JPH01129972A - シリコン窒化酸化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン窒化酸化膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH01129972A JPH01129972A JP28889787A JP28889787A JPH01129972A JP H01129972 A JPH01129972 A JP H01129972A JP 28889787 A JP28889787 A JP 28889787A JP 28889787 A JP28889787 A JP 28889787A JP H01129972 A JPH01129972 A JP H01129972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- silicon
- oxide film
- silicon nitride
- nitride oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BPFJPVNVBGKWFG-UHFFFAOYSA-N 1-diaminosilyloxybutane Chemical group C(CCC)O[SiH](N)N BPFJPVNVBGKWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZMVLMVFYMGSMY-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-methylpentan-2-yl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(NC(C)CC(C)C)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 ZZMVLMVFYMGSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的）
産業上の利用分野
本発明は、電子素子等を製造するに当って、基材の表面
を被覆するためのシリコン窒化酸化膜を形成する方法に
関する。
を被覆するためのシリコン窒化酸化膜を形成する方法に
関する。
従来の技術
シリコン窒化酸化膜は、耐蝕性や絶縁性並びに基材との
親和性が優れているところから、電子素子製造時の絶縁
膜や保護膜あるいはマスク材料等に利用される。
親和性が優れているところから、電子素子製造時の絶縁
膜や保護膜あるいはマスク材料等に利用される。
シリコン基材上にシリコン窒化酸化膜を形成するには、
高温下で水を含んだアンモニアガスと接触させる方法等
があるが、シリコン基材以外の基材には使用できない欠
点がある。したがって、基材の材質に制約されることが
ない化学気相成長法（ＣＶＤ法）が提案されている。
゛かかるＣＶＤ法の一つとして、シランと
アンモニアと水の混合ガスを８００’ＣＬＸ上の温度で
基材と接触させ、基材の表面にシリコン窒化酸化膜を形
成する方法があるが、この方法は三つの成分ガスの混合
比の制御が難かしく、膜組成が一定となりにくい欠点が
ある。 ゛また、上記のシラン
に換えて、ジクロロシランを用いる方法があるが、この
方法は塩化アンモニウムのダストが生成し基材が汚染さ
れ易い欠点がある。
高温下で水を含んだアンモニアガスと接触させる方法等
があるが、シリコン基材以外の基材には使用できない欠
点がある。したがって、基材の材質に制約されることが
ない化学気相成長法（ＣＶＤ法）が提案されている。
゛かかるＣＶＤ法の一つとして、シランと
アンモニアと水の混合ガスを８００’ＣＬＸ上の温度で
基材と接触させ、基材の表面にシリコン窒化酸化膜を形
成する方法があるが、この方法は三つの成分ガスの混合
比の制御が難かしく、膜組成が一定となりにくい欠点が
ある。 ゛また、上記のシラン
に換えて、ジクロロシランを用いる方法があるが、この
方法は塩化アンモニウムのダストが生成し基材が汚染さ
れ易い欠点がある。
また、シランと水を含むアンモニアの低圧混合ガス中で
高周波放電等を利用してプラズマを生成させ、基材表面
にシリコン窒化酸化膜を形成する方法がある。この方法
は高温に耐えない基材に対しても適用できる利点がある
が、形成された膜に応力が残留し易くクラックの発生な
どの欠陥を生じ易いほか、不必要な元素特に水素などが
膜中に残留し易く、この水素が基材中に移動して基材の
性質を変化させ、製造された素子の特性を損なう原因と
なる欠点がある。
高周波放電等を利用してプラズマを生成させ、基材表面
にシリコン窒化酸化膜を形成する方法がある。この方法
は高温に耐えない基材に対しても適用できる利点がある
が、形成された膜に応力が残留し易くクラックの発生な
どの欠陥を生じ易いほか、不必要な元素特に水素などが
膜中に残留し易く、この水素が基材中に移動して基材の
性質を変化させ、製造された素子の特性を損なう原因と
なる欠点がある。
さらにまた、シランと窒素と酸化窒素の混合ガスを紫外
線照射した基材の表面に接触させ、基材表面にシリコン
窒化酸化膜を形成する方法がある。
線照射した基材の表面に接触させ、基材表面にシリコン
窒化酸化膜を形成する方法がある。
この方法は高温の必要がなく、また、欠陥の少ない窒化
酸化膜が得られる利点があるが、膜組成が一定になりに
くく、膜の性能の再現性に欠ける欠点がある。
酸化膜が得られる利点があるが、膜組成が一定になりに
くく、膜の性能の再現性に欠ける欠点がある。
以上のようなＣＶＤ法では、使用する原料ガスの自然発
火や爆発の危険性が常につきまとう欠点がある。
火や爆発の危険性が常につきまとう欠点がある。
決しようとする５ 、
本発明は、組成が均一で性能のすぐれたシリコン窒化酸
化膜を再現性よく形成し、かつ、製造工程中自然発火や
爆発を起さない安全な方法を提供しようとするものであ
る。
化膜を再現性よく形成し、かつ、製造工程中自然発火や
爆発を起さない安全な方法を提供しようとするものであ
る。
（発明の構成）
間 １、を ′するための手
本発明は、高エネルギー状態下においた基材の表面に、
酸素−ケイ素−窒素結合を有する化合物を含む気体を接
触させることにより目的を達成することができる。
酸素−ケイ素−窒素結合を有する化合物を含む気体を接
触させることにより目的を達成することができる。
本発明において用いられる酸素−ケイ素−窒素結合を有
する化合物としては、アミノアルコキシシラン化合物も
しくはアミノイミノアルコキシシラン化合物である。
する化合物としては、アミノアルコキシシラン化合物も
しくはアミノイミノアルコキシシラン化合物である。
かかる化合物の例としては、化学式が 。
（ｔ−Ｃ４Ｈ９０）２Ｓｉ （Ｎｌ２）２で表わされる
ジターシャリブトキシジアミノシラン、化学式が５ ［（ｔ−Ｃ４Ｈ９０）２３１ＮＨ２１２ＮＨで表わされ
るビスジターシャリブトキシアミノシランイミド等のア
ミノアルコキシシラン類やアミノアルコキシシランイミ
ド類があげられる。 。
ジターシャリブトキシジアミノシラン、化学式が５ ［（ｔ−Ｃ４Ｈ９０）２３１ＮＨ２１２ＮＨで表わされ
るビスジターシャリブトキシアミノシランイミド等のア
ミノアルコキシシラン類やアミノアルコキシシランイミ
ド類があげられる。 。
本発明においては、基材を高エネルギー状態下におくが
、これは例えばシリコンウェハーを熱板の上にのせて加
熱する方法とか、紫外線のような放射線の照射あるいは
プラズマ励起を使用する方法とか、あるいは加熱とこれ
らの方法を併用する方法によって達成される。
、これは例えばシリコンウェハーを熱板の上にのせて加
熱する方法とか、紫外線のような放射線の照射あるいは
プラズマ励起を使用する方法とか、あるいは加熱とこれ
らの方法を併用する方法によって達成される。
本発明においてシリコン窒化酸化膜の原料となるアミノ
アルコキシシラン化合物またはアミノイミノアルコキシ
シラン化合物はガス状で基材と接゛触させるが、その際
、キャリアガスとしては経済性や安全性の点から不活性
ガスであるアルゴンまたは窒素ガスが好ましい。
アルコキシシラン化合物またはアミノイミノアルコキシ
シラン化合物はガス状で基材と接゛触させるが、その際
、キャリアガスとしては経済性や安全性の点から不活性
ガスであるアルゴンまたは窒素ガスが好ましい。
また、これらの原料に少量のアンモニアガスを共存させ
ることによって、窒素含量の高いシリコン窒化酸化膜を
得ることもできる。
ることによって、窒素含量の高いシリコン窒化酸化膜を
得ることもできる。
また、同様に少量の酸素ガスを共存させることによって
、酸素含量の高いシリコン窒化酸化膜を得ることができ
る。 ゛ ・シリコン窒化酸化膜を形
成させる基材は、膜形成時における高エネルギー状態で
変質を起さない基材であればどのような基材でも使用で
きる。
、酸素含量の高いシリコン窒化酸化膜を得ることができ
る。 ゛ ・シリコン窒化酸化膜を形
成させる基材は、膜形成時における高エネルギー状態で
変質を起さない基材であればどのような基材でも使用で
きる。
宜塵五１
外気と隔離した反応室中にシリコンウェハーをのせる熱
板を設け、との反応室の一端から原料ガスを導入し、他
端から排出できる装置を構成した。
板を設け、との反応室の一端から原料ガスを導入し、他
端から排出できる装置を構成した。
反応室内を窒素で置換したのち、排出口より油回転真空
ポンプで排出した。
ポンプで排出した。
シリコンウェハーをのせた熱板の温度を５５０℃に保ち
、来れに７７℃に保ったビスジターシャリブトキシアミ
ノシランイミド（以下ＢＤＢＡＳＩという）の中にキャ
リヤーとして窒素ガスを０、４１／ｍｉｎの速度で送入
しＢＤＢＡＳＩガスを反応室の一端から導入し接触させ
た。この時、反応室に送入したＢＤＢＡＳＩの濃度は約
０．２８９看であり、反応室内圧は約８０Ｔｏｒｒであ
った。
、来れに７７℃に保ったビスジターシャリブトキシアミ
ノシランイミド（以下ＢＤＢＡＳＩという）の中にキャ
リヤーとして窒素ガスを０、４１／ｍｉｎの速度で送入
しＢＤＢＡＳＩガスを反応室の一端から導入し接触させ
た。この時、反応室に送入したＢＤＢＡＳＩの濃度は約
０．２８９看であり、反応室内圧は約８０Ｔｏｒｒであ
った。
形成された膜の厚さは、５分間当り約３００人であり、
赤外吸収スペクトルの解析結果、ケイ素の窒化酸化膜で
あることがわかった。
赤外吸収スペクトルの解析結果、ケイ素の窒化酸化膜で
あることがわかった。
釆鳳烈λ
実施例１と全く同様な装置内に同様にシリコンウェハー
を置き、原料としてジターシャリブトキシジアミノシラ
ン（以下ＤＢＤＡＳという）を用いて、実施例１と同様
な操作を行った。この時、反応室に送入されたＤＢＤＡ
Ｓの濃度は約０．２９０／Ｉであった。
を置き、原料としてジターシャリブトキシジアミノシラ
ン（以下ＤＢＤＡＳという）を用いて、実施例１と同様
な操作を行った。この時、反応室に送入されたＤＢＤＡ
Ｓの濃度は約０．２９０／Ｉであった。
形成された膜の厚さは、５分間当り約３００人であり、
赤外吸収スペクトルの解析結果、ケイ素の窒化酸化膜で
あることがね力じた。
赤外吸収スペクトルの解析結果、ケイ素の窒化酸化膜で
あることがね力じた。
（発明の効果）
本発明によれば、酸素−ケイ素−窒素結合を有する化合
物を用いるＣＶＤ法によって、基材の表面にシリコン窒
化酸化膜を再現性よく形成することができ、その膜は均
質で歪みの少ない非晶質のすぐれた膜である特徴がある
。
物を用いるＣＶＤ法によって、基材の表面にシリコン窒
化酸化膜を再現性よく形成することができ、その膜は均
質で歪みの少ない非晶質のすぐれた膜である特徴がある
。
本法によって製造されたシリコン窒化酸化膜は製造され
る電子素子の特性に悪影響を与えることなく、充分な素
子への保護力を備えた均一な膜であり、電子素子の性能
の安定化にすぐれた効果がある。
る電子素子の特性に悪影響を与えることなく、充分な素
子への保護力を備えた均一な膜であり、電子素子の性能
の安定化にすぐれた効果がある。
また、本法で使用される原料ガスは自然発火や爆発の危
険性が全くない利点がある。
険性が全くない利点がある。
Claims (6)
- （１）高エネルギー状態下においた基材の表面に、酸素
−ケイ素−窒素結合を有する化合物を含む気体を接触さ
せ、素材表面にシリコン窒化酸化膜を形成する方法。 - （２）高エネルギー状態が、放射線の照射、およびプラ
ズマ励起の少なくともその一方を用いて生成されたもの
である、特許請求の範囲第１項記載のシリコン窒化酸化
膜の形成方法。 - （３）放射線が紫外線である、特許請求の範囲第２項記
載のシリコン窒化酸化膜の形成方法。 - （４）高エネルギー状態が、９００℃以下の温度による
ものである、特許請求の範囲第１項記載のシリコン窒化
酸化膜の形成方法。 - （５）高エネルギー状態が、７００℃以下の温度と併用
したものである、特許請求の範囲第２項または第３項記
載のシリコン窒化酸化膜の形成方法。 - （６）酸素−ケイ素−窒素結合を有する化合物が、アミ
ノアルコキシシラン化合物もしくはアミノイミノアルコ
キシシラン化合物である、特許請求の範囲第１項記載の
シリコン窒化酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288897A JP2585029B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | シリコン窒化酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288897A JP2585029B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | シリコン窒化酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129972A true JPH01129972A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2585029B2 JP2585029B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17736199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62288897A Expired - Fee Related JP2585029B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | シリコン窒化酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585029B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186210A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Applied Materials Inc | 窒素含有ケイ素化合物膜の形成方法 |
| WO2018182318A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
| WO2018182305A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Dnf Co., Ltd. | Silylamine compound, composition for depositing silicon-containing thin film containing the same, and method for manufacturing silicon-containing thin film using the composition |
| US11358974B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-06-14 | Dnf Co., Ltd. | Silylamine compound, composition for depositing silicon-containing thin film containing the same, and method for manufacturing silicon-containing thin film using the composition |
| US12518963B2 (en) | 2017-03-29 | 2026-01-06 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62288897A patent/JP2585029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004186210A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Applied Materials Inc | 窒素含有ケイ素化合物膜の形成方法 |
| WO2018182318A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
| WO2018182305A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Dnf Co., Ltd. | Silylamine compound, composition for depositing silicon-containing thin film containing the same, and method for manufacturing silicon-containing thin film using the composition |
| US11358974B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-06-14 | Dnf Co., Ltd. | Silylamine compound, composition for depositing silicon-containing thin film containing the same, and method for manufacturing silicon-containing thin film using the composition |
| US12518963B2 (en) | 2017-03-29 | 2026-01-06 | Dnf Co., Ltd. | Composition for depositing silicon-containing thin film and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2585029B2 (ja) | 1997-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0104658B1 (en) | Process for forming thin film | |
| JP4358492B2 (ja) | 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 | |
| US7651953B2 (en) | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers | |
| US5376591A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US4992299A (en) | Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources | |
| EP0005491B1 (en) | Process for the preparation of low temperature silicon nitride films by photochemical vapor deposition | |
| US20030124873A1 (en) | Method of annealing an oxide film | |
| US6303520B1 (en) | Silicon oxynitride film | |
| JPH01129972A (ja) | シリコン窒化酸化膜の形成方法 | |
| JP2681481B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JP3153644B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP4064912B2 (ja) | 膜の形成方法 | |
| US5721176A (en) | Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films of silicon substrates | |
| JPH05190537A (ja) | 半導体装置のケイ素酸化膜の改質方法 | |
| RU2061281C1 (ru) | Способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния | |
| JPS60190564A (ja) | 窒化珪素作製方法 | |
| JP7240946B2 (ja) | 酸化珪素膜形成方法 | |
| JPH0291939A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPS62160732A (ja) | 酸窒化シリコン膜の形成方法 | |
| JPS5642350A (en) | Formation of insulating film | |
| Roberts et al. | The LPCVD of Silicon Nitride Films from Alkylazidosilanes | |
| Fan | Low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride films from ditertiarybutylsilane | |
| JPH03280540A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPS62158865A (ja) | 酸化珪素作製方法 | |
| JPS6314872A (ja) | 酸化珪素被膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |