ
ル、銅、ニッケルなどのＲＨ？！望ましくは０．５〜Ｉ
ｇｍ厚の薄膜からなるものが好ましい、この様なマスク
は、たとえば上記Ｘ線透過膜上に一様に上記高密度物質
の薄膜を形成した後、レジストを塗布し、該レジストに
電子ビーム、光などにより所望のパターン描画を行ない
、しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パター
ンに作成される。
しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフィーにおい
ては、マスク保持体のＸ線透過率が低く、このため十分
なＸ線透過量を得るためにはマスク保持体をかなり薄く
する必要があり、その製造が困難になり、特にマスク保
持体の十分な平面性を得ることが困難であった。
ては、マスク保持体のＸ線透過率が低く、このため十分
なＸ線透過量を得るためにはマスク保持体をかなり薄く
する必要があり、その製造が困難になり、特にマスク保
持体の十分な平面性を得ることが困難であった。
更に、一般に上記マスク保持体はリング状で且つ両端面
が平坦なマスクフレームの片側の平端面に接着されたマ
スク構造体として使用されるが、この様な使用形態にお
いてはマスクフレームの一端面へのマスク保持体の接着
の際の接着剤の塗布のしかたによっては接着剤層の厚さ
に不均一が生じたり、更には接着後のマスク保持体のマ
スクフレームからのはみ出し部分の切除の際に該マスク
保持体がめくれ上ったりするため、マスク保持体の平面
性を十分に保つことが困難であった。
が平坦なマスクフレームの片側の平端面に接着されたマ
スク構造体として使用されるが、この様な使用形態にお
いてはマスクフレームの一端面へのマスク保持体の接着
の際の接着剤の塗布のしかたによっては接着剤層の厚さ
に不均一が生じたり、更には接着後のマスク保持体のマ
スクフレームからのはみ出し部分の切除の際に該マスク
保持体がめくれ上ったりするため、マスク保持体の平面
性を十分に保つことが困難であった。
かくして、従来のＸ線リソグラフィーにおいては必ずし
も十分な゛精度が実現されているとはいえない。
も十分な゛精度が実現されているとはいえない。
［発明の目的］
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線透過性が良
好なマスク保持体を十分な平面性をもってリング状マス
クフレームに接着支持してなるリソグラフィー用マスク
構造体を提供することを目的とする。
好なマスク保持体を十分な平面性をもってリング状マス
クフレームに接着支持してなるリソグラフィー用マスク
構造体を提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明によれば、以りの如き目的は、マスク保持体が窒
化アールミニラムからなるかまたは少なくとも窒化アル
ミニウムを含む積層体からなり、且つリング状マスクフ
レームの最上部平端面より低い位置において前記マスク
保持体と前記リング状マスクフレームとの接着がなされ
ていることを特徴とする、リソグラフィー用マスク構造
体により達成される。
化アールミニラムからなるかまたは少なくとも窒化アル
ミニウムを含む積層体からなり、且つリング状マスクフ
レームの最上部平端面より低い位置において前記マスク
保持体と前記リング状マスクフレームとの接着がなされ
ていることを特徴とする、リソグラフィー用マスク構造
体により達成される。
［￥施例］
本発明マスク構造体の具体的形状を第１図（ａ）及び（
ｂ）に示す、第１図（ａ）はマスク構造体の中央縦断面
図であり、第１図（ｂ）はマスクフレームの平面図であ
る０図において、２はマスク保持体であり、該マスク保
持体２の周辺部がリング状マスクフレーム３のト端面１
−に支持されている。
ｂ）に示す、第１図（ａ）はマスク構造体の中央縦断面
図であり、第１図（ｂ）はマスクフレームの平面図であ
る０図において、２はマスク保持体であり、該マスク保
持体２の周辺部がリング状マスクフレーム３のト端面１
−に支持されている。
本発明マスク構造体におけるマスク保ｆ、￥体２は、窒
化アルミニウムの単層からなるものでもよいし、あるい
は窒化アルミニウムと他の無機物及び／または有機物と
の積層体からなるものでもよ１．％。
化アルミニウムの単層からなるものでもよいし、あるい
は窒化アルミニウムと他の無機物及び／または有機物と
の積層体からなるものでもよ１．％。
積層体を構成する無機物としては少なくとも膜形成性及
びＸ線透過性を有するものを使用することができる。こ
の様な無機物としては、たとえば窒化ポロン、窒化シリ
コン、酸化シリコン、炭化シリコン、チタン等が例示さ
れる。
びＸ線透過性を有するものを使用することができる。こ
の様な無機物としては、たとえば窒化ポロン、窒化シリ
コン、酸化シリコン、炭化シリコン、チタン等が例示さ
れる。
積層体を構成する有機物としては少なくとも膜形成性及
びＸ線透過性を有するものを使用することができる。こ
の様な有機物としては、たとえばポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、バレリン（ユニオンカーバイド社製
）等が例示される。
びＸ線透過性を有するものを使用することができる。こ
の様な有機物としては、たとえばポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、バレリン（ユニオンカーバイド社製
）等が例示される。
積層体は窒化アルミニウムと無機物及び／または有機物
との２層または３層からなるものであってもよいし、ま
たは窒化アルミニウムと無機物及び／または有機物との
少なくとも一方を２層以上用いて全体として３層以北か
らなるものとしてもよい。
との２層または３層からなるものであってもよいし、ま
たは窒化アルミニウムと無機物及び／または有機物との
少なくとも一方を２層以上用いて全体として３層以北か
らなるものとしてもよい。
本発明マスク構造体におけるマスク保持体２の厚さは特
に制限されることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜２０ｇ、ｍ程度とするのが右利である
。
に制限されることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜２０ｇ、ｍ程度とするのが右利である
。
尚、本発明マスク構造体においては、マスク保持体２上
に所望のパターンのマスクｌが形成されていてもよいこ
とはもちろんである。
に所望のパターンのマスクｌが形成されていてもよいこ
とはもちろんである。
マスクｌとしてはたとえば金、白金、ニッケル、パラジ
ウム、ロジウム、インジウム、タングステン、タンタル
、銅などの０．５〜１７ｚｍ厚程度の薄膜が用いられる
。
ウム、ロジウム、インジウム、タングステン、タンタル
、銅などの０．５〜１７ｚｍ厚程度の薄膜が用いられる
。
本発明マスク構造体においては、マスクフレー ゛
Ａ３の最上部平端面３ａにはマスク保持体接着のための
接着剤が塗布されておらず、該平端面３ａの外側に角度
θにて交わる斜面３ｂにのみ接着剤４が塗布されている
。角度θは０度を越える値であれば特に制限はないが、
好ましくは５〜９０度、より好ましくは５〜６０度、最
適には５〜３０度である。
Ａ３の最上部平端面３ａにはマスク保持体接着のための
接着剤が塗布されておらず、該平端面３ａの外側に角度
θにて交わる斜面３ｂにのみ接着剤４が塗布されている
。角度θは０度を越える値であれば特に制限はないが、
好ましくは５〜９０度、より好ましくは５〜６０度、最
適には５〜３０度である。
本発明マスク構造体におけるマスクフレーム３はたとえ
ばシリコン、ガラス、石英、リン青銅、黄銅、ニンケル
、ステンレス等からなる。
ばシリコン、ガラス、石英、リン青銅、黄銅、ニンケル
、ステンレス等からなる。
また、本発明マスク構造体における接着剤４としては、
たとえば溶剤型接着剤（ブタジェン系合成ゴム接着剤、
クロロプレン系合成ゴム接着剤等）、無溶剤型接着剤（
エポキシ系接着剤、シアノアクリレート系接着剤等）が
用いられる。
たとえば溶剤型接着剤（ブタジェン系合成ゴム接着剤、
クロロプレン系合成ゴム接着剤等）、無溶剤型接着剤（
エポキシ系接着剤、シアノアクリレート系接着剤等）が
用いられる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例１：
第２図（ａ）に示される様に、リングフレーム（パイレ
ックス製、内径７．５ｃｍ、外径９ｃｍ、厚さ５ｍｍ、
但し最上部平端面の外側に該平端面に対し角度１５度で
交わる斜面が形成されている）３の斜面部分にエポキシ
系接着剤４を塗布し、該接着剤４を介して等方延伸した
ポリイミド膜Ｃ厚さ７牌ｍ）２−１をマスクフレーム３
に接着固定し、該マスクフレー３からはみ出したポリイ
ミド膜を切除した。
ックス製、内径７．５ｃｍ、外径９ｃｍ、厚さ５ｍｍ、
但し最上部平端面の外側に該平端面に対し角度１５度で
交わる斜面が形成されている）３の斜面部分にエポキシ
系接着剤４を塗布し、該接着剤４を介して等方延伸した
ポリイミド膜Ｃ厚さ７牌ｍ）２−１をマスクフレーム３
に接着固定し、該マスクフレー３からはみ出したポリイ
ミド膜を切除した。
次に、第２図（ｂ）に示される様に、リアクティブスバ
ンタ法により、アルミニウム（Ａ１）ターゲット、アル
ゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ２ ） ＝１：１の混合ガス、
ガス圧５ＸＬＯ−３Ｔｏ−ｒｒ、放電電力２００Ｗで、
ポリイミド膜２−１の七に３ルｍ厚の窒化アルミニウム
膜２−２を形成した。
ンタ法により、アルミニウム（Ａ１）ターゲット、アル
ゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ２ ） ＝１：１の混合ガス、
ガス圧５ＸＬＯ−３Ｔｏ−ｒｒ、放電電力２００Ｗで、
ポリイミド膜２−１の七に３ルｍ厚の窒化アルミニウム
膜２−２を形成した。
次に、第２図（Ｃ）に示される様に、抵抗加熱革着機を
用いて窒化アルミニウム膜２−２とに０．５ｇ、ｍ厚の
金（Ａｕ）ｆｌ＠ｔ’を一様に形成した。
用いて窒化アルミニウム膜２−２とに０．５ｇ、ｍ厚の
金（Ａｕ）ｆｌ＠ｔ’を一様に形成した。
次に、第２図（ｄ）に示される様に、金膜ｌ′上に一様
にフォトレジストＡＺ−１３５０（シプレー社製）５を
０．５／ｊ、ｍ厚に塗布した。
にフォトレジストＡＺ−１３５０（シプレー社製）５を
０．５／ｊ、ｍ厚に塗布した。
次に、第２図（ｅ）に示される様に、レジストＬにマス
ターマスクを密着せしめ遠紫外光を用いてレジストの焼
付を行なった後に規定の処理を行ない、マスターマスク
に対しポジ型のレジストパターンを得た。
ターマスクを密着せしめ遠紫外光を用いてレジストの焼
付を行なった後に規定の処理を行ない、マスターマスク
に対しポジ型のレジストパターンを得た。
次に、第２図（ｆ）に示される様に、ヨウ素（工２）県
令エッチャントを使用して金ｎｌ２ｔ’のエツチングを
行ない、マスターマスクに対しポジ型の金膜パターンを
得た。
令エッチャントを使用して金ｎｌ２ｔ’のエツチングを
行ない、マスターマスクに対しポジ型の金膜パターンを
得た。
次に、ケトン系溶剤でレジストを除去し、金膜パターン
からなるマスクｌを形成し、第２図（ｇ）に示される様
に、ポリイミド膜２−１と窒化アルミニウム膜２−２と
の積層体をマスク保持体とし該マスク保持体上にマスク
ｌの形成されているＸ線リングラフイー用マスク構造体
を得た。
からなるマスクｌを形成し、第２図（ｇ）に示される様
に、ポリイミド膜２−１と窒化アルミニウム膜２−２と
の積層体をマスク保持体とし該マスク保持体上にマスク
ｌの形成されているＸ線リングラフイー用マスク構造体
を得た。
実施例２：
実施例１の工程において窒化アルミニウムｆｆ５！２−
２を形成した後に更に酸素プラズマ中においてリアクテ
ィブイオンエツチング法でポリイミド膜２−１の露出部
分を除去し次いで窒化アルミニウム膜２−２Ｊ：に金［
１’を形成することを除いて、実施例１と同様の工程を
行なった。
２を形成した後に更に酸素プラズマ中においてリアクテ
ィブイオンエツチング法でポリイミド膜２−１の露出部
分を除去し次いで窒化アルミニウム膜２−２Ｊ：に金［
１’を形成することを除いて、実施例１と同様の工程を
行なった。
かくして、窒化アルミニウム膜をマスク保持体とし該マ
スク保持体−ヒにマスクの形成されているＸ線リソグラ
フィー用マスク構造体を得た。
スク保持体−ヒにマスクの形成されているＸ線リソグラ
フィー用マスク構造体を得た。
実施例３：
実施例１において得られたＸ線リソグラフィー用マスク
構造体のリングフレーム３の上部斜面３ｂ 、ｈの窒化
アルミニウムＩｌ’２２−２上に更に第３図に示される
様に接着剤９を介して押えリング１０を接着した。該押
えリングｌＯの窒化アルミニウム膜２−２との接着面は
リングフレーム３のＬ部斜面３ｂと平行に形成されてい
る。
構造体のリングフレーム３の上部斜面３ｂ 、ｈの窒化
アルミニウムＩｌ’２２−２上に更に第３図に示される
様に接着剤９を介して押えリング１０を接着した。該押
えリングｌＯの窒化アルミニウム膜２−２との接着面は
リングフレーム３のＬ部斜面３ｂと平行に形成されてい
る。
本実施例のＸ線リソグラフィー用マスク構造体において
は、リングフレーム３と押えリング１０との間に圧力を
かけて支持することによりマスク保持体のリングフレー
ム３への支持をより強固なものとすることができる。
は、リングフレーム３と押えリング１０との間に圧力を
かけて支持することによりマスク保持体のリングフレー
ム３への支持をより強固なものとすることができる。
以上の実施例においてはリング状マスクフレーム３の最
上部平端面３ａの外側に該最上部Ｆ端面３ａと一定の角
度で交わる斜面３ｂが形成されており、該斜面３ｂにお
いて接着がなされているが、本発明マスク構造体はこれ
に限定されることはない。
上部平端面３ａの外側に該最上部Ｆ端面３ａと一定の角
度で交わる斜面３ｂが形成されており、該斜面３ｂにお
いて接着がなされているが、本発明マスク構造体はこれ
に限定されることはない。
第４図（ａ）はマスクフレーム３の他の形状を示すため
の本発明によるマスク構造体の中央縦断面図であり、第
４図（ｂ）はそのマスクフレーム３の平面図である。こ
こでは、マスクフレー・ム３の最上部平端面３ａの外側
には該最上部平端面１ａと滑らかに連なる斜面３ｂが形
成されており、該斜面３ｂにおいて接着がなされている
。
の本発明によるマスク構造体の中央縦断面図であり、第
４図（ｂ）はそのマスクフレーム３の平面図である。こ
こでは、マスクフレー・ム３の最上部平端面３ａの外側
には該最上部平端面１ａと滑らかに連なる斜面３ｂが形
成されており、該斜面３ｂにおいて接着がなされている
。
第５図はマスクフレーム３の更に他の形状を示すための
本発明によるマスク構造体の中央縦断面図である。ここ
では、マスクフレーム３の最上部平端面３ａの外側には
該最上部平端面３ａと直角をなす斜面３ｂが形成されて
おり、該斜面３ｂの更に外側には上記最上部平端面３ａ
よりも低い位置に平面３Ｃが形成されており、該平面３
Ｃにおいて接着がなされている。
本発明によるマスク構造体の中央縦断面図である。ここ
では、マスクフレーム３の最上部平端面３ａの外側には
該最上部平端面３ａと直角をなす斜面３ｂが形成されて
おり、該斜面３ｂの更に外側には上記最上部平端面３ａ
よりも低い位置に平面３Ｃが形成されており、該平面３
Ｃにおいて接着がなされている。
［発明の効果］
以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構成要素と
して用いられる窒化アルミニウムはＸ線透過率及び可視
光線透過率が高＜（ｌｕ−ｍ厚の光学濃度が約０．０１
）、熱膨張率が低く（３〜４ｘ ｆ ｏ −’ ／”Ｃ
）−熱伝導率が高＜、ｎつ成膜性が良好であるなどの特
長を有するので、以下の様な効果が得られる。
して用いられる窒化アルミニウムはＸ線透過率及び可視
光線透過率が高＜（ｌｕ−ｍ厚の光学濃度が約０．０１
）、熱膨張率が低く（３〜４ｘ ｆ ｏ −’ ／”Ｃ
）−熱伝導率が高＜、ｎつ成膜性が良好であるなどの特
長を有するので、以下の様な効果が得られる。
（１）窒化アルミニウムはＸ線透過率が高く比較的厚く
しても比較的高いＸ線透過量が得られるので、マスク構
造体の製造を容易且つ良好に行なうことができる。
しても比較的高いＸ線透過量が得られるので、マスク構
造体の製造を容易且つ良好に行なうことができる。
（２）窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので極め
て薄い膜からなるマスク保持体を有するマスク構造体を
製造することができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスルーブツトを向上させることができる。
て薄い膜からなるマスク保持体を有するマスク構造体を
製造することができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスルーブツトを向上させることができる。
（３）窒化アルミニウムは可視光線の透過率が高いため
、Ｘ線リソグラフィーにおいて可視光線を用いて目視に
より容易且つ正確に７ラインメントができる。
、Ｘ線リソグラフィーにおいて可視光線を用いて目視に
より容易且つ正確に７ラインメントができる。
（４）窒化アルミニウムの熱膨張係数はＸ線リソグラフ
ィーにおけるシリコンウェハー焼付基板の熱膨張係数（
２〜３Ｘ １０−６ ／’０）とほぼ同じ値であるから
、極めて高精度の焼付けが可能となる。
ィーにおけるシリコンウェハー焼付基板の熱膨張係数（
２〜３Ｘ １０−６ ／’０）とほぼ同じ値であるから
、極めて高精度の焼付けが可能となる。
（５）窒化アルミニウムの熱伝導性が高いため、Ｘ線照
射による温度上昇を防止でき、特に真空中での焼付けの
際に効果が大である。
射による温度上昇を防止でき、特に真空中での焼付けの
際に効果が大である。
また１以上の如き本発明のマスク構造体によれば、マス
ク保持体とマスクフレームとの接着はマスク保持体のマ
スク保持平面外において行なわれるので、接着剤の塗布
及びマスク保持体のマスク周辺部の切除によってはマス
ク保持体のマスク保持面の平面性は何ら悪影響を受けず
、マスク保持体は良好な平面性を保つことができる。
ク保持体とマスクフレームとの接着はマスク保持体のマ
スク保持平面外において行なわれるので、接着剤の塗布
及びマスク保持体のマスク周辺部の切除によってはマス
ク保持体のマスク保持面の平面性は何ら悪影響を受けず
、マスク保持体は良好な平面性を保つことができる。
第１図（Ｌ）は本発明マスク構造体の縦断面図であり、
第１図（ｂ）はそのマスクフレームの平面図である。 第２図（ａ）〜（ｇ）は本発明マスク構造体の製造工程
を示す図である。 第３図は本発明マスク構造体の縦断面図である。 第４図（ａ）は本発明マスク構造体の縦断面図であり、
第４図（ｂ）はそのマスクフレームの平面図である。 第５図は本発明マスク構造体の縦断面図である。 １：マスク ２−１：ポリイミド膜 ２−２：窒化アルミニウム膜 ３：マスクフレーム ３ａ：最上部平端面 ３ｂ＝斜面 ３Ｃ：平面 ４：接着剤 ５：フォトレジスト 代理人 弁理士 山 下 積 平 第３図 第４図 第５図
第１図（ｂ）はそのマスクフレームの平面図である。 第２図（ａ）〜（ｇ）は本発明マスク構造体の製造工程
を示す図である。 第３図は本発明マスク構造体の縦断面図である。 第４図（ａ）は本発明マスク構造体の縦断面図であり、
第４図（ｂ）はそのマスクフレームの平面図である。 第５図は本発明マスク構造体の縦断面図である。 １：マスク ２−１：ポリイミド膜 ２−２：窒化アルミニウム膜 ３：マスクフレーム ３ａ：最上部平端面 ３ｂ＝斜面 ３Ｃ：平面 ４：接着剤 ５：フォトレジスト 代理人 弁理士 山 下 積 平 第３図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）マスク保持体をリング状マスクフレームに支持せ
しめてなるリソグラフィー用マスク構造体において、前
記マスク保持体が窒化アルミニウムからなるかまたは少
なくとも窒化アルミニウムを含む積層体からなり、且つ
前記リング状マスクフレームの最上部平端面より低い位
置において前記マスク保持体と前記リング状マスクフレ
ームとの接着がなされていることを特徴とする、リソグ
ラフィー用マスク構造体。 - （２）マスク保持体にマスクが形成されている、特許請
求の範囲第１項のリソグラフィー用マスク構造体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261838A JPS61140942A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
| US06/794,180 US4677042A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-01 | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
| DE19853539201 DE3539201A1 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261838A JPS61140942A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140942A true JPS61140942A (ja) | 1986-06-28 |
| JPH0481856B2 JPH0481856B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17367442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59261838A Granted JPS61140942A (ja) | 1984-11-05 | 1984-12-13 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140942A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPH01304396A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Nissin Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスク素材の製造方法 |
| JPH0316116A (ja) * | 1989-03-09 | 1991-01-24 | Canon Inc | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたｘ線露光方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59261838A patent/JPS61140942A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249623A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | Ｘ線露光マスク |
| JPH01304396A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Nissin Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスク素材の製造方法 |
| JPH0316116A (ja) * | 1989-03-09 | 1991-01-24 | Canon Inc | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたｘ線露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481856B2 (ja) | 1992-12-25 |
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