JPH01128525A - 粒子ビームリソグラフィー装置 - Google Patents
粒子ビームリソグラフィー装置Info
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- JPH01128525A JPH01128525A JP63256096A JP25609688A JPH01128525A JP H01128525 A JPH01128525 A JP H01128525A JP 63256096 A JP63256096 A JP 63256096A JP 25609688 A JP25609688 A JP 25609688A JP H01128525 A JPH01128525 A JP H01128525A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/301—Arrangements enabling beams to pass between regions of different pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、請求項１の前提部による粒子ビームリソグラ
フィー装置、評言すれば、少なくと該ステージは加工物
に粒子ビームの衝突して加工物表面上に選択されたパタ
ーンを形成するように位置定めされており、上記粒子ビ
ームの本来の形成および操作のため該ビームカラム内に
高度真空を維持するための高度真空ポンプ、およびビー
ムカラムと加工物との間で段階的シールを形成するため
のシール装置を有し、シール装置に隣接して加工物の区
域だけが真空にさらされ、加工物の残余区域に周囲圧に
存在する、粒子ビームリソグラフィー装置に関する。
フィー装置、評言すれば、少なくと該ステージは加工物
に粒子ビームの衝突して加工物表面上に選択されたパタ
ーンを形成するように位置定めされており、上記粒子ビ
ームの本来の形成および操作のため該ビームカラム内に
高度真空を維持するための高度真空ポンプ、およびビー
ムカラムと加工物との間で段階的シールを形成するため
のシール装置を有し、シール装置に隣接して加工物の区
域だけが真空にさらされ、加工物の残余区域に周囲圧に
存在する、粒子ビームリソグラフィー装置に関する。
粒子線による、半導体ウェーハまたはマスクのような加
工物（基板）を処理するための粒子ビームリソグラフィ
ー装置における局部真空加工装置（以下シール装置と呼
ぶ）の使用および進歩は、１局部真空加工装置（Ｌｏｃ
ａｌｉｇｅｄＶａｃｕｕｍ Ｂｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａ
ｐｐａｒａｔ＋ｕｓ ）”なる名称のピートリック（Ｐ
ｅｔｒｔｃ ） および協力者の米国特許第４５２４
２６１号（以下２６１号特許と略記）に記載されており
、シール装置の先端と加工物との間のギャップ長さ（寸
法）を制御する必要性は、。局部真空加工用ヤヤッゾ制
御システム（Ｇａｐ Ｃｏｎｔ＋ｒｏｌ Ｓｙｓｔｅｍ
Ｆｏｒ ＬｏｃａｌｉｇｅｄＶａｃｕｕｍ Ｂｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ ）”なる名称の、ビートリックおよび協
力者の米国特許第４５２８４５１号明細書（以下４５１
号特許と略記）に記載されている。
工物（基板）を処理するための粒子ビームリソグラフィ
ー装置における局部真空加工装置（以下シール装置と呼
ぶ）の使用および進歩は、１局部真空加工装置（Ｌｏｃ
ａｌｉｇｅｄＶａｃｕｕｍ Ｂｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ａ
ｐｐａｒａｔ＋ｕｓ ）”なる名称のピートリック（Ｐ
ｅｔｒｔｃ ） および協力者の米国特許第４５２４
２６１号（以下２６１号特許と略記）に記載されており
、シール装置の先端と加工物との間のギャップ長さ（寸
法）を制御する必要性は、。局部真空加工用ヤヤッゾ制
御システム（Ｇａｐ Ｃｏｎｔ＋ｒｏｌ Ｓｙｓｔｅｍ
Ｆｏｒ ＬｏｃａｌｉｇｅｄＶａｃｕｕｍ Ｂｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ ）”なる名称の、ビートリックおよび協
力者の米国特許第４５２８４５１号明細書（以下４５１
号特許と略記）に記載されている。
２６１号特許のシール装置は、半径方向に内側に真空度
の増加する帯域をつくるための真空ポンプに接続された
同心のアパーチャを形成する中央に位置定めされたスリ
ーブを備えるハウジング部材を有し、中央の最大アパー
チャで最高真空である。こうして、スリーブに隣接した
加工物の面だけが真空にさらされ、残りの加工物界面は
周囲圧にある。スリーブの先端と加工物表面との間のギ
ャップが重要であり、４５１号特許は、加工の間加工物
を上下に移動することによりギャップ長さが選択された
範囲内にあるようにするため連続的に監視および変更す
るための感知および帰還制御システムを記載している。
の増加する帯域をつくるための真空ポンプに接続された
同心のアパーチャを形成する中央に位置定めされたスリ
ーブを備えるハウジング部材を有し、中央の最大アパー
チャで最高真空である。こうして、スリーブに隣接した
加工物の面だけが真空にさらされ、残りの加工物界面は
周囲圧にある。スリーブの先端と加工物表面との間のギ
ャップが重要であり、４５１号特許は、加工の間加工物
を上下に移動することによりギャップ長さが選択された
範囲内にあるようにするため連続的に監視および変更す
るための感知および帰還制御システムを記載している。
２６１号特許ならびに４５１号特許では加工物を他の常
用の方法で処理するため加工物をシール装置の横方向に
動かす。
用の方法で処理するため加工物をシール装置の横方向に
動かす。
２６１号特許のシール装置は、従前のヤングの特許出願
に記載された差動排気シール装置により、高いコンダク
タンスおよび良好なポンプ効率を与えかつ加工物とシー
ル装置との間のはるかに小さいギャップで操作すること
によって改善された。他の点では、双方の装置の操作は
粒子線リソグラフィー装置におけると類似である。つま
り、加工物は同心のスリーブに隣接する部分が真空にさ
らされ、加工物の残り部分は周囲圧にあり、加工物は加
工の間スリーブの横”Ｉ″′に□＃゛ｇ ｈ 、Ｂ・
ヵいずれの場合にも、同心のスリーブぼ下
の加圧 工物人面部分は低圧であり、最も内側のアパチャがビー
ムカラムに開いており、加工物表面の金 残部分は周囲圧にあるので、汚染物が加工物表面と接触
し、ビームカラムに入る可能性があり、本発明はこの可
能性を減少することに向けられている。
に記載された差動排気シール装置により、高いコンダク
タンスおよび良好なポンプ効率を与えかつ加工物とシー
ル装置との間のはるかに小さいギャップで操作すること
によって改善された。他の点では、双方の装置の操作は
粒子線リソグラフィー装置におけると類似である。つま
り、加工物は同心のスリーブに隣接する部分が真空にさ
らされ、加工物の残り部分は周囲圧にあり、加工物は加
工の間スリーブの横”Ｉ″′に□＃゛ｇ ｈ 、Ｂ・
ヵいずれの場合にも、同心のスリーブぼ下
の加圧 工物人面部分は低圧であり、最も内側のアパチャがビー
ムカラムに開いており、加工物表面の金 残部分は周囲圧にあるので、汚染物が加工物表面と接触
し、ビームカラムに入る可能性があり、本発明はこの可
能性を減少することに向けられている。
上述した汚染の可能性を減少する本発明は、シール装置
を取り囲みかつこれと同心の、加圧ガスの保護リングを
有し、従ってガスのリングはシール装置と周囲圧力との
間に位置定めされている。１構成では、保護リングは加
圧ガス源に接続されている小口径リングによって形成さ
れているので、周囲圧よりも高い圧力下のガスが射出さ
れ、加工物の表面に向けられる。膨張しかつ重なり合う
射出ガスはガスのカーテンを形成する。第２の構成にお
いては、保ｉ １Ｊングは、ガス開口によって加圧ガス
源に接続された幅の狭いみそにより形成され、これによ
りガスはみそ中へ導入される。第６の構成においては保
護リングは加圧ガス源に接続されたガス開口における複
数の端ぐシによって形成され、これにより加圧ガスは端
ぐり中へ導入される。みぞおよび端ぐりの双方は゛射出
される加圧ガスを、ガスのカーテンを形成するためおよ
び加工物表面における破片の除去を容易にするため分配
するのに役立つ。射出される加圧ガスは濾過された乾燥
空気またはガス、もしくは不活性ガスまたはイオン化ガ
ス（これのすべては予熱されていてもよい）であっても
よい。
を取り囲みかつこれと同心の、加圧ガスの保護リングを
有し、従ってガスのリングはシール装置と周囲圧力との
間に位置定めされている。１構成では、保護リングは加
圧ガス源に接続されている小口径リングによって形成さ
れているので、周囲圧よりも高い圧力下のガスが射出さ
れ、加工物の表面に向けられる。膨張しかつ重なり合う
射出ガスはガスのカーテンを形成する。第２の構成にお
いては、保ｉ １Ｊングは、ガス開口によって加圧ガス
源に接続された幅の狭いみそにより形成され、これによ
りガスはみそ中へ導入される。第６の構成においては保
護リングは加圧ガス源に接続されたガス開口における複
数の端ぐシによって形成され、これにより加圧ガスは端
ぐり中へ導入される。みぞおよび端ぐりの双方は゛射出
される加圧ガスを、ガスのカーテンを形成するためおよ
び加工物表面における破片の除去を容易にするため分配
するのに役立つ。射出される加圧ガスは濾過された乾燥
空気またはガス、もしくは不活性ガスまたはイオン化ガ
ス（これのすべては予熱されていてもよい）であっても
よい。
添付図面を研究し、かつ下記の詳細な記述を調査した熟
練者にとり、保護リングが、加工物表面と接触し、差動
排気シールに入る汚染物の数およびタイプを、はとんど
汚染のない（つまシ濾過された乾燥）ガスの使用によっ
て減少しうろことは明らかである。清浄なイオン化ガス
を使用すれば、導入される汚染物の数を減少するだけで
なく、加工物表面上に既に存在する汚染物も静電気的手
段（即ちイオン化ガスによる）によって除去することも
できる。付加的に、流入ガスを予熱することによって、
保護リングは差動排気から加工物に生起する局部温度差
を緩和するのにも役立つ。
練者にとり、保護リングが、加工物表面と接触し、差動
排気シールに入る汚染物の数およびタイプを、はとんど
汚染のない（つまシ濾過された乾燥）ガスの使用によっ
て減少しうろことは明らかである。清浄なイオン化ガス
を使用すれば、導入される汚染物の数を減少するだけで
なく、加工物表面上に既に存在する汚染物も静電気的手
段（即ちイオン化ガスによる）によって除去することも
できる。付加的に、流入ガスを予熱することによって、
保護リングは差動排気から加工物に生起する局部温度差
を緩和するのにも役立つ。
最後に、適当な不活性ガスを選択し、その分圧を制御し
た場合には局部真空加工装置は、もはや粒子ビームリソ
グラフィーの目的を制限することはなく、むしろたとえ
ばオーガー（Ａｕｇｅｒ ）の分光分析のような他のタ
イプの微量分析を実施するのに使用することができる。
た場合には局部真空加工装置は、もはや粒子ビームリソ
グラフィーの目的を制限することはなく、むしろたとえ
ばオーガー（Ａｕｇｅｒ ）の分光分析のような他のタ
イプの微量分析を実施するのに使用することができる。
まず第１図および第２図に関し、第１図のブロック図は
加工物１２（っ甘り半導体ウェーハも またはマスクのような基板ｒｎ＋ばれる）を加工するた
めの粒子ビームリソグラフィー装置を示す。この粒子ビ
ームリソグラフィー装置１０はビームカラム１６の出口
に位置定めされたシール装置１４を包含し、さらにシー
ル装置１４を取り囲む本発明の保護リング２０をも包含
する。
加工物１２（っ甘り半導体ウェーハも またはマスクのような基板ｒｎ＋ばれる）を加工するた
めの粒子ビームリソグラフィー装置を示す。この粒子ビ
ームリソグラフィー装置１０はビームカラム１６の出口
に位置定めされたシール装置１４を包含し、さらにシー
ル装置１４を取り囲む本発明の保護リング２０をも包含
する。
シール装置１４および保護ＩＪソング０は、大きいプレ
ート２２（マニホルドと呼ばれる）に形成されてシシ、
このプレート上にビームカラム１６が取り付けられてい
る。
ート２２（マニホルドと呼ばれる）に形成されてシシ、
このプレート上にビームカラム１６が取り付けられてい
る。
ビームカラム１６は電子またはイオン化粒子源、拡大光
学系および投射および偏向光学系を包含し、精密に集束
されたビーム２４を形成し、従って整形されたビームを
利用する場合には照明および歪形光学系を包含すること
もできる。
学系および投射および偏向光学系を包含し、精密に集束
されたビーム２４を形成し、従って整形されたビームを
利用する場合には照明および歪形光学系を包含すること
もできる。
カラム１６内には中央管２６（示唆されている）が存在
し、中央管はカラム１６に連結された高度真空ポンプに
よシ高度真空に維持される。ビーム２４はシール装置１
４を通過し、加工物１２に衝突する。加工物１２は真空
チャック３２に支持され、可動ステージ３４上の適癌な
位置に保持され、該ステージはＸ−Ｙ軸駆動装置３６に
よりＸ−Ｙ方向に並進されかつステージの位置は成人的
にはレーサ゛゛−干渉計であるＸ−Ｙ位置センサ４０に
よって感知される。Ｘ軸およびＹ軸は水平面を規定し、
Ｚ軸はビームの軸と一致する。さらに、完全なリソグラ
フィー装置１０はビームを制御するコンぎユータ（制御
器）および関連する電子装置を包含し、該装置がビーム
、駆動装置、真空装置、基板操作装置を制御しかつパタ
ーンデータを記憶し、制御信号を提供する；これらすべ
てはブロック４２によって示されている。
し、中央管はカラム１６に連結された高度真空ポンプに
よシ高度真空に維持される。ビーム２４はシール装置１
４を通過し、加工物１２に衝突する。加工物１２は真空
チャック３２に支持され、可動ステージ３４上の適癌な
位置に保持され、該ステージはＸ−Ｙ軸駆動装置３６に
よりＸ−Ｙ方向に並進されかつステージの位置は成人的
にはレーサ゛゛−干渉計であるＸ−Ｙ位置センサ４０に
よって感知される。Ｘ軸およびＹ軸は水平面を規定し、
Ｚ軸はビームの軸と一致する。さらに、完全なリソグラ
フィー装置１０はビームを制御するコンぎユータ（制御
器）および関連する電子装置を包含し、該装置がビーム
、駆動装置、真空装置、基板操作装置を制御しかつパタ
ーンデータを記憶し、制御信号を提供する；これらすべ
てはブロック４２によって示されている。
シール装置１４は、第２図に部分的に示されている複数
の円錐形スリーブ４４ 、４６ ＆−よび４８を包含し
、該スリーブは一般に平面の先端５０に終り、この先端
は加工する間加工物１２の僅か上方に位置定めされてい
る。図示したように、この実施例のスリーブ４４はマニ
ホルド２２の一部である。加工物１２に対する先端の位
置は、ギャップとして示され、Ｇとして同定サレかつシ
ール装置の操作に重要であり、これによυ段階的シール
が得られる。従前の第４５１号特許が引用され、これに
はギャップを制御する装置が記載されている。
の円錐形スリーブ４４ 、４６ ＆−よび４８を包含し
、該スリーブは一般に平面の先端５０に終り、この先端
は加工する間加工物１２の僅か上方に位置定めされてい
る。図示したように、この実施例のスリーブ４４はマニ
ホルド２２の一部である。加工物１２に対する先端の位
置は、ギャップとして示され、Ｇとして同定サレかつシ
ール装置の操作に重要であり、これによυ段階的シール
が得られる。従前の第４５１号特許が引用され、これに
はギャップを制御する装置が記載されている。
スリーブは、第１段、第２段および第６段ポンプ（たん
にブロック５８として同定されている）に連結せる複数
の同心のアパーチャ５２゜５４および５６を仕切シ、こ
れらポンプが圧力を周囲圧からアパーチャ５２における
第１真空レベル、アパーチャ５４における中間値および
中央アパーチャ５６における、中央管２＆内の真空に一
致する第６または最高真空レベルに倣少する。ビーム２
４は、加工物がアパーチャ５６に対して水平に動く場合
、中央アパーチャ５６内の加工物の全範囲゛を走益する
。
にブロック５８として同定されている）に連結せる複数
の同心のアパーチャ５２゜５４および５６を仕切シ、こ
れらポンプが圧力を周囲圧からアパーチャ５２における
第１真空レベル、アパーチャ５４における中間値および
中央アパーチャ５６における、中央管２＆内の真空に一
致する第６または最高真空レベルに倣少する。ビーム２
４は、加工物がアパーチャ５６に対して水平に動く場合
、中央アパーチャ５６内の加工物の全範囲゛を走益する
。
２６１号特許の公知シール装置よりも良好な真空の減少
および小さいギャップ寸法を達成する構造のシール装置
１４は、使用されるすぐれたシール装置であり、すぐれ
たシール装置に関するより詳細な情報が必要な場合には
、従前のヤングの特許出願を援用する。
および小さいギャップ寸法を達成する構造のシール装置
１４は、使用されるすぐれたシール装置であり、すぐれ
たシール装置に関するより詳細な情報が必要な場合には
、従前のヤングの特許出願を援用する。
ここまでの粒子ビームリソグラフィー装置１０の記載か
ら明らかなように、周囲圧の空気的 は徐々に段階的に〔ときどき半径方向段階ヘコ少（ｒａ
ｄｘａｌ ｇｒａｄｅｄ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ）と呼
ばれる〕中央アパーチャ５６にかける高度真空レベルに
減少し、これは大気中および／または加工物上の汚染物
が中央アパーチャ５６およびビームカラム１６中へ衣込
まれる可能性を意味する。この可能性を減少または避け
るために、本発明の保Ｆ７１Ｊング２０は粒子ビームリ
ソグラフィー装置１０中へ組込まれ、下記に詳述する。
ら明らかなように、周囲圧の空気的 は徐々に段階的に〔ときどき半径方向段階ヘコ少（ｒａ
ｄｘａｌ ｇｒａｄｅｄ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ）と呼
ばれる〕中央アパーチャ５６にかける高度真空レベルに
減少し、これは大気中および／または加工物上の汚染物
が中央アパーチャ５６およびビームカラム１６中へ衣込
まれる可能性を意味する。この可能性を減少または避け
るために、本発明の保Ｆ７１Ｊング２０は粒子ビームリ
ソグラフィー装置１０中へ組込まれ、下記に詳述する。
再び第１図、第２図および第６図、殊に第２図および第
６図につぎ、シール装置１４のまわりに同心的に、これ
から間隔を置いてかつ同心のアバ−チャ５２．５４およ
び５６の半径よりも大きい半径の円に配置された一連の
開口６０が存在する。これら開口６０はそれぞれ内側マ
ニホルド６２に接続され、該マニホルドは圧縮導入され
、開口６０から出て加工物１２に向けられる。第１図お
よび第２図に示したように、この射出ガスは加工物表面
１２またはその近くで２方向、つまりシール装置１４に
向かう１方向と、外方へ、周囲圧にある加工物表面１２
０部分に向かう他の方向とに分けられる。開口６００間
隔、従ってその数は、各開口から射出され膨脹するガス
が重なり合ってアパーチャ５２ 、５４ ａ−よび５６
を取り囲むガスのカーテンを形成するように選択される
。加圧下の清浄な乾燥ガスのこの保護リングを用いると
、ビームカラム１６に汚染物が入る可能性は明らかに減
少する。また、このガスがイオン化されている場合、清
浄および乾燥ガスとイオン化ガスとの双方である加圧ガ
スの組合せは、加工物表面に既に存在する汚染物を除去
し、こうして加工物表面にとどまる汚染物の数の減少を
助成することができる。また、この保護リングのガスが
予熱されている場合には、シール装置の範囲内の加工物
の温度を制御することができる。
６図につぎ、シール装置１４のまわりに同心的に、これ
から間隔を置いてかつ同心のアバ−チャ５２．５４およ
び５６の半径よりも大きい半径の円に配置された一連の
開口６０が存在する。これら開口６０はそれぞれ内側マ
ニホルド６２に接続され、該マニホルドは圧縮導入され
、開口６０から出て加工物１２に向けられる。第１図お
よび第２図に示したように、この射出ガスは加工物表面
１２またはその近くで２方向、つまりシール装置１４に
向かう１方向と、外方へ、周囲圧にある加工物表面１２
０部分に向かう他の方向とに分けられる。開口６００間
隔、従ってその数は、各開口から射出され膨脹するガス
が重なり合ってアパーチャ５２ 、５４ ａ−よび５６
を取り囲むガスのカーテンを形成するように選択される
。加圧下の清浄な乾燥ガスのこの保護リングを用いると
、ビームカラム１６に汚染物が入る可能性は明らかに減
少する。また、このガスがイオン化されている場合、清
浄および乾燥ガスとイオン化ガスとの双方である加圧ガ
スの組合せは、加工物表面に既に存在する汚染物を除去
し、こうして加工物表面にとどまる汚染物の数の減少を
助成することができる。また、この保護リングのガスが
予熱されている場合には、シール装置の範囲内の加工物
の温度を制御することができる。
第２図は、保護リングにシール装置の近くの最適加工ギ
ャップ（約１２〜１５μｒｒＬ）よりも大きいギャップ
（約２５〜５０μｍ）７０を設けるためマニホルド２２
中に形成される段部６６を示す。
ャップ（約１２〜１５μｒｒＬ）よりも大きいギャップ
（約２５〜５０μｍ）７０を設けるためマニホルド２２
中に形成される段部６６を示す。
第４図および第５図は、第１図、第２図および第６図の
実施例とは加工物表面に衝突する射出され膨脹するガス
を分配するため、シール装置と同心にマニホルド７２中
に形成された環状みそ７２が存在する点で相違する保ｅ
ＩＪング２０の他の実施例を示す。みぞ７２による射
出ガスのこの分配のため、開口６０の数は第１図〜第６
図の実施例におい℃使用されかつガスのカーテンを形成
する開口６０の数より少ない。
実施例とは加工物表面に衝突する射出され膨脹するガス
を分配するため、シール装置と同心にマニホルド７２中
に形成された環状みそ７２が存在する点で相違する保ｅ
ＩＪング２０の他の実施例を示す。みぞ７２による射
出ガスのこの分配のため、開口６０の数は第１図〜第６
図の実施例におい℃使用されかつガスのカーテンを形成
する開口６０の数より少ない。
射出ガスは、濾過された乾燥空気またはガス、もしくは
不活性ガスまたはイオン化ガスであってもよく、これら
のすべては加熱されていてもよく、かつ第１図、第２図
および第６図の保護リングの結果を達成する。明らかな
ように、第１図、第２図および第３図におけるこれら成
分と同様の機能を発揮するこの実施例のこれらの成分に
は、記述を簡略にするため同じ参照符号が与えられくい
る。
不活性ガスまたはイオン化ガスであってもよく、これら
のすべては加熱されていてもよく、かつ第１図、第２図
および第６図の保護リングの結果を達成する。明らかな
ように、第１図、第２図および第３図におけるこれら成
分と同様の機能を発揮するこの実施例のこれらの成分に
は、記述を簡略にするため同じ参照符号が与えられくい
る。
第６図および第７図は、先行実施例とは、各開口６０が
加工物表面に衝突する膨脹する射出ガスを分配するため
マニホルド２２中に形成される同心の端ぐシフ４中へ出
る点で異なる保訛リング２０のさらに他の実施例を示す
。再び、第４図および第５図の実施例と同様、これらの
端ぐりＴ４による射出ガスの分配のため、開口６０の数
は第１図〜第６図の実施例で使用されかつなおガスのカ
ーテンを形成する開口ｂＯＯ数よりも少なくてよい。ま
た、先行実施例と同様、射出ガスは濾過された乾燥空気
またはガスもしくは不活性ガスまたはイオン化ガスであ
つてもよく、これらすべてのガスは第１図〜第３図の保
饅リングの結果を達成するため予熱されていてもよい。
加工物表面に衝突する膨脹する射出ガスを分配するため
マニホルド２２中に形成される同心の端ぐシフ４中へ出
る点で異なる保訛リング２０のさらに他の実施例を示す
。再び、第４図および第５図の実施例と同様、これらの
端ぐりＴ４による射出ガスの分配のため、開口６０の数
は第１図〜第６図の実施例で使用されかつなおガスのカ
ーテンを形成する開口ｂＯＯ数よりも少なくてよい。ま
た、先行実施例と同様、射出ガスは濾過された乾燥空気
またはガスもしくは不活性ガスまたはイオン化ガスであ
つてもよく、これらすべてのガスは第１図〜第３図の保
饅リングの結果を達成するため予熱されていてもよい。
先行実施例におけるように、同様の機能を発揮する先行
実施例のこれら成分には、記述を簡略にするため、同じ
参照符号が与えられている。
実施例のこれら成分には、記述を簡略にするため、同じ
参照符号が与えられている。
第１図は、本発明の１実施例による保護リング形成を有
する粒子ビームリソグラフィー装置の略示ブロック図で
あシ、第２図は第１図のシール装置の一部および保＞
Ｉｊングの１実施例の拡大断面図であり、第６図は第１
図および第２図の保ｈ ＩＪソング有するシール装置を
示す、第２図の６−６線による平面図であシ、第４図は
他の実施例による保Ｔｈ ＩＪソング部分断面図であり
、第５図はシール装置および第４図の保珈リングを示す
、第６図と同様の部分平面図であシ、第６図は他の実施
例の保護リングの部分断面図であり、かつ第７図はシー
ル装置および第６図の保護リングを示す、第３図および
第５図と同様の部分平面図である。 １０・・・粒子ビームリソグラフィー装置、１２・・・
加工物、１４・・・シール装置、１６・・・ビームカラ
ム、２０・・・保護リング、２２・・・大きいプレート
、２４・・・ビーム、２６・・・中央管、３０・・・高
度真空ポンプ、３２・・・真空チャック、３４・・・可
動ステージ、３６・・・Ｘ−Ｙ軸駆動装置、４０・・・
Ｘ−Ｙ位置センサ、４２・・・カラムエレクトロニクス
、４４．４６．４８・・・円錐形スリーブ、５０・・・
平らな先端、５２，５４．５６・・・同心のアパーチャ
、５８・・・真空ポンプ、６０・・・開口、６２・・・
マニホルド、６４・・・加圧ガス源、６６・・・段部、
７０・・・ギャップ、７２・・・環状みぞ。 ｉ都、・二〕
する粒子ビームリソグラフィー装置の略示ブロック図で
あシ、第２図は第１図のシール装置の一部および保＞
Ｉｊングの１実施例の拡大断面図であり、第６図は第１
図および第２図の保ｈ ＩＪソング有するシール装置を
示す、第２図の６−６線による平面図であシ、第４図は
他の実施例による保Ｔｈ ＩＪソング部分断面図であり
、第５図はシール装置および第４図の保珈リングを示す
、第６図と同様の部分平面図であシ、第６図は他の実施
例の保護リングの部分断面図であり、かつ第７図はシー
ル装置および第６図の保護リングを示す、第３図および
第５図と同様の部分平面図である。 １０・・・粒子ビームリソグラフィー装置、１２・・・
加工物、１４・・・シール装置、１６・・・ビームカラ
ム、２０・・・保護リング、２２・・・大きいプレート
、２４・・・ビーム、２６・・・中央管、３０・・・高
度真空ポンプ、３２・・・真空チャック、３４・・・可
動ステージ、３６・・・Ｘ−Ｙ軸駆動装置、４０・・・
Ｘ−Ｙ位置センサ、４２・・・カラムエレクトロニクス
、４４．４６．４８・・・円錐形スリーブ、５０・・・
平らな先端、５２，５４．５６・・・同心のアパーチャ
、５８・・・真空ポンプ、６０・・・開口、６２・・・
マニホルド、６４・・・加圧ガス源、６６・・・段部、
７０・・・ギャップ、７２・・・環状みぞ。 ｉ都、・二〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくともビームカラムの粒子ビーム、加工物を支
持するためのＸ−Ｙ平面で可動のステージを有し、該ス
テージは加工物に粒子ビームが衝突して加工物表面上に
選択されたパターンを形成するように位置定めされてお
り、上記粒子ビームの本来の形成および操作のため該ビ
ームカラム内に高度真空を維持するための高度真空ポン
プ、およびビームカラムと加工物との間で段階的シール
を形成するためのシール装置を有し、シール装置に隣接
した加工物の区域だけが真空にさらされ、加工物の残余
区域は周囲圧に存在する、粒子ビームリソグラフィー装
置において、上記シール装置を取り囲みかつ加工物に衝
突する加圧ガスのリングを有することを特徴とする粒子
ビームリソグラフィー装置。 ２、ガスのリングが、加圧ガス源に接続された複数の開
口によつて形成される請求項１記載の装置。 ３、加圧ガスが乾燥空気によつて濾過される請求項２記
載の装置。 ４、加圧ガスが不活性ガスである請求項２記載の装置。 ５、加圧ガスが濾過された乾燥ガスである請求項２記載
の装置。 ６、加圧ガスが加熱されている請求項２記載の装置。 ７、加圧ガスがイオン化されている請求項２記載の装置
。 ８、請求項１に記載された粒子ビームリソグラフィー装
置において、ガスのリングが、加圧ガス源に接続された
複数の開口により接続されたみぞによつて形成され、ガ
スはみぞによつて加工物に衝突するように向けられかつ
分配されることを特徴とする粒子ビームリソグラフィー
装置。 ９、加圧ガスが濾過された空気である請求項８記載の装
置。 １０、加圧ガスが不活性ガスである請求項８記載の装置
。 １１、加圧ガスがイオン化されている請求項８記載の装
置。 １２、加圧ガスが濾過された乾燥ガスである請求項８記
載の装置。 １３、加圧ガスが加熱されている請求項８記載の装置。 １４、加圧ガスがイオン化されている請求項８記載の装
置。 １５、請求項１に記載された粒子ビームリソグラフィー
装置において、ガスのリングが、端ぐりに終りかつ加圧
ガス源に接続されている複数の孔によつて形成され、ガ
スは加工物に衝突するように向けられかつ分配されるこ
とを特徴とする粒子ビームリソグラフィー装置。 １６、加圧ガスが濾過された乾燥空気である請求項１５
記載の装置。 １７、加圧ガスが不活性ガスである請求項１５記載の装
置。 １８、加圧ガスが濾過された乾燥ガスである請求項１５
記載の装置。 １９、加圧ガスが加熱されている請求項１５記載の装置
。 ２０、加圧ガスがイオン化されている請求項１５記載の
装置。 ２１、加工物との間のギャップ中に半径方向の段階真空
を設けるための装置を有し、この装置により粒子ビーム
は高度真空カラムの内部から加工物に達し、加工物は半
径方向の段階 的真空にさらされる区域を除き周囲圧に存在し、上記装
置を取り囲む保護リングが大気圧よりも高い圧力下にあ
り、汚染物が上記装置に入る可能性を減少するための、
加工物に衝突するガスのリングを有することを特徴とす
る粒子ビームリソグラフィー装置。 ２２、半導体ウェーハまたはマスク加工物表面を処理す
るための粒子ビームリソグラフィー 装置において、粒子ビームを発生しかつ加 工物表面に向ける装置を有するビームカラム、加工物表
面の一部のみを真空中に維持するためのシール装置を有
し、ビームは真空中の部分に向けることができ、残りの
加工物表面は大気圧に存在し、シール装置に関し加工物
を加工する間シール装置と加工物との間にギャップが形
成しかつ加工物を、一般にビームの横方向に動かして、
異なる部分が異なる時間、ビームによつて処理できるよ
うに位置定めする装置を有し、シール装置の下方でなお
真空を維持し、かつ汚染物がシール装置に入る可能性を
減少するための、シール装置を取り囲みかつ加工物表面
と協同する装置を有する粒子ビームリソグラフィー装置
。 ２３、最後に挙げた装置が、加工物表面に向けられかつ
衝突する加圧ガスのリングを有する請求項２２記載の装
置。 ２４、ガスのリングが、加工物表面から間隔を有する複
数の開口によつて形成され、かつこの開口から加工物ま
での距離がギャップの寸法よりも大きい請求項２３記載
の装置。 ２５、ガスのリングが加圧ガス源に接続されたみぞによ
り形成され、みぞから加工物表面までの距離がギャップ
の寸法よりも大きい請求項２３記載の装置。 ２６、ガスのリングが加圧ガス源に接続された複数の端
ぐりにより形成され、端ぐりから加工物表面までの距離
がギャップの寸法よりも大きい請求項２３記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/109,883 US4837443A (en) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | Guard ring for a differentially pumped seal apparatus |
| US109883 | 1998-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128525A true JPH01128525A (ja) | 1989-05-22 |
| JP2862087B2 JP2862087B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=22330082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63256096A Expired - Lifetime JP2862087B2 (ja) | 1987-10-15 | 1988-10-13 | 粒子ビームリソグラフィー装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837443A (ja) |
| EP (1) | EP0312066B1 (ja) |
| JP (1) | JP2862087B2 (ja) |
| CA (1) | CA1294066C (ja) |
| DE (1) | DE3850030T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
| US6744054B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-06-01 | Hitachi, Ltd. | Evacuation use sample chamber and circuit pattern forming apparatus using the same |
| JP2010129822A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2022004229A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 差動排気装置および集束エネルギービーム装置 |
| WO2022054431A1 (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 集束エネルギービーム装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5103102A (en) * | 1989-02-24 | 1992-04-07 | Micrion Corporation | Localized vacuum apparatus and method |
| US5245405A (en) * | 1990-05-11 | 1993-09-14 | Boc Health Care, Inc. | Constant pressure gas cell |
| US5135304A (en) * | 1990-05-11 | 1992-08-04 | Boc Health Care, Inc. | Gas analysis system having buffer gas inputs to protect associated optical elements |
| US5153671A (en) * | 1990-05-11 | 1992-10-06 | Boc Health Care, Inc. | Gas analysis system having buffer gas inputs to protect associated optical elements |
| US5646726A (en) * | 1995-02-24 | 1997-07-08 | Leco Corporation | Atmospheric seal for glow discharge analytical instrument |
| US5838006A (en) * | 1996-10-17 | 1998-11-17 | Etec Systems, Inc. | Conical baffle for reducing charging drift in a particle beam system |
| JP3612158B2 (ja) | 1996-11-18 | 2005-01-19 | スピードファム株式会社 | プラズマエッチング方法及びその装置 |
| US5973764A (en) * | 1997-06-19 | 1999-10-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | Vacuum assisted debris removal system |
| US6126169A (en) * | 1998-01-23 | 2000-10-03 | Nikon Corporation | Air bearing operable in a vacuum region |
| US5997963A (en) * | 1998-05-05 | 1999-12-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Microchamber |
| US6065499A (en) * | 1998-12-21 | 2000-05-23 | Eaton Corporation | Lateral stress relief mechanism for vacuum bellows |
| AU2503500A (en) * | 1999-01-12 | 2000-08-01 | Ipec Precision, Inc. | Method and apparatus for generating and confining a reactive gas for etching substrates |
| JP2001242300A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Sony Corp | 電子ビーム照射装置 |
| JP4503906B2 (ja) * | 2000-05-03 | 2010-07-14 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | パージガスを用いた非接触型シール |
| JP2002158154A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Canon Inc | 露光装置 |
| US6614505B2 (en) | 2001-01-10 | 2003-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1223468B1 (en) * | 2001-01-10 | 2008-07-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| US6746566B1 (en) | 2001-12-11 | 2004-06-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Transverse magnetic field voltage isolator |
| US6710354B1 (en) | 2001-12-11 | 2004-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope architecture and related material handling system |
| KR101431938B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
| SG141426A1 (en) | 2003-04-10 | 2008-04-28 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
| KR101250155B1 (ko) | 2004-03-25 | 2013-04-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7394339B1 (en) | 2004-06-30 | 2008-07-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Transverse magnetic field voltage isolator |
| US7550744B1 (en) | 2007-03-23 | 2009-06-23 | Kla-Tencor Corporation | Chamberless substrate handling |
| KR101117199B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2012-03-07 | 한국전기연구원 | 원통형 자기부상 스테이지 및 노광장치 |
| US9259802B2 (en) * | 2012-07-26 | 2016-02-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for collecting material produced by processing workpieces |
| EP3183091B8 (en) * | 2014-08-19 | 2018-09-05 | Lumileds Holding B.V. | Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off |
| KR102572643B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2023-08-31 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 다이 레벨의 레이저 리프트-오프 중에 기계적 손상을 줄이기 위한 사파이어 수집기 |
| JP6508549B2 (ja) * | 2017-05-12 | 2019-05-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置 |
| US12158576B2 (en) | 2021-05-28 | 2024-12-03 | Kla Corporation | Counterflow gas nozzle for contamination mitigation in extreme ultraviolet inspection systems |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1199416B (de) * | 1961-10-03 | 1965-08-26 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren und Vorrichtung zum Schweissen von Metallen oder Nichtmetallen bei Normaldruck mittels Elektronenstrahlen |
| US4191385A (en) * | 1979-05-15 | 1980-03-04 | Fox Wayne L | Vacuum-sealed gas-bearing assembly |
| US4563587A (en) * | 1981-05-26 | 1986-01-07 | Hughes Aircraft Company | Focused ion beam microfabrication column |
| US4607167A (en) * | 1982-10-19 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Charged particle beam lithography machine incorporating localized vacuum envelope |
| EP0106510B1 (en) * | 1982-10-19 | 1991-11-13 | Varian Associates, Inc. | Envelope apparatus for localized vacuum processing |
| US4584479A (en) * | 1982-10-19 | 1986-04-22 | Varian Associates, Inc. | Envelope apparatus for localized vacuum processing |
| JPS61500779A (ja) * | 1983-12-22 | 1986-04-24 | フオ−ド モ−タ− カンパニ− | セラミツク工具の摩耗寿命を増す装置 |
| US4571850A (en) * | 1984-05-17 | 1986-02-25 | The Fluorocarbon Company | Centrifugal wafer processor |
| DE3463227D1 (en) * | 1984-08-03 | 1987-05-27 | Loh Kg Optikmaschf | Supporting device for vulnerable objects, in particular optical lenses and other optical elements |
-
1987
- 1987-10-15 US US07/109,883 patent/US4837443A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-23 CA CA000578323A patent/CA1294066C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-13 EP EP88117059A patent/EP0312066B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-13 JP JP63256096A patent/JP2862087B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-13 DE DE3850030T patent/DE3850030T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168027A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置 |
| US6744054B2 (en) | 2000-12-08 | 2004-06-01 | Hitachi, Ltd. | Evacuation use sample chamber and circuit pattern forming apparatus using the same |
| JP2010129822A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2022004229A1 (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 差動排気装置および集束エネルギービーム装置 |
| JP2022011073A (ja) * | 2020-06-29 | 2022-01-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 差動排気装置および集束エネルギービーム装置 |
| CN115461833A (zh) * | 2020-06-29 | 2022-12-09 | 株式会社V技术 | 差动排气装置及聚焦能量束装置 |
| TWI901697B (zh) * | 2020-06-29 | 2025-10-21 | 日商Ｖ科技股份有限公司 | 差動排氣裝置及聚焦能量束裝置 |
| US12555739B2 (en) | 2020-06-29 | 2026-02-17 | V Technology Co., Ltd. | Differential pumping apparatus and focused charged particle beam system |
| WO2022054431A1 (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 集束エネルギービーム装置 |
| JP2022047965A (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 集束エネルギービーム装置 |
| US12444567B2 (en) | 2020-09-14 | 2025-10-14 | V Technology Co., Ltd. | Focused charged particle beam apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE3850030D1 (de) | 1994-07-14 |
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| DE3850030T2 (de) | 1994-09-29 |
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| EP0312066A3 (en) | 1990-03-14 |
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