JPS591386B2 - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JPS591386B2 JPS591386B2 JP55138071A JP13807180A JPS591386B2 JP S591386 B2 JPS591386 B2 JP S591386B2 JP 55138071 A JP55138071 A JP 55138071A JP 13807180 A JP13807180 A JP 13807180A JP S591386 B2 JPS591386 B2 JP S591386B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- rotary
- rotary head
- mask substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回転塗布装置に係り、特に正方形又は矩形の被
処理基板上に塗膜を形成する際に用いる回転塗布装置に
於ける回転ヘッドの構造に関する。
処理基板上に塗膜を形成する際に用いる回転塗布装置に
於ける回転ヘッドの構造に関する。
フォトプロチーズ工程特にフォト・マスクの製造に於け
るフォト・プロセス工程に於ては、正方形の被処理マス
ク基板上にフォト・レジストの回転塗布膜の形成がなさ
れる。そしてこの際従来は円形の半導体基板上にフォト
・レジスト膜を形成する場合と同様に、被処理マスク基
板の一辺より小さい直径を有する回転ヘッド上に被処理
マスク基板を吸引固着せしめて、フォト・レジストの回
転塗布がなされていた。然し該従来の回転塗布方法に於
ては、第１図に示す塗布済みマスク基板の上面図のよう
に、マスク基板１の四辺に内接する円２の外側の領域３
は、回転塗布に際してその側面が空気を切つて進むため
該領域３上に空気の乱流を生じ、該領域３面に形成され
るレジスト膜厚が大きくばらつく。
るフォト・プロセス工程に於ては、正方形の被処理マス
ク基板上にフォト・レジストの回転塗布膜の形成がなさ
れる。そしてこの際従来は円形の半導体基板上にフォト
・レジスト膜を形成する場合と同様に、被処理マスク基
板の一辺より小さい直径を有する回転ヘッド上に被処理
マスク基板を吸引固着せしめて、フォト・レジストの回
転塗布がなされていた。然し該従来の回転塗布方法に於
ては、第１図に示す塗布済みマスク基板の上面図のよう
に、マスク基板１の四辺に内接する円２の外側の領域３
は、回転塗布に際してその側面が空気を切つて進むため
該領域３上に空気の乱流を生じ、該領域３面に形成され
るレジスト膜厚が大きくばらつく。
そして更にフォト・レジスト液は遠心力により該被処理
マスク基板の四隅を中心にして前記マスク基板に内接す
る円の外側領域に集まるために、第２図に示す塗布済み
マスク基板の対角線方向の断面模式図のように、被処理
マスク基板１に於ける内接円の外側領域３に於けるフォ
ト・レジスト膜４の厚さをは、一様な厚さに塗膜が形成
される前記内接円の内側の中央領域５に於けるフォトレ
ジスト膜４の厚さをの２〔倍〕を起す場合が屡屡ある。
上記のように従来の回転塗布方法に於ては、被処理マス
ク基板周縁部のフォト・レジスト膜の厚みが、中央領域
に比べ著しく厚くなるために、密着露光を行う際に中央
領域を完全に密着せしめるのに長時間を要し、又密着不
良も発生し勝ちで、フォト・マスクの製造効率や歩留ま
りが低下するという問題があつた。
マスク基板の四隅を中心にして前記マスク基板に内接す
る円の外側領域に集まるために、第２図に示す塗布済み
マスク基板の対角線方向の断面模式図のように、被処理
マスク基板１に於ける内接円の外側領域３に於けるフォ
ト・レジスト膜４の厚さをは、一様な厚さに塗膜が形成
される前記内接円の内側の中央領域５に於けるフォトレ
ジスト膜４の厚さをの２〔倍〕を起す場合が屡屡ある。
上記のように従来の回転塗布方法に於ては、被処理マス
ク基板周縁部のフォト・レジスト膜の厚みが、中央領域
に比べ著しく厚くなるために、密着露光を行う際に中央
領域を完全に密着せしめるのに長時間を要し、又密着不
良も発生し勝ちで、フォト・マスクの製造効率や歩留ま
りが低下するという問題があつた。
そして又マスク・パターン形成後プラズマ・アッシング
法によりフォト・レジスト膜を除去する際に、前記中央
領域はフォトレジスト膜が薄いためにオーバ・アッシン
グされ酸素（Ｏ２）プラズマでマスク材表面を腐蝕し、
マスク品質が低下するという問題があつた。本発明は上
記問題点に鑑み、正方形又は矩形の被処理基板の主面全
域にわたつて一様な厚さを有する塗膜を形成せしめるこ
とが可能な、回転塗布装置に於ける回転ヘッドの構造を
提供する。即ち本発明は正方形又は矩形の被処理基板上
に塗膜を形成する際に用いる回転塗布装置に於て、被処
理基板の対角線長より大きい直径を有する円板状の回転
ヘツドを具備し、該回転ヘツドの上面に、該回転ヘツド
の回転軸を中心とし、被処理基板の厚さ以下の深さと、
被処理基板より僅かに大きい被処理基板と相似の正方形
又は矩形の上面形状を有し、且つ底部に吸引固着機構を
有する基板固持用凹部が形成されており、更に該回転ヘ
ツドの上面に、前記基板固持用凹部の側面から回転ヘツ
ドの周縁部に達する塗布液排出溝が形成されてなること
を特徴とする。以下本発明を第３図に示す一実施例の上
面図ａ及び断面図ｂを用いて詳細に説明する。
法によりフォト・レジスト膜を除去する際に、前記中央
領域はフォトレジスト膜が薄いためにオーバ・アッシン
グされ酸素（Ｏ２）プラズマでマスク材表面を腐蝕し、
マスク品質が低下するという問題があつた。本発明は上
記問題点に鑑み、正方形又は矩形の被処理基板の主面全
域にわたつて一様な厚さを有する塗膜を形成せしめるこ
とが可能な、回転塗布装置に於ける回転ヘッドの構造を
提供する。即ち本発明は正方形又は矩形の被処理基板上
に塗膜を形成する際に用いる回転塗布装置に於て、被処
理基板の対角線長より大きい直径を有する円板状の回転
ヘツドを具備し、該回転ヘツドの上面に、該回転ヘツド
の回転軸を中心とし、被処理基板の厚さ以下の深さと、
被処理基板より僅かに大きい被処理基板と相似の正方形
又は矩形の上面形状を有し、且つ底部に吸引固着機構を
有する基板固持用凹部が形成されており、更に該回転ヘ
ツドの上面に、前記基板固持用凹部の側面から回転ヘツ
ドの周縁部に達する塗布液排出溝が形成されてなること
を特徴とする。以下本発明を第３図に示す一実施例の上
面図ａ及び断面図ｂを用いて詳細に説明する。
本発明の回転塗布装置に於ける回転ヘツドは、例えば第
３図ａ及びｂに示すように、回転ヘツド６の上面に、深
さｄが被処理マスク基板７の厚さＴｐに等しいかやや浅
く、上面形状が被処理マスク基板７の一辺の長さｌより
僅かな寸法ｄｌだけ大きい被処理マスク基板と相似形の
基板固持用凹部８が形成されている。
３図ａ及びｂに示すように、回転ヘツド６の上面に、深
さｄが被処理マスク基板７の厚さＴｐに等しいかやや浅
く、上面形状が被処理マスク基板７の一辺の長さｌより
僅かな寸法ｄｌだけ大きい被処理マスク基板と相似形の
基板固持用凹部８が形成されている。
なお通常ｄ−Ｔｐ＝０〜０．５〔Ｍｕ〕程度、ｄｌ／２
−０．３〜０，５〔Ｍ７！Ｌ〕程度が適当である。そし
て上記被処理基板固持用凹部８の底部には、一般の回転
ヘツドと同様に回転シヤフト９に形成された真空孔１０
とＯ・リング状ガスケツト１１からなる吸引固着機構が
配設されている。
−０．３〜０，５〔Ｍ７！Ｌ〕程度が適当である。そし
て上記被処理基板固持用凹部８の底部には、一般の回転
ヘツドと同様に回転シヤフト９に形成された真空孔１０
とＯ・リング状ガスケツト１１からなる吸引固着機構が
配設されている。
そして更に、該回転ヘツド６の上面に於ける被処理基板
固持用凹部８の周辺部には、２〜３〔Ｍｍ〕程度の幅と
０．５〜１〔龍〕程度の深さを有し、被処理基板固持用
凹部８の側面から回転ヘツド６の周縁部に達する複数本
の塗布液排出溝１２が例えば放射状に形成されてなつて
いる。
固持用凹部８の周辺部には、２〜３〔Ｍｍ〕程度の幅と
０．５〜１〔龍〕程度の深さを有し、被処理基板固持用
凹部８の側面から回転ヘツド６の周縁部に達する複数本
の塗布液排出溝１２が例えば放射状に形成されてなつて
いる。
上記本発明の回転ヘツドを有する回転塗布装置を用いて
、例えば被処理マスク基板上にフオト・レジスト塗膜を
形成する際には、回転ヘツド６の基板固持用凹部８に吸
引固持された被処理マスク基板７は、回転ヘツド６の上
面から殆んど突出していない。
、例えば被処理マスク基板上にフオト・レジスト塗膜を
形成する際には、回転ヘツド６の基板固持用凹部８に吸
引固持された被処理マスク基板７は、回転ヘツド６の上
面から殆んど突出していない。
従つて回転塗布がなされている状態で被処理マスク基板
７の端面が空気を切つて進むことがないので、該被処理
基板の周縁部上面に空気の乱流を生ずることがない。又
該回転ヘツド６の上面には被処理基板固持用凹部８の側
面から回転ヘツド６の周縁部に達する塗布液排出溝１２
が形成されているので、被処理マスタ基板７上を該基板
７の外周部に向つて遠心力によつて流れて来たフオト・
レジスト液は、前記排出溝１２によつて回転ヘツド６周
縁部に導かれ、ヘツド外へ飛散せしめられ、被処理マス
ク基板７の四隅附近にフオト・レジスト液がたまること
がない。従つて被処理マスク基板７の主面全域にわたつ
て一様な厚さのフオト・レジスト膜を形成することがで
きる。上記実施例に於ては、本発明を正方形のマスク基
板に対する回転塗布に適用する例について説明したが、
本発明の構造は矩形被処理基板に対する回転塗布にも有
効である。又基板固持用凹部周辺の回転ヘツド上面に、
該回転ヘツドの周縁部に向つて低くなる僅かな傾斜を形
成すると更に効果を増すことができる。
７の端面が空気を切つて進むことがないので、該被処理
基板の周縁部上面に空気の乱流を生ずることがない。又
該回転ヘツド６の上面には被処理基板固持用凹部８の側
面から回転ヘツド６の周縁部に達する塗布液排出溝１２
が形成されているので、被処理マスタ基板７上を該基板
７の外周部に向つて遠心力によつて流れて来たフオト・
レジスト液は、前記排出溝１２によつて回転ヘツド６周
縁部に導かれ、ヘツド外へ飛散せしめられ、被処理マス
ク基板７の四隅附近にフオト・レジスト液がたまること
がない。従つて被処理マスク基板７の主面全域にわたつ
て一様な厚さのフオト・レジスト膜を形成することがで
きる。上記実施例に於ては、本発明を正方形のマスク基
板に対する回転塗布に適用する例について説明したが、
本発明の構造は矩形被処理基板に対する回転塗布にも有
効である。又基板固持用凹部周辺の回転ヘツド上面に、
該回転ヘツドの周縁部に向つて低くなる僅かな傾斜を形
成すると更に効果を増すことができる。
以上説明したように本発明によれば、正方形又は矩形の
被処理基板に対しても、その主面全域にわたつて一様な
塗膜を形成することが可能となり例えばフオト・マスク
の製造工程に於ては、品質製造歩留まりの向上及び製造
効率の向上等の効果がある。
被処理基板に対しても、その主面全域にわたつて一様な
塗膜を形成することが可能となり例えばフオト・マスク
の製造工程に於ては、品質製造歩留まりの向上及び製造
効率の向上等の効果がある。
第１図は従来のレジスト塗布済みマスク基板の上面図、
第２図は同じく対角線方向断面図で、第３図は本発明の
一実施例に於ける回転ヘツドの上面図ａ及び断面図ｂで
ある。 図に於て、１はマスク基板、２はマスク基板の四辺に内
接する円、３は前記円の外側領域、４はフオト・レジス
ト膜、５は前記内接円の内側の中央領域、６は回転ヘツ
ド、７は被処理マスク基板、８は被処理基板固持用凹部
、９は回転シヤフト、１０は真空孔、１１はＯ・リング
状ガスケツト、１２は塗布液排出溝、ｔ及びｔ′はフオ
ト・レジスト膜厚、ｄは基板固持凹部の深さ、Ｔｐは被
処理マスク基板の厚さ、ｌは被処理マスク基板の一辺の
長さ、ｄｌは微小寸法を示す。
第２図は同じく対角線方向断面図で、第３図は本発明の
一実施例に於ける回転ヘツドの上面図ａ及び断面図ｂで
ある。 図に於て、１はマスク基板、２はマスク基板の四辺に内
接する円、３は前記円の外側領域、４はフオト・レジス
ト膜、５は前記内接円の内側の中央領域、６は回転ヘツ
ド、７は被処理マスク基板、８は被処理基板固持用凹部
、９は回転シヤフト、１０は真空孔、１１はＯ・リング
状ガスケツト、１２は塗布液排出溝、ｔ及びｔ′はフオ
ト・レジスト膜厚、ｄは基板固持凹部の深さ、Ｔｐは被
処理マスク基板の厚さ、ｌは被処理マスク基板の一辺の
長さ、ｄｌは微小寸法を示す。
Claims (1)
- １ 正方形又は矩形の被処理基板上に塗膜を形成する際
に用いる回転塗布装置に於て、被処理基板の対角線長よ
り大きい直径を有する円板上の回転ヘッドを具備し、該
回転ヘッドの上面に、該回転ヘッドの回転軸を中心とし
、被処理基板の厚さ以下の深さと、被処理基板より僅か
に大きい被処理基板と相似の正方形又は矩形の上面形状
を有し、且つ底部に吸引固着機構を有する基板固持用凹
部が形成されており、更に該回転ヘッドの上面に、前記
基板固持用凹部の側面から回転ヘッドの周縁部に達する
塗布液排出溝が形成されてなることを特徴とする回転塗
布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55138071A JPS591386B2 (ja) | 1980-10-02 | 1980-10-02 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55138071A JPS591386B2 (ja) | 1980-10-02 | 1980-10-02 | 回転塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5763166A JPS5763166A (en) | 1982-04-16 |
| JPS591386B2 true JPS591386B2 (ja) | 1984-01-11 |
Family
ID=15213285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55138071A Expired JPS591386B2 (ja) | 1980-10-02 | 1980-10-02 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591386B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024102848A (ja) * | 2023-01-19 | 2024-07-31 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法 |
| JP2024102847A (ja) * | 2023-01-19 | 2024-07-31 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS618481U (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-18 | 凸版印刷株式会社 | 回転塗布装置 |
| JPH0673650B2 (ja) * | 1987-04-16 | 1994-09-21 | 株式会社日立製作所 | チヤツク |
| JP2002239442A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-27 | Tdk Corp | 長方形基板のスピンエッチング装置 |
| JP5335578B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-11-06 | アルバック成膜株式会社 | 塗布装置及び気流制御板 |
-
1980
- 1980-10-02 JP JP55138071A patent/JPS591386B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024102848A (ja) * | 2023-01-19 | 2024-07-31 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法 |
| JP2024102847A (ja) * | 2023-01-19 | 2024-07-31 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5763166A (en) | 1982-04-16 |
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