JPH01129988A - 錫‐ニツケル合金めつき液 - Google Patents
錫‐ニツケル合金めつき液Info
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- JPH01129988A JPH01129988A JP28561587A JP28561587A JPH01129988A JP H01129988 A JPH01129988 A JP H01129988A JP 28561587 A JP28561587 A JP 28561587A JP 28561587 A JP28561587 A JP 28561587A JP H01129988 A JPH01129988 A JP H01129988A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分！？）
本発明は、錫−ニッケル合金めっき液に関する。
（従来技術）
従来、錫−ニッケル合金めっき液としては、ピロリンｍ
浴等のアルカリ性浴（特開昭４９−１１２８３５、特公
昭５６−２１０７７、特公昭５７−２７９４６）、及び
７ツ化物浴、硫酸浴、及びスルファミン酸浴等の酸性浴
（！開明５Ｏ−７２８３８）が知られている。これらの
錫−ニッケル合金めっき液から得られる皮膜は、はとん
どが良好な光沢性を有し、耐食性に優れていることから
装飾、防食を主な目的としているものが多い。
浴等のアルカリ性浴（特開昭４９−１１２８３５、特公
昭５６−２１０７７、特公昭５７−２７９４６）、及び
７ツ化物浴、硫酸浴、及びスルファミン酸浴等の酸性浴
（！開明５Ｏ−７２８３８）が知られている。これらの
錫−ニッケル合金めっき液から得られる皮膜は、はとん
どが良好な光沢性を有し、耐食性に優れていることから
装飾、防食を主な目的としているものが多い。
（発明が解決しようとする問題点）
従来用いられてきた錫−ニッケル合金めっき液を用いた
場合、７フ化物浴は均一電着性、密着性等は優れている
が、電解中に７フ化水素酸を発生し、人体へ悪影響を及
ぼす危険がありまた排水中に７ツ索化合物が出るので公
害対策上問題がある。
場合、７フ化物浴は均一電着性、密着性等は優れている
が、電解中に７フ化水素酸を発生し、人体へ悪影響を及
ぼす危険がありまた排水中に７ツ索化合物が出るので公
害対策上問題がある。
硫酸浴、スルファミン酸浴は半田ぬれ性は良好であるが
析出皮膜の均一電着性が悪い。また、ピクリン酸浴から
の析出皮膜は脆く、析出皮膜が厚くなるとクラックが発
生するために厚付けができない。又半田ぬれ性が悪い等
問題がある。さらに、従来の錫−ニッケル合金めっき液
では錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接銀めっきを施
すと密着性に問題がある。
析出皮膜の均一電着性が悪い。また、ピクリン酸浴から
の析出皮膜は脆く、析出皮膜が厚くなるとクラックが発
生するために厚付けができない。又半田ぬれ性が悪い等
問題がある。さらに、従来の錫−ニッケル合金めっき液
では錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接銀めっきを施
すと密着性に問題がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、公害対策上問題がなく、厚付は性、均
一電着性、半田ぬれ性が良好でかつ錫−ニッケル合金め
っき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施せら
れることを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を提供
することにある。
一電着性、半田ぬれ性が良好でかつ錫−ニッケル合金め
っき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施せら
れることを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を提供
することにある。
（問題点を解決する手段）
本発明は、上記の問題点を解決する手段として、アルカ
ンスルホン酸またはアルカノールスルホン酸、それらの
２価のスズ塩及びニッケル塩、非イオン性界面活性剤、
並びにＯＨ基、ＮＨ２基及び／またはキノイド構造を有
する芳香族化合物（以下、「芳香族化合物」という）を
含有することを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を
提供するものである。
ンスルホン酸またはアルカノールスルホン酸、それらの
２価のスズ塩及びニッケル塩、非イオン性界面活性剤、
並びにＯＨ基、ＮＨ２基及び／またはキノイド構造を有
する芳香族化合物（以下、「芳香族化合物」という）を
含有することを特徴とする錫−ニッケル合金めっき液を
提供するものである。
本発明の錫−ニッケル合金めっき液に含有されるアルカ
ンスルホン ン酸、プロパンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１
−スルホン酸、３−ヒドロキシプロパン−１−スルホン
酸等が挙げられる。アルカンスルホン酸または、アルカ
ノールスルホン酸の含有量としては０．５〜４００ｇ／
ｌ，好ましくは２０〜３００ｇ／ｌである．アルカンス
ルホン ノールスルホン酸の含有量が０．５ｇ／１未満ではめっ
き液が不安定になり沈澱物が生じやすくなる。
ンスルホン ン酸、プロパンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１
−スルホン酸、３−ヒドロキシプロパン−１−スルホン
酸等が挙げられる。アルカンスルホン酸または、アルカ
ノールスルホン酸の含有量としては０．５〜４００ｇ／
ｌ，好ましくは２０〜３００ｇ／ｌである．アルカンス
ルホン ノールスルホン酸の含有量が０．５ｇ／１未満ではめっ
き液が不安定になり沈澱物が生じやすくなる。
また、４００ｇ／ｌを超えると陰ｉ電流効率が悪くなり
、析出速度が低下する。
、析出速度が低下する。
また、アルカンスルホン
スルホン酸の２価の錫塩及びニッケル塩の各金属成分含
有量は、それぞれ１〜５０ｇ／ｉ、及び１〜ｉ ｏ ｏ
ｇ７２Ｌｆ＞濃度で含有されることが好ましい。
有量は、それぞれ１〜５０ｇ／ｉ、及び１〜ｉ ｏ ｏ
ｇ７２Ｌｆ＞濃度で含有されることが好ましい。
２価の錫の含有量がＩＦ１／１未満では析出速度の低下
が著しく、生産性が悪くなる。＊た、５０ｇ／７！以上
ではめっき液が不安定になりやすい。ニッケルの含有量
が１ｇ／１未満では、はとんどニッケルが共析せず、１
００ｇ／／２以上では析出外観不良となる。
が著しく、生産性が悪くなる。＊た、５０ｇ／７！以上
ではめっき液が不安定になりやすい。ニッケルの含有量
が１ｇ／１未満では、はとんどニッケルが共析せず、１
００ｇ／／２以上では析出外観不良となる。
非イオン性界面活性剤としては次のようなものが用いら
れる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルま
たはポリオキシエチレンアリールエーテルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルお
よびその誘導体等である。使用される非イオン性界面活
性剤の含有量は、０．１〜５０ｇ／ｌ好ましくは０．５
〜２０ｇ／２である。含有量が０．１ｇ／ｆｆｉ未満で
は、含有させる効果が得難く、５０ｇ／Ａを超えると発
泡が激しく実用的でない。
れる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルま
たはポリオキシエチレンアリールエーテルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルおよびその誘
導体、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルお
よびその誘導体等である。使用される非イオン性界面活
性剤の含有量は、０．１〜５０ｇ／ｌ好ましくは０．５
〜２０ｇ／２である。含有量が０．１ｇ／ｆｆｉ未満で
は、含有させる効果が得難く、５０ｇ／Ａを超えると発
泡が激しく実用的でない。
芳香族化合物は、例えばヒドロキノン、α−す７トール
、０−クレゾール−４−スルホン酸、硫酸ｐ−メチルア
ミノフェノール、尿酸、ａ−す７チルアミン等が挙げら
れる。芳香族化合物の含有量は、０、０１〜５０［１／
４，好ましくは０．０２〜３０８７１である。含有量が
０，０１ｇ７２未満では、含有させる効果が得難く、５
０Ｆｌ／ｊｔを超えるとめっき特性には影響しないが、
経済的にメリットがない。
、０−クレゾール−４−スルホン酸、硫酸ｐ−メチルア
ミノフェノール、尿酸、ａ−す７チルアミン等が挙げら
れる。芳香族化合物の含有量は、０、０１〜５０［１／
４，好ましくは０．０２〜３０８７１である。含有量が
０，０１ｇ７２未満では、含有させる効果が得難く、５
０Ｆｌ／ｊｔを超えるとめっき特性には影響しないが、
経済的にメリットがない。
非イオン性界面活性剤と芳香族化合物は、併用すること
により良好なめっき膜を得ることができる。
により良好なめっき膜を得ることができる。
一般に錫めっき及び析出皮膜中の他金属元素含有量が数
％以下である錫合金めっきにおいては、析出皮膜にウィ
スカーが発生しやすいといわれているが、本発明による
錫−ニッケル合金皮膜中のニッケル含有量は、０．００
３〜０．３％であるにもかかわらず、ウィスカーの発生
は認められない。
％以下である錫合金めっきにおいては、析出皮膜にウィ
スカーが発生しやすいといわれているが、本発明による
錫−ニッケル合金皮膜中のニッケル含有量は、０．００
３〜０．３％であるにもかかわらず、ウィスカーの発生
は認められない。
また、本発明による錫−ニッケル合金めっき液は、２価
の錫イオンの酸化を防ぐ酸化防止剤を含有させることに
より析出皮膜の品質には悪影響を与えず、錫−ニッケル
合金めっき液をより安定化させることがで終る。
の錫イオンの酸化を防ぐ酸化防止剤を含有させることに
より析出皮膜の品質には悪影響を与えず、錫−ニッケル
合金めっき液をより安定化させることがで終る。
尚、本発明による錫−ニッケル合金めっき液は、ラック
方式のみならず、クエット方式（高速度めっき）にても
使用することができる。
方式のみならず、クエット方式（高速度めっき）にても
使用することができる。
（実施例）
以下に本発明による実施例を示すが本発明はこれら数例
に限定されるものではなく、目的に応じてめっき液の組
成および条件は特許請求の範囲内において任意に変更す
ることがで浮る。
に限定されるものではなく、目的に応じてめっき液の組
成および条件は特許請求の範囲内において任意に変更す
ることがで浮る。
実施例 １
メタンスルホン酸第−錫 １５ｇ／Ｉｔ（２
価の錫として） メタンスルホン酸ニッケル ３（ｈ／１（２価
のニッケルとして） メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌポリオ
キシノニルフェノール １０ｇ／４１エーテル ヒドロキノン ５ｇ／ １を含有
するめっき液を調製し、めっき液温度を５０℃に調整し
た。次にこのめっき液をマグネチフクスターラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
ラック方式にて錫−ニッケル合金めっきを施した。良好
析出外観電流密度範囲は、０．５−１５ Ａ／ｄｔｓ２
であり、均一電着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が
得られた。得られた析出皮膜の半田スレ性は良好でかつ
錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀
めっき皮膜を施することができた。＊た、６０℃、６０
％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出皮膜を２週間放置し
た後もウィスカーの発生は認められなかった。尚、１０
０μ泣めっきを行った析出皮膜においてもクラックの発
生は認められなかった。
価の錫として） メタンスルホン酸ニッケル ３（ｈ／１（２価
のニッケルとして） メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌポリオ
キシノニルフェノール １０ｇ／４１エーテル ヒドロキノン ５ｇ／ １を含有
するめっき液を調製し、めっき液温度を５０℃に調整し
た。次にこのめっき液をマグネチフクスターラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
ラック方式にて錫−ニッケル合金めっきを施した。良好
析出外観電流密度範囲は、０．５−１５ Ａ／ｄｔｓ２
であり、均一電着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が
得られた。得られた析出皮膜の半田スレ性は良好でかつ
錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀
めっき皮膜を施することができた。＊た、６０℃、６０
％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出皮膜を２週間放置し
た後もウィスカーの発生は認められなかった。尚、１０
０μ泣めっきを行った析出皮膜においてもクラックの発
生は認められなかった。
実施例 ２
エタンスルホン酸 ２００ｇ／ｇポリ
オキシオクチルフェノール ５ｇ／ｌエーテル α−す７トール １０ｇ／ｊ！を
含有するめっき液をｓｌｌ製し、めっき液温度を３０′
Ｃに調整した。そ。の他は、実施例１と同様の条件で錫
−ニッケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流
密度範囲は、０．５〜１２Ａ／ｄｅｚ２であり、均一電
着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得ら
れた析出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合
金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施
すことができた。
オキシオクチルフェノール ５ｇ／ｌエーテル α−す７トール １０ｇ／ｊ！を
含有するめっき液をｓｌｌ製し、めっき液温度を３０′
Ｃに調整した。そ。の他は、実施例１と同様の条件で錫
−ニッケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流
密度範囲は、０．５〜１２Ａ／ｄｅｚ２であり、均一電
着性が良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得ら
れた析出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合
金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施
すことができた。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ−めっきを行った析出皮膜にお
いでもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ−めっきを行った析出皮膜にお
いでもクラックの発生は認められなかった。
実施例 ３
３−ヒドロキシプロパン−１−３０ｇ／Ａスルホン酸
ポリオキシオレイル７エ／−ル Ｉｇ／ｌエーテル
硫酸ｐ−メチルアミノフェノール ３ｇ／２を含
有するめっき液を調製し、めっき液温度を６０℃に調整
した。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、０．５〜ＩＯＡ／ｄｍ２であり、均一電着性が良好な
半光沢で白色のめっト膜が得られた。得られた析出皮膜
の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜
上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ
た。
有するめっき液を調製し、めっき液温度を６０℃に調整
した。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、０．５〜ＩＯＡ／ｄｍ２であり、均一電着性が良好な
半光沢で白色のめっト膜が得られた。得られた析出皮膜
の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜
上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ
た。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ曽めっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ曽めっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 ４
（２価の錫として）
２−ヒドロキシエタン−１−Ｂｏｇ／ｌスルホン酸
ポリオキシノニルフェノール １５ｇ／ｊ！エー
テル α−す７チルアミン ５ｇ／ｌを含
有するめっき液を調製し、めっ！液温度を５０℃に調整
した。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、０．５〜ＩＩＡ／ｒｈｓ”であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ外皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
テル α−す７チルアミン ５ｇ／ｌを含
有するめっき液を調製し、めっ！液温度を５０℃に調整
した。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、０．５〜ＩＩＡ／ｒｈｓ”であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ外皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
また、６０°Ｃ１６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析
出皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認めら
れなかった。尚、１００μＩめっきを行った析出皮膜に
おいてもクラックの発生は認められなかった。
出皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認めら
れなかった。尚、１００μＩめっきを行った析出皮膜に
おいてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 ５
メタンスルホン酸 １２０ｇ／／！０
−クレゾールー４−スルホンＲＺＯｇ／ｌを含有するめ
っき液を調製し、めっき液温度を３０℃にｓ１１整した
。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、０
．５〜１５ Ａ ／ ｄｍ２であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことかで
外な。
−クレゾールー４−スルホンＲＺＯｇ／ｌを含有するめ
っき液を調製し、めっき液温度を３０℃にｓ１１整した
。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、０
．５〜１５ Ａ ／ ｄｍ２であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことかで
外な。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週問放置した後らウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μｌめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認めなれなかった。
皮膜を２週問放置した後らウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μｌめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認めなれなかった。
実施例 ６
メタンスルホン＃第一錫 ＺＯｇ／ｌ（２価
の錫として） メタンスルホン酸ニッケル ４０ｇ／ｊ！（２
価のニッケルとして） メタンスルホンｆｉ ２００ｇ／ １
ポリオキシオレイルフエノール エーテル ５ｇ／ １尿酸
０．０５ｇ／／ｌを含有す
るめっき液を調製し、めっき液温度を５０℃に調整した
。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、０
．５〜１５Ａ／ｄｍ’であり、均一電着性が良好な半光
沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出皮膜の半
田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めつき皮膜上に
直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができた。
の錫として） メタンスルホン酸ニッケル ４０ｇ／ｊ！（２
価のニッケルとして） メタンスルホンｆｉ ２００ｇ／ １
ポリオキシオレイルフエノール エーテル ５ｇ／ １尿酸
０．０５ｇ／／ｌを含有す
るめっき液を調製し、めっき液温度を５０℃に調整した
。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケル合金
めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は、０
．５〜１５Ａ／ｄｍ’であり、均一電着性が良好な半光
沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出皮膜の半
田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めつき皮膜上に
直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができた。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ−めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を２週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ−めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 ７
メタンスフレホン酸 １５０ｇ／β０
−クレゾールー４−スルホン酸 １０ｇ／７！を
含有するめっき液を調製し、めっき液温度を３０℃に調
整した。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケ
ル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲
は、０．５〜１５Ａ／ｄ輸２であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
−クレゾールー４−スルホン酸 １０ｇ／７！を
含有するめっき液を調製し、めっき液温度を３０℃に調
整した。その他は、実施例１と同様の条件で錫−ニッケ
ル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲
は、０．５〜１５Ａ／ｄ輸２であり、均一電着性が良好
な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析出皮
膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき皮
膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことがで
きた。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１０６μｍめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１０６μｍめっきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 ８
メタンスルホン酸 ７０ｇ／ １２ａ
−す７チルアミン ５ｇ／ Ａを含
有するめっき液を調製し、めっき液温度を５０℃に調整
した。その他は、実施例ｆと同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、０．５〜１５ Ａ ／ ｄｍ２であり、均一電着性が
良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析
出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すこと
ができた。
−す７チルアミン ５ｇ／ Ａを含
有するめっき液を調製し、めっき液温度を５０℃に調整
した。その他は、実施例ｆと同様の条件で錫−ニッケル
合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範囲は
、０．５〜１５ Ａ ／ ｄｍ２であり、均一電着性が
良好な半光沢で白色のめっき膜が得られた。得られた析
出皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すこと
ができた。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μＩめつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を２週間放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μＩめつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
実施例 ９
実施例１においてラック方式の代わりにジェット方式で
めっきを行った以外は実施例１と同じ条゛件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範
囲は、５〜１００ Ａ／ｄｍ２であり、均一電着性が良
好な半光沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出
皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき
皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことが
できた。
めっきを行った以外は実施例１と同じ条゛件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施したところ良好析出外観電流密度範
囲は、５〜１００ Ａ／ｄｍ２であり、均一電着性が良
好な半光沢で白色のめつき膜が得られた。得られた析出
皮膜の半田ヌレ性は良好でかつ錫−ニッケル合金めっき
皮膜上に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことが
できた。
また、６０℃、６０％ＲＨの恒温恒湿槽に得られた析出
皮膜を２週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ端めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
皮膜を２週問放置した後もウィスカーの発生は認められ
なかった。尚、１００μ端めつきを行った析出皮膜にお
いてもクラックの発生は認められなかった。
比較例 １
実施例１においてポリオキシ７ニルフエノールエーテル
を使用しなかった以外は実施例１と同じ条件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施した。
を使用しなかった以外は実施例１と同じ条件で錫−ニッ
ケル合金めっきを施した。
上記の錫−ニッケル合金を施しためつき皮膜は粉末状と
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
比較例 ２
実施例２においてα−す７トールを使用しなかった以外
は実施例２と同じ条件で錫−二・ンケル合金めっきを施
した。
は実施例２と同じ条件で錫−二・ンケル合金めっきを施
した。
上記の錫−ニッケル合金を施しためつき皮膜は色調のむ
らが認められ、良好な合金めつき皮膜は得られなかった
。
らが認められ、良好な合金めつき皮膜は得られなかった
。
比較例 ３
実施例１においてポリオキシ７ニル７エ／−ルエーテル
及びヒドロキノンを使用しなかった以外は実施例１と同
じ条件で錫−ニッケル合金めっきを施した。
及びヒドロキノンを使用しなかった以外は実施例１と同
じ条件で錫−ニッケル合金めっきを施した。
上記の錫−ニッケル合金の施しためつき皮膜は粉末状と
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
なり、良好な合金めっき皮膜は得られなかった。
比較例 ４
ビロリン酸錫（２価の錫として） ２４ｇ／ｌビ
ロリン酸ニッケル １４ｇ／Ｑ（２価
のニッケルとして） ビロリン酸カリウム １８０Ｉ？／ｌグ
リシン １０ｇ／’１グルタ
ミン酸ナトリウム １５ｇ／Ａチオグリコー
ル酸 ０．０５ｇ／Ａを含有するピロリ
ン酸浴を調製し、めっき液温度を５０℃にＩｌｌ！ｉし
た。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流密
度範囲は、０．５〜５Ａ／ム２であり、均−電着性が良
好な光沢のめっき膜が得られた。しかし、１０℃輪めっ
きを行った析出皮膜においてクラックの発生が認められ
た。また、半田ヌレ性は悪くかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直！Ｉｉ密着性が良好な銀めっきを皮膜を施
すことができなかった。
ロリン酸ニッケル １４ｇ／Ｑ（２価
のニッケルとして） ビロリン酸カリウム １８０Ｉ？／ｌグ
リシン １０ｇ／’１グルタ
ミン酸ナトリウム １５ｇ／Ａチオグリコー
ル酸 ０．０５ｇ／Ａを含有するピロリ
ン酸浴を調製し、めっき液温度を５０℃にＩｌｌ！ｉし
た。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用い
て攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板上に
錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流密
度範囲は、０．５〜５Ａ／ム２であり、均−電着性が良
好な光沢のめっき膜が得られた。しかし、１０℃輪めっ
きを行った析出皮膜においてクラックの発生が認められ
た。また、半田ヌレ性は悪くかつ錫−ニッケル合金めっ
き皮膜上に直！Ｉｉ密着性が良好な銀めっきを皮膜を施
すことができなかった。
比較例 ５
硫ｌ！ｌ！第一錫（２価の錫として） ２８ｇ
／ ｇ硫酸ニッケル ４８／ｌ
（２価のニッケルとして） 硫酸 １００ｇ／ＪＮ−ベ
ンジルトリメチル ５ｇ／ １アンモニウ
ム臭化物 を含有する硫酸浴を調製し、めっき液温度を５０℃に調
整した６次にこのめっき液をマグネチッンスターラーを
用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板
上に錫−ニッケル合金めっきを施した６良好析出外観型
流密度範囲は、１．５〜４Ａ／ｄ輸２であり、光沢のめ
っき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が悪くかつ錫
−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀め
っき皮膜を施すことができなかった。
／ ｇ硫酸ニッケル ４８／ｌ
（２価のニッケルとして） 硫酸 １００ｇ／ＪＮ−ベ
ンジルトリメチル ５ｇ／ １アンモニウ
ム臭化物 を含有する硫酸浴を調製し、めっき液温度を５０℃に調
整した６次にこのめっき液をマグネチッンスターラーを
用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として黄銅板
上に錫−ニッケル合金めっきを施した６良好析出外観型
流密度範囲は、１．５〜４Ａ／ｄ輸２であり、光沢のめ
っき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が悪くかつ錫
−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密着性が良好な銀め
っき皮膜を施すことができなかった。
比較例 ６
硫酸第一錫（２価の錫として） ２８ｇ／ｌス
ルファミン酸ニッケル ９ｇ／ｌ（２価の
ニッケルとして） スルファミン酸 １００ｇ／ｊＪＮ
−ベンノルトリメチル ５ｇ／２アンモニ
ウム臭化物 １−ベンゾイル７セトン １ｇ／ｌを含有
するスルファミン酸浴を調製し、めっき液温度を５０℃
に調整した。次にこのめっき液をマグネチックスクーラ
ーを用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として１
に銅板上に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出
外観電流密度範囲は、０．５〜１．ＩＡ／ｄａ２であり
、光沢のめっき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が
悪くかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接′Ｉ！ｊ
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
ルファミン酸ニッケル ９ｇ／ｌ（２価の
ニッケルとして） スルファミン酸 １００ｇ／ｊＪＮ
−ベンノルトリメチル ５ｇ／２アンモニ
ウム臭化物 １−ベンゾイル７セトン １ｇ／ｌを含有
するスルファミン酸浴を調製し、めっき液温度を５０℃
に調整した。次にこのめっき液をマグネチックスクーラ
ーを用いて攪拌しながら白金被覆チタンを陽極として１
に銅板上に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出
外観電流密度範囲は、０．５〜１．ＩＡ／ｄａ２であり
、光沢のめっき皮膜が得られた。しかし、均一電着性が
悪くかつ錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接′Ｉ！ｊ
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
比較例 ７
ホウ７ツ化浴（２価の錫として） ４０ｇ／ｌホ
ウ７ツ酸 １００ｇ／ｊ！ゼラチ
ン ２ｇ／ｌを含有するホ
ウ７ツ化浴を調製し、めっき液温度を５０℃に調整した
。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用いて
攪拌しながら白金被覆チタンをＭｈ極としてｆｆ銅板上
に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流
密度範囲は、０．５〜３Ａ／ｄｍ”であり、光沢のめり
終皮膜が得ちれた。しかし、陽極の白金被覆チタン電極
の断面からチタンが溶解し、めっき治具の金属部分が腐
食した。また、錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
ウ７ツ酸 １００ｇ／ｊ！ゼラチ
ン ２ｇ／ｌを含有するホ
ウ７ツ化浴を調製し、めっき液温度を５０℃に調整した
。次にこのめっき液をマグネチックスクーラーを用いて
攪拌しながら白金被覆チタンをＭｈ極としてｆｆ銅板上
に錫−ニッケル合金めっきを施した。良好析出外観電流
密度範囲は、０．５〜３Ａ／ｄｍ”であり、光沢のめり
終皮膜が得ちれた。しかし、陽極の白金被覆チタン電極
の断面からチタンが溶解し、めっき治具の金属部分が腐
食した。また、錫−ニッケル合金めっき皮膜上に直接密
着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができなかった。
（発明の効果）
本発明の錫−ニッケル合金めっき液から得られる錫−ニ
ッケル合金めっき皮膜は半田ヌレ性、均−電着性等の物
理的特性は良好であり、錫−ニッケル合金めっき皮膜上
に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ、
かつ厚付けが可能であるために従来の装飾、防食を目的
としたものと異なり、電子工業用部品等の外装層めっき
として使用できる。
ッケル合金めっき皮膜は半田ヌレ性、均−電着性等の物
理的特性は良好であり、錫−ニッケル合金めっき皮膜上
に直接密着性が良好な銀めっき皮膜を施すことができ、
かつ厚付けが可能であるために従来の装飾、防食を目的
としたものと異なり、電子工業用部品等の外装層めっき
として使用できる。
Claims (5)
- （１）アルカンスルホン酸またはアルカノールスルホン
酸、それらの２価のスズ塩及びニッケル塩、非イオン性
界面活性剤、並びにＯＨ基、ＮＨ＿２基及び／またはキ
ノイド構造を有する芳香族化合物を含有することを特徴
とする錫−ニッケル合金めっき液。 - （２）遊離のアルカンスルホン酸またはアルカノールス
ルホン酸の含有量が０．５〜４００ｇ／ｌである特許請
求の範囲第１項記載の錫−ニッケル合金めっき液。 - （３）アルカンスルホン酸またはアルカノールスルホン
酸の２価のスズ塩及びニッケル塩の各金属成分含有量が
、それぞれ１〜５０ｇ／ｌ及び１〜１００ｇ／ｌである
特許請求の範囲第１〜２項のいずれかに記載の錫−ニッ
ケル合金めっき液。 - （４）非イオン性界面活性剤の含有量が０．１〜５０ｇ
／ｌである特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載
のめっき液。 - （５）ＯＨ基、ＮＨ＿２基及び／またはキノイド構造を
有する芳香族化合物の含有量が０．０１〜５０ｇ／ｌで
ある特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載の錫−
ニッケル合金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285615A JP2763072B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 錫‐ニツケル合金めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285615A JP2763072B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 錫‐ニツケル合金めつき液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129988A true JPH01129988A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2763072B2 JP2763072B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17693820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285615A Expired - Lifetime JP2763072B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 錫‐ニツケル合金めつき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2763072B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990007076A (ko) * | 1998-04-23 | 1999-01-25 | 라이더 존 피. | 저응력 니켈의 전기 도금 |
| EP0892087A3 (en) * | 1997-06-18 | 2000-06-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroplating of low-stress nickel |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3178067B2 (ja) | 1991-02-26 | 2001-06-18 | ぺんてる株式会社 | スズ−ニッケル二元合金電気めっき液組成物 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333942A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-30 | Ooku Entaa Puraizu Kk | Process for fabricating automobile wheel rim of aluminum alloys |
| JPS5967387A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Hiyougoken | すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴 |
| JPS59182986A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Keigo Obata | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
| JPS61223193A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-03 | マツクジ−ン−ロ−コ・インコ−ポレ−テツド | 水性めつき浴およびそれによるめつき方法 |
| JPS6277481A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-04-09 | オリンコ−ポレ−シヨン | スズホイスカ−の成長防止方法 |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP62285615A patent/JP2763072B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333942A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-30 | Ooku Entaa Puraizu Kk | Process for fabricating automobile wheel rim of aluminum alloys |
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| JPS59182986A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Keigo Obata | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
| JPS61223193A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-10-03 | マツクジ−ン−ロ−コ・インコ−ポレ−テツド | 水性めつき浴およびそれによるめつき方法 |
| JPS6277481A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-04-09 | オリンコ−ポレ−シヨン | スズホイスカ−の成長防止方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892087A3 (en) * | 1997-06-18 | 2000-06-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroplating of low-stress nickel |
| KR19990007076A (ko) * | 1998-04-23 | 1999-01-25 | 라이더 존 피. | 저응력 니켈의 전기 도금 |
| JP2005002368A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Ishihara Chem Co Ltd | ホイスカー防止用スズメッキ浴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2763072B2 (ja) | 1998-06-11 |
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