JPH01130531A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH01130531A JPH01130531A JP29132987A JP29132987A JPH01130531A JP H01130531 A JPH01130531 A JP H01130531A JP 29132987 A JP29132987 A JP 29132987A JP 29132987 A JP29132987 A JP 29132987A JP H01130531 A JPH01130531 A JP H01130531A
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- magnetic field
- self
- bias voltage
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はプラズマ処理装置に関するものであり、特に
、磁場発生機構を備えたプラズマ処理装置に関するもの
である。
、磁場発生機構を備えたプラズマ処理装置に関するもの
である。
〔従来の技術］
第３図は従来のプラズマ処理装置の断面図である。図に
おいて、３は真空容器である。該真空容器３内には、高
周波電力を印加する高周波電極（以下、陰極という）２
と、この陰極２と対向して配置される対向電極（以下、
陽極という）１とが配置されている。陰極２には、ブロ
ッキング容量７を介して、高周波電源６が接続されてい
る。
おいて、３は真空容器である。該真空容器３内には、高
周波電力を印加する高周波電極（以下、陰極という）２
と、この陰極２と対向して配置される対向電極（以下、
陽極という）１とが配置されている。陰極２には、ブロ
ッキング容量７を介して、高周波電源６が接続されてい
る。
陽極１は接地されている。真空容器３には、ガスを導入
するガス導入口４が設けられ、さらに使用済みのガスを
排出するガス排気管８が設けられている。
するガス導入口４が設けられ、さらに使用済みのガスを
排出するガス排気管８が設けられている。
次に、このプラズマ装置の動作について説明する。
ガス導入口４より、真空容器３内に反応性のガスを導入
する。一方、排気口８より排気を行ない、真空容器３内
を所定のガス圧に保つ。次に、高周波電源６より真空容
器３内に高周波電力を印加する。これにより、上記ガス
のイオン種が発生する。
する。一方、排気口８より排気を行ない、真空容器３内
を所定のガス圧に保つ。次に、高周波電源６より真空容
器３内に高周波電力を印加する。これにより、上記ガス
のイオン種が発生する。
このイオン種により、試料５のプラズマ処理たとえばエ
ツチングが行なわれる。
ツチングが行なわれる。
［発明が解決しようとする聞届点コ
従来のプラズマ処理装置は以上のように構成されている
。したがって、プラズマと高周波電源６間のインピーダ
ンス連合口路にて、正味の直流電流を０にするようなブ
ロッキング容量７が挾まれているため、陰極２表面上に
、電子とイオンの移動度の差により自己バイアス電圧（
Ｖｄｃ）が発生する。従来のプラズマ処理装置では、こ
の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を高周波電源６の電力を
変化することにより、または、ガス圧力およびガス流量
を変化することにより制御していた。しかしながら、エ
ツチング加工形状、エツチング速度、選択比等を変える
ためには、上記高周波電源６の出力またはガス圧力およ
びガス流量を変化させる必要がある。この場合に、前述
の自己バイアス電圧が発生し、結果として、エツチング
試料表面の輻射損傷を引き起こすという問題点があった
。また、従来のプラズマ処理装置では、プラズマの乱れ
等による自己バイアス電圧の変動には追従できず、結果
としてイオンエネルギの制御が困難であるという問題点
もあっった。
。したがって、プラズマと高周波電源６間のインピーダ
ンス連合口路にて、正味の直流電流を０にするようなブ
ロッキング容量７が挾まれているため、陰極２表面上に
、電子とイオンの移動度の差により自己バイアス電圧（
Ｖｄｃ）が発生する。従来のプラズマ処理装置では、こ
の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を高周波電源６の電力を
変化することにより、または、ガス圧力およびガス流量
を変化することにより制御していた。しかしながら、エ
ツチング加工形状、エツチング速度、選択比等を変える
ためには、上記高周波電源６の出力またはガス圧力およ
びガス流量を変化させる必要がある。この場合に、前述
の自己バイアス電圧が発生し、結果として、エツチング
試料表面の輻射損傷を引き起こすという問題点があった
。また、従来のプラズマ処理装置では、プラズマの乱れ
等による自己バイアス電圧の変動には追従できず、結果
としてイオンエネルギの制御が困難であるという問題点
もあっった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、エツチング試料表面の輻射損傷を低下するこ
とができ、かつプラズマの乱れ等による自己バイアス電
圧の変動にも追従できる、プラズマ処理装置を提供する
ことを目的とする。
たもので、エツチング試料表面の輻射損傷を低下するこ
とができ、かつプラズマの乱れ等による自己バイアス電
圧の変動にも追従できる、プラズマ処理装置を提供する
ことを目的とする。
ｒ問題点を解決するための手段］
この発明に係るプラズマ処理装置は、その中に試料を導
入し、イオン種を用いて該試料をプラズマ処理する真空
容器と、該真空容器内に高周波電力を印加する陰極と、
該陰極と対向して配置される陽極と、該陰極に印加され
る電界方向と直交する方向に、磁力線を発生するように
設置された磁場発生機構とを備えている。そして、上記
磁場発生機構の磁界強度を可変とし、上記陰極の表面に
発生する自己バイアス電圧を制御できるようにしている
。
入し、イオン種を用いて該試料をプラズマ処理する真空
容器と、該真空容器内に高周波電力を印加する陰極と、
該陰極と対向して配置される陽極と、該陰極に印加され
る電界方向と直交する方向に、磁力線を発生するように
設置された磁場発生機構とを備えている。そして、上記
磁場発生機構の磁界強度を可変とし、上記陰極の表面に
発生する自己バイアス電圧を制御できるようにしている
。
［作用］
この発明に係るプラズマ処理装置は、上述のように、陰
極に印加される電界方向と直交する方向に、磁力線を発
生するように設置された磁場発生機構を備え、該磁場発
生機構の磁界強度を可変としているので、陰極の表面に
発生する自己バイアス電圧を一定に安定させる、ととも
に、自由に変化させることができる。
極に印加される電界方向と直交する方向に、磁力線を発
生するように設置された磁場発生機構を備え、該磁場発
生機構の磁界強度を可変としているので、陰極の表面に
発生する自己バイアス電圧を一定に安定させる、ととも
に、自由に変化させることができる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の一実施例であるプラズマ処理装置
の断面図である。図において、３は真空容器であり、該
真空容器３内に高周波電力を印加する高周波電極（以下
、陰極２という）と該陰極２と対向して配置される対向
電極（以下、陽極１という）が配置されている。陰極２
には試料５が載せられている。陰極２にはブロッキング
容量７を介して、高周波電源６が接続されている。陽極
１は接地されている。真空容器３にはガスを導入するガ
ス導入口４が設けられ、試料済みのガスを排出するガス
排気管８が設けられている。真空容器３の外部には、高
周波電源６から印加される電界の印加方向と直交する方
向に磁力線が発生するように、磁場発生機構たとえば電
磁石９が設置されている。そして、この電磁石の磁界強
度は変化させられるように構成されている。
の断面図である。図において、３は真空容器であり、該
真空容器３内に高周波電力を印加する高周波電極（以下
、陰極２という）と該陰極２と対向して配置される対向
電極（以下、陽極１という）が配置されている。陰極２
には試料５が載せられている。陰極２にはブロッキング
容量７を介して、高周波電源６が接続されている。陽極
１は接地されている。真空容器３にはガスを導入するガ
ス導入口４が設けられ、試料済みのガスを排出するガス
排気管８が設けられている。真空容器３の外部には、高
周波電源６から印加される電界の印加方向と直交する方
向に磁力線が発生するように、磁場発生機構たとえば電
磁石９が設置されている。そして、この電磁石の磁界強
度は変化させられるように構成されている。
次に、このプラズマ処理装置を用いて、陰極２表面に発
生する自己バイアス電圧を制御する方法を説明する。電
磁石９のコイル電流を変化させ、磁界強度を変化させる
。磁界強度を変化させると陰極２表面に発生する自己バ
イアス電圧は変化する。、直流電圧計等により、この自
己バイアス電圧を測定し、フィードバックをコイル電流
にかける。
生する自己バイアス電圧を制御する方法を説明する。電
磁石９のコイル電流を変化させ、磁界強度を変化させる
。磁界強度を変化させると陰極２表面に発生する自己バ
イアス電圧は変化する。、直流電圧計等により、この自
己バイアス電圧を測定し、フィードバックをコイル電流
にかける。
こうすることにより、自己バイアス電圧を所望の値に一
定に制御することができる。
定に制御することができる。
第２図は、電磁石の磁界強度を変化させた場合の自己バ
イアス電圧の変化の様子を図示したものである。第２図
から明らかなように、磁界強度を制御することにより、
自己バイアス電圧を制御することができる。自己バイア
ス電圧を自由に制御できると、イオンエネルギが自由に
制御できるようになり、エツチング試料表面の輻射損傷
を低下させることができるようになる。
イアス電圧の変化の様子を図示したものである。第２図
から明らかなように、磁界強度を制御することにより、
自己バイアス電圧を制御することができる。自己バイア
ス電圧を自由に制御できると、イオンエネルギが自由に
制御できるようになり、エツチング試料表面の輻射損傷
を低下させることができるようになる。
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明に係るプラズマ処理装置
によれば、陰極に印加される電界方向と直交する方向に
、磁力線を発生するように設置された磁場発生機構を備
え、この磁場発生機構の磁界強度を可変とし、上記陰極
の表面に発生する自己バイアス電圧を制御できるように
したので、イオンエネルギが制御できるようになり、ひ
いてはエツチング試料表面の輻射損傷を低下させること
ができるようになる。さらに、プラズマの乱れ等による
自己バイアス電圧の変動も安定化できる。
によれば、陰極に印加される電界方向と直交する方向に
、磁力線を発生するように設置された磁場発生機構を備
え、この磁場発生機構の磁界強度を可変とし、上記陰極
の表面に発生する自己バイアス電圧を制御できるように
したので、イオンエネルギが制御できるようになり、ひ
いてはエツチング試料表面の輻射損傷を低下させること
ができるようになる。さらに、プラズマの乱れ等による
自己バイアス電圧の変動も安定化できる。
第１図はこの発明の一実施例によるプラズマ処理装置を
示す断面図である。第２図は電磁石のコイル電流を変化
させた場合の磁界強度と自己バイアス電圧との関係図で
ある。第３図は従来のプラズマ処理装置の断面図である
。 図において、１は陽極、２は陰極、３は真空容器、５は
試料、６は高周波電源、９は電磁石である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
示す断面図である。第２図は電磁石のコイル電流を変化
させた場合の磁界強度と自己バイアス電圧との関係図で
ある。第３図は従来のプラズマ処理装置の断面図である
。 図において、１は陽極、２は陰極、３は真空容器、５は
試料、６は高周波電源、９は電磁石である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 その中に試料を導入し、イオン種を用いて該試料をプ
ラズマ処理する真空容器と、 前記真空容器内に高周波電力を印加する陰極と、前記陰
極と対向して配置される陽極と、 前記陰極に印加される電界方向と直交する方向に、磁力
線を発生するように設置された磁場発生機構とを備え、 前記磁場発生機構の磁界強度を可変とし、前記陰極の表
面に発生する自己バイアス電圧を制御できるようにした
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291329A JP2630603B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291329A JP2630603B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130531A true JPH01130531A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2630603B2 JP2630603B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=17767502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291329A Expired - Fee Related JP2630603B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630603B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04157186A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオンエッチング方法および装置 |
| US5587038A (en) * | 1994-06-16 | 1996-12-24 | Princeton University | Apparatus and process for producing high density axially extending plasmas |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232420A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6094725A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS61163639A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62291329A patent/JP2630603B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232420A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6094725A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-27 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS61163639A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04157186A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオンエッチング方法および装置 |
| US5587038A (en) * | 1994-06-16 | 1996-12-24 | Princeton University | Apparatus and process for producing high density axially extending plasmas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2630603B2 (ja) | 1997-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |