JPH03176463A - ピロリジノール誘導体およびその製法 - Google Patents
ピロリジノール誘導体およびその製法Info
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- JPH03176463A JPH03176463A JP1313890A JP31389089A JPH03176463A JP H03176463 A JPH03176463 A JP H03176463A JP 1313890 A JP1313890 A JP 1313890A JP 31389089 A JP31389089 A JP 31389089A JP H03176463 A JPH03176463 A JP H03176463A
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- substituted
- sulfonic acid
- acid ester
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、３−ピロリジノール誘導体およびその製法に
関するものである。−数式（■）：および−数式（叫： で示される３−ピロリジノール誘導体（以下、それぞれ
化合物（Ｉ［）および化合物（ＩＩＤともいう）は、医
薬などの原料として有用な化合物である。また、−数式
（Ｉ）： で示される化合物（以下、化合物（１）ともいう）は、
−数式（Ｉ［）および圓で示される化合物を製造する際
の重要な中間体である。本発明は、これらの化合物の盲
利な製法を提供するものである。
関するものである。−数式（■）：および−数式（叫： で示される３−ピロリジノール誘導体（以下、それぞれ
化合物（Ｉ［）および化合物（ＩＩＤともいう）は、医
薬などの原料として有用な化合物である。また、−数式
（Ｉ）： で示される化合物（以下、化合物（１）ともいう）は、
−数式（Ｉ［）および圓で示される化合物を製造する際
の重要な中間体である。本発明は、これらの化合物の盲
利な製法を提供するものである。
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］
本発明によって製造された化合物ＣＩ）および（Ｉｌは
、現在までに合成された例のない新規化合物である。し
たがって、その製造法に関する知見もない。化合物（２
）については、たとえば、Ｒがメチルの化合物は、１，
２．４−ブタントリオールより誘導される１、２．４−
トリス（メタンスルホノキシ）ブタンをベンジルアミン
と反応させる方法が知られている（特開昭６３−４１４
５２号公報参照）。
、現在までに合成された例のない新規化合物である。し
たがって、その製造法に関する知見もない。化合物（２
）については、たとえば、Ｒがメチルの化合物は、１，
２．４−ブタントリオールより誘導される１、２．４−
トリス（メタンスルホノキシ）ブタンをベンジルアミン
と反応させる方法が知られている（特開昭６３−４１４
５２号公報参照）。
しかしながら、この方法では、原料であるり、２．４−
ブタントリオールが高価であり、工業的な製法とはいい
難い。本発明の目的は、医薬などの原料として有用な３
−ピロリジノール誘導体およびその合成中間体として有
用な化合物を簡便な方法で、かつ経済的に提供すること
である。
ブタントリオールが高価であり、工業的な製法とはいい
難い。本発明の目的は、医薬などの原料として有用な３
−ピロリジノール誘導体およびその合成中間体として有
用な化合物を簡便な方法で、かつ経済的に提供すること
である。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、経済性に優゛れ、簡便かつ効率的な３−
ピロリジノール誘導体の工業的製法を確立すべく鋭意検
討した結果、容易に人手可能な４−ハロー３−ヒドロキ
シブタンニトリルのスルホン酸エステルを還元すること
により、３−ピロリジノールのスルホン酸エステルを製
造できること、さらに、３−ピロリジノールのスルホン
酸エステルにベンズアルデヒドを反応させて、■−ベン
ジルー３−ピロリジノールのスルホン酸エステルが製造
できること、また、これらの反応が、工業的に有利な接
触還元反応で行えることを見出し、本発明を完成するに
至った。
ピロリジノール誘導体の工業的製法を確立すべく鋭意検
討した結果、容易に人手可能な４−ハロー３−ヒドロキ
シブタンニトリルのスルホン酸エステルを還元すること
により、３−ピロリジノールのスルホン酸エステルを製
造できること、さらに、３−ピロリジノールのスルホン
酸エステルにベンズアルデヒドを反応させて、■−ベン
ジルー３−ピロリジノールのスルホン酸エステルが製造
できること、また、これらの反応が、工業的に有利な接
触還元反応で行えることを見出し、本発明を完成するに
至った。
すなわち、本発明は、−数式（Ｉ）：
（式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ア
ミノ−【−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エステル
またはその塩、−数式（■）： Ｈ （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わす）
で示される３−ピロリジノールのスルホン酸エステルま
たはその塩、−数式Ｎ：（式中、Ｘは塩素原子または臭
素原子、およびＲは置換もしくは未置換低級アルキル基
、置換もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表
わす〉で示される４−ハロー３−ヒドロキシブタンニト
リルのスルホン酸エステルを還元反応させ、−数式（Ｉ
ｆ） ： Ｃ式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特徴とする３−ピロリジノールのスルホン酸エス
テルまたはその塩の製法、−数式Ｎ： （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ル（以下、化合物Ｎともいう）を、酸性条件下還元反応
させ、一般式（Ｉ）： （式中、ＸおよびＲは前記と同じ）で示される化合物に
変換することを特徴とする４−アミノ１−ハロー２−ブ
タノールのスルホン酸エステルまたはその塩の製法、一
般式（Ｉ）： （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基ま・たはベンジル基を表わす）で示される４−
アミノ −ｌ−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エス
テルまたはその塩を、塩基性条件下環化処理して、−数
式（■）：■ （式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特、徴とする３−ピロリジノールのスルホン酸エ
ステルまたはその塩の製法および一般式（■）： （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わす）
で示される３−ピロリジノールのスルホン酸エステルま
たはその塩とベンズアルデヒドを金属触媒の存在下接触
還元反応させ、（式中、Ｒは前記と同じ）で示される化
合物に変換することを特徴とするｌ−ベンジル−３−ピ
ロリジノールのスルホン酸エステルまたはその塩の製法
に関する。
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ア
ミノ−【−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エステル
またはその塩、−数式（■）： Ｈ （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わす）
で示される３−ピロリジノールのスルホン酸エステルま
たはその塩、−数式Ｎ：（式中、Ｘは塩素原子または臭
素原子、およびＲは置換もしくは未置換低級アルキル基
、置換もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表
わす〉で示される４−ハロー３−ヒドロキシブタンニト
リルのスルホン酸エステルを還元反応させ、−数式（Ｉ
ｆ） ： Ｃ式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特徴とする３−ピロリジノールのスルホン酸エス
テルまたはその塩の製法、−数式Ｎ： （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ル（以下、化合物Ｎともいう）を、酸性条件下還元反応
させ、一般式（Ｉ）： （式中、ＸおよびＲは前記と同じ）で示される化合物に
変換することを特徴とする４−アミノ１−ハロー２−ブ
タノールのスルホン酸エステルまたはその塩の製法、一
般式（Ｉ）： （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基ま・たはベンジル基を表わす）で示される４−
アミノ −ｌ−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エス
テルまたはその塩を、塩基性条件下環化処理して、−数
式（■）：■ （式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特、徴とする３−ピロリジノールのスルホン酸エ
ステルまたはその塩の製法および一般式（■）： （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わす）
で示される３−ピロリジノールのスルホン酸エステルま
たはその塩とベンズアルデヒドを金属触媒の存在下接触
還元反応させ、（式中、Ｒは前記と同じ）で示される化
合物に変換することを特徴とするｌ−ベンジル−３−ピ
ロリジノールのスルホン酸エステルまたはその塩の製法
に関する。
［実施例］
本発明において、化合物（１）および（１１）には、ラ
セミ体、ｆＲ）体および（Ｓ）体の３種類が存在するが
、これらは原料の一数式Ｎで示される４−ハロー３−ヒ
ドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルを、それ
ぞれラセミ体、（Ｒ）体およびＩＳ）体を用いることに
より、いずれも合成することができ、これらも本発明に
含まれる。
セミ体、ｆＲ）体および（Ｓ）体の３種類が存在するが
、これらは原料の一数式Ｎで示される４−ハロー３−ヒ
ドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルを、それ
ぞれラセミ体、（Ｒ）体およびＩＳ）体を用いることに
より、いずれも合成することができ、これらも本発明に
含まれる。
本発明において、置換基Ｒとして具体的には、メチル基
、トリフルオロメチル基、エチル基、フェニル基、ｐ−
メチルフェニル基およびベンジル基などがあげられる。
、トリフルオロメチル基、エチル基、フェニル基、ｐ−
メチルフェニル基およびベンジル基などがあげられる。
まず、４−アミノ−１−ハロー２−ブタノールのスルホ
ン酸エステル（１）および３−ピロリジノールのスルホ
ン酸エステル（１）の製造法について説明する。
ン酸エステル（１）および３−ピロリジノールのスルホ
ン酸エステル（１）の製造法について説明する。
出発原料である、４−ハロー３−ヒドロキシブタンニト
リルのスルホン酸エステルＮの製造法に関しては、４−
ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルに、スルホン酸ハ
ライドを反応させることによりうることができる（本発
明者らの発明にかかわる発明の名称「４−ハロー３−ヒ
ドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびそ
の製造法」の明細書（平成１年１１月ｌＯ日付で出願）
参照）。
リルのスルホン酸エステルＮの製造法に関しては、４−
ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルに、スルホン酸ハ
ライドを反応させることによりうることができる（本発
明者らの発明にかかわる発明の名称「４−ハロー３−ヒ
ドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルおよびそ
の製造法」の明細書（平成１年１１月ｌＯ日付で出願）
参照）。
４−ハロー３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸
エステル■の還元は金属ヒドリド、たとえば水素化リチ
ウムアルミニウム、ジボラン、アルミニウムヒドリドな
どにより行うこともできるが、より簡便な方法として、
たとえば接触還元反応により行なえばよく、その際用い
る触媒として、金属触媒、たとえばラネー金属もしくは
合金、パラジウム系触媒、白金系触媒、ロジウム系触媒
、ルテニウム系触媒などが好適に利用できる。さらに具
体的には、ラネーニッケル（Ｒａｎｅｙ Ｎｉ） 、ラ
ネーコバルト（Ｒａｎｅｙ Ｃｏ）、ラネー銅（Ｒａｎ
ｅｙＣｕ） 、酸化白金（ＰｔＯｚ） 、ｏジウム／ア
ルミナ（Ｒｈ／ Ｎ ２０３） 、パラジウム炭素（Ｐ
ｄ／ ｃ）、ロジウム炭素（Ｒｈ／ Ｃ）、ルテニウム
炭素（Ｒｕ／Ｃ）、ラネーニッケル−クロム（Ｒａｎｅ
ｙ Ｎ１−Ｃｒ）、ニッケルポライド（Ｎｉ２Ｂ）など
が挙げられ、これらを１種あるいは２種以上の混合物と
して用いることができる。触媒量は、４−ハロー３−ヒ
ドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルＮに対し
０．１〜２５％（重量％、以下同様）用いればよい。溶
媒としては通常の接触還元反応に用いられるものであれ
ばとくに制限されることなく用いうるが、たとえばメタ
ノール、エタノール、ｌ−プロパツール、２−プロパツ
ール、１−ブタノール、水、酢酸、ジオキサン、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を
単独または２種以上の混合物として用いることができる
。溶媒量はとくに制限されないが、反応効率を考慮する
と原料の０．５〜２０倍（重量）用いればよい。水素圧
としては１〜５０ｋｇ／Ｃｄが好ましく、とくに２〜１
０ｋｇ／ｃＪが好ましい。反応温度は２０〜１５０℃、
とくに２０〜１００℃が好ましい。また反応は、１〜１
００時間で行なわれる。この際、反応生成物は用いる触
媒や反応温度、時間および反応系の塩基仕度などによっ
て１級アミンである４−アミノ−１−ハロー２−ブタノ
ールのスルホン酸エステル（Ｉ）またはその塩が主とし
てえられるばあいと、環化した３−ピロリジノールのス
ルホン酸エステル（Ｉ）またはその塩が主としてえられ
るばあいがある。
エステル■の還元は金属ヒドリド、たとえば水素化リチ
ウムアルミニウム、ジボラン、アルミニウムヒドリドな
どにより行うこともできるが、より簡便な方法として、
たとえば接触還元反応により行なえばよく、その際用い
る触媒として、金属触媒、たとえばラネー金属もしくは
合金、パラジウム系触媒、白金系触媒、ロジウム系触媒
、ルテニウム系触媒などが好適に利用できる。さらに具
体的には、ラネーニッケル（Ｒａｎｅｙ Ｎｉ） 、ラ
ネーコバルト（Ｒａｎｅｙ Ｃｏ）、ラネー銅（Ｒａｎ
ｅｙＣｕ） 、酸化白金（ＰｔＯｚ） 、ｏジウム／ア
ルミナ（Ｒｈ／ Ｎ ２０３） 、パラジウム炭素（Ｐ
ｄ／ ｃ）、ロジウム炭素（Ｒｈ／ Ｃ）、ルテニウム
炭素（Ｒｕ／Ｃ）、ラネーニッケル−クロム（Ｒａｎｅ
ｙ Ｎ１−Ｃｒ）、ニッケルポライド（Ｎｉ２Ｂ）など
が挙げられ、これらを１種あるいは２種以上の混合物と
して用いることができる。触媒量は、４−ハロー３−ヒ
ドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルＮに対し
０．１〜２５％（重量％、以下同様）用いればよい。溶
媒としては通常の接触還元反応に用いられるものであれ
ばとくに制限されることなく用いうるが、たとえばメタ
ノール、エタノール、ｌ−プロパツール、２−プロパツ
ール、１−ブタノール、水、酢酸、ジオキサン、ベンゼ
ン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を
単独または２種以上の混合物として用いることができる
。溶媒量はとくに制限されないが、反応効率を考慮する
と原料の０．５〜２０倍（重量）用いればよい。水素圧
としては１〜５０ｋｇ／Ｃｄが好ましく、とくに２〜１
０ｋｇ／ｃＪが好ましい。反応温度は２０〜１５０℃、
とくに２０〜１００℃が好ましい。また反応は、１〜１
００時間で行なわれる。この際、反応生成物は用いる触
媒や反応温度、時間および反応系の塩基仕度などによっ
て１級アミンである４−アミノ−１−ハロー２−ブタノ
ールのスルホン酸エステル（Ｉ）またはその塩が主とし
てえられるばあいと、環化した３−ピロリジノールのス
ルホン酸エステル（Ｉ）またはその塩が主としてえられ
るばあいがある。
とくに、酸性条件下で還元を行なったばあいは、主とし
て４−アミノ−１−ハロー２−ブタノールのスルホン酸
エステルが、中性ないし塩基性条件下で行ったばあいは
、主として、３−ピロリジノールのスルホン酸エステル
かえられる傾向がある。
て４−アミノ−１−ハロー２−ブタノールのスルホン酸
エステルが、中性ないし塩基性条件下で行ったばあいは
、主として、３−ピロリジノールのスルホン酸エステル
かえられる傾向がある。
この際用いられる酸としては、塩酸、硫酸、酢酸、ｐ−
トルエンスルホン酸など、および塩基としては、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウムなどの無機塩基またはトリ
エチルアミン、トリメチルアミン、ピリジンなどの有機
塩基が挙げられる。酸の使用量は１．化合物Ｎに対し０
．１〜２当量用いればよい。また塩基の使用量は、化合
物Ｎに対し０．１〜３当量用いればよい。
トルエンスルホン酸など、および塩基としては、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素ナトリウムなどの無機塩基またはトリ
エチルアミン、トリメチルアミン、ピリジンなどの有機
塩基が挙げられる。酸の使用量は１．化合物Ｎに対し０
．１〜２当量用いればよい。また塩基の使用量は、化合
物Ｎに対し０．１〜３当量用いればよい。
４−アミノ−１−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エ
ステル（１）は、塩基性下で撹拌しつつ環化させて、３
−ピロリジノールのスルホン酸エステル（Ｉｆ）とする
こともでき、また、還元反応生成物が化合物（１）およ
び（ＩＩ）の混合物としてえられたばあいも、同様にし
て塩基性下で環化させて、３−ピロリジノールのスルホ
ン酸エステルとすることができる。本環化反応において
は、用いる溶媒および塩基、反応温度、反応時間などの
反応条件の選択は前記条件と同様に行なえばよい。
ステル（１）は、塩基性下で撹拌しつつ環化させて、３
−ピロリジノールのスルホン酸エステル（Ｉｆ）とする
こともでき、また、還元反応生成物が化合物（１）およ
び（ＩＩ）の混合物としてえられたばあいも、同様にし
て塩基性下で環化させて、３−ピロリジノールのスルホ
ン酸エステルとすることができる。本環化反応において
は、用いる溶媒および塩基、反応温度、反応時間などの
反応条件の選択は前記条件と同様に行なえばよい。
還元反応はたとえば、触媒量のラネーコバルトの存在下
、メタノール中、水素圧１〜１０ｋｇ／ｃｊの下で、温
度２０〜１００℃で、５〜３０時間撹拌することにより
行うことができ、このばあい、３−ピロリジノールのス
ルホン酸エステル（１）が主生成物としてえられる傾向
がある。また、反応を、たとえば、触媒量のパラジウム
炭素の存在下、メタノール中、酸性条件下、水素圧１〜
１０ｋｇ ／ ｃＪの下で、温度２０〜１００℃で、５
〜３０時間撹拌することにより行ったばあい、４−アミ
ノ−ｌ−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エステル（
１）が主生成物としてえられる傾向がある。
、メタノール中、水素圧１〜１０ｋｇ／ｃｊの下で、温
度２０〜１００℃で、５〜３０時間撹拌することにより
行うことができ、このばあい、３−ピロリジノールのス
ルホン酸エステル（１）が主生成物としてえられる傾向
がある。また、反応を、たとえば、触媒量のパラジウム
炭素の存在下、メタノール中、酸性条件下、水素圧１〜
１０ｋｇ ／ ｃＪの下で、温度２０〜１００℃で、５
〜３０時間撹拌することにより行ったばあい、４−アミ
ノ−ｌ−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エステル（
１）が主生成物としてえられる傾向がある。
３−ピロリジノールのスルホン酸エステル（Ｗ）および
４−アミノ−１−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エ
ステル［１）の塩としては、いずれも塩酸塩、硫酸塩、
酢酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩などがあげられる。
４−アミノ−１−ハロー２−ブタノールのスルホン酸エ
ステル［１）の塩としては、いずれも塩酸塩、硫酸塩、
酢酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩などがあげられる。
生成物の単離は、触媒の濾過等の通常の後処理の後、蒸
留や結晶化あるいはシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー精製によって容易に達成することができるが、単離操
作は必ずしもこれらに限定する必要はなく、通常の分離
精製に用いられる種夕の方法が適用できる。
留や結晶化あるいはシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー精製によって容易に達成することができるが、単離操
作は必ずしもこれらに限定する必要はなく、通常の分離
精製に用いられる種夕の方法が適用できる。
つぎに、ｌ−ベンジル−３−ピロリジノールのスルホン
酸エステル（Ｉｆｌ）の製造法について説明する。
酸エステル（Ｉｆｌ）の製造法について説明する。
原料となる３−ピロリジノールのスルホン酸エステル（
Ｉｉ）は、前述の方法でえられるが、このものを遊離の
形で用いるか、あるいはその塩酸塩、硫酸塩などの塩を
用いるか、あるいはこれらの塩を適当な塩基で中和して
えられる３−ピロリジノールのスルホン酸エステルと塩
の混合物をそのまま用いることができる。中和に用いる
塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムなど
の無機塩基、または、トリエチルアミン、トリメチルア
ミン、ピリジンなどの有機塩基が挙げられる。これらは
単独または２種以上混合して用いられるが、とりわけ水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはそれらの混合物
を用いるのが好ましい。
Ｉｉ）は、前述の方法でえられるが、このものを遊離の
形で用いるか、あるいはその塩酸塩、硫酸塩などの塩を
用いるか、あるいはこれらの塩を適当な塩基で中和して
えられる３−ピロリジノールのスルホン酸エステルと塩
の混合物をそのまま用いることができる。中和に用いる
塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムなど
の無機塩基、または、トリエチルアミン、トリメチルア
ミン、ピリジンなどの有機塩基が挙げられる。これらは
単独または２種以上混合して用いられるが、とりわけ水
酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたはそれらの混合物
を用いるのが好ましい。
反応は、まず、３−ピロリジノールのスルホン酸エステ
ルを溶剤に混合し、好ましくは０〜１０℃に冷却した後
、ベンズアルデヒドを添加する。
ルを溶剤に混合し、好ましくは０〜１０℃に冷却した後
、ベンズアルデヒドを添加する。
ここでさらに、反応速度向上のため塩酸、硫酸、酢酸、
ｐ−）ルエンスルホン酸、塩化亜鉛などの酸を１種以上
添加してもよく、また、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸
マグネシウム、無水炭酸カリウムなどの脱水剤を１種以
上添加してもよい。酸および脱水剤の添加量は３−ピロ
リジノールのスルホン酸エステルに対して０、ＯＩ〜１
当量が好ましい。
ｐ−）ルエンスルホン酸、塩化亜鉛などの酸を１種以上
添加してもよく、また、無水硫酸ナトリウム、無水硫酸
マグネシウム、無水炭酸カリウムなどの脱水剤を１種以
上添加してもよい。酸および脱水剤の添加量は３−ピロ
リジノールのスルホン酸エステルに対して０、ＯＩ〜１
当量が好ましい。
つぎに、金属触媒を添加した後、接触還元反応を行うこ
とにより、ｌ−ベンジル−３−ピロリジノールのスルホ
ン酸エステルが生成する。
とにより、ｌ−ベンジル−３−ピロリジノールのスルホ
ン酸エステルが生成する。
ベンズアルデヒドの使用量は、３−ピロリジノールのス
ルホン酸エステルに対して１ないし３当鑓が好ましい。
ルホン酸エステルに対して１ないし３当鑓が好ましい。
金属触媒としては、ラネー金属もしくは合金、パラジウ
ム系触媒、白金系触媒、ロジウム系触媒、ルテニウム系
触媒などが好適に利用できる。
ム系触媒、白金系触媒、ロジウム系触媒、ルテニウム系
触媒などが好適に利用できる。
さらに具体的には、ラネーニッケル
（Ｒａｎｅｙ旧）、ラネーコバルト（Ｒａｎｅｙ Ｃｏ
）、ラネー銅（Ｒａｎｅｙ Ｃｕ）、酸化白金（Ｐｔ０
２） 、ｏジウム／アルミナ（Ｊ？ｈ／ ／Ｖ ２０
り 、パラジウム炭素（Ｐｄ／ Ｃ）、ロジウム炭素（
Ｒｈ／ Ｃ）、ルテニウム炭素（Ｒｕ／Ｃ）、ラネーニ
ッケル−クロム（Ｒａｎｅｙ Ｎ１−Ｃｒ）、ニッケル
ポライド（Ｎ１２ Ｂ）などが挙げられ、これらを１種
あるいは２種以上の混合物として用いることができる。
）、ラネー銅（Ｒａｎｅｙ Ｃｕ）、酸化白金（Ｐｔ０
２） 、ｏジウム／アルミナ（Ｊ？ｈ／ ／Ｖ ２０
り 、パラジウム炭素（Ｐｄ／ Ｃ）、ロジウム炭素（
Ｒｈ／ Ｃ）、ルテニウム炭素（Ｒｕ／Ｃ）、ラネーニ
ッケル−クロム（Ｒａｎｅｙ Ｎ１−Ｃｒ）、ニッケル
ポライド（Ｎ１２ Ｂ）などが挙げられ、これらを１種
あるいは２種以上の混合物として用いることができる。
触媒量は化合物（Ｉｔ）に対し、０．１〜２５％用いれ
ばよい。溶媒としては通常の接触還元反応に用いられる
ものであればとくに制限されることなく用いうるが、た
とえばメタノール、エタノール、１−プロパツール、２
−プロパツール、ｌ−ブタノール、水、酢酸、ジオキサ
ン、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサンな
どの溶媒を単独または２種以−ヒの混合物として用いる
ことができる。
ばよい。溶媒としては通常の接触還元反応に用いられる
ものであればとくに制限されることなく用いうるが、た
とえばメタノール、エタノール、１−プロパツール、２
−プロパツール、ｌ−ブタノール、水、酢酸、ジオキサ
ン、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサンな
どの溶媒を単独または２種以−ヒの混合物として用いる
ことができる。
溶媒量はとくに制限されないが、反応効率を考慮すると
化合物（ＩＩ）の０．５〜２０倍（重量）用いればよい
。
化合物（ＩＩ）の０．５〜２０倍（重量）用いればよい
。
接触還元反応は、金属触媒の存在下、好ましくは水素圧
１〜１０ｋｇ／ｃｊの下で、好ましくは温度２０〜１０
０℃とくに好ましくは２０〜５０℃で、好ましくは１〜
１００時間、とくに好ましくは１〜５０峙間撹拌するこ
とにより行なうことができる。
１〜１０ｋｇ／ｃｊの下で、好ましくは温度２０〜１０
０℃とくに好ましくは２０〜５０℃で、好ましくは１〜
１００時間、とくに好ましくは１〜５０峙間撹拌するこ
とにより行なうことができる。
この際、反応生成物は用いる触媒種、酸等の添加の有無
、基質として用いる３−ピロリジノールのスルホン酸エ
ステルの塩基仕度等によって、遊離の１−ベンジル−３
−ピロリジノールのスルホン酸エステルもしくはその塩
、またはこれらの混合物としてえられる。
、基質として用いる３−ピロリジノールのスルホン酸エ
ステルの塩基仕度等によって、遊離の１−ベンジル−３
−ピロリジノールのスルホン酸エステルもしくはその塩
、またはこれらの混合物としてえられる。
１−ベンジル−３−ピロリジノールのスルホン酸エステ
ル（ＩＩＩ）の塩としては、塩酸塩、硫酸塩、酢酸塩、
ｐ−トルエンスルホン酸塩などがあげられる。
ル（ＩＩＩ）の塩としては、塩酸塩、硫酸塩、酢酸塩、
ｐ−トルエンスルホン酸塩などがあげられる。
生成物の単離は、触媒の濾過等の通常の後処理の後、蒸
留や結晶化あるいはシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー精製によ゛って容易に達成することができるが、単離
操作は必ずしもこれらに限定する必要はなく、通常の分
離精製に用いられる種々の方法が適用できる。
留や結晶化あるいはシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー精製によ゛って容易に達成することができるが、単離
操作は必ずしもこれらに限定する必要はなく、通常の分
離精製に用いられる種々の方法が適用できる。
以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明は実施例のみに限定されるものではない。
、本発明は実施例のみに限定されるものではない。
参考例１
（４−クロロ−３−ｐ−トルエンスルホニルオキシブタ
ンニトリルの合成） ４−クロロ−３−ヒドロキシブタンニトリル１０．０ｇ
１ピリジン２４ｍ１を塩化メチレン４０ ｍｌにとかし
、水冷下、塩化ｐ−トルエンスルホニル２８．７ｇを加
えた。室温で２１時間撹拌した後、水冷下、水１ｍｌを
加え、１時間撹拌した。反応液に、塩化メチレンを加え
、水層を分離後、有機層を飽和硫酸銅水溶液、水、飽和
重曹水、飽和食塩水で洗い、乾燥、濾過、減圧濃縮して
、粗生成物２２．７ｇをえた。これを、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー精製（シリカゲル２００ｇ、ヘキ
サン：酢酸エチル−８５：１５（容量比、以下同様）〉
シて、１８．７ｇの目的物をえた（収率８２％）。
ンニトリルの合成） ４−クロロ−３−ヒドロキシブタンニトリル１０．０ｇ
１ピリジン２４ｍ１を塩化メチレン４０ ｍｌにとかし
、水冷下、塩化ｐ−トルエンスルホニル２８．７ｇを加
えた。室温で２１時間撹拌した後、水冷下、水１ｍｌを
加え、１時間撹拌した。反応液に、塩化メチレンを加え
、水層を分離後、有機層を飽和硫酸銅水溶液、水、飽和
重曹水、飽和食塩水で洗い、乾燥、濾過、減圧濃縮して
、粗生成物２２．７ｇをえた。これを、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー精製（シリカゲル２００ｇ、ヘキ
サン：酢酸エチル−８５：１５（容量比、以下同様）〉
シて、１８．７ｇの目的物をえた（収率８２％）。
実施例１
（４−クロロ−ａ−ｐ−トルエンスルホニルオキシブチ
ルアミンの合成） 参考例１でえられた４−クロロ−３−ｐ−トルエンスル
ホニルオキシブタンニトリル３．００ｇをメタノール３
０ｍ１に溶かし、５％パラジウム炭素粉末１．５ｆおよ
び濃塩酸１．１５ｍ１を加え、７ ｋｇ ／ ｃＪの水
素圧下、５０℃で１５時間撹拌した。反応液を濾過後、
ａ液を濃縮して、主として４−クロロ−３−ｐトルエン
スルホニルオキシブチルアミン塩酸塩を含有する３、７
ｇの粗生成物をえた。これを、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー精製（シリカゲル３０ｇ、アセ゛トン）し
て、２．０ｇの４−クロロ−３−ｐ−）ルエンスルホニ
ルオキシブチルアミン塩酸塩をえた（収率５８％）。
ルアミンの合成） 参考例１でえられた４−クロロ−３−ｐ−トルエンスル
ホニルオキシブタンニトリル３．００ｇをメタノール３
０ｍ１に溶かし、５％パラジウム炭素粉末１．５ｆおよ
び濃塩酸１．１５ｍ１を加え、７ ｋｇ ／ ｃＪの水
素圧下、５０℃で１５時間撹拌した。反応液を濾過後、
ａ液を濃縮して、主として４−クロロ−３−ｐトルエン
スルホニルオキシブチルアミン塩酸塩を含有する３、７
ｇの粗生成物をえた。これを、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー精製（シリカゲル３０ｇ、アセ゛トン）し
て、２．０ｇの４−クロロ−３−ｐ−）ルエンスルホニ
ルオキシブチルアミン塩酸塩をえた（収率５８％）。
えられた化合物のＴＬＣにおけるＲｒ値および’ＩＩ−
ＮＭＲのＤＪ定結果を以下に示す。
ＮＭＲのＤＪ定結果を以下に示す。
Ｒ１’値： ０．６（展開溶媒ｌ−ブタノール：酢酸エ
チル：酢酸：水−１： １ ： １ ： １）’ｌｌ−
ＮＭＲ（９０ＭＩＩｚ、 ＣＤ（Ｊ３ ＋ Ｄ２０
）δｐｐｍ （内部標準ＴＭＳ） ： １．７６〜２．５０（１１，２Ｈ）、２．２９（ｓ、３
Ｈ）、２．６１〜３．１５（ｍ、２１１）、３．２７（
ｄ、Ｊ−５１ｚ、２Ｈ）、５．２２（ｂｒ、、ｌＨ）、
７．１０（ｄ、Ｊ−８Ｊｌｚ、 ２１１）７．７１（ｄ
、ＪＪＩＩｚ、２１１）。
チル：酢酸：水−１： １ ： １ ： １）’ｌｌ−
ＮＭＲ（９０ＭＩＩｚ、 ＣＤ（Ｊ３ ＋ Ｄ２０
）δｐｐｍ （内部標準ＴＭＳ） ： １．７６〜２．５０（１１，２Ｈ）、２．２９（ｓ、３
Ｈ）、２．６１〜３．１５（ｍ、２１１）、３．２７（
ｄ、Ｊ−５１ｚ、２Ｈ）、５．２２（ｂｒ、、ｌＨ）、
７．１０（ｄ、Ｊ−８Ｊｌｚ、 ２１１）７．７１（ｄ
、ＪＪＩＩｚ、２１１）。
参考例２
（４−クロロ−３−ｐ−トルエンスルホニルオキシブチ
ルアミンのベンズアミドの合成） 実施例１でえられた４−クロロ−ａ−ｐ−）ルエンスル
ホニルオキシブチルアミン塩酸塩２１９ ｍｇをピリジ
ン２ ｍｌに溶かし、水冷下、塩化ベンゾイル０ 、２
３ ｍｌを滴下した。水冷下、２．５時間撹拌した後、
反応液に水を加え、３０分間撹拌した。反応液を、水−
エーテルにあけて、エーテル層を分離し、有機層を飽和
硫酸銅、水溶液、水、飽和重曹水、飽和食塩水で洗い、
乾燥、濾過、減圧濃縮して、粗生成物をえた。これを、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー精製（シリカゲル
３０ｇ１ヘキサン：酢酸エチル−３：１）して、１８８
ｍｇの４−クロロ−ａ−ｐ−）ルエンスルホニルオキ
シブチルアミン・ベンズアミドをえた（収率８３％）。
ルアミンのベンズアミドの合成） 実施例１でえられた４−クロロ−ａ−ｐ−）ルエンスル
ホニルオキシブチルアミン塩酸塩２１９ ｍｇをピリジ
ン２ ｍｌに溶かし、水冷下、塩化ベンゾイル０ 、２
３ ｍｌを滴下した。水冷下、２．５時間撹拌した後、
反応液に水を加え、３０分間撹拌した。反応液を、水−
エーテルにあけて、エーテル層を分離し、有機層を飽和
硫酸銅、水溶液、水、飽和重曹水、飽和食塩水で洗い、
乾燥、濾過、減圧濃縮して、粗生成物をえた。これを、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー精製（シリカゲル
３０ｇ１ヘキサン：酢酸エチル−３：１）して、１８８
ｍｇの４−クロロ−ａ−ｐ−）ルエンスルホニルオキ
シブチルアミン・ベンズアミドをえた（収率８３％）。
えられた化合物のＴＬＣにおけるＲｒ値、１：２ｃｍ
’および１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
’および１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
Ｒｒ値： ０．４（展開溶媒 へキサン：酢酸エチル−
１：１） １３７０、１２００、１１９０、９５０’ＩＩ−ＮＭＲ
（９０ＭＩＩｚ、ＣＤ（Ｊ ３）δｐｐｍ （内部標準
ＴＭＳ） ：１．７３〜２．２９（ａ、２Ｈ）、２．３
９（Ｓ、３Ｈ）、３．０６〜３．８９（ｍ、２１１）、
３．４８（ｄ、Ｊ−５１１ｚ、２１１）、４．６７〜５
．００（ｍ、ＩＨ）、６．７６〜７．１５（ｍ、ＬＨ）
、７．２０〜７．８０（ｍ、５Ｈ）、７．６７〜８．０
０（ｍ、４Ｈ）。
１：１） １３７０、１２００、１１９０、９５０’ＩＩ−ＮＭＲ
（９０ＭＩＩｚ、ＣＤ（Ｊ ３）δｐｐｍ （内部標準
ＴＭＳ） ：１．７３〜２．２９（ａ、２Ｈ）、２．３
９（Ｓ、３Ｈ）、３．０６〜３．８９（ｍ、２１１）、
３．４８（ｄ、Ｊ−５１１ｚ、２１１）、４．６７〜５
．００（ｍ、ＩＨ）、６．７６〜７．１５（ｍ、ＬＨ）
、７．２０〜７．８０（ｍ、５Ｈ）、７．６７〜８．０
０（ｍ、４Ｈ）。
以上の結果から、実施例１でえられた物質が、４−クロ
ロ−ａ−ｐ−トルエンスルホニルオキシブチルアミンで
あることを確認した。
ロ−ａ−ｐ−トルエンスルホニルオキシブチルアミンで
あることを確認した。
実施例２
（３−ｐ−トルエンスルホニルオキシピロリジンの合成
） 参考例１でえられた４−クロロ−３−ｐ−トルエンスル
ホニルオキシブタンニトリル３．００ｇをメタノール１
５ｍ１に溶かし、ラネーコバルト ３３０■を加え、７
ｋｇ ／ ｃｊの水素圧下、６０℃で１２時間撹拌し
た。反応液を濾過後、濾液を濃縮して、主として３−ｐ
−）ルエンスルホニルオキシピロリジン塩酸塩を含有す
る３、１ｇの粗生成物をえた。これを、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー精製（シリカゲル３０ｇ１アセト
ン：エタノール−４：１〜１ ： １）して、１．５０
ｇのａ−ｐ−トルエンスルホニルオキシピロリジン塩酸
塩をえた（収率４９％）。
） 参考例１でえられた４−クロロ−３−ｐ−トルエンスル
ホニルオキシブタンニトリル３．００ｇをメタノール１
５ｍ１に溶かし、ラネーコバルト ３３０■を加え、７
ｋｇ ／ ｃｊの水素圧下、６０℃で１２時間撹拌し
た。反応液を濾過後、濾液を濃縮して、主として３−ｐ
−）ルエンスルホニルオキシピロリジン塩酸塩を含有す
る３、１ｇの粗生成物をえた。これを、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー精製（シリカゲル３０ｇ１アセト
ン：エタノール−４：１〜１ ： １）して、１．５０
ｇのａ−ｐ−トルエンスルホニルオキシピロリジン塩酸
塩をえた（収率４９％）。
えられた化合物のＴＬＣにおけるＲｒ値および’＋１−
ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
Ｒｒ値： ０．７（展開溶媒ｌ−ブタノール：酢酸エチ
ル：酢酸：水■１ ； １ ： １ ： １）’ＩＩ−
ＮＭＲ（９０ＭＨｚ 、 ＣＤＣ＃ｓ ）δｐｐａ＋
（内部標準ＴＭＳ） ： １．８９〜２．７７（Ｉｍ、２Ｈ） 、２．４０（ｓ、
３Ｈ）、３．０６〜３．８０（ｍ、４Ｈ）、５．１４（
ｂｒ、ｓ、ＩＨ）、７．３３（ｄ；Ｊ＝８Ｈｚ、２１１
）、７．７７（ｄ、 Ｊ−８Ｈｚ。
ル：酢酸：水■１ ； １ ： １ ： １）’ＩＩ−
ＮＭＲ（９０ＭＨｚ 、 ＣＤＣ＃ｓ ）δｐｐａ＋
（内部標準ＴＭＳ） ： １．８９〜２．７７（Ｉｍ、２Ｈ） 、２．４０（ｓ、
３Ｈ）、３．０６〜３．８０（ｍ、４Ｈ）、５．１４（
ｂｒ、ｓ、ＩＨ）、７．３３（ｄ；Ｊ＝８Ｈｚ、２１１
）、７．７７（ｄ、 Ｊ−８Ｈｚ。
２１１） 、８．７〜１０．８（ｂｒ、、２Ｈ）。
実施例３
（ｌ−ベンジル−３−ｐ−トルエンスルホニルオキシピ
ロリジンの合成） 実施例２でえられた−３−ｐ−）ルエンスルホニルオキ
シビロリジン塩酸塩６００■、ベンズアルデヒド６００
■をメタノール１０ｍ１に溶かし、ラネーニッケル１５
０■を加え後、２０％ＮａＯＨのメタノール溶液０．１
ｍｌを加えて、ｐＨ７，５に調整した。
ロリジンの合成） 実施例２でえられた−３−ｐ−）ルエンスルホニルオキ
シビロリジン塩酸塩６００■、ベンズアルデヒド６００
■をメタノール１０ｍ１に溶かし、ラネーニッケル１５
０■を加え後、２０％ＮａＯＨのメタノール溶液０．１
ｍｌを加えて、ｐＨ７，５に調整した。
２ ｋｇ ／ ｃｊの水素圧下、３０℃で１２時間撹拌
した後、反応液を濾過し、濾液を濃縮してり、１７ｇの
粗生成物をえた。これを、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー精製（シリカゲル３０ｇ、ヘキサン：酢酸エチ
ル−３：１）して、５７５■の１−ベンジル−３−ｐ−
トルエンスルホニルオキシピロリジンをえた（収率８０
％）。
した後、反応液を濾過し、濾液を濃縮してり、１７ｇの
粗生成物をえた。これを、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー精製（シリカゲル３０ｇ、ヘキサン：酢酸エチ
ル−３：１）して、５７５■の１−ベンジル−３−ｐ−
トルエンスルホニルオキシピロリジンをえた（収率８０
％）。
エラレタ化合物（７） ν”” −” Ｈ−ＮＭＲお
よＩＩａｘ（″ び元素分析による測定結果を以下に示す。
よＩＩａｘ（″ び元素分析による測定結果を以下に示す。
、 ｎｅａｔ ｃｔｌｌ−１： １６００．１５００．
１４６０．１３７０．１１８０゜ａＸ ００ １Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ５ ）δｐｐｍ（
内部標準ＴＭＳ） ：１．６６〜２．３８（ｍ、２Ｈ）
、２．３２（ｓ、３Ｈ）、２．５２〜２．８９（ｍ、４
Ｈ）、３．５７（Ｓ、２Ｈ）’、４．９８（ｍ、ＬＨ）
、７．２８（ｓ、５Ｈ）、７．１８〜７．４８（ｄ、２
Ｈ）、７．８０（ｄ、Ｊ−８Ｈｚ、２Ｈ）元素分析値：
（Ｃｌ８ Ｈ２＋ Ｎ ０３８として）計算値（％
） ： Ｃ８５，２３Ｈ８，３９Ｎ ４．２３ 測定値（％） ： Ｃ６５，３５１１［ｉ、２ＯＮ
４．０１ 以上の結果からも、実施例２でえられた物質が、３−ｐ
−トルエンスルホニルオキシピロリジンであることを確
認した。
１４６０．１３７０．１１８０゜ａＸ ００ １Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ５ ）δｐｐｍ（
内部標準ＴＭＳ） ：１．６６〜２．３８（ｍ、２Ｈ）
、２．３２（ｓ、３Ｈ）、２．５２〜２．８９（ｍ、４
Ｈ）、３．５７（Ｓ、２Ｈ）’、４．９８（ｍ、ＬＨ）
、７．２８（ｓ、５Ｈ）、７．１８〜７．４８（ｄ、２
Ｈ）、７．８０（ｄ、Ｊ−８Ｈｚ、２Ｈ）元素分析値：
（Ｃｌ８ Ｈ２＋ Ｎ ０３８として）計算値（％
） ： Ｃ８５，２３Ｈ８，３９Ｎ ４．２３ 測定値（％） ： Ｃ６５，３５１１［ｉ、２ＯＮ
４．０１ 以上の結果からも、実施例２でえられた物質が、３−ｐ
−トルエンスルホニルオキシピロリジンであることを確
認した。
実施例４
（３−ｐ−トルエンスルホニルオキシピロリジンの合成
） 実施例１でえられた４−クロロ−３−ｐ−トルエンスル
ホニルオキシブチルアミン塩酸塩５００ｍｇ（１，３４
ｗｍｏｌ）をメタノール５ ｍｌに溶かし、２０％Ｎａ
０１１のメタノール溶液０．４ｍｌを加え、２５℃で２
４時間攪拌した。水冷下６Ｎ塩酸水溶液０．３５ｍ１を
加えたのち、反応液を濃縮し、えられた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー精製（シリカゲルＬｏ
ｇ 、アセトン：エタノール−４：１〜１ ： １）し
て、３−ｐ−トルエンスルホニルオキシピロリジン塩酸
塩２６４Ｂをえた（収率７１％）。
） 実施例１でえられた４−クロロ−３−ｐ−トルエンスル
ホニルオキシブチルアミン塩酸塩５００ｍｇ（１，３４
ｗｍｏｌ）をメタノール５ ｍｌに溶かし、２０％Ｎａ
０１１のメタノール溶液０．４ｍｌを加え、２５℃で２
４時間攪拌した。水冷下６Ｎ塩酸水溶液０．３５ｍ１を
加えたのち、反応液を濃縮し、えられた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー精製（シリカゲルＬｏ
ｇ 、アセトン：エタノール−４：１〜１ ： １）し
て、３−ｐ−トルエンスルホニルオキシピロリジン塩酸
塩２６４Ｂをえた（収率７１％）。
えられた化合物のＴＬＣにおけるＲｆ’値、および１Ｈ
−ＮＭＲの測定結果は、実施例２と同様であった。
−ＮＭＲの測定結果は、実施例２と同様であった。
参考例３
（Ｉ−ベンジル−３−ブタノイルオキシピロリジンの合
成） 実施例３でえられたｌ−ベンジル−ａ−ｐ−トルエンス
ルホニルオキシピロリジン４６０■および酪酸ナトリウ
ム１８０■を醋酸１．２ｇを溶かし、１００℃で１２時
間反応させた。反応液に塩化メチレンを加え、飽和重曹
水、飽和食塩水で洗い、乾燥、濾過、減圧濃縮した。え
られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー精製（シリカゲル３０ｇ１ヘキサン：酢酸エチル−１
：２）して、２４０■の１−ベンジル−３−ブタノイル
オキシピロリジンをえた（収率７０％）。
成） 実施例３でえられたｌ−ベンジル−ａ−ｐ−トルエンス
ルホニルオキシピロリジン４６０■および酪酸ナトリウ
ム１８０■を醋酸１．２ｇを溶かし、１００℃で１２時
間反応させた。反応液に塩化メチレンを加え、飽和重曹
水、飽和食塩水で洗い、乾燥、濾過、減圧濃縮した。え
られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー精製（シリカゲル３０ｇ１ヘキサン：酢酸エチル−１
：２）して、２４０■の１−ベンジル−３−ブタノイル
オキシピロリジンをえた（収率７０％）。
［発明の効果］
本発明によれば、容易に調製可能な４−ハロー３−ヒド
ロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルを用いて医
薬などの原料として有用な３−ピロ リ ジノール誘導体を簡便に、 経済的かつ効率 的にうろことができる。
ロキシブタンニトリルのスルホン酸エステルを用いて医
薬などの原料として有用な３−ピロ リ ジノール誘導体を簡便に、 経済的かつ効率 的にうろことができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ア
ミノ−１−ハロ−２−ブタノールのスルホン酸エステル
またはその塩。 ２ Ｘが塩素原子である請求項１記載の化合物。 ３ 一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わす）
で示される３−ピロリジノールのスルホン酸エステルま
たはその塩。 ４ Ｒがメチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、
フェニル基、ｐ−メチルフェニル基またはベンジル基で
ある請求項１、２または３記載の化合物。 ５ Ｒがメチル基またはｐ−メチルフェニル基である請
求項１、２または３記載の化合物。 ６ 一般式（IV）： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロ−３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ルを還元反応させ、一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特徴とする３−ピロリジノールのスルホン酸エス
テルまたはその塩の製法。 ７ 一般式（IV）： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ハ
ロ−３−ヒドロキシブタンニトリルのスルホン酸エステ
ルを、酸性条件下還元反応させ、一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、ＸおよびＲは前記と同じ）で示される化合物に
変換することを特徴とする４−アミノ−１−ハロ−２−
ブタノールのスルホン酸エステルまたはその塩の製法。 ８ 還元反応を、金属触媒の存在下における接触還元反
応を利用して行なう請求項６または７記載の製法。 ９ 還元反応を、ラネー触媒、白金系触媒、ロジウム系
触媒、ルテニウム系触媒およびパラジウム系触媒からな
る群より選ばれた少なくとも１種の存在下における接触
還元反応を利用して行なう請求項６または７記載の製法
。 １０ 還元反応を、ラネーニッケルまたはラネーコバル
トの存在下における接触還元反応を利用して行なう請求
項６記載の製法。 １１ 一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｘは塩素原子または臭素原子、およびＲは置換
もしくは未置換低級アルキル基、置換もしくは未置換フ
ェニル基またはベンジル基を表わす）で示される４−ア
ミノ−１−ハロ−２−ブタノールのスルホン酸エステル
またはその塩を、塩基性条件下環化処理して、一般式（
II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特徴とする３−ピロリジノールのスルホン酸エス
テルまたはその塩の製法。 １２ Ｘが塩素原子で、Ｒがメチル基またはｐ−メチル
フェニル基である請求項６、７、８、９、１０または１
１記載の製法。 １３ 一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒは置換もしくは未置換低級アルキル基、置換
もしくは未置換フェニル基またはベンジル基を表わす）
で示される３−ピロリジノールのスルホン酸エステルま
たはその塩とベンズアルデヒドを金属触媒の存在下接触
還元反応させ、一般式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒは前記と同じ）で示される化合物に変換する
ことを特徴とする１−ベンジル−３−ピロリジノールの
スルホン酸エステルまたはその塩の製法。 １４ 金属触媒としてラネー触媒、酸化白金、ロジウム
系触媒、ルテニウム系触媒およびパラジウム系触媒から
なる群より選ばれた少なくとも１種を用いる請求項１３
記載の製法。 １５ 金属触媒としてラネーコバルト、ラネーニッケル
およびラネー銅からなる群より選ばれた少なくとも１種
を用いる請求項１３記載の製法。 １６ Ｒがメチル基またはｐ−メチルフェニル基である
請求項１３、１４または１５記載の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1313890A JPH03176463A (ja) | 1989-12-02 | 1989-12-02 | ピロリジノール誘導体およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1313890A JPH03176463A (ja) | 1989-12-02 | 1989-12-02 | ピロリジノール誘導体およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176463A true JPH03176463A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18046747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1313890A Pending JPH03176463A (ja) | 1989-12-02 | 1989-12-02 | ピロリジノール誘導体およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176463A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997040008A1 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-30 | Kaneka Corporation | Process for preparing pyrrolidine derivatives |
| WO2009145320A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 東ソー株式会社 | ヒドロキシアルキルトリエチレンジアミン類の製造方法、及びそれを用いたポリウレタン樹脂製造用の触媒組成物 |
-
1989
- 1989-12-02 JP JP1313890A patent/JPH03176463A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997040008A1 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-30 | Kaneka Corporation | Process for preparing pyrrolidine derivatives |
| US6005119A (en) * | 1996-04-22 | 1999-12-21 | Kaneka Corporation | Process for preparing pyrrolidine derivatives |
| WO2009145320A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 東ソー株式会社 | ヒドロキシアルキルトリエチレンジアミン類の製造方法、及びそれを用いたポリウレタン樹脂製造用の触媒組成物 |
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