JPH01127663A - 金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材 - Google Patents
金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材Info
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- JPH01127663A JPH01127663A JP28368287A JP28368287A JPH01127663A JP H01127663 A JPH01127663 A JP H01127663A JP 28368287 A JP28368287 A JP 28368287A JP 28368287 A JP28368287 A JP 28368287A JP H01127663 A JPH01127663 A JP H01127663A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ｉ 要〕
表示パネルの下地膜等として利用されるクロム（Ｃｒ）
の薄膜および薄膜形成用ターゲット材に関し、その薄膜
を所定のパターンに形成するエツチング処理を、安全か
つ安価なプロセスにて短時間でしかも高精度で行えるよ
うにすることを目的とし、クロムの薄膜は、銅（Ｃｕ）
を０．５〜２５重四％含有させて形成し、 上記クロム薄膜を形成するためのターゲート材は、クロ
ムに銅が０．５〜２５重量％含まれた金属より構成され
る。
の薄膜および薄膜形成用ターゲット材に関し、その薄膜
を所定のパターンに形成するエツチング処理を、安全か
つ安価なプロセスにて短時間でしかも高精度で行えるよ
うにすることを目的とし、クロムの薄膜は、銅（Ｃｕ）
を０．５〜２５重四％含有させて形成し、 上記クロム薄膜を形成するためのターゲート材は、クロ
ムに銅が０．５〜２５重量％含まれた金属より構成され
る。
この発明は、エツチング性に優れたクロム（Ｃｒ）を主
成分とする金属薄膜および薄膜形成用ターゲソト材に関
する。
成分とする金属薄膜および薄膜形成用ターゲソト材に関
する。
耐蝕性に優れたクロム（Ｃｒ）の薄膜は、ガラス、慴脂
、セラミックス、アモルファス金属等の基板との密着性
が高く、磁気記録層やＦＤＰ、液晶表示パネルの電極等
の機能膜と前記基板の間に下地膜として多用されている
。またこのほかに、銅よりなる電極の保護膜やガラス基
板を用いるフォ°トマスク用の薄膜にも広く利用され、
最近では光学的特性を利用して光の反射膜としての用途
も拡大しつつある。
、セラミックス、アモルファス金属等の基板との密着性
が高く、磁気記録層やＦＤＰ、液晶表示パネルの電極等
の機能膜と前記基板の間に下地膜として多用されている
。またこのほかに、銅よりなる電極の保護膜やガラス基
板を用いるフォ°トマスク用の薄膜にも広く利用され、
最近では光学的特性を利用して光の反射膜としての用途
も拡大しつつある。
このクロムの薄膜は、スパッタリング法、蒸着法、イオ
ンブレーティング法、電着法等により形成され、形成後
はフォトエツチング等の手法によってその一部（不要部
）を除去し所定のパターンに形成される。ここでクロム
薄膜は先にも述べたごとく耐蝕性に優れた性質を有する
ために、エツチングによるパターンの形成が困難である
という欠点があり、そのエツチング処理の向上が望まれ
ている。
ンブレーティング法、電着法等により形成され、形成後
はフォトエツチング等の手法によってその一部（不要部
）を除去し所定のパターンに形成される。ここでクロム
薄膜は先にも述べたごとく耐蝕性に優れた性質を有する
ために、エツチングによるパターンの形成が困難である
という欠点があり、そのエツチング処理の向上が望まれ
ている。
〔従来の技術〕
従来のクロム薄膜のパターン形成法としては、ネガ型の
フォトレジスト（例えば東京応化■のＯＭＲ，ＥＰＰＲ
）と特殊なエツチング液（例えば赤血塩の溶液）を用い
てエツチングするプロセスが一般的である。このほか、
ポジ型のフォトレジスト（例えば東京応化■の０ＦＰＲ
８００）と酸系のエツチング液（例えば塩酸、水酸化ナ
トリウム）を用いたエツチング法も知られている。
フォトレジスト（例えば東京応化■のＯＭＲ，ＥＰＰＲ
）と特殊なエツチング液（例えば赤血塩の溶液）を用い
てエツチングするプロセスが一般的である。このほか、
ポジ型のフォトレジスト（例えば東京応化■の０ＦＰＲ
８００）と酸系のエツチング液（例えば塩酸、水酸化ナ
トリウム）を用いたエツチング法も知られている。
ところが、上記従来の前者のパターン形成法においては
、ネガ型フォトレジストの現像液に引火性の有機系現像
液を使用するため大量生産設備では特別な安全対策を必
要とし、またシアン系の赤血塩溶液を処理する高価な排
水処理施設が必要である、という問題があった。
、ネガ型フォトレジストの現像液に引火性の有機系現像
液を使用するため大量生産設備では特別な安全対策を必
要とし、またシアン系の赤血塩溶液を処理する高価な排
水処理施設が必要である、という問題があった。
また後者の酸系のエツチング液を用いたパターン形成法
では、安全かつ安価なプロセスを組める利点がある反面
、長時間のエツチングを必要とするうえに、先にエツチ
ングされた部分の不必要な個所までエツチングが拡大す
る、所謂サイドエツチングの現象が生じ高精度のパター
ンが形成し難い、という問題がある。
では、安全かつ安価なプロセスを組める利点がある反面
、長時間のエツチングを必要とするうえに、先にエツチ
ングされた部分の不必要な個所までエツチングが拡大す
る、所謂サイドエツチングの現象が生じ高精度のパター
ンが形成し難い、という問題がある。
そこで、この発明は上記従来の状況から、安全かつ安価
なプロセスにて短時間で、しかも高精度のパターンを形
成しうるクロム（Ｃｒ）を主成分とする金属薄膜および
薄膜形成用のターゲット材を提供することを目的とする
ものである。
なプロセスにて短時間で、しかも高精度のパターンを形
成しうるクロム（Ｃｒ）を主成分とする金属薄膜および
薄膜形成用のターゲット材を提供することを目的とする
ものである。
上記目的を達成するため本発明の金属薄膜およびターゲ
ット材は第１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、■基板
１１上に形成されたクロム（Ｃｒ）を主成分とする金属
薄膜２１は、クロムにｆＩ（Ｃｕ）を０．５〜２５重量
％含有した薄膜構造を特徴とし、 ■銅を０．５〜２５重量％含むクロムの薄膜形成用ター
ゲット材３１は、クロムに銅が０．５〜２５重景％重量
れた金属よりなることを特徴とする。
ット材は第１図（ａ）、 （ｂ）に示すように、■基板
１１上に形成されたクロム（Ｃｒ）を主成分とする金属
薄膜２１は、クロムにｆＩ（Ｃｕ）を０．５〜２５重量
％含有した薄膜構造を特徴とし、 ■銅を０．５〜２５重量％含むクロムの薄膜形成用ター
ゲット材３１は、クロムに銅が０．５〜２５重景％重量
れた金属よりなることを特徴とする。
本発明者らはクロムの薄膜に対するエツチングメカニズ
ムを実験によって究明した。
ムを実験によって究明した。
この結果、純粋なりロムの薄膜（以下Ｃｒ薄膜と記す）
は、表面が酸化クロム（ＣｒｚＯｓ）の膜で被われるた
め耐蝕性が高く、汎用の酸系のエツチング液でパターン
形成した場合はＣｒ薄膜の形成条件、形成後の放置時間
と状態によってエツチングの進行状況にバラツキが生じ
精度の良いパターンが形成できないことが明らかとなっ
た。
は、表面が酸化クロム（ＣｒｚＯｓ）の膜で被われるた
め耐蝕性が高く、汎用の酸系のエツチング液でパターン
形成した場合はＣｒ薄膜の形成条件、形成後の放置時間
と状態によってエツチングの進行状況にバラツキが生じ
精度の良いパターンが形成できないことが明らかとなっ
た。
またこれに対し本発明に基づく銅を０．５〜２５重量％
含有させたＣｒｆｉ膜２１は、表面が前記Ｃｒ２Ｏ。
含有させたＣｒｆｉ膜２１は、表面が前記Ｃｒ２Ｏ。
と共に酸で腐食しやすい酸化第一１Ｍ（ＣｕｚＯ）の混
在した膜で被われるために、酸系のエツチング液により
高精度のパターンが短時間で形成できることが石奮かめ
られた。
在した膜で被われるために、酸系のエツチング液により
高精度のパターンが短時間で形成できることが石奮かめ
られた。
具体的には第２図のＣｕ ｆＭ度とＣｒ薄膜のエツチン
グ時間との関係図に示すように、膜厚１０００人のほぼ
純粋なＣｒ薄膜では、液温２０℃の１５ ｉｖｔ％塩酸
水溶液のエツチング液に浸してからエソチングが開始す
るまでに約１２０秒の遅延時間があり、その後エツチン
グが終了するまでに約９０〜１００秒を要している。こ
れに対しＣｕを０．５．５．５． ２４ｗｔ％含有した
本発明の代表３例（Ａ、Ｃ，Ｅ）のＣｒ薄膜（膜厚１０
００人）では、前記エツチング液に浸した直後からそれ
ぞれ４７秒、３３秒、３０秒でエツチングが開始し、約
７０秒、５５秒、４９秒にてそれぞれエツチングが終了
している。
グ時間との関係図に示すように、膜厚１０００人のほぼ
純粋なＣｒ薄膜では、液温２０℃の１５ ｉｖｔ％塩酸
水溶液のエツチング液に浸してからエソチングが開始す
るまでに約１２０秒の遅延時間があり、その後エツチン
グが終了するまでに約９０〜１００秒を要している。こ
れに対しＣｕを０．５．５．５． ２４ｗｔ％含有した
本発明の代表３例（Ａ、Ｃ，Ｅ）のＣｒ薄膜（膜厚１０
００人）では、前記エツチング液に浸した直後からそれ
ぞれ４７秒、３３秒、３０秒でエツチングが開始し、約
７０秒、５５秒、４９秒にてそれぞれエツチングが終了
している。
このように本発明のＣｒ薄膜によれば、−船釣な酸系の
エツチング液を使用してもエツチング時間が大幅に短縮
できる。このエツチング時間の短縮理由は、先にも述べ
たようにＣｒｍ膜の表面に混在するＣｕ２Ｏが不導体の
Ｃｒ、０．膜を破壊しエツチングの遅延を防止し、また
エツチング進行後においてはＣｒが膜中のＣｕに対して
犠牲電極として働きＣｒのエツチングを加速するものと
推定される。このエツチング特性の向上に加えて、パタ
ーン形成後の薄膜の密着性を評価するスクラッチテスト
においても、本発明の３例のＣｒＦ１膜は、Ａが１２２
０ ｇ 、 Ｃが１０９０ｇ、 Ｅが９１０ｇの数
値を示し、はぼ純粋なＣｒ薄膜の１２６０〜１３００
ｇに比べて遜色のない高い密着力をそなえている。これ
は薄膜にオーバエツチングが少ない、つまり薄膜が精度
の高いパターンに形成されていることを意味する。
エツチング液を使用してもエツチング時間が大幅に短縮
できる。このエツチング時間の短縮理由は、先にも述べ
たようにＣｒｍ膜の表面に混在するＣｕ２Ｏが不導体の
Ｃｒ、０．膜を破壊しエツチングの遅延を防止し、また
エツチング進行後においてはＣｒが膜中のＣｕに対して
犠牲電極として働きＣｒのエツチングを加速するものと
推定される。このエツチング特性の向上に加えて、パタ
ーン形成後の薄膜の密着性を評価するスクラッチテスト
においても、本発明の３例のＣｒＦ１膜は、Ａが１２２
０ ｇ 、 Ｃが１０９０ｇ、 Ｅが９１０ｇの数
値を示し、はぼ純粋なＣｒ薄膜の１２６０〜１３００
ｇに比べて遜色のない高い密着力をそなえている。これ
は薄膜にオーバエツチングが少ない、つまり薄膜が精度
の高いパターンに形成されていることを意味する。
なお、Ｃｒ薄膜のＣｕ濃度が２５ ｗｔ％以上になると
エツチング時間はさらに短縮できるが、Ｃｕの残炎が生
じ全面が均一にエツチングされなくなったり（パターン
精度の低下）、密着力が低下するために好ましくない。
エツチング時間はさらに短縮できるが、Ｃｕの残炎が生
じ全面が均一にエツチングされなくなったり（パターン
精度の低下）、密着力が低下するために好ましくない。
以下、この発明の好ましい実施例について詳細に説明す
る。
る。
（第１実施例）
表１に示すようにＣｕＪ］の異なる６種のクロムを溶製
し、直径４インチ、厚さ５ミリのスパッタリング用ター
ゲット材（試料番号Ａ−Ｅ）を製作した。なお、第１図
山）に示すターゲット材３１にはＣｕ以外の代表的な鉄
（Ｆｅ） 、シリコン（Ｓｔ）、アルミニウム（Ａｔ）
、炭素（Ｃ）、酸素（０）等の不純物も極微貴台まれて
いる。
し、直径４インチ、厚さ５ミリのスパッタリング用ター
ゲット材（試料番号Ａ−Ｅ）を製作した。なお、第１図
山）に示すターゲット材３１にはＣｕ以外の代表的な鉄
（Ｆｅ） 、シリコン（Ｓｔ）、アルミニウム（Ａｔ）
、炭素（Ｃ）、酸素（０）等の不純物も極微貴台まれて
いる。
そして、これらのターゲット材を、スパッタリング装置
を用いてＡｒガス圧３ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ、被膜形
成用基板の温度２００℃、入力電力３６０Ｗの条件下で
スパッタリングし、厚さ１０００人のＣｒＦＩ膜を前記
基板上に形成した。第１図（ａ）は、このＣｒｙｌ膜２
１をＰＤＰ等の表示用電極の下地膜として形成したガラ
ス基板１１を示す。
を用いてＡｒガス圧３ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ、被膜形
成用基板の温度２００℃、入力電力３６０Ｗの条件下で
スパッタリングし、厚さ１０００人のＣｒＦＩ膜を前記
基板上に形成した。第１図（ａ）は、このＣｒｙｌ膜２
１をＰＤＰ等の表示用電極の下地膜として形成したガラ
ス基板１１を示す。
このようにして形成された６試料対応のＣｒｍ膜に対し
オージェ分光器を用いてＣｕ含有量を分析した結果、表
１に示す数値が得られた。この数値から明らかなように
６種のＣｒｆｆ１膜は、いずれも対応するターゲット材
に含有されたＣｕ量と同程度のＣｕを含んでいる。また
、それら薄膜のうちの試料Ｃを代表して、その膜の表面
をＥＳＣＡにて分析した結果、第３図（ａ）、 （ｂｌ
に示すようにＣｒ２Ｏ，とＣｕ２Ｏとが混在しているこ
とが認められた。
オージェ分光器を用いてＣｕ含有量を分析した結果、表
１に示す数値が得られた。この数値から明らかなように
６種のＣｒｆｆ１膜は、いずれも対応するターゲット材
に含有されたＣｕ量と同程度のＣｕを含んでいる。また
、それら薄膜のうちの試料Ｃを代表して、その膜の表面
をＥＳＣＡにて分析した結果、第３図（ａ）、 （ｂｌ
に示すようにＣｒ２Ｏ，とＣｕ２Ｏとが混在しているこ
とが認められた。
さらに、これらＣｒ薄膜に対し液温２０℃の１５−ｔ％
塩酸（Ｈｃｌ）水溶液からなるエツチング液を用い、試
料をエツチング液に浸してからエツチングが終了するま
での時間を測定する、エツチング試験を行い、第２図に
示す結果が得られた。このエツチング時間は、先の〔作
用〕項を参照して明らかなように従来の純粋Ｃｒｍ膜よ
りも大幅に短縮しており量産性を図るのに有利である。
塩酸（Ｈｃｌ）水溶液からなるエツチング液を用い、試
料をエツチング液に浸してからエツチングが終了するま
での時間を測定する、エツチング試験を行い、第２図に
示す結果が得られた。このエツチング時間は、先の〔作
用〕項を参照して明らかなように従来の純粋Ｃｒｍ膜よ
りも大幅に短縮しており量産性を図るのに有利である。
そしてさらに、このエツチング後のパターン化されたＣ
ｒ薄膜に対しスクラッチテストを行い、表１に示す数値
が得られた。この数値も実用上問題のない密着性を示し
、高精度の薄膜パターンであることを示す。
ｒ薄膜に対しスクラッチテストを行い、表１に示す数値
が得られた。この数値も実用上問題のない密着性を示し
、高精度の薄膜パターンであることを示す。
（第２実施例）
この実施例は、エツチング特性が最も安定すると思われ
る４ｗｔ％のＣｕ量を含むＣｒ３膜を対象にしたエツチ
ング試験を示す。具体的には蒸着法を用いて基板上に形
成した厚さ７５０人、大きさ３Ｘ３ａｄの当該ＣｒＦｉ
膜に対し、１５−ｔ％塩素（Ｈｃｌ）水溶液からなるエ
ツチング液をその液温を変えながら使用してエツチング
処理を行い、その時のエツチング所要時間を測定したも
のである。
る４ｗｔ％のＣｕ量を含むＣｒ３膜を対象にしたエツチ
ング試験を示す。具体的には蒸着法を用いて基板上に形
成した厚さ７５０人、大きさ３Ｘ３ａｄの当該ＣｒＦｉ
膜に対し、１５−ｔ％塩素（Ｈｃｌ）水溶液からなるエ
ツチング液をその液温を変えながら使用してエツチング
処理を行い、その時のエツチング所要時間を測定したも
のである。
第４図はこの測定結果に基づくエツチング液温とエツチ
ング所要時間との関係図を示す。この図を参照して本実
施例のＣｒｉ膜は、たとえば液温２０℃のエツチング液
の場合エツチング液に浸してから２５秒でエツチングが
開始し４１秒にてエツチングが終了する。同様に液温３
０℃の場合エツチングは９秒で開始し１２秒にて終了、
そして液温４０℃の場合エツチングは５秒で開始し８秒
にて終了する。
ング所要時間との関係図を示す。この図を参照して本実
施例のＣｒｉ膜は、たとえば液温２０℃のエツチング液
の場合エツチング液に浸してから２５秒でエツチングが
開始し４１秒にてエツチングが終了する。同様に液温３
０℃の場合エツチングは９秒で開始し１２秒にて終了、
そして液温４０℃の場合エツチングは５秒で開始し８秒
にて終了する。
因に本実施例のＣｒ薄膜と同じ条件で成膜されたＣｕを
含まない純粋なＣｒ薄膜は、同様な液温においてエツチ
ング開始がそれぞれ７２秒、２０秒、９秒、エツチング
終了がそれぞれ９０秒、２４秒、１２秒である。
含まない純粋なＣｒ薄膜は、同様な液温においてエツチ
ング開始がそれぞれ７２秒、２０秒、９秒、エツチング
終了がそれぞれ９０秒、２４秒、１２秒である。
このように本実施例のＣｒＦｊｌ膜によれば、エツチン
グ所要時間が半分以下に減少し、またエツチング液温の
依存性も小さくなり安定なエツチング特性を得ることが
できる。
グ所要時間が半分以下に減少し、またエツチング液温の
依存性も小さくなり安定なエツチング特性を得ることが
できる。
以上２つの実施例について説明したが、本発明はこのほ
かＣｒ薄膜の形成にはイオンブレーティング法、電着法
が適用でき、またエツチング液には水酸化ナトリウム（
ＮａＯＨ）溶液等が使用可能である。
かＣｒ薄膜の形成にはイオンブレーティング法、電着法
が適用でき、またエツチング液には水酸化ナトリウム（
ＮａＯＨ）溶液等が使用可能である。
また表示パネルの電極構成としてＣｒの下地膜とＣｕの
導電膜およびＣｒの保護膜との３層構造を用いることが
多いが、本発明の金属薄膜はこの電極の下地膜のみなら
ず最上層保護膜のように基板上に間接的に支持された薄
膜に対しても同様に適用可能である。
導電膜およびＣｒの保護膜との３層構造を用いることが
多いが、本発明の金属薄膜はこの電極の下地膜のみなら
ず最上層保護膜のように基板上に間接的に支持された薄
膜に対しても同様に適用可能である。
以上のようにこの発明の金属薄膜によれば、汎用の酸系
エツチング液を用いて高精度のパターンを短時間で形成
でき、しかもそのエツチング液を使用することにより高
い安全性と安価なプロセスにてパターン形成が可能であ
り、表示パネルの電極等に適用して実用上きわめて有益
である。また本発明のターゲット材によれば、前記金属
薄膜がスパッタリング法等にて容易に、かつ再現性よく
形成でき、該金属薄膜の量産化に非常に有益である。
エツチング液を用いて高精度のパターンを短時間で形成
でき、しかもそのエツチング液を使用することにより高
い安全性と安価なプロセスにてパターン形成が可能であ
り、表示パネルの電極等に適用して実用上きわめて有益
である。また本発明のターゲット材によれば、前記金属
薄膜がスパッタリング法等にて容易に、かつ再現性よく
形成でき、該金属薄膜の量産化に非常に有益である。
第１図ｆａｎ、 （ｂ）は、この発明の金属薄膜とその
膜形成用ターゲット材を示す図、 第２図は、この発明の金属薄膜のＣｕ濃度とエツチング
時間との関係を示す図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は、この発明の一実施例による
ターゲット材により成膜された金属薄膜の膜表面の分析
を示す図、 第４図は、この発明の第２実施例に係る金属薄膜のエツ
チングにおける液温と所要時間との関係を示す図である
。 第１図（ａｌ、 （ｂｌにおいて、 １１は基板、 ２１は金属薄膜、 ３１は薄膜形成用ターゲット材をそれぞれ示す。 表１ 之１４を明の４Ｌ４３川良乞カミ１βＤ第１ 図（Ｑ） ２ト４ト日月のクーゲ・リトイイと番ずＧ口笛１図（ｂ
） ｃｉＩＭ甲ｃＣｕ＄！Ｌ（ｗｔ％） 第２図
膜形成用ターゲット材を示す図、 第２図は、この発明の金属薄膜のＣｕ濃度とエツチング
時間との関係を示す図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は、この発明の一実施例による
ターゲット材により成膜された金属薄膜の膜表面の分析
を示す図、 第４図は、この発明の第２実施例に係る金属薄膜のエツ
チングにおける液温と所要時間との関係を示す図である
。 第１図（ａｌ、 （ｂｌにおいて、 １１は基板、 ２１は金属薄膜、 ３１は薄膜形成用ターゲット材をそれぞれ示す。 表１ 之１４を明の４Ｌ４３川良乞カミ１βＤ第１ 図（Ｑ） ２ト４ト日月のクーゲ・リトイイと番ずＧ口笛１図（ｂ
） ｃｉＩＭ甲ｃＣｕ＄！Ｌ（ｗｔ％） 第２図
Claims (4)
- （１）基板上に、エッチングにより所定のパターンに形
成されたクロム（Ｃｒ）を主成分とする金属薄膜であっ
て、 前記クロム（Ｃｒ）に対し銅（Ｃｕ）を０．５〜２５重
量％含有することを特徴とする金属薄膜。 - （２）前記クロム（Ｃｒ）を主成分とする金属薄膜が、
基板上にスパッタリング法により成膜されたものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の金
属薄膜。 - （３）前記クロム（Ｃｒ）を主成分とする金属薄膜が、
基板上に蒸着法により成膜されたものであることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項に記載の金属薄膜。 - （４）基板上に、銅（Ｃｕ）を０．５〜２５重量％含む
クロム（Ｃｒ）の薄膜（２１）を形成するためのターゲ
ット材であって、 クロム（Ｃｒ）に銅（Ｃｕ）が０．５〜２５重量％含ま
れたことを特徴とする薄膜形成用ターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28368287A JPH01127663A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28368287A JPH01127663A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127663A true JPH01127663A (ja) | 1989-05-19 |
| JPH0587589B2 JPH0587589B2 (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=17668708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28368287A Granted JPH01127663A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 金属薄膜および薄膜形成用ターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01127663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015536808A (ja) * | 2012-04-27 | 2015-12-24 | ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー （エヌ ティー エヌ ユー） | 溶融金属フィルタをプライム処理するための装置および方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569255A (en) * | 1978-11-16 | 1980-05-24 | Fujitsu General Ltd | Forming method for alloy film chromium or titanium, and copper |
| JPS62183463A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクの製造法 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP28368287A patent/JPH01127663A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5569255A (en) * | 1978-11-16 | 1980-05-24 | Fujitsu General Ltd | Forming method for alloy film chromium or titanium, and copper |
| JPS62183463A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクの製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015536808A (ja) * | 2012-04-27 | 2015-12-24 | ノルウェージャン ユニバーシティ オブ サイエンス アンド テクノロジー （エヌ ティー エヌ ユー） | 溶融金属フィルタをプライム処理するための装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587589B2 (ja) | 1993-12-17 |
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