JPH01127029A - 脱硝反応装置 - Google Patents
脱硝反応装置Info
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- JPH01127029A JPH01127029A JP62284118A JP28411887A JPH01127029A JP H01127029 A JPH01127029 A JP H01127029A JP 62284118 A JP62284118 A JP 62284118A JP 28411887 A JP28411887 A JP 28411887A JP H01127029 A JPH01127029 A JP H01127029A
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- Japan
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- duct
- exhaust gas
- catalyst layer
- entrance
- flow
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/86—Catalytic processes
- B01D53/8621—Removing nitrogen compounds
- B01D53/8625—Nitrogen oxides
- B01D53/8631—Processes characterised by a specific device
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES
- F01N3/00—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust
- F01N3/08—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust for rendering innocuous
- F01N3/10—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust for rendering innocuous by thermal or catalytic conversion of noxious components of exhaust
- F01N3/24—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust for rendering innocuous by thermal or catalytic conversion of noxious components of exhaust characterised by constructional aspects of converting apparatus
- F01N3/28—Construction of catalytic reactors
- F01N3/2892—Exhaust flow directors or the like, e.g. upstream of catalytic device
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- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は脱硝反応装置に係り、特に脱硝触媒に流入する
排ガスの流れを良好に整流するように構成した脱硝反応
装置に関する。
排ガスの流れを良好に整流するように構成した脱硝反応
装置に関する。
ボイラ等の燃焼装置から排出される排ガス中の窒素酸化
物(NOx)を除去する装置の一つとして、排ガス流中
に脱硝触媒層を配置する装置が主として火力発電所用の
大型ボイラ等に設置されている。
物(NOx)を除去する装置の一つとして、排ガス流中
に脱硝触媒層を配置する装置が主として火力発電所用の
大型ボイラ等に設置されている。
第7図はこの脱硝装置の構成を示す。
ボイラ等の燃焼装置を出た排ガスGは入口ダクト1を経
て、排ガスダクトの途中に形成した脱硝部のベンド部2
に至り、その流れを90度変更して下降し、触媒層4に
流入して脱硝されたのち出口ダクト5に至る。
て、排ガスダクトの途中に形成した脱硝部のベンド部2
に至り、その流れを90度変更して下降し、触媒層4に
流入して脱硝されたのち出口ダクト5に至る。
この構成の脱硝装置においては、排ガスGの流れが次の
ようになることが望ましい。
ようになることが望ましい。
即ち、
(1)触媒層4に対してできるだけ均一に排ガスが流入
すること。
すること。
(2)触媒層4に流入する排ガスの流れが、触媒層内で
の排ガス流れとできるだけ一致すること。
の排ガス流れとできるだけ一致すること。
つまり触媒層4に形成された排ガス流路と、触媒層に入
る直前の排ガスの流れが一致していること。
る直前の排ガスの流れが一致していること。
第7図に示すように触媒層4の上流に何らの整流手段も
施さないと、ベンド部2でガス流が渦を巻き、上述の技
術的要求を満足させることができない。
施さないと、ベンド部2でガス流が渦を巻き、上述の技
術的要求を満足させることができない。
まず(1)の触媒層4に対してできるだけ均一に排ガス
が流入することが要求されるのは次の理由による。即ち
、触媒層4の排ガス接触面積をを効に利用するためであ
り、排ガスの流入が不均一であると、触媒層のうち特定
の部分が大量の排ガスと接触することになり、触媒全体
としては脱硝性能が低くなる。且つこの排ガス接触部分
の劣化が著しく、触媒の寿命が短くなるいう問題がある
。
が流入することが要求されるのは次の理由による。即ち
、触媒層4の排ガス接触面積をを効に利用するためであ
り、排ガスの流入が不均一であると、触媒層のうち特定
の部分が大量の排ガスと接触することになり、触媒全体
としては脱硝性能が低くなる。且つこの排ガス接触部分
の劣化が著しく、触媒の寿命が短くなるいう問題がある
。
次に(2)の触媒層4に流入する排ガスの流れが、触媒
層内の排ガス流れとできるだけ一致する必要があるのは
次の理由による。
層内の排ガス流れとできるだけ一致する必要があるのは
次の理由による。
例えば排ガス流中にフライアッシュ、未燃分等のダスト
を含有る場−合には、第8図のように触媒9の間に形成
された排ガス流路に対して所定の角度αを以て排ガスG
が斜めに流入する。これにより触媒9にこのダストが衝
突して触媒を摩耗させ、また先端部にこのダスト8が付
着堆積して排ガスGの流入を阻害することになる。これ
を放置しておくと第9図のように体積層が増大し、甚だ
しい場合には排ガス流入口を閉塞してしまうこととなる
。
を含有る場−合には、第8図のように触媒9の間に形成
された排ガス流路に対して所定の角度αを以て排ガスG
が斜めに流入する。これにより触媒9にこのダストが衝
突して触媒を摩耗させ、また先端部にこのダスト8が付
着堆積して排ガスGの流入を阻害することになる。これ
を放置しておくと第9図のように体積層が増大し、甚だ
しい場合には排ガス流入口を閉塞してしまうこととなる
。
第6図は従来の排ガス整流構造の一例を示す。
この構造は触媒層4の上流に整流板6を複数枚配置し、
これにより触媒層4に流入する排ガスGを整流するよう
にしたものである。この整流板6を配置することにより
第7図に示す構成に比較して排ガスの整流効果を格段に
向上させることが可能となっている。然しなから、整流
板6の後流において、排ガスGが一部剥離する現象がみ
られ、ガスが滞留する部分が生じる。この結果、整流板
6の下流に渦G1が生じる。この渦の影響は触媒層4の
ガス入口部にまで及び、排ガスの一部はやはり触媒層に
対して一定の角度をもって流入し、問題を完全に解決す
ることはできなかった。
これにより触媒層4に流入する排ガスGを整流するよう
にしたものである。この整流板6を配置することにより
第7図に示す構成に比較して排ガスの整流効果を格段に
向上させることが可能となっている。然しなから、整流
板6の後流において、排ガスGが一部剥離する現象がみ
られ、ガスが滞留する部分が生じる。この結果、整流板
6の下流に渦G1が生じる。この渦の影響は触媒層4の
ガス入口部にまで及び、排ガスの一部はやはり触媒層に
対して一定の角度をもって流入し、問題を完全に解決す
ることはできなかった。
第5図は第6図に示した構成の改良案として提案された
ものである。
ものである。
この構成では、整流vi、6の下流に整流格子3を配置
し、これにより前記渦G1を解消するようにしている。
し、これにより前記渦G1を解消するようにしている。
この整流格子の配置により渦りl自体はほぼ完全に解消
し、排ガス流れを良好に整流することが可能となったが
、この渦の影響は、触媒層入口における排ガスの流速分
布の不均一となって現れてしまうという問題がある。
し、排ガス流れを良好に整流することが可能となったが
、この渦の影響は、触媒層入口における排ガスの流速分
布の不均一となって現れてしまうという問題がある。
第4図は更に別の改良構造を示し、この構成では整流板
を廃し、整流格子3のみを配置した構造となっている。
を廃し、整流格子3のみを配置した構造となっている。
この構造では整流板下流で生じる剥離現象に起因する渦
の発生は防止できたが、整流格子3を出た排ガスの流れ
が触媒層に対して一定の角度をもってしまう。また特に
ベンド部2の内側部分で排ガスの流れが極端に少なくな
る事態を生じ、流速もこの部分で大幅に低下し、流速分
布の不均一を解消することはできていない。
の発生は防止できたが、整流格子3を出た排ガスの流れ
が触媒層に対して一定の角度をもってしまう。また特に
ベンド部2の内側部分で排ガスの流れが極端に少なくな
る事態を生じ、流速もこの部分で大幅に低下し、流速分
布の不均一を解消することはできていない。
本発明は上述した問題点に鑑み構成したものであり、ベ
ンド部の屈曲角度を所定の角度とし、具体的にはその角
度θを、 θ’; tan’ −(Aは入口ダクト幅、Bは触媒層
入口幅)となるよう構成し、更に整流格子の配置位置を
入口ダクト床面とほぼ同一とするように構成したことを
特徴とする脱硝反応装置である。
ンド部の屈曲角度を所定の角度とし、具体的にはその角
度θを、 θ’; tan’ −(Aは入口ダクト幅、Bは触媒層
入口幅)となるよう構成し、更に整流格子の配置位置を
入口ダクト床面とほぼ同一とするように構成したことを
特徴とする脱硝反応装置である。
(作用〕
ベンド部の設定角度を上述の角度とすることにより、排
ガス流れはこのベンド部の傾斜に沿ってほぼ平行に流れ
る。整流格子はその排ガス流入面が入口ダクト床面とほ
ぼ同一とするように配置しであるので、排ガスはこの平
行流状態を崩さないうちに整流格子に流入する。整流格
子に流入する排ガスが平行流であるため、各格子に流入
する排ガス量はほぼ等しくなり、かつ各格子により排ガ
ス流は流れ方向を調節されて、触媒層に至る排ガス流は
触媒層の排ガス流路と一致し、かつ流速分布も均一化さ
れ、高い脱硝効率を長期間にわたって保持する。
ガス流れはこのベンド部の傾斜に沿ってほぼ平行に流れ
る。整流格子はその排ガス流入面が入口ダクト床面とほ
ぼ同一とするように配置しであるので、排ガスはこの平
行流状態を崩さないうちに整流格子に流入する。整流格
子に流入する排ガスが平行流であるため、各格子に流入
する排ガス量はほぼ等しくなり、かつ各格子により排ガ
ス流は流れ方向を調節されて、触媒層に至る排ガス流は
触媒層の排ガス流路と一致し、かつ流速分布も均一化さ
れ、高い脱硝効率を長期間にわたって保持する。
以下本発明の実施例を図面を参考に具体的に説明する。
第1図において、入口ダクト1に対して触媒層4を配置
した触媒層ダクト10は直交するように位置し、かつこ
の両ダクトをベンド部2により接続した構成となってい
る。ベンド部2の外側ケーシング2aは次に示す角度と
なっている。即ち、ベンド部出口ダクト2′と入口ダク
ト1の床面1aの延長線との交点Xと、ベンド部出口ダ
クト2゛の延長線と入口ダクト1の天井部1bとの交点
Yとを直線で結ぶようにベンド部外側ケーシング2aを
配置する。次にこの外側ケーシング2aの角度について
説明する。この角度θ(入口ケーシング1の天井部1b
とベンド部2の外側ケーシング2aとの成す角、以下こ
の角θをベンド部の屈曲角度とする)は、次の式により
表すことができる。
した触媒層ダクト10は直交するように位置し、かつこ
の両ダクトをベンド部2により接続した構成となってい
る。ベンド部2の外側ケーシング2aは次に示す角度と
なっている。即ち、ベンド部出口ダクト2′と入口ダク
ト1の床面1aの延長線との交点Xと、ベンド部出口ダ
クト2゛の延長線と入口ダクト1の天井部1bとの交点
Yとを直線で結ぶようにベンド部外側ケーシング2aを
配置する。次にこの外側ケーシング2aの角度について
説明する。この角度θ(入口ケーシング1の天井部1b
とベンド部2の外側ケーシング2aとの成す角、以下こ
の角θをベンド部の屈曲角度とする)は、次の式により
表すことができる。
θ#jan’□・・・・・ (1)
ここでAは入口ダクト1の幅、Bは触媒層4の入口幅を
各々示す。
各々示す。
次に3は整流格子であるが、この整流格子3は排ガスG
の流入面が、入口ダクト1の床面1aとほぼ同一の高さ
となるよう触媒層ダクト10の入口部に配置しである。
の流入面が、入口ダクト1の床面1aとほぼ同一の高さ
となるよう触媒層ダクト10の入口部に配置しである。
第10図は整流格子の一例を示し、この構成では格子3
の仕切り板3aが各々平行にのみ配置しである。第11
図は仕切り板3aと3bが直交するように配置すること
より所謂格子状に形成しである。整流効果は第11図に
示す構成の方が高いが、第10図の構成は簡略であり、
製造費用が安いという経済的な利点がある。
の仕切り板3aが各々平行にのみ配置しである。第11
図は仕切り板3aと3bが直交するように配置すること
より所謂格子状に形成しである。整流効果は第11図に
示す構成の方が高いが、第10図の構成は簡略であり、
製造費用が安いという経済的な利点がある。
以下第11図の構成を例に説明する。
第3図は整流格子の構成例を示す。発明者等は変電なる
排ガス流動試験の結果、整流格子の構成を次のようにす
ると、整流効果が非常に高い事を確認した。即ち、整流
格子の高さHと格子の目開きPとの間に次のような関係
が成立していること。
排ガス流動試験の結果、整流格子の構成を次のようにす
ると、整流効果が非常に高い事を確認した。即ち、整流
格子の高さHと格子の目開きPとの間に次のような関係
が成立していること。
H≧P tan θ・・・・ (2)
更に好ましくは以下の関係であること。
H≧3P
また整流格子の目開Pの実長は6wm以上、好ましくは
30〜200龍の均一な目開きとする。
30〜200龍の均一な目開きとする。
第2図は以上の構成に於ける装置の排ガス流れの状態を
示している。即ち、以上に示した構成の装置に対して排
ガスを流して排ガス流れの挙動を観察したところ、入口
ダクト1からベンド部2に流入した排ガスGはベンド部
2の外側ケーシング2aの傾斜角度をθとすることによ
りベンド部2を平行流として流れ、この状態を維持した
侭整流格子3に流入した。また各格子が均一に構成しで
あることとあいまって整流格子3を出た排ガスGは触媒
N4の排ガス流路と一致するよう方向修正された下降流
となり、かつ触媒層4の入口平面方向に対する流速分布
は均一化されることが確認できた。
示している。即ち、以上に示した構成の装置に対して排
ガスを流して排ガス流れの挙動を観察したところ、入口
ダクト1からベンド部2に流入した排ガスGはベンド部
2の外側ケーシング2aの傾斜角度をθとすることによ
りベンド部2を平行流として流れ、この状態を維持した
侭整流格子3に流入した。また各格子が均一に構成しで
あることとあいまって整流格子3を出た排ガスGは触媒
N4の排ガス流路と一致するよう方向修正された下降流
となり、かつ触媒層4の入口平面方向に対する流速分布
は均一化されることが確認できた。
次にこのような良好な試験結果が出た理由について考察
する。
する。
先ず、ベンド部2の外部ケーシングの傾斜角θを(1)
式に示すようにしたことにより、入口ダクト11内を平
行流として流れて来た排ガスGの流れに大きな外乱を加
えることなく流れ方向を転換できること。また整流格子
3の排ガス流入面を人口ダクトの床面1aと等しくした
ことにより、床面1aと整流格子3との間に段差が無く
なり、段差部に生じていた滞留や渦の発生を防止できた
こと。整流格子を均一に形成したので平行流を各格子に
平均して流入させることが可能となり、各格子の単位時
間当たりの流量を平均化することができ、触媒層入口に
於ける排ガスの流速分布を均一化できること。また整流
格子の高さHを式(2)の如くすることにより、角度θ
をもって整流格子3に流入した排ガス平行流は、流れ方
向を変えるのに充分な、図中りで示す流路長さよりも長
い流路Hを持った整流格子を通過すること等によるもの
と考えられる。
式に示すようにしたことにより、入口ダクト11内を平
行流として流れて来た排ガスGの流れに大きな外乱を加
えることなく流れ方向を転換できること。また整流格子
3の排ガス流入面を人口ダクトの床面1aと等しくした
ことにより、床面1aと整流格子3との間に段差が無く
なり、段差部に生じていた滞留や渦の発生を防止できた
こと。整流格子を均一に形成したので平行流を各格子に
平均して流入させることが可能となり、各格子の単位時
間当たりの流量を平均化することができ、触媒層入口に
於ける排ガスの流速分布を均一化できること。また整流
格子の高さHを式(2)の如くすることにより、角度θ
をもって整流格子3に流入した排ガス平行流は、流れ方
向を変えるのに充分な、図中りで示す流路長さよりも長
い流路Hを持った整流格子を通過すること等によるもの
と考えられる。
次に本発明装置と従来構成の装置との比較試験結果を示
す。第14図は本発明係る装置の構成を、第12図及び
13図は従来構成を示す。
す。第14図は本発明係る装置の構成を、第12図及び
13図は従来構成を示す。
各図中に示すv4〜■6は排ガスの流動状態を測定する
測定平面を示し、V/Vは排ガスの変動状態を示し、こ
の値が1に収斂するほど排ガス流れの挙動は均一であり
、所期の目的に対応するこ“とを示す。
測定平面を示し、V/Vは排ガスの変動状態を示し、こ
の値が1に収斂するほど排ガス流れの挙動は均一であり
、所期の目的に対応するこ“とを示す。
第12図に示す従来構成は、整流板6を配置しかつ入ロ
ダク)laの床面よりも下方に整流格子3を配置した構
造であり、整流格子入口部に於ける排ガスGの流れは非
常に不均一であることが分かる。この状態は整流格子3
によっては完全には解消されず第1N目の触媒層4の入
口においてもかなりの不均一がある。
ダク)laの床面よりも下方に整流格子3を配置した構
造であり、整流格子入口部に於ける排ガスGの流れは非
常に不均一であることが分かる。この状態は整流格子3
によっては完全には解消されず第1N目の触媒層4の入
口においてもかなりの不均一がある。
次に第13図の従来構成は整流板6を廃し、整流格子の
みを第12図に示す構成とほぼ同様の位置に配置したも
のである。この構成ではベンド部2のコーナ部に於ける
排ガス流速が極端に低くなり、かつ整流格子3を出た排
ガス流は全体的にその流れ方向が変位した状態で第1層
目の触媒N4に流入する。
みを第12図に示す構成とほぼ同様の位置に配置したも
のである。この構成ではベンド部2のコーナ部に於ける
排ガス流速が極端に低くなり、かつ整流格子3を出た排
ガス流は全体的にその流れ方向が変位した状態で第1層
目の触媒N4に流入する。
これに対して第14図に示す本発明に係る装置の場合に
は排ガスGは整流格子3を出た状態で流速分布はほぼ完
全に均一化され、しかもその流れ方向も触媒層4の排ガ
ス流路に対応した下降流となり理想的な排ガス流れの挙
動を得ることができた。
は排ガスGは整流格子3を出た状態で流速分布はほぼ完
全に均一化され、しかもその流れ方向も触媒層4の排ガ
ス流路に対応した下降流となり理想的な排ガス流れの挙
動を得ることができた。
次表は各図に示す構成の試験結果を示す。
図中試験番号1は第12図に示す従来構成〔入ロ整流板
6枚十整流格子(中段配置)〕を、2は従来構成〔整流
格子(中段配置)のみ〕を、3は本発明の構成を各々示
す。また変動係数(各測定面に於ける標準偏差)ξの算
出は次の式による。
6枚十整流格子(中段配置)〕を、2は従来構成〔整流
格子(中段配置)のみ〕を、3は本発明の構成を各々示
す。また変動係数(各測定面に於ける標準偏差)ξの算
出は次の式による。
ξ=V/VX 100
〔効果〕
本発明は以上にその構成を具体的に説明した如くベンド
部の屈曲角度を所定の角度とし、具体的にはその角度θ
を、 θ#tan’ −(Aは入口ダクト幅、Bは触媒層人口
幅)となるよう構成し、更に整流格子の配置位置を入口
ダクト床面とほぼ同一とするように構成したので、触媒
層に至る排ガス流れの挙動をはぼ理想的に制御すること
が可能となり、高い脱硝効率を長期間保持することが可
能となる。
部の屈曲角度を所定の角度とし、具体的にはその角度θ
を、 θ#tan’ −(Aは入口ダクト幅、Bは触媒層人口
幅)となるよう構成し、更に整流格子の配置位置を入口
ダクト床面とほぼ同一とするように構成したので、触媒
層に至る排ガス流れの挙動をはぼ理想的に制御すること
が可能となり、高い脱硝効率を長期間保持することが可
能となる。
第1図は本発明の構成を示す脱硝反応装置の断面図、第
2図は第1図に示す装置に於ける排ガスの流動状態を示
すダクト断面図、第3図は本発明装置に用いる整流格子
の側面部分図、第4図、第5図、第6図は従来の脱硝反
応装置の各構成及び排ガスの流動状態を各々示す装置断
面図、第7図は排ガスの整流手段を全く設けていない従
来装置概略図、第12図及び第13図は排ガス流速分布
を示す従来構成の脱硝反応装置の断面図、第14図は排
ガス流速分布を示す本発明の脱硝反応装置の断面図であ
る。 1・・・入口ダクト 2・・・ベンド部3・・・整流
格子 4・・・触媒層 5・・・出口ダクト 10・・・触媒層ダクトG・・
・排ガス 第1図 第2図 第3図 第5図 第6図 第7図 第9図 第10図 第11図 第14図
2図は第1図に示す装置に於ける排ガスの流動状態を示
すダクト断面図、第3図は本発明装置に用いる整流格子
の側面部分図、第4図、第5図、第6図は従来の脱硝反
応装置の各構成及び排ガスの流動状態を各々示す装置断
面図、第7図は排ガスの整流手段を全く設けていない従
来装置概略図、第12図及び第13図は排ガス流速分布
を示す従来構成の脱硝反応装置の断面図、第14図は排
ガス流速分布を示す本発明の脱硝反応装置の断面図であ
る。 1・・・入口ダクト 2・・・ベンド部3・・・整流
格子 4・・・触媒層 5・・・出口ダクト 10・・・触媒層ダクトG・・
・排ガス 第1図 第2図 第3図 第5図 第6図 第7図 第9図 第10図 第11図 第14図
Claims (2)
- (1)排ガスが流入する入口ダクトと脱硝触媒を配置し
た触媒ダクトとをベンド部で接続することによりこの入
口ダクトと触媒ダクトとが直交するように構成した装置
において、ベンド部外側ケーシングを、ベンド部出口ダ
クトと入口ダクトの床面の延長線の交点と、ベンド部出
口ダクトの延長線と入口ダクトの天井部との交点の間に
差し渡すように配置し、かつ触媒ダクト内の整流格子の
配置位置を、その排ガス流入面が入口ダクト床面とほぼ
同一となるように構成したことを特徴とする脱硝反応装
置。 - (2)前記整流格子を、格子高さHと格子ピッチPとの
関係が次式 H≧Ptanθ で特定されるように構成したことを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載の脱硝反応装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284118A JP2637119B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 脱硝反応装置 |
| US07/268,596 US5043146A (en) | 1987-11-12 | 1988-11-07 | Denitration reactor |
| DE3875590T DE3875590T3 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | Denitrierungsreaktor. |
| EP88118744A EP0318740B2 (en) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | Denitration reactor |
| AT88118744T ATE81795T1 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | Denitrierungsreaktor. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284118A JP2637119B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 脱硝反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127029A true JPH01127029A (ja) | 1989-05-19 |
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