JPH01131168A - ベンゾオキサジン誘導体の製法 - Google Patents
ベンゾオキサジン誘導体の製法Info
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- JPH01131168A JPH01131168A JP63194227A JP19422788A JPH01131168A JP H01131168 A JPH01131168 A JP H01131168A JP 63194227 A JP63194227 A JP 63194227A JP 19422788 A JP19422788 A JP 19422788A JP H01131168 A JPH01131168 A JP H01131168A
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Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は3−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H−[1
,4]ベンゾオキサジン誘導体の製造法に関する。
,4]ベンゾオキサジン誘導体の製造法に関する。
(発明の構成〉
本発明は式[I]
(式中、X%Y%Zは各々独立して水素原子もしくはハ
ロゲン原子を、Rは低級アルキル基を意味する。)で表
わされる3−アルキル−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン誘導体を水素化させ、式[II](式中、X、Y%
2%Rはいずれも前記の定義と同じ、)で表わされる3
−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H−[1,4]ベン
ゾオキサジン誘導体を製造する方法に関し、さらに式[
■] (式中、X%Y%Z、Rはいずれも前記の定義と同じ、
)で表わされる (R) −(+)−3−アルキル−3
,4−1に=ドロー2H− [t 、4]ベンゾオキサ
ジン誘導体を脱水素化させて式[I]で表わされる3−
アルキル−2H−[1,4]ベンゾオキサジン話導体を
生成させ、この化合物[I]を水素化して式[11]で
表わされる3−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H−[
1,4]ベンゾオ゛キサジン説導体を製造する方法に関
する。
ロゲン原子を、Rは低級アルキル基を意味する。)で表
わされる3−アルキル−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン誘導体を水素化させ、式[II](式中、X、Y%
2%Rはいずれも前記の定義と同じ、)で表わされる3
−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H−[1,4]ベン
ゾオキサジン誘導体を製造する方法に関し、さらに式[
■] (式中、X%Y%Z、Rはいずれも前記の定義と同じ、
)で表わされる (R) −(+)−3−アルキル−3
,4−1に=ドロー2H− [t 、4]ベンゾオキサ
ジン誘導体を脱水素化させて式[I]で表わされる3−
アルキル−2H−[1,4]ベンゾオキサジン話導体を
生成させ、この化合物[I]を水素化して式[11]で
表わされる3−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H−[
1,4]ベンゾオ゛キサジン説導体を製造する方法に関
する。
この式[11]の化合物は強い抗菌活性を有する化合物
、例えばオフロキサシン(特開昭57−46986号公
報参照)、あるいはオフロキサシンの光学活性体(35
−(−)体、特開昭62−87577号公報参照)の製
造中間体として有用である。
、例えばオフロキサシン(特開昭57−46986号公
報参照)、あるいはオフロキサシンの光学活性体(35
−(−)体、特開昭62−87577号公報参照)の製
造中間体として有用である。
式[III ]で表わされる化合物より、式[I]で表
わされる化合物を生成させる際の脱水素化反応に於いて
は、式[III ]で表わされる化合物を塩基及びハロ
ゲン化剤と無溶媒又は溶媒中、−100〜室温、好まし
くは一80〜10℃で1〜120分間反応させることに
より実施される。
わされる化合物を生成させる際の脱水素化反応に於いて
は、式[III ]で表わされる化合物を塩基及びハロ
ゲン化剤と無溶媒又は溶媒中、−100〜室温、好まし
くは一80〜10℃で1〜120分間反応させることに
より実施される。
塩基は有機塩基又は無機塩基のいずれもが使用できるが
、好適には脂肪族三級アミン、例えばトリメチルアミン
、トリエチルアミン、トリプロピルアミンなどが使用さ
れ、式[Ill ]で表わされる化合物に対して等モル
以上であれば使用量は特に限定されず、溶媒を兼ねさせ
てもよい。
、好適には脂肪族三級アミン、例えばトリメチルアミン
、トリエチルアミン、トリプロピルアミンなどが使用さ
れ、式[Ill ]で表わされる化合物に対して等モル
以上であれば使用量は特に限定されず、溶媒を兼ねさせ
てもよい。
ハロゲン化剤は特に限定されず、例えば塩素、臭素、塩
化スルフリル、N−クロロコハク酸イミド(NC5)、
N−ブロモコハク酸イミド(NBS)、N−ブロモアセ
トアミド、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜塩素酸し一ブ
チル等が挙げられる。
化スルフリル、N−クロロコハク酸イミド(NC5)、
N−ブロモコハク酸イミド(NBS)、N−ブロモアセ
トアミド、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜塩素酸し一ブ
チル等が挙げられる。
ハロゲン化剤の使用量は式[Ill ]で表わされる化
合物に対して等モル以上であれば特に限定されず、好適
には1〜10倍モル量が用いられる。
合物に対して等モル以上であれば特に限定されず、好適
には1〜10倍モル量が用いられる。
斯かる反応に用いられる溶媒としては、エステル類、例
えば酢酸エチルエステル、酢酸プロピルエステル等、ア
ミド類、例えばN、N−ジメチルホルムアミド、N、N
−ジメチルアセトアミド等、あるいはエーテル類、例え
ばテトラヒドロフラン、1.4−ジオキサン等、反応に
不活性であれば特に限定されず、通常、式[III ]
で表わされる化合物1部に対し0〜50部の範囲で使用
される。
えば酢酸エチルエステル、酢酸プロピルエステル等、ア
ミド類、例えばN、N−ジメチルホルムアミド、N、N
−ジメチルアセトアミド等、あるいはエーテル類、例え
ばテトラヒドロフラン、1.4−ジオキサン等、反応に
不活性であれば特に限定されず、通常、式[III ]
で表わされる化合物1部に対し0〜50部の範囲で使用
される。
式[III ]で表わされる化合物を脱水素して生成す
る式[I]で表わされる化合物は、通常の単離方法、例
えば再結晶あるいはシリカゲルクロマト等により純品と
して結晶単離もできるが、あるいは単離せずに連続的に
次の工程の水素化を行なうこともできる。
る式[I]で表わされる化合物は、通常の単離方法、例
えば再結晶あるいはシリカゲルクロマト等により純品と
して結晶単離もできるが、あるいは単離せずに連続的に
次の工程の水素化を行なうこともできる。
式[I]で表わされる化合物より式[+1]で表わされ
る化合物への水素化は通常の方法が適用でき、例えば水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム等の金属
水素化物による還元、あるいはパラジウム−炭素、プラ
チナ、ラネイニッケル等の触媒による接触水素添加等が
挙げられる。
る化合物への水素化は通常の方法が適用でき、例えば水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム等の金属
水素化物による還元、あるいはパラジウム−炭素、プラ
チナ、ラネイニッケル等の触媒による接触水素添加等が
挙げられる。
反応終了後、生成した式[11]で表わされる化合物は
通常の分離精製方法、例えば抽出、洗浄、濃縮、結晶化
、クロマトグラフィー等により単離精製することができ
る。
通常の分離精製方法、例えば抽出、洗浄、濃縮、結晶化
、クロマトグラフィー等により単離精製することができ
る。
斯かる分離精製において通常の酸、たとえば塩酸、硫酸
、硝酸等を式[l!]で表わされる化合物に対し等そル
以上用いると、式 [11] で表わされる化合物を塩
の形で、反応混合物より晶析単離させることもできるう 式[1■]で表わされる化合物及び式[III ]で表
わされる化合物の光学純度 (%;e、e、)は次の様
にして決定した。すなわち式[■!]あるいは式[II
I ]で表わされる化合物20mgをテトラヒドロフラ
ン0.5mlに溶解して、ピリジン 17mg、 3.
5−ジニトロベンゾイルクロリド54mgを加え、30
〜40℃で30分間加温した後、その溶液の一部を採り
高速液体クロマトグラフィーで検定したく使用カラム:
0A−4200(住友化学)、 4.6mmx250m
m;溶媒:ノルマルヘキサン=1,2−ジクロロエタン
:エタノール=10:0.9:0.1;流速: 1.0
m17分)。
、硝酸等を式[l!]で表わされる化合物に対し等そル
以上用いると、式 [11] で表わされる化合物を塩
の形で、反応混合物より晶析単離させることもできるう 式[1■]で表わされる化合物及び式[III ]で表
わされる化合物の光学純度 (%;e、e、)は次の様
にして決定した。すなわち式[■!]あるいは式[II
I ]で表わされる化合物20mgをテトラヒドロフラ
ン0.5mlに溶解して、ピリジン 17mg、 3.
5−ジニトロベンゾイルクロリド54mgを加え、30
〜40℃で30分間加温した後、その溶液の一部を採り
高速液体クロマトグラフィーで検定したく使用カラム:
0A−4200(住友化学)、 4.6mmx250m
m;溶媒:ノルマルヘキサン=1,2−ジクロロエタン
:エタノール=10:0.9:0.1;流速: 1.0
m17分)。
以下、本発明の構成と効果を実施例により具体的に説明
するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない
。
するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない
。
(R) −(+) −7,8−ジフルオロ −3−メチ
ル−3,4−ジヒドロ−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン(光学純度、71.7ke、e、、 (R))1.
54g、及びトリエチルアミン5.21m1、及び酢酸
エチル9mlの溶液に、窒素気流下、次亜塩素酸t−ブ
チル2.11m1と酢酸エチル2mlの溶液を内温を一
52℃以下に保って約4分間で滴下し更に−60〜−5
0℃で30分撹拌した。反応液を5零ク工ン酸水溶液1
0m1で2回、更に稀アンモニア水(濃アンモニア水:
水=1:4(V/V))10mlにて洗浄し、酢酸エチ
ル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを
減圧下に留去し、残留油状物をシリカゲル(50g)の
カラムクロマトに付し、クロロホルム(:aアンモニア
水と振盪した下層)で溶出した。溶出液の溶媒を減圧留
去し、残留物として淡黄色結晶の7.8−ジフルオロ−
3−メチル−2H−[1、4]ベンゾオキサジン693
mgを得た(収率: 60.81゜ 融点: 51.2℃ (メトラー社製FP−81型自動
融点計にて測定、昇温速度;毎分1℃)。
ル−3,4−ジヒドロ−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン(光学純度、71.7ke、e、、 (R))1.
54g、及びトリエチルアミン5.21m1、及び酢酸
エチル9mlの溶液に、窒素気流下、次亜塩素酸t−ブ
チル2.11m1と酢酸エチル2mlの溶液を内温を一
52℃以下に保って約4分間で滴下し更に−60〜−5
0℃で30分撹拌した。反応液を5零ク工ン酸水溶液1
0m1で2回、更に稀アンモニア水(濃アンモニア水:
水=1:4(V/V))10mlにて洗浄し、酢酸エチ
ル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを
減圧下に留去し、残留油状物をシリカゲル(50g)の
カラムクロマトに付し、クロロホルム(:aアンモニア
水と振盪した下層)で溶出した。溶出液の溶媒を減圧留
去し、残留物として淡黄色結晶の7.8−ジフルオロ−
3−メチル−2H−[1、4]ベンゾオキサジン693
mgを得た(収率: 60.81゜ 融点: 51.2℃ (メトラー社製FP−81型自動
融点計にて測定、昇温速度;毎分1℃)。
元素分析値 C9H,F2N0 として計算値 C
59,021(3,115N 7.65分析値 C
58,9183,89N 7.49NMR(CDCI
s)δppm: 2.12(3H,s、 −CHjs)、 4.56(2
H,s、 OC!1h−)。
59,021(3,115N 7.65分析値 C
58,9183,89N 7.49NMR(CDCI
s)δppm: 2.12(3H,s、 −CHjs)、 4.56(2
H,s、 OC!1h−)。
6.5−7.2 (2H,m、 ベンゼン環一連MS
(m/Z): 183(M”) 実施例1で得られた7、8−ジフルオロ−3−メチル−
2H−[1,4]ベンゾオキサジン641.3ff1g
、及び詰パラジウムー炭素(50零含水) 0.32g
、及びエタノール13m1の混液を常温常圧下、水素
雰囲気下で接触還元した。反応終了後、触媒を濾去しエ
タノールを減圧留去した。得られた残留物を酢酸エチル
20m1に溶解して飽和食塩水5mlで洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾去後、酢酸エチ
ルを約半量に濃縮し濃塩酸(1,31m1を加えて撹拌
した。析出晶を氷水で冷却後濾取して玲酢酸エチルにて
洗浄し、無色結晶の7,8−ジフルオロ−3−メチル−
3,4−ジヒドロ−2ト[1,4]ベンゾオキサジンの
塩酸塩SS4.5mgを得た(収率ニア1J96)。
(m/Z): 183(M”) 実施例1で得られた7、8−ジフルオロ−3−メチル−
2H−[1,4]ベンゾオキサジン641.3ff1g
、及び詰パラジウムー炭素(50零含水) 0.32g
、及びエタノール13m1の混液を常温常圧下、水素
雰囲気下で接触還元した。反応終了後、触媒を濾去しエ
タノールを減圧留去した。得られた残留物を酢酸エチル
20m1に溶解して飽和食塩水5mlで洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾去後、酢酸エチ
ルを約半量に濃縮し濃塩酸(1,31m1を加えて撹拌
した。析出晶を氷水で冷却後濾取して玲酢酸エチルにて
洗浄し、無色結晶の7,8−ジフルオロ−3−メチル−
3,4−ジヒドロ−2ト[1,4]ベンゾオキサジンの
塩酸塩SS4.5mgを得た(収率ニア1J96)。
融点: 180.7℃ (メトラー社製FP−61型自
動融点計にて測定、昇温速度:毎分1℃)。
動融点計にて測定、昇温速度:毎分1℃)。
元素分析値 CJt。ClF2N0として計算値’
C49,02H4,81N 6.38分析値 C4B
、77 8 4.55 N 6.32NMR(DM
SO−da)δppm: 1.45(3H,d、 −CHa)、 3.6−4
.0(IH,m、 NCi<)。
C49,02H4,81N 6.38分析値 C4B
、77 8 4.55 N 6.32NMR(DM
SO−da)δppm: 1.45(3H,d、 −CHa)、 3.6−4
.0(IH,m、 NCi<)。
4.22.4.56(each IH,q、 QC!!
2−)、 6.8−7.3(2H,m、ベンゼン環−!
り 光学純度: 0.5’4e、e、、 (R)、 3S:
3R−0,99:1.00Z−F、 R−CH,) (R) −(+) −7,8−ジフルオロ −3−メチ
ル−3,4−ジヒドロ−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン(光学純度、71.796e、e、、 (R))
1.154gの酢酸エチル9mlの溶液にトリエチルア
ミン5.21m1を加え窒素気流下、−50℃以下に冷
却した。この溶液に次亜塩素酸t−ブチル2.11m1
の酢酸エチル5mlの溶液を一50℃以下に冷却して約
20秒で加えた。反応液は更に−60〜−50℃で1時
間撹拌し、冷温クエン酸水溶液(10ml)で2回、冷
極アンモニア水(前述、10m1)で洗浄した。
2−)、 6.8−7.3(2H,m、ベンゼン環−!
り 光学純度: 0.5’4e、e、、 (R)、 3S:
3R−0,99:1.00Z−F、 R−CH,) (R) −(+) −7,8−ジフルオロ −3−メチ
ル−3,4−ジヒドロ−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン(光学純度、71.796e、e、、 (R))
1.154gの酢酸エチル9mlの溶液にトリエチルア
ミン5.21m1を加え窒素気流下、−50℃以下に冷
却した。この溶液に次亜塩素酸t−ブチル2.11m1
の酢酸エチル5mlの溶液を一50℃以下に冷却して約
20秒で加えた。反応液は更に−60〜−50℃で1時
間撹拌し、冷温クエン酸水溶液(10ml)で2回、冷
極アンモニア水(前述、10m1)で洗浄した。
酢酸エチル層に水素化ホウ素ナトリウム0.47gとエ
タノール2mlを加え、室温で2時間撹拌し水素化した
。反応液を5零ク工ン酸水溶液10m1で2回、稀アン
モニア水(前述) 10m1で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。乾燥剤を濾去し濃塩酸0.72m1
を加え撹拌した。析出晶を氷水で冷却後濾取し、冷酢酸
エチルで洗浄して無色結晶 −の7,8−ジフルオロ
−3−メチル−3,4−ジヒドロ−2)1−[1,4]
ベンゾオキサジンの塩酸塩1.236gを得た。光学純
度: 1.OXe、e、、(S)、 3S:3R−1,
02:1.00゜この塩酸塩1.078gをクロロホル
ム10m1に懸濁し繋重曹水溶液10m1を加え撹拌し
た。クロロホルム層を水洗後硫酸マグネシウムで乾燥し
、乾燥剤な濾去後溶媒を減圧留去した。残留物をメタノ
ール1mlに溶解し5096含水メタノ一ル5mlを加
えた。析出晶を氷水で冷却して濾取し、標題化合物を0
.596g得た(収率:60.鯖)。
タノール2mlを加え、室温で2時間撹拌し水素化した
。反応液を5零ク工ン酸水溶液10m1で2回、稀アン
モニア水(前述) 10m1で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。乾燥剤を濾去し濃塩酸0.72m1
を加え撹拌した。析出晶を氷水で冷却後濾取し、冷酢酸
エチルで洗浄して無色結晶 −の7,8−ジフルオロ
−3−メチル−3,4−ジヒドロ−2)1−[1,4]
ベンゾオキサジンの塩酸塩1.236gを得た。光学純
度: 1.OXe、e、、(S)、 3S:3R−1,
02:1.00゜この塩酸塩1.078gをクロロホル
ム10m1に懸濁し繋重曹水溶液10m1を加え撹拌し
た。クロロホルム層を水洗後硫酸マグネシウムで乾燥し
、乾燥剤な濾去後溶媒を減圧留去した。残留物をメタノ
ール1mlに溶解し5096含水メタノ一ル5mlを加
えた。析出晶を氷水で冷却して濾取し、標題化合物を0
.596g得た(収率:60.鯖)。
融点: 51.0℃ (メトラー社製FP−61型自動
融点計にて測定、昇温速度:毎分1℃)。
融点計にて測定、昇温速度:毎分1℃)。
元素分析値 CIIH(lF2NOとして計算値 C
58,3884,90N 7.58分析値 C5B
、36 8 5.06 N 7.64実施例4 :
7,8−ジフルオロ−3−メチル−3,4−ジヒZ−
F、 R−CH3) (R) −(+) −7,8−ジフルオロ −3−メチ
ル−3,4−ジヒドロ −2H−[1,4]ベンゾオキ
サジン(光学純度、71.7!ke、e、、 (R)
)1.154g及びトリエチルアミン5.21m1及び
N、N−ジメチルホルムアミド s、amtの溶液を窒
素気流下、−60〜−50℃に冷却する。この溶液にN
−クロロコハク酸イミド(NC5) 1.00gを加え
同温度で35分撹拌し、次いで水素化ホウ素ナトリウム
0.47gを加え室温で20分撹拌した。反応液に酢酸
エチル50m1を加えて鴎クエン酸水溶液10m1で2
回、稀アンモニア水(前述)lhlで洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥剤を濾去後、溶液量を約
30m1に迄濃縮し、濃塩酸0.72m1を加え、析出
晶を氷水で冷却し濾取した。
58,3884,90N 7.58分析値 C5B
、36 8 5.06 N 7.64実施例4 :
7,8−ジフルオロ−3−メチル−3,4−ジヒZ−
F、 R−CH3) (R) −(+) −7,8−ジフルオロ −3−メチ
ル−3,4−ジヒドロ −2H−[1,4]ベンゾオキ
サジン(光学純度、71.7!ke、e、、 (R)
)1.154g及びトリエチルアミン5.21m1及び
N、N−ジメチルホルムアミド s、amtの溶液を窒
素気流下、−60〜−50℃に冷却する。この溶液にN
−クロロコハク酸イミド(NC5) 1.00gを加え
同温度で35分撹拌し、次いで水素化ホウ素ナトリウム
0.47gを加え室温で20分撹拌した。反応液に酢酸
エチル50m1を加えて鴎クエン酸水溶液10m1で2
回、稀アンモニア水(前述)lhlで洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥剤を濾去後、溶液量を約
30m1に迄濃縮し、濃塩酸0.72m1を加え、析出
晶を氷水で冷却し濾取した。
標題化合物の塩酸塩0.984gを得た(収率: 51
.4*)。
.4*)。
Claims (4)
- (1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X、Y、Zは各々独立して水素原子もしくはハ
ロゲン原子を、Rは低級アルキル基を意味する。)で表
わされる3−アルキル−2H−[1,4]ベンゾオキサ
ジン誘導体を水素化させることを特徴とする式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X、Y、Z、Rはいずれも前記の定義と同じ。 )で表わされる3−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H
−[1,4]ベンゾオキサジン誘導体の製法。 - (2)前記式中、Xは水素原子、Y及びZはいずれもフ
ッ素原子、Rはメチル基である特許請求の範囲第一項記
載の7,8−ジフルオロ−3−メチル−3,4−ジヒド
ロ−2H−[1,4]ベンゾオキサジンの製法。 - (3)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X、Y、Zは各々独立して水素原子もしくはハ
ロゲン原子を、Rは低級アルキル基を意味する。)で表
わされる(R)−(+)−3−アルキル−3,4−ジヒ
ドロ−2H−[1,4]ベンゾオキサジン誘導体を脱水
素化させて式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X、Y、Z、Rはいずれも前記の定義と同じ。 )で表わされる3−アルキル−2H−[1,4]ベンゾ
オキサジン誘導体を生成させ、この化合物を水素化する
ことを特徴とする式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、X、Y、Z、Rはいずれも前記の定義と同じ。 )で表わされる3−アルキル−3,4−ジヒドロ−2H
−[1,4]ベンゾオキサジン誘導体の製法。 - (4)前記式中、Xは水素原子、Y及びZはいずれもフ
ッ素原子、Rはメチル基である特許請求の範囲第三項記
載の7,8−ジフルオロ−3−メチル−3,4−ジヒド
ロ−2H−[1,4]ベンゾオキサジンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194227A JP2746926B2 (ja) | 1987-08-03 | 1988-08-03 | ベンゾオキサジン誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19401887 | 1987-08-03 | ||
| JP62-194018 | 1987-08-03 | ||
| JP63194227A JP2746926B2 (ja) | 1987-08-03 | 1988-08-03 | ベンゾオキサジン誘導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131168A true JPH01131168A (ja) | 1989-05-24 |
| JP2746926B2 JP2746926B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=26508248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194227A Expired - Lifetime JP2746926B2 (ja) | 1987-08-03 | 1988-08-03 | ベンゾオキサジン誘導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746926B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007252155A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Meidensha Corp | ディジタル形方向地絡継電器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6287577A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-22 | Dai Ichi Seiyaku Co Ltd | 光学活性3−メチルベンゾオキサジン誘導体およびその製法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2573269B2 (ja) | 1986-12-25 | 1997-01-22 | 第一製薬株式会社 | 光学活性ベンゾオキサジン |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63194227A patent/JP2746926B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6287577A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-22 | Dai Ichi Seiyaku Co Ltd | 光学活性3−メチルベンゾオキサジン誘導体およびその製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007252155A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Meidensha Corp | ディジタル形方向地絡継電器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2746926B2 (ja) | 1998-05-06 |
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