JPH0382928A

JPH0382928A - 力・モーメント検出装置

Info

Publication number: JPH0382928A
Application number: JP1221307A
Authority: JP
Inventors: Tomokazu Sendai; 智一千代; Hideo Morimoto; 英夫森本
Original assignee: Nitta Corp
Current assignee: Nitta Corp
Priority date: 1989-08-25
Filing date: 1989-08-25
Publication date: 1991-04-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、ロボットの力覚センサ等として使用される
力・モーメント検出装置に関するものであって、特に６
成分の力及びモーメントを検出できるようにしたもので
ある。

〔従来の技術〕

従来より、力・モーメント検出装置として、半導体の単
結晶基板を利用して力ないしモーメン＋−を検出する装
置が知られている。その−例として、特開昭６３−２２
６０７４号公報に開示されている力検出装置について説
明する。

この力検出装置は、゛機械的変形により電気抵抗を変化
させる検出素子を備えた検出面が一面に形成された半導
体等の単結晶基板と、中心部と周辺部のいずれか一方を
支持部とし、他方を作用部とした起歪体を備えて成り、
この起歪体の表面に前記単結晶基板を接着固定したもの
である。この構成により、検出素子を単結晶基板の表面
に直接的に形成した場合に、作用部に作用する外力を起
歪体により受けさせることができ、その起歪体が変形す
ることにより単結晶基板を変形させるので、単結晶基板
では受けることのできない大きさの荷重を受けることが
でき、また、衝撃荷重が作用部に印加されても、その衝
撃は単結晶基板に直接伝達されることがなく、起歪体に
より緩衝されるので、単結晶基板が脆性の高い材質であ
っても十分に保護される等の効果を有するものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前記力検出装置では、互いに三次元的に直交す
るｘ、Ｙ及びＺの三軸に沿う力（Ｆｘ、Ｆｙ　、　Ｆｚ
　）と、三軸の周りのモーメント（Ｍｘ、Ｍｙ　、　Ｍ
ｚ　）の合計６成分のうち、３成分しか検出できないと
いう問題がある。すなわち、単結晶基板に沿ってＸ軸及
びＹ軸、単結晶基板に直角にＺ軸を設定すると、Ｍｘ　
、Ｍｙ及びＦｚの３戒分しか検出できないのである。ノ
Ｊ検出装置をロボット等に装着する場合には、３成分の
力ないしモーメントを検出できるだけでは不十分であり
、前記６成分のすべてを検出できることが必要である。

また、前記力検出装置は、検出可能な力及びモーメント
が改善されているが、未だ十分ではない。

そこでこの発明は、Ｘ、Ｙ及びＺの三軸に沿う力（Ｆｘ
　、　Ｆｙ　、　Ｆｚ　）と、当該三軸周りのモーメン
ト（Ｍｘ　、　Ｍｙ　、　Ｍｚ　）の６戒分をすべて検
出することができると共に、検出を高感度で行うことが
でき、しかも、非常に大きなノコ及びモーメントまで検
出できる力・モーメント検出装置を提供することを目的
とする。

［課題を解決するための手段］前記目的を達成するためこの発明が講した技術的手段は
、次の通りである。

すなわち、互いに相対変位可能に設けられた二つの要素
と、前記両要素間に設けられた、前記両要素間の相対変
位を感知して力及びモーメントを検出する複数の力・モ
ーメント検出ユニットを備えて成り、前記複数の検出ユニットは、前記両要素の中心軸の周り
に等間隔に配置されており、さらに前記各検出ユニットは、機械的変形によって電気
抵抗を変化させる検出素子を一面に形成した単結晶基板
と、当該単結晶基板に接着された、中心部と周辺部のい
ずれか一方を支持部とし他方を作用部とした起歪体と、
当該起歪体に接続された力伝達体とを有しており、前記起歪体及び力伝達体のいずれか一方が前記両要素の
一方に接続され、他方が前記両要素の他方番こ接続され
ていることを特徴とするものである。

前記力伝達体は、棒状体から構威することができ、この
場合は、当該力伝達体を、前記両要素の中心軸に直交す
るように設けるのが好ましい。

また、前記両要素のうちの一方を、プレート部の片面に
突出部を設けて構威し、他方を、プレート部の片面に前
記突出部が嵌入可能な壁を設けて構成して、前記突出部
と壁の間の隙間に前記検出ユニットを設けることも可能
である。

［作用〕以上の技術的手段により、前記両要素間に相対的変位が
生しると、各検出ユニットの力伝達体を通じて力ないし
モーメントが起歪体に伝達され、これによって単結晶基
板に内部応力が発生する。

この内部応力による歪みによって検出素子が変形し、ピ
エゾ抵抗効果によってその抵抗が変化する。

この抵抗変化を電気信号として取り出すと、両要素間に
作用した力及びモーメントを検出することができる。

ここで、単結晶基板に設けた検出素子の配置を適当に設
定すると、検出ユニットに設定した互いに直交するａ、
ｂ、ｃの３軸方向に沿う力Ｆ＠、Ｆ、　、Ｆ、　と、当
該３軸周りのモーメントＭ３、Ｍ、　、Ｍｃのうち、ａ
軸周りのモーメントＭ、、、ｂ軸周りのモーメントＭ、
及びＣ軸方向の力Ｆｃを互いに独立して検出することが
できる。

この検出ユニットを複数個組み合わせて、両要素の中心
軸の周りに等間隔に配置すると共に、起歪体及び力伝達
体のいずれか一方を一方の要素に接続し、他方を他方の
要素に接続すると、両要素の変位は複数の検出ユニット
によって独立して検出される。

そこで、各検出ユニットを適切に配置して、検出ユニッ
トのａ、ｂ、ｃの３軸が検出装置に設定したＸ、、Ｙ、
Ｚの３軸と一定の関係を持つようにすると、各検出ユニ
ットのａ、ｂ、ｃ軸での出力信号を適宜加算することに
よって、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸での６戒分、すなわちχ、Ｙ及び
Ｚの三軸に沿う力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚと、当咳三軸周りの
モーメントＭｘ　、Ｍｙ　、Ｍｚの出力信号を得ること
ができる。

また、この検出装置は、複数の検出ユニットによって両
要素間に作用する力及びモーメントを支持するので、検
出可能な力及びモーメントは、検出ユニント単独の装置
に比べて非常に大きいものとなる。

さらに、検出ユニットに検出素子を有する単結晶基板を
用いて、ピエゾ抵抗効果を利用して力及びモーメントを
検出するので、検出感度が高いものとなる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を添付図面を参照しながら説明
する。

全止構成まず、この発明に係る力・モーメント検出装置の全体構
成について説明する。

第１図〜第４図に示すように、力・モーメント検出装置
（ｌＯ）は、互いに相対変位可能に設けられた上部要素
（１１）と下部要素（１２）を備えている。両要素（１
１）（１２）は、４個の検出ユニット（３０）によって
互いに接続してあり、前記両要素（ｌ　ｌ）　（１２）
間の変位によって生じる力ないしモーメントを前記検出
ユニット（３０）で検出するようになっている。

上部要素（１１）は、円形のプレート部（１１，ａ）と
、その中央位置に下方に向けて突出形成された直方体状
の突出部（ｌｌｂ）から成り、中心位置に上下に貫通す
る円形透孔（１３）が形成しである。この円形透孔（１
３）には、各検出ユニッ）　（３０）から引き出された
ＦＰＣ基板（４３）が挿通される。

前記突出部（ｌｌｂ）は、プレート部（ｌｌａ）に平行
な断面を正方形としており、その４個の側面を検出ユニ
ット（３０）の取付面（１４）としている。従って、各
取付面（１４）Ｉは、プレート部（ｌｌａ）に対して直
角をなしており、しかも突出部（ｌｌｂ）ひいては上部
要素（１１）の中心軸の周りに９０°毎に等間隔に配置
されていることになる。突出部（ｌｌｂ）には、さらに
、前記取付面（１４）より内側に向かって切欠すること
により、検出ユニット（３０〉の一部を収容する４個の
室（１５）が設けである。これらの室（１５）は、連絡
孔（１６）を介して前記円形透孔（１３）にそれぞれ連
通している。なお（Ｉ７）は、検出装置（１０）をロボ
ット等に取り付けるためのネジ孔である。

検出ユニッ）　（３０）は、円板状の起歪体（３１）の
取付面（３５）を取付面（１４）に接してポル）　（２
１）によって固定しである。従って、起歪体（３１）及
びその表面に接着された半導体単結晶基板（３２）は、
前記両要素（１１）　（１２）の中心軸に平行になって
いる。

下部要素（１２）は、円形のプレート部（１２ａ）と、
その上面の周縁付近に正方形を描くように立設された壁
（１２ｂ）から戒っており、プレート部（１２ａ）は上
部要素（１１）のプレート部（ｌｌａ）に平行になって
いる。前記壁（１２ｂ）は、隙間（１日）をあけて前記
突出部（ｌｌｂ）を取り囲むように形成してあり、突出
部（ｌｌｂ）を壁（１２ｂ）の中に嵌入したような形に
なっている。検出ユニント（３０）は、こうして壁（１
２ｂ）と突出部（ｌｌｂ）の間に形成された隙間（１８
）内に収容されている。突出部（ｌｌｂ）の下面とプレ
ート部（１２ａ）の内面の間にも、隙間（２０）がおい
ている。プレート部（１２ａ）には、上部ユニット（１
１）と同様の取付用のネジ孔（１９）が設けである。

検出ユニッ）　（３０）は、起歪体（３Ｉ）に接続され
た棒状の力伝達体（３３）の端を前記壁（１２ｂ）に接
してボルト（２２）によって固定されている。この力伝
達体（３３）は起歪体（３１）に直交しているので、力
伝達体（３３）は両プレート部（ｌｌａ）　（１２ａ）
に平行になっている。

扶丑１ジとム上次に、前記検出ユニッ）　（３０）の構成を詳細に説明
する。

検出ユニソ）　（３０）は、第５図〜第７図に示すよう
に、円板状の起歪体（３１）と、当該起歪体（３１）の
表面に接着された正方形の単結晶基板（３２）と、前記
起歪体（３１）の中心に直角をなして突設された丸棒状
の力伝達体（３３）とを有している。単結晶基板（３２
）は、起歪体（３１）の上面（力伝達体（３３）と反対
側の面）に形成された円形の窪み（３４）内に設けられ
ている。

起歪体（３１）の下面（力伝達体（３３）側の面）には
、力伝達体（３３）を取り囲むように円環状の凹部（３
５）が形成してあり、この凹部（３５）により起歪体（
３１）の肉厚を薄くして弾性変形部（３６）を形成して
いる。

起歪体（３１）に力ないしモーメントが作用すると、は
とんど弾性変形部（３６）のみが変形し、これによって
単結晶基板（３２）が変形するようにしているのである
。起歪体（３１）の上面周縁には、取付の際に上部要素
（１１）の取付面（１４）に接する取付面（３７）が設
けてあり、取付面（３７）にはさらに、取付用のポル）
　（２１）が貫通する貫通孔（３８）が設けである。

単結晶基板（３２）は、この実施例ではシリコン単結晶
体から構成されており、接着面と反対側を検出面（３９
）としている。検出面（３９）　４こは、第７図に明瞭
に示すように１２個の検出素子（４０）を形成・配置し
ている。これらの検出素子（４０）は、ピエヅ抵抗効果
を利用して力及びモーメン１〜を検出するもので、検出
素子（４０）に生した歪みを電気抵抗の変化に変えて電
気信号として出力するものである。

１２個の検出素子（４０）は、互いに直交するａ、ｂ、
ｃ３軸においてＣ軸方向の力ＦＣ，ａ軸周りのモーメン
トＭ、及びｂ軸周りのモーメントＭ。

を検出するように構成してあり、このうち、Ｃ軸方向の
力ＦＣを検出する素子ＲＣ１％　ＲＣ２、Ｒｃｆｆ、１Ｒｃ４は、半導体基板（３２）を三等分する線に沿って
配置しである。ａ軸周りのモーメンｌ−Ｍ、を検出する
素子Ｒ□、Ｒ，□、Ｒａ３、Ｒａ４は、前記二等分線に
対して４５°をなず線に沿って配置してあり、ｂ軸周り
のモーメントＭｂを検出する素子Ｒ８、Ｒｂｚ、Ｒｂ３
、Ｒｂ４は、前記二等分線に対してＲｏ、Ｒｏ、Ｒａ３
、Ｒｏと反対側に４５°をなす線に沿って配置しである
。検出素子（４０）は、いずれも細長い棒状とされてほ
とんど長手方向にのみ電流が流れるようにしてあり、ま
た弾性変形部（３６）の範囲内にある。なお前記３軸は
、Ｃ軸を力伝達体（３３）に沿って、ａ軸及びｂ軸を起
歪体（３１）に沿って設定している。

例えば、単結晶基板り３２）としてｎ−３ｉ　（１１０
）ウェハを使用した場合、Ｒ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒｏ
と、Ｒｈ１ｓ　ＲｂＺ、Ｒｂｕｓ　Ｒｂ４なる検出素子
（４０）は、＜１１０＞方向に対して４５°をなず方向
に配置され、Ｒｃ１、ＲｃＺ、ＲＣ３、Ｒｃ４なる検出
素子（４０）は、＜１１０＞方向に配置される。

検出面り３９）には、さらに各検出素子（４０）に接続
２された１２個の電極（４１）が設けてあり、これらの電
極（４１）を介して検出素子（４０）の出力信号を取り
出すようにしている。

起歪体（３１）の窪み（３４）には、単結晶基板（３２
）の周囲に、正方形の溝（４２）を介してＦＰＣ（フレ
キシブル　プリント　ザーギント）基板（４３）が接着
しである。当該ＦＰＣ基板（４３）には、１２個のポン
ディングパッド（４４）が取り付けてあり、検出素子（
４０）の電極（４１）との間にワイヤボンディング線（
４５）が架けである。こうして、各検出素子（４０）の
出力信号をＦＰＣ基板（４３）に伝達し、ＦＰＣ基板（
４３）を介して各出力信号を独立して外部に引き出すよ
うにしている。なお、前記溝（４２）によって、単結晶
基板（３２）とＦＰＣ基板（４３）は隔離されているの
で、これらは相互に影響を及ぼずことはない。

前記単結晶基板（３２）及びＦＰＣ基板（４３）は、起
歪体（３１）の上面に取り付けた保護カバー（４６）に
よって覆われており、単結晶基板（３２）を外気と遮断
している。

なお、力伝達体（３３）の下端には、取付用のネジ孔（
４７）が設けである。

以上の構成とした検出ユニツト（３０）は、起歪体（３
１）側は、取付面（３７）を上部要素（１１）の取付面
（１４）に接触させると共に、貫通孔（３８）にボルト
（２１）を挿通して取付面（１４）にネジ込むことによ
り固定してあり、他方、力伝達体（３３）側は、力伝達
体（３３）の端を下部要素（１２〉の壁（ＩＴｏ）に接
触させると共に、ボルト（２２）を壁（ｌｌｂ）を貫通
してツノ伝達体（３３）のネジ孔（４７）にネジ込むこ
とにより固定しである。

各検出素子（４０）の出力信号は、第８図にＲｏ、Ｒ３
□、Ｒ−ｉ、Ｒ□なる検出素子（４０）について例示し
ているように、４個の検出素子（４０）毎にブリッジを
紐んで検出される。ずなわち、Ｒｏ、Ｒ，□、Ｒａ３、
Ｒａ４によって１のブリッジが形成され、Ｒ１、ＲｂＺ
、Ｒｂ３、Ｒｂａによって他のブリッジが形成され、Ｒ
ｃ１、ＲｅＺ、Ｒｅ３、Ｒｃ４によってさらに他のブリ
ッジが形成されているのである。こうすることにより、
ＦＣ，Ｍ、及びＭ、を互いに干渉されることなく独立し
て検出することができる。

なお、第９図は、ａ軸周りのモーメントＭ８が作用した
時に単結晶基板（３２）の弾性変形部（３６）に生しる
応力を示す。

作動１漉次に、以上の構成とした力・モーメント検出装置（１０
）の作動状態について説明する。

ます力・モーメント検出装置（１０）について、互いに
直交するχ、Ｙ、Ｚの３軸を第１図〜第４図に示すよう
に設定する。すなわち、Ｘ軸及びＹ軸が上部要素（１１
）及び下部要素（１２）のプレート部（１１、ａ）　（
１２ａ）に平行で、且ついずれか一方の軸が検出ユニン
１−（３０）の力伝達体（３３）に沿うように設定し、
Ｚ軸が両プレート部（ｌｌａ）　（１２ａ）に直交する
ように設定する。そして、各検出ユニツト（３０）につ
いて設定したａＸｂ、ｃの３軸を、Ｘ、Ｙ、Ｚの３軸に
対して第１０図に示すように設定する。

４個の検出ユニッ）　（３０）のａ軸は、すべてＺ軸に
一致し、ｂ軸はＸ−Ｙ平面内で左周りとなるように延び
、Ｃ軸はＸ軸またはＹ軸に平行となる。各座標軸での力
及びモーメンｌ−の向きの関係は、第１０図に示す通り
である。なお、ａ軸でなくｂ軸をＺ軸に一致させるよう
にしてもよい。

各検出ユニット（３０）の出力信号の極性と力ないしモ
ーメントの方向を特に一致させる必要はないが、便宜上
、第１０図の矢印方向に力ないしモーメン］・が作用す
る場合に、各検出ユニン）　（３０）の出力信号が無負
荷時に比べて増加するように配線をするのが好ましい。

以下の説明では、４個の検出ユニット（３０）を区別す
るため、第１０図に示すように、各検出ユニッＩ−（３
０）を右同りに第１〜第４とし、作用する力ないしモー
メントにもＦＣ，、Ｍ□、ＭｂＩにように１〜４の符号
を付けることにする。

下部要素（１２）を支持して上部要素（１１）にＸ軸方
向の力を作用させた場合を考えると、第４図に示すよう
に、第１の検出ユニット（３０）のａ軸周りのモーメン
）Ｍ□の出力が減少し、第３の検出ユニット（３０）の
ａ軸周りのモーメン）Ｍ、、の出力が増加する。また、
第２の検出ユニッ１−（３０）のＣ軸方向の力ＦＣ２が
減少し、第４の検出ユニッｌ−（３０）のＣ軸方向の力
Ｆゎ、が増加する。

また、下部要素（１２）を支持して上部要素（１１）に
Ｚ軸方向の力を作用させた場合には、各検出ユニット（
３０）のｂ軸周りのモーメントＭ０、Ｍ　ｂ２、Ｍ、３
、Ｍｂ４がいずれも増加する。

以下同様にして、各方向に力ないしモーメン］・が作用
したときの、各検出ユニツト（３０）の出力の関係をま
とめると、表１のようになる。表１において、＋は増加
、−は減少を示す。

表１（以下余白）ｎ表１によれば、Ｆ、は、Ｍｌ及びＭｌの出力電圧を加算
（Ｍ、、＋Ｍ、３）Ｌ、あるいはＦｃｚ及びＦｃ４の出
力電圧を加算（Ｆｃ２＋ＦＣ，）して検出できる。

Ｆ、は、Ｍ、及びＭ、の出力電圧を加算（Ｍ、□＋Ｍａ
＜）’、あるいはＦｃｌ及びＦｃ３の出力電圧を加算（
Ｆ、十Ｆｃｆｆ）　Ｌ、て検出できる。

Ｆｌｌは、Ｍ１、Ｍ　＞　ｚ、Ｍｂ３及びＭｂ＜の出力
電圧を加算（Ｍ　ｂ　ｌ　＋　Ｍ　ｂ　！　＋　Ｍ　ｂ
　３　＋　Ｍ　ｂ　４　）　して検出できる。

Ｍ、は、Ｍｂｌ及びＭ　６３の出力電圧を加算（Ｍ　ｂ
＋Ｍｂ＋）して検出できる。

Ｍ、は、Ｍｂ□及びＭ　＞　４の出力電圧を加算（Ｍｂ
２＋Ｍｂ４）して検出できる。

Ｍ２は、Ｍｏ、Ｍ、□、Ｍ　、　３及びＭ、の出力電圧
を加算（Ｍ−＋＋Ｍ−ｚ＋Ｍ−＋＋Ｍ−ｓ）して検出で
きる。

従って、上部要素（１１）及び下部要素（１２）の間に
作用する６個の力及びモーメン）ＦＸ、Ｆｙ、Ｆ、　、
Ｍ、　、Ｍ、、Ｍ、は、表１に基づいて公知の加算回路
で検出できることになる。

ＦＸを検出する回路の例を第１１図に示す。この回路に
よれば、入力Ｅ　、１、Ｅ、□にＭ８．及びＭ１１３の
出力電圧あるいはＦ　ｃｚ及びＦｃ４の出力電圧を入力
すれば、下式によって出力Ｅ。としてＦ、の信号が出力
される。

ここで、Ｒ，＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｒ，とすれば、Ｅ、　−Ｅ
ｔ、＋Ｅ＋ｚＦｙ１Ｆ２、Ｍ、１．、Ｍｙ、、Ｍ２についてもまった
く同様にして検出することができる。

なお、以上の実施例では検出ユニット（３０）を４個設
けているが、この発明は４個に限られるものではなく、
複数個の検出ユニッ）　（３０）を組み合わせれば実施
可能である。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、この発明の力・モーメ
ント検出装置（１０）は、上部要素（１１）と下部要素
（１２）を設けてそれに複数個の検出ユニット（３０）
を絹み合わせることにより、Ｘ、Ｙ及びＺの＝軸に沿う
力（Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ　）と、当該三軸周りのモーメン
ト（Ｍｘ　、Ｍｙ　、　Ｍｚ　）の６成分をすべて検出
することができる。

また、各検出ユニット（３０）は、単結晶基板（３２）
に設けた検出素子（４０）によってピエゾ抵抗効果を利
用して検出するので、前記検出を高感度で行うことがで
きる。

さらに、複数個の検出ユニット（３０）によって両要素
（１１）（１２）に作用する力を受は止めるので、検出
ユニソ）　（３０）単独で受は止めるのに比べて非常に
大きな力及びモーメン］・を検出することができる。

検出ユニッｌ−（３０）の力伝達体（３３）を棒状体か
ら構成し、両要素（１１）　（１２）の中心軸に直交す
るように設けると、検出装置（１０）に設定したＸ、Ｙ
及びＺの三軸と検出ユニット（３０）に設定したａ、ｂ
、Ｃの３軸の関係が簡単になり、検出ユニット（３０）
の出力信号の解析が簡単になる。

３一方の要素（１１）を、プレート部（ｌｌａ）の片面に
突出部（ｌｌｂ）を設けて構成すると共に、他方の要素
（１２）を、プレート部（１２ａ）の片面に前記突出部
（ｌｌｂ）が嵌入可能な壁（１２ｂ）を設けて構威し、
突出部（ｌｌｂ）と壁（１，２ｂ）の間に検出ユニント
（３０）を設けると、検出装置（１０）をコンパクトに
することができ、しかも検出ユニン）　（３０）を外部
に露出しないようにすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は、この発明に係る力・モーメント検出
装置の一実施例を示したもので、第１図は縦断面図、第
２図は全体構造を示す概略斜視図、第３図は横断面説明
図、第４図は一方の要素が水平方向に変位した状態を示
す横断面説明図である。第５図は、同検出装置に用いた検出ユニットの縦断面図
、第６図は保護カバーを取り除いた状態の平面図、第７
図は部分拡大平面図である。第８図はブリンジ回路図、第９図は応力発生状態を示す
特性図、第１０図は座標軸の関係を示す説明図、第１１
図は加算回路である。４

Claims

【特許請求の範囲】１、互いに相対変位可能に設けられた二つの要素と、前
記両要素間に設けられた、前記両要素間の相対変位を感
知して力及びモーメントを検出する複数の力・モーメン
ト検出ユニットを備えて成り、前記複数の検出ユニットは、前記両要素の中心軸の周りに等間隔に配置されており、さらに前記各検出ユニットは、機械的変形によって電気抵抗を変化させる検出素子を一面に形成し
た単結晶基板と、当該単結晶基板に接着された、中心部
と周辺部のいずれか一方を支持部とし他方を作用部とし
た起歪体と、当該起歪体に接続された力伝達体とを有し
ており、前記起歪体及び力伝達体のいずれか一方が前記両要素の一方に接続され、他方が前記両要素の他方
に接続されていることを特徴とする力・モーメント検出
装置。２、前記力伝達体が棒状体から構成されており、しかも
当該力伝達体が、前記両要素の中心軸に直交するように
設けられている請求項１に記載の力・モーメント検出装
置。３、前記両要素のうちの一方が、プレート部の片面に突
出部を設けて成ると共に、他方が、プレート部の片面に
前記突出部が嵌入可能な壁を有しており、前記突出部と
壁の間の隙間に前記検出ユニットが設けられている請求
項１または２に記載の力・モーメント検出装置。