JPH01128435A - ウエハ側面部レジスト除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体製造プロセスのホトリソグラフィ工程
において、ウェハにレジスト（感光剤）を塗布した後の
ウェハ側面部に付着した不要レジスト部分の除去方法に
関するものである。

（従来の技術） 従来、レジストをコーティング（塗布）した後のウェハ
端面ば、例えば、第５図に示すような断面をしている。

つまり、通常、レジストコーティングはレジストをウェ
ハ表面に滴下した後、回転することによりウェハ表面上
にほぼ均一にコーティングされる。この時、第５図に示
すように、レジスト１２はウェハ１１の側面にまで付着
する。

レジストコーティングされたウェハ２１は、この後、露
光機によって露光される前に、第６図に示すように、露
光する。ためのステージ２３上での位置決め（オリフラ
合わせ）時に支持ピン２２によってウェハ側面を押さえ
られる。また、ウェハ２１を保持するカセットより搬出
入される際には、ウェハ側面がカセットと接触する。

（発明が解決しようとする問題点） 上記したように、レジストが側面にまで付着したウェハ
を使用すると、そのウェハ側面のレジストがピンの押し
付け、カセットとの接触等により剥離、飛散し、それが
ウェハ表面に付着及び支持ピン、カセットに付着し各々
塵埃となり、ウェハ上にパターンを形成する際に欠陥と
なるという問題点があった。

本発明は、上記問題点に鑑みて、ウェハ側面のレジスト
を除去し、ウェハ側面へのレジストの付着に起因する塵
埃の発生を防止することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、レジストをウ
ェハにコーティングし、該ウェハの有効エリアの側面部
の不要部分のみのレジストを感光、溶解するウェハ側面
部レジスト除去方法において、前記ウェハの有効エリア
をカバーすると共に、不要部分のみに清浄空気を吐出す
る工程と、清浄空気を吐出しながら前記不要部分のみの
レジストを溶解する工程とを施すようにしたものである
。

（作用） 本発明によれば、上記のように構成したので、ウェハの
有効エリアをカバーすることにより、不要レジスト除去
のために感光させる時の光の回り込みを防ぐことができ
ると共に、清浄空気の吐出により、感光したレジストを
除去する加工液の浸入を防ぐことができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の第１の実施例を示すウェハ側面部レジ
スト除去工程図である。

まず、第１図（ａ）に示すように、レジストがコーティ
ングされているウェハ３１をウェハチャック３２によっ
て真空で保持した後、回転させる。そして、第３図に示
すように、ウェハ３１の上部に回転中のウェハ表面と接
触しない程度（例えば数μｍ離した位ｒ！１．）の高さ
ｈｌまで、ウェハの有効エリア（ウェハエツジより数■
■内側）を覆うことのできる円形のカバー３３を設ける
。また、このカバー３３の外周にウェハ端面方向に清浄
空気ａを吐出するための清浄空気吐出帯３４を設ける。

この清浄空気吐出帯３４の出口の高さｈｔは前記した高
さり、より高（し、ウェハの側面部に清浄空気が円滑に
流れるように構成する。

次に、この状態で、第１図（ｂ）に示すように、ウェハ
の側面部゛にレジストが溶解（現像）するための感光光
Ｒ３５により感光するための光すを照射する。この先す
を照射する場合、例えば、露光光ａ３５の位置を、第４
図に示すように、ウェハの側面部の水平面に対して、約
３〜５°傾斜させてセントする。更に、ウェハ上面周辺
部のレジストを除去したい時には光源を矢印の方向に点
灯移動すればよい、この時ウェハ水平位置から±３°以
内の位置ではカバー下部まで光が浸入する恐れがあるた
め、この領域では感光光源３５を消しておくようにする
。

これによって、ウェハ側面部のレジスト部が感光される
。この場合、ウェハの有効エリアはカバ＝３３によって
光を有効に遮断することができる。

次に、第１図（ｃ）に示すように、ウェハ下部より、感
光したレジストが溶解できる加工液（現像１ｌＩＩ）Ｃ
を加工液吐出口３６より吐出することにより、ウェハ側
面のレジストが溶解、除去される。この時の加工液のウ
ェハ有効エリアへの浸入は、カバー外周に設けられた清
浄空気吐出帯３４より吐出される清浄空気の流れによっ
て防ぐことができる。

感光、溶解後は、ウェハを高速回転することにより、乾
燥され、第２図に示すように、ウェハ側面の不要レジス
トが除去される。

第７図は本発明の第２実施例を示すウェハ側面部レジス
ト除去工程図である。

まず、第７図（ａ）に示すように、レジストがコーティ
ングされているウェハ５１をウェハチャック３２によっ
て真空で保持した後、回転させる。そして、ウェハ５１
の上部に回転中のウェハ表面と接触しない程度の高さま
で、ウェハの有効エリアを覆うことのできる円形のカバ
ー３３を設ける。また、このカバー３３の外周にウェハ
端面方向に清浄空気ａを吐出するための清浄空気吐出帯
３４を設ける。

次に、第７図（ｂ）に示すように、レジスト溶解性があ
るレジストシンナーｄをその吐出口５２より吐出するこ
とにより、ウェハ側面のレジストが溶解、除去される。

ここでは、レジストとしては、レジスト溶解性があるも
のであれば、ポジレジスト、ネガレジストを問わない。

この実施例によれば、前記第１の実施例のように、露光
光源を用いて露光することなく、ウェハ側面のレジスト
の溶解、除去を行うことができる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ウェハ
側面部の不要レジストのみを除去することができ、その
際に、ウェハの有効エリアへの光の回り込みやレジスト
溶解時の加工液の浸入はカバー側面からの清浄空気によ
り有効に防止することができる。従って、ウェハの側面
部のレジストは除去され、半導体製造プロセスにおける
塵埃の発生を的確に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示すウェハ側面部レジ
スト除去工程図、第２図は本発明によって得られるウェ
ハの部分断面図、第３図は第１図のＡ部断面図、第４図
はウェハ側面部の露光状態を示す図、第５図は従来のウ
ェハの部分断面図、第６図はそのウェハのステージへの
セット状態を示す平面図、第７図は本発明の第２の実施
例を示すウェハ側面部レジスト除去工程図である。 ３１、５１・・・ウェハ、３２・・・ウェハチャック、
３３・・・カバー、３４・・・清浄空気吐出帯、３５・
・・感光光源、３６・・・加工液吐出口、５２・・・レ
ジストシンナー吐出口。 特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）レジストをウェハにコーティングし、該ウェハの
   有効エリアの側面部の不要部分のみのレジストを感光、
   溶解するウェハ側面部レジスト除去方法において、 （ａ）前記ウェハの有効エリアをカバーすると共に、前
   記不要部分のみに清浄空気を吐出する工程と、（ｂ）清
   浄空気を吐出しながら前記不要部分のみのレジストを溶
   解する工程とを有するウェハ側面部レジスト除去方法。
2. （２）前記工程（ａ）において前記不要部分のみに清浄
   空気を吐出しながら該不要部分のみを感光する工程を有
   するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載のウェハ側面部レジスト除去方法。