JPH01131425A - 力検出装置 - Google Patents
力検出装置Info
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- JPH01131425A JPH01131425A JP62291295A JP29129587A JPH01131425A JP H01131425 A JPH01131425 A JP H01131425A JP 62291295 A JP62291295 A JP 62291295A JP 29129587 A JP29129587 A JP 29129587A JP H01131425 A JPH01131425 A JP H01131425A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は１例えばロボット用力覚センサやマンマシンイ
ンターフェースとしての三次元入力装置に利用される力
検出装置に関するものである。
ンターフェースとしての三次元入力装置に利用される力
検出装置に関するものである。
（従来技術）
力検出装置では、外力が印加されることによす弾性変形
する起歪体に、この起歪体の機械的変形により電気抵抗
を変化させる複数の検出素子を形成し、これらの検出素
子の電気抵抗変化を電気信号として取り出して外力の強
さを検出している。
する起歪体に、この起歪体の機械的変形により電気抵抗
を変化させる複数の検出素子を形成し、これらの検出素
子の電気抵抗変化を電気信号として取り出して外力の強
さを検出している。
力検出装置では、例えばシリコン単結晶にてなる起歪体
の表面に半導体プレーナプロセス技術により検出素子が
形成される（特開昭６０−２２１２８８号公報参照）。
の表面に半導体プレーナプロセス技術により検出素子が
形成される（特開昭６０−２２１２８８号公報参照）。
そこではシリコン単結晶基板が正八角形の平板リング状
に切り出されて起歪体が形成される。この起歪体の対向
辺に外力を作用させてＦｘｖ Ｆ ｙ ｒ Ｆ ｚの力
の３成分の二次元分布を検出する。
に切り出されて起歪体が形成される。この起歪体の対向
辺に外力を作用させてＦｘｖ Ｆ ｙ ｒ Ｆ ｚの力
の３成分の二次元分布を検出する。
しかし、シリコン単結晶基板から入角形の平板リング状
の起歪体を切り出すには、ダイシングソーカット法、レ
ーザー加工、エツチング加工などを組み合せて加工しな
ければならず、その加工は容易ではない。
の起歪体を切り出すには、ダイシングソーカット法、レ
ーザー加工、エツチング加工などを組み合せて加工しな
ければならず、その加工は容易ではない。
また、シリコン単結晶基板により起歪体を形成した場合
には、シリコン単結晶基板はその物理的性質として脆性
が高いものであり、荷重検出可能な最大値が低いという
問題もある。そして衝撃にも弱い。
には、シリコン単結晶基板はその物理的性質として脆性
が高いものであり、荷重検出可能な最大値が低いという
問題もある。そして衝撃にも弱い。
さらに、Ｘ軸及びＹ軸の方向を検出素子が形成されてい
るシリコン単結晶基板の面内方向とすると、Ｚ軸方向は
面に垂直な方向となり、Ｘ軸、Ｙ軸方向と２軸方向の力
に対する検出素子の感度が異なり、通常Ｚ軸方向の検出
感度が小さくなる。
るシリコン単結晶基板の面内方向とすると、Ｚ軸方向は
面に垂直な方向となり、Ｘ軸、Ｙ軸方向と２軸方向の力
に対する検出素子の感度が異なり、通常Ｚ軸方向の検出
感度が小さくなる。
（目的）
本発明は、検出素子を半導体プレーナプロセス等の技術
を応用して単結晶基板に形成しても大きな荷重の検出を
行うことができ、耐衝撃性を高めることができるととも
に、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向の検出素子の感度を同程度
にし、Ｓ／Ｎ比をよくすることを目的とするものである
。
を応用して単結晶基板に形成しても大きな荷重の検出を
行うことができ、耐衝撃性を高めることができるととも
に、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向の検出素子の感度を同程度
にし、Ｓ／Ｎ比をよくすることを目的とするものである
。
（構成）
本発明の力検出装置では、中心部と周辺部とのいずれか
一方を支持部とし他方を作用部とする起歪体の表面に単
結晶基板を接着固定し、その単結晶基板表面には面内方
向のＸ軸方向、Ｙ軸方向及び面に垂直なＺ軸方向の力に
より生ずる機械的変形により電気抵抗が変化する各方向
別の検出素子を形成するとともに、Ｚ軸方向の成分力の
検出を行う前記検出素子が形成されている部分の基板に
段差を設けた。
一方を支持部とし他方を作用部とする起歪体の表面に単
結晶基板を接着固定し、その単結晶基板表面には面内方
向のＸ軸方向、Ｙ軸方向及び面に垂直なＺ軸方向の力に
より生ずる機械的変形により電気抵抗が変化する各方向
別の検出素子を形成するとともに、Ｚ軸方向の成分力の
検出を行う前記検出素子が形成されている部分の基板に
段差を設けた。
以下、実施例について具体的に説明する。
第１図は一実施例を示す断面図、第２図は同実施例のキ
ャップを外した状態を示す平面図、第３図（Ａ）は同実
施例におけるシリコン単結晶基板を示す平面図、同図（
Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線位置での断面図、同図（Ｃ
）は同図（Ａ）のＣ−Ｃ線位置での断面図である。
ャップを外した状態を示す平面図、第３図（Ａ）は同実
施例におけるシリコン単結晶基板を示す平面図、同図（
Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線位置での断面図、同図（Ｃ
）は同図（Ａ）のＣ−Ｃ線位置での断面図である。
１は正方形のシリコン単結晶基板であり、その−表面は
検出面２となり、この検出面２には検出素子３が形成さ
れている。検出素子３は不純物拡散により形成されたも
のであり、応力を受けて変形することにより抵抗率が変
化する所謂ピエゾ抵抗効果を利用したものである。
検出面２となり、この検出面２には検出素子３が形成さ
れている。検出素子３は不純物拡散により形成されたも
のであり、応力を受けて変形することにより抵抗率が変
化する所謂ピエゾ抵抗効果を利用したものである。
単結晶基板１がｎ型５ｉ（１１０）基板である場合、第
２図に示されるようにＺ方向の力を検出する４個の検出
素子ＲＺＩ−ＲＺ４が＜１１０＞方向の線上に配置され
、中心に対してＲｚ＋とＲ２４が対称な位置に配置され
、Ｒｚ＝とＲＺ ３が対称な位置に配置されている。Ｘ
方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｘ＋〜Ｒｘ ａは
（１１０＞方向に対して４５度の方向（Ｘ軸方向という
）の線上に配置され、中心に対してＲｘ＋とＲｘ ４が
対称な位置に配置され、ＲＸ２とＲＸ３が対称な位置に
配置されている。また、Ｙ方向の力を検出する４個の検
出素子Ｒｙ＋〜Ｒｙ ４は＜１１０＞方向に対して４５
度でＸ軸方向とは直交する方向（Ｙ軸方向という）の線
上に配置され、中心に対してＲ）ｒ＋とＲｙ ４が対称
な位置に配置され、Ｒｙ２とＲｙ ３が対称な位置に配
置されている。
２図に示されるようにＺ方向の力を検出する４個の検出
素子ＲＺＩ−ＲＺ４が＜１１０＞方向の線上に配置され
、中心に対してＲｚ＋とＲ２４が対称な位置に配置され
、Ｒｚ＝とＲＺ ３が対称な位置に配置されている。Ｘ
方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｘ＋〜Ｒｘ ａは
（１１０＞方向に対して４５度の方向（Ｘ軸方向という
）の線上に配置され、中心に対してＲｘ＋とＲｘ ４が
対称な位置に配置され、ＲＸ２とＲＸ３が対称な位置に
配置されている。また、Ｙ方向の力を検出する４個の検
出素子Ｒｙ＋〜Ｒｙ ４は＜１１０＞方向に対して４５
度でＸ軸方向とは直交する方向（Ｙ軸方向という）の線
上に配置され、中心に対してＲ）ｒ＋とＲｙ ４が対称
な位置に配置され、Ｒｙ２とＲｙ ３が対称な位置に配
置されている。
各検出素子３は、第４図に示されるように、それらの検
出素子が配置されている方向に電流ｉが流れるように配
置方向に長く延びた形状に形成されている。図でＱｌく
くＱ２である。
出素子が配置されている方向に電流ｉが流れるように配
置方向に長く延びた形状に形成されている。図でＱｌく
くＱ２である。
Ｘ方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｘｒ〜ＲＸ ４
とＹ方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｙ＋−Ｒｙ４
は単結晶基板１の同一高さの基板面に形成されており、
２方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｚ １〜Ｒｚ
ａはＲＸｌ”ＲＸ４及びＲｙ＋”Ｒｙ４が形成されてい
る面から隆起した基板面１ａに形成されている。検出素
子Ｒｚ＋−Ｒ２４の近くには隆起した基板面１ａと他の
基板面との間の段差が存在している。
とＹ方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｙ＋−Ｒｙ４
は単結晶基板１の同一高さの基板面に形成されており、
２方向の力を検出する４個の検出素子Ｒｚ １〜Ｒｚ
ａはＲＸｌ”ＲＸ４及びＲｙ＋”Ｒｙ４が形成されてい
る面から隆起した基板面１ａに形成されている。検出素
子Ｒｚ＋−Ｒ２４の近くには隆起した基板面１ａと他の
基板面との間の段差が存在している。
４は単結晶基板°ｌを補強する補強基板として作用する
起歪体である。起歪体４は円盤状をなしており、外周部
が固定用ねじ孔５を備えた支持部６となり、中心部７に
は力伝達体８が形成され、力伝達体８の周囲には円形の
凹部９が形成されて薄肉状の弾性変形面１０が形成され
ている。この弾性変形面１０の表面には、起歪体゛４の
中心と単結晶基板１の中心とが一致するように単結晶基
板１が配置され、両者は接着されて固定されている。
起歪体である。起歪体４は円盤状をなしており、外周部
が固定用ねじ孔５を備えた支持部６となり、中心部７に
は力伝達体８が形成され、力伝達体８の周囲には円形の
凹部９が形成されて薄肉状の弾性変形面１０が形成され
ている。この弾性変形面１０の表面には、起歪体゛４の
中心と単結晶基板１の中心とが一致するように単結晶基
板１が配置され、両者は接着されて固定されている。
単結晶基板１上には検出素子３に接続して形成された接
続端子１１が設けられている。単結晶基板１に接近して
起歪体４上には、外部接続端子１２が形成されたフレキ
シブルプリント基板１３が接着して固定されている。接
続端子１１はワイヤ１５を介してフレキシブルプリント
基板１３に形成された中継端子１４に接続されている。
続端子１１が設けられている。単結晶基板１に接近して
起歪体４上には、外部接続端子１２が形成されたフレキ
シブルプリント基板１３が接着して固定されている。接
続端子１１はワイヤ１５を介してフレキシブルプリント
基板１３に形成された中継端子１４に接続されている。
単結晶基板１はゲル状樹脂２０・によって被われ、保護
されている。また、起歪体４の検出面２側にはキャップ
１６が設けられ、単結晶基板１を外気から遮断するとと
もに、単結晶基板１に傷がついたり衝撃が加えられるこ
となどから保護している。
されている。また、起歪体４の検出面２側にはキャップ
１６が設けられ、単結晶基板１を外気から遮断するとと
もに、単結晶基板１に傷がついたり衝撃が加えられるこ
となどから保護している。
力伝達体８に作用する力としては、互いに三次元的に直
交するｘ、ｙ、ｚ方向に沿う力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚと、各
軸回りのモーメントＭｘ、Ｍｙ。
交するｘ、ｙ、ｚ方向に沿う力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚと、各
軸回りのモーメントＭｘ、Ｍｙ。
Ｍｚの６成分がある。これらのうち、第５図に示される
Ｍｘ、Ｍｙ、ＦＺの３成分を検出するために、第６図（
Ａ）〜（Ｃ）に示されるブリッジ回路が形成されている
。
Ｍｘ、Ｍｙ、ＦＺの３成分を検出するために、第６図（
Ａ）〜（Ｃ）に示されるブリッジ回路が形成されている
。
力伝達体８に外力を作用させることにより、起歪体４が
変形し、この起歪体４の変形に対応して単結晶基板１に
は内部応力が発生し、これに基づく歪により検出素子３
が変形してピエゾ抵抗効果により抵抗変化ΔＲが生じる
。力の３成分Ｍ ｘ 。
変形し、この起歪体４の変形に対応して単結晶基板１に
は内部応力が発生し、これに基づく歪により検出素子３
が変形してピエゾ抵抗効果により抵抗変化ΔＲが生じる
。力の３成分Ｍ ｘ 。
Ｍｙ、Ｆｚは第６図のブリッジ回路により互いの力成分
に干渉されることなく各回路ごとにＭ ｘ 。
に干渉されることなく各回路ごとにＭ ｘ 。
Ｍｙ、Ｆｚの出力が得られる。
ここでＦｚを検出する検出素子ＲＸｌ”ＲＸ４は単結晶
基板１の表面の他の部分より高くなった面１ａに形成さ
れ、かつ、段差部の近くに配置されているので、それら
の検出素子Ｒｘ＋＝Ｒｘ４の部分では歪による応力が段
差部に集中し、Ｚ方向成分力の検出感度が高められる。
基板１の表面の他の部分より高くなった面１ａに形成さ
れ、かつ、段差部の近くに配置されているので、それら
の検出素子Ｒｘ＋＝Ｒｘ４の部分では歪による応力が段
差部に集中し、Ｚ方向成分力の検出感度が高められる。
第７図及び第８図は本発明の他の実施例を表わすもので
ある。
ある。
本実施例では検出素子３の出力の外部への取り出し手段
が前記実施例と相違している。すなわち、起歪体４は検
出素子３の出力信号を外部に取り出すためのステムを兼
ねているものであり、単結晶基板１の外周部に複数本の
リードピン１７が配設されている。
が前記実施例と相違している。すなわち、起歪体４は検
出素子３の出力信号を外部に取り出すためのステムを兼
ねているものであり、単結晶基板１の外周部に複数本の
リードピン１７が配設されている。
次に、第３図に示される単結晶基板１を形成する方法に
ついて、第９図（Ａ）〜（Ｇ）を参照して説明する。
ついて、第９図（Ａ）〜（Ｇ）を参照して説明する。
同図（Ａ）に示されるように、例えばｎ型５ｔ（１１０
）ウェハの表面に写真製版によってレジストパターン２
１を形成し、同図（Ｂ）に示されるようにエツチングを
施して島状に隆起した領域１ａを形成する。
）ウェハの表面に写真製版によってレジストパターン２
１を形成し、同図（Ｂ）に示されるようにエツチングを
施して島状に隆起した領域１ａを形成する。
次に同図（Ｃ）に示されるように、検出素子を形成する
領域に開口をもつレジストパターン２２を写真製版によ
り形成し、ボロンをイオン注入するかＰＳＧを堆積する
。そして同図（Ｄ）に示されるように、不純物拡散によ
る抵抗層である検出素子３を形成する。
領域に開口をもつレジストパターン２２を写真製版によ
り形成し、ボロンをイオン注入するかＰＳＧを堆積する
。そして同図（Ｄ）に示されるように、不純物拡散によ
る抵抗層である検出素子３を形成する。
次に同図（Ｅ）に示されるように、層間絶縁膜２３とし
てシリコン酸化膜やポリイミド膜などを形成する。１間
絶縁膜２３としては他にＳＯＧ膜。
てシリコン酸化膜やポリイミド膜などを形成する。１間
絶縁膜２３としては他にＳＯＧ膜。
又はＣＶＤ法によるＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜などを用いて
もよい。眉間絶縁膜２３上に、コンタクト孔をあけるた
めのレジストパターン２４を写真製版によって形成する
。そして同図（Ｆ）に示されるように、エツチングを施
しコンタクト孔２５を形成する。コンタクト孔２５は検
出素子３を電気的に接続するためのものである。
もよい。眉間絶縁膜２３上に、コンタクト孔をあけるた
めのレジストパターン２４を写真製版によって形成する
。そして同図（Ｆ）に示されるように、エツチングを施
しコンタクト孔２５を形成する。コンタクト孔２５は検
出素子３を電気的に接続するためのものである。
同図（Ｇ）に示されるように、検出素子３間を接続する
ために、導電体膜２６として例えばＡＱ膜、Ａｌ２−３
ｉ化合物膜又はＡｕ膜などをスパッタリング法や蒸着法
によって形成し、写真製版とエツチングによってパター
ン化して配線を形成する。そして最終の保護膜として層
間絶縁膜と同様のＰＳＧ膜、ポリイミド膜、又はプラズ
マＣＶＤ法によるＳ ｉ Ｎ ｘ膜などを形成した後、
写真製版とエツチングによって外部との接続用窓を作成
する。
ために、導電体膜２６として例えばＡＱ膜、Ａｌ２−３
ｉ化合物膜又はＡｕ膜などをスパッタリング法や蒸着法
によって形成し、写真製版とエツチングによってパター
ン化して配線を形成する。そして最終の保護膜として層
間絶縁膜と同様のＰＳＧ膜、ポリイミド膜、又はプラズ
マＣＶＤ法によるＳ ｉ Ｎ ｘ膜などを形成した後、
写真製版とエツチングによって外部との接続用窓を作成
する。
Ｚ方向の力を検出する検出素子が形成される領域１ａは
、前記実施例では隆起した領域であるが、その領域を凹
部として形成し段差を形成するようにしてもよい。
、前記実施例では隆起した領域であるが、その領域を凹
部として形成し段差を形成するようにしてもよい。
（効果）
本発明の力検出装置では、中心部と周辺部とのいずれか
一方を支持部とし他方を作用部とする起歪体の表面に単
結晶基板を接着固定し、その単結晶基板表面には面内方
向のＸ軸方向、Ｙ軸方向及び・面に垂直なＺ軸方向の力
により生ずる機械的変形により電気抵抗を変化させる各
方向別の検出素子を形成した。そのため、作用部に作用
する外力を起歪体により受けさせることができ、その起
歪体が変形することにより単結晶基板を変形させるので
、単結晶基板では受けることができない大きさの荷重を
受けることができ、また、衝撃荷重が作用部に印加され
てもその衝撃は単結晶基板に直接伝達されることがなく
、起歪体により緩衝されるので単結晶基板が脆性の高い
材料であっても十分に保護され、信頼性の高い力検出を
行うことができる。
一方を支持部とし他方を作用部とする起歪体の表面に単
結晶基板を接着固定し、その単結晶基板表面には面内方
向のＸ軸方向、Ｙ軸方向及び・面に垂直なＺ軸方向の力
により生ずる機械的変形により電気抵抗を変化させる各
方向別の検出素子を形成した。そのため、作用部に作用
する外力を起歪体により受けさせることができ、その起
歪体が変形することにより単結晶基板を変形させるので
、単結晶基板では受けることができない大きさの荷重を
受けることができ、また、衝撃荷重が作用部に印加され
てもその衝撃は単結晶基板に直接伝達されることがなく
、起歪体により緩衝されるので単結晶基板が脆性の高い
材料であっても十分に保護され、信頼性の高い力検出を
行うことができる。
また、Ｚ軸方向の成分力の検出を行う検出素子が形成さ
れている部分の基板に段差を設けたので、歪による応力
をＺ軸方向の検出素子部に集中させ、Ｚ軸方向の感度を
ｚ、Ｙ軸方向の感度と同程度に高めることができ、Ｓ／
Ｎ比を向上させることができる。
れている部分の基板に段差を設けたので、歪による応力
をＺ軸方向の検出素子部に集中させ、Ｚ軸方向の感度を
ｚ、Ｙ軸方向の感度と同程度に高めることができ、Ｓ／
Ｎ比を向上させることができる。
第１図は一実施例を示す断面図、第２図は同実施例のキ
ャップを外した状態の平面図であり、第１図は第２図の
Ａ−Ａ線位置での断面図を表わしている。第３図（Ａ）
は同実施例の単結晶基板を示す平面図、同図（Ｂ）は同
図（Ａ）のＢ−Ｂ線位置での断面図、（Ｃ）は同図（Ａ
）のＣ−Ｃ線位置での断面図、第４図は検出素子の形状
を示す平面図、第５図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は各種の
応力の発生状態を示す特性図、第６図（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）は各成分の力を検出するブリッジ回路図、第７図
は他の実施例を示す断面図、第８図は同実施例のキャッ
プを外した状態を示す平面図であり、第７図は第８図の
Ｄ−Ｄ線位置での断面図を表わしている。第９図（Ａ）
から同図（Ｇ）は一実施例における単結晶基板の製造工
程を示す断面図である。 １・・・・・・単結晶基板、 ３・・・・・・検出素子
。 ４・・・・・・起歪体、 ６・・・・・・支持部、７・
・・・・・中心部、 ｌａ・・・・・・基板表面の
隆起部。
ャップを外した状態の平面図であり、第１図は第２図の
Ａ−Ａ線位置での断面図を表わしている。第３図（Ａ）
は同実施例の単結晶基板を示す平面図、同図（Ｂ）は同
図（Ａ）のＢ−Ｂ線位置での断面図、（Ｃ）は同図（Ａ
）のＣ−Ｃ線位置での断面図、第４図は検出素子の形状
を示す平面図、第５図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は各種の
応力の発生状態を示す特性図、第６図（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）は各成分の力を検出するブリッジ回路図、第７図
は他の実施例を示す断面図、第８図は同実施例のキャッ
プを外した状態を示す平面図であり、第７図は第８図の
Ｄ−Ｄ線位置での断面図を表わしている。第９図（Ａ）
から同図（Ｇ）は一実施例における単結晶基板の製造工
程を示す断面図である。 １・・・・・・単結晶基板、 ３・・・・・・検出素子
。 ４・・・・・・起歪体、 ６・・・・・・支持部、７・
・・・・・中心部、 ｌａ・・・・・・基板表面の
隆起部。
Claims (1)
- （１）中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部とし他
方を作用部とする起歪体の表面に単結晶基板を接着固定
し、その単結晶基板表面には面内方向のＸ軸方向、Ｙ軸
方向及び面に垂直なＺ軸方向の力により生ずる機械的変
形により電気抵抗が変化する各方向別の検出素子を形成
するとともに、Ｚ軸方向の成分力の検出を行う前記検出
素子が形成されている部分の基板に段差を設けた力検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291295A JPH01131425A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291295A JPH01131425A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 力検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131425A true JPH01131425A (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=17767037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291295A Pending JPH01131425A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01131425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010025736A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Honda Motor Co Ltd | 力覚センサ |
| WO2016199286A1 (ja) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | 株式会社日立製作所 | ひずみ検出システム、および取り付け方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62291295A patent/JPH01131425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010025736A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Honda Motor Co Ltd | 力覚センサ |
| WO2016199286A1 (ja) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | 株式会社日立製作所 | ひずみ検出システム、および取り付け方法 |
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