JPH01132625A - 光学材料 - Google Patents

光学材料

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JPH01132625A
JPH01132625A JP62288527A JP28852787A JPH01132625A JP H01132625 A JPH01132625 A JP H01132625A JP 62288527 A JP62288527 A JP 62288527A JP 28852787 A JP28852787 A JP 28852787A JP H01132625 A JPH01132625 A JP H01132625A
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JP
Japan
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hydrocarbon group
heptene
polymer
dodecene
carbon atoms
Prior art date
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Pending
Application number
JP62288527A
Other languages
English (en)
Inventor
Kohei Goto
幸平 後藤
Takeshi Komiya
全 小宮
Noboru Yamahara
山原 登
Akira Iio
飯尾 章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Priority to EP88310771A priority patent/EP0317262B1/en
Priority to EP90117635A priority patent/EP0409291B1/en
Priority to DE3855009T priority patent/DE3855009T2/de
Priority to DE3854958T priority patent/DE3854958T2/de
Priority to KR1019880015068A priority patent/KR970002522B1/ko
Publication of JPH01132625A publication Critical patent/JPH01132625A/ja
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  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオディスク、コンパクトディスク、追記
可能な光ディスク、記録・消去・再生可能な光ディスク
、プラスチックレンズなどの材料として好適に使用され
る光学材料に関するものである。
〔従来の技術〕
近年において、透明性樹脂は、自動車部品、照明機器、
電気部品、雑貨など通常の透明性が要求される成形材料
として使用される以外に、光学的性質を重要視する光学
材料として応用されてきている。そして光学材料として
は、単なる透明性のみならず、これまで以上に従来の透
明性樹脂では満足し得ない高度の機能が要求されている
例えば、光学材料としての光ディスクの基板材料として
は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂、ポリシクロヘキシルメタクリレート樹脂、アルキ
ルメタクリレートとメチルメタクリレート、スチレンま
たは他の単量体との共重合体樹脂、嵩高いエステル基を
有するメタクリル酸エステルを含む重合体、チーグラー
・ナツタ−触媒によるエチレンとノルボルネン系炭化水
素化合物による共重合体(特開昭61−292601号
公報)やメタセシス触媒によるテトラシクロドデセン系
炭化水素化合物の単独、またはノルボルネン系炭化水素
化合物による開通(共)重合体を水素添加して得られる
重合体(特開昭60−26024号公報)、あるいは極
性置換基を有するノルボルネン誘導体の開通重合体また
は開環共重合体からなる光学材料(特開昭62−198
01号公報、特開昭62−19802号公報)が知られ
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述の光学材料は、特に光ディスクの基
板材料として要求される低複屈折性、低吸湿性、機械的
強度、記録層に対する接着性のすべてを満足するもので
はない。
例えば、複屈折性が大きいポリスチレン樹脂やポリカー
ボネート樹脂は、レーザー光による情報再生時にエラー
が多くなり、また吸湿性の大きいポリメチルメタクリレ
ート樹脂は、吸湿によって変形が生ずるために情報再生
時にエラーが多くなると共に、吸湿による記録膜の変質
が生ずるおそれが大きい。またポリシクロへキシルメタ
クリレート樹脂は、ガラス転移点が低いため耐熱性が劣
るという問題点があり、メチルメタクリレートとの共重
合体は吸湿性が大きく、一方スチレンとの共重合体は複
屈折性が増大して光学的性質が劣ったものとなる。
また、チーグラー・ナツタ−系触媒から得られるノルボ
ルネン系炭化水素(共)重合体は、複屈折性、吸湿性お
よび耐熱性は改善されているものの、接着性に関与する
官能基をもたないため、記録層に対する接着性が劣ると
いう欠点を有している。
また、従来開示されている極性置換基を有するノルボル
ネン誘導体の開II(共)重合体からなる光学材料につ
いて、ガラス転移温度を高くするような極性置換基を選
択すれば、飽和吸水率が高くなり、一方、飽和吸水率を
低くするような極性置換基を選択すれば、ガラス転移温
度が低くなってしまうため、高いガラス転移温度と低吸
水性の両者を共に満足した光学材料を得ることが困難で
あった。
以上のように、従来、十分な光学的性質、低吸湿性、耐
熱性および記録層に対する優れた接着性を有する光学材
料としては、好適なものは殆ど得られていないのが現状
である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、光学樹脂材料としてのメタセシス開m(
共)重合体について鋭意検討を重ねた結果、極性置換基
を有するテトラシクロドデセン誘導体によれば、ノルボ
ルネン誘導体を主成分とするメタセシス開il(共)重
合体によっては満たされない要求性能、特に、高いガラ
ス移転温度と低吸水性を兼ね備えた光学材料としての要
求性能を満足するものが得られることを見出し、本発明
に到達した。
本発明は、優れた光学的性質、低吸湿性、および耐熱性
を有する光学材料を提供することを目的とする。
本発明の光学材料は、下記一般式(1)で表わされるテ
トラシクロ[4,4,0,12・5、17、10]−ド
デセン誘導体の少なくとも1種の開環重合体または該誘
導体と他の共重合性モノマーとの共重合体からなること
を特徴とする。
一般式(1) 〔式中^1およびB1は水素原子または炭素数1〜10
の炭化水素基、xlおよびYlは水素原子、炭素数1〜
10の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換
された炭素数1〜10の炭化水素基、+CH2)RCO
OR’、+CH,) 、DCOR+ 、÷CH2)−C
N 。
−+CL) 、C0NR”R3、−+CH2)、C00
Z 、 −+CH2)、0COZ 。
+CI(、)、OZ 、÷CHz) hwまたはxlと
Ylから構成されびYlの少なくとも1つは水素原子お
よび炭化水素基から選ばれた基以外の基である。なあ、
RISRl、R3およびR4は炭素数1〜20の炭化水
素基、Zは炭化水素基またはハロゲンで置換された炭化
水素基、Wは5iRS、口3−P (R”は炭素数1〜
lOの炭化水素基、Dはハロゲン原子、−ロCOR’ま
たは−OR’。
pは0〜3の整数を示す)、nは0〜10の整数を示す
。〕 上記一般式(1)で表わされるテトラシクロデセン誘導
体の具体例としては、 8−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4,0゜12
・5.17・10]−ドデセン、 8−カルボキシエチルテトラシクロ[4,4,0゜1”
”]−]3−ドデセン 8−カルボキシn−プロピルテトラシクロ[4゜4.0
.1’°5.17°1°]−3−ドデセン、8−カルボ
キシイソプロピルテトラシクロ[4゜4、0.1”°’
、l””] −3−)’f−t=7.8−カルボキシn
−ブチルテトラシクロ[4,4゜o、 p、 s、 I
ff””]−]3−ドデセン8−カルボキシイソブチル
テトらシクロ[4,4゜0、1”−’、 1’10] 
−3−ドデセン、8−カルボキシ5ec−ブチルテトラ
シクロ[4゜4.0.1”°Jffe161−3−ドデ
セン、8−カルボキシt−ブチルテトラシクロ[4,4
゜0.12°5,17°”]−]3−ドデセン8−カル
ボキシフェニルテトランクロ[4,4,0゜12・5、
17、10]−ドデセン、 8−メチル−8−カルボキシメチルテトラシクロ[4,
4,0,1”・5、17、10]−3−ドデセン、8−
メチル−8−カルボキシエチルテトラシクロC4,4,
0,1”°5、17、”]−]3−ドデセン8−メチル
−8−カルボキシn−プロピルテトラシクロ[4,4,
O,12・5.17・”]−]3−ドデセン 8−メチル−8−カルボキシイソボルニルテド ラシク
ロC4,4,Q、 l’−’、 1’・”]−]3−ド
デセン 8−メチル−8−カルボキシn−ブチルテトラシクロ[
4,4,0,12°5゜17′”]−]3−ドデセン8
−メチル−8−カルボキシ5ec−ブチルテトラシクロ
[4,4,O,l’°S、 11+ 10]−ドデセン
、 8−メチル−8−カルボキシt−ブチルテトラシクロ[
4,4,0,12°5.17°”]−]3−ドデセン8
−カルボキシブチル−9−フェニルテトラシクロ[4,
4,0,1” ’、 1’°10]−ドデセン、8.9
−ジカルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0、1”
’、 1’・”]−]3−ドデセン8−カルボキシシク
ロへキシルテトラシクロ[4,4,0,1”・3.17
・”]−]3−ドデセン8−カルボキシ(4°−t−ブ
チルシクロヘキシル)テトラシクロ[4,4,0,1”
”5゜1””]−]3−ドデセン 8−メチル−8−カルボキシシクロへキシルテトラシク
ロ[4,4,0,1”・5.11°10]−ドデセン、 8−メチル−8−カルボキシ(4°−t−ブチルシクロ
ヘキシル)テトラシクロ[4,4,0,12・5゜17
10コ 3−ドデセン、 8−カルボキシメンチルテトラシクロ[4,4,0゜1
2・5、17、”]−]3−ドデセン8−メチル−8−
カルボキシメンチルテトラシクロ[4,4,0,1”°
5.17”I0]−3−ドデセン、8−カルボキシボル
ニルテトランクロ[4,4,0゜12・5.17・10
]−ドデセン、 8−メチル−8−カルボキシボルニル[4,4,0゜1
2″5.17°”]−]3−ドデセン8−カルボキシイ
ソボルニル[4,4,0,1”“5゜1’10] −3
−ドデセン、 ゛ 8−メチルー8−カルボキシイソボルニル[4゜4.0
.12”S、1ff+lOコ −3−ドデセン、8−カ
ルボキシアダマンチル[4,4,0,12−’。
1’−”]−]3−ドデセン 8−メチル−8−カルボキシアダマンチル[4゜4.0
.12・5.17・”]−]3−ドデセン8−カルボキ
シビシクロ[2,2,1]−2−ヘプチル[4,4,0
,1’・3.1′・”]−]3−ドデセン8−メチル−
8−カルボキシビシクロ[2,2,1]−]2−ヘプチ
ル4.4.0.1”・S、 p、 +°ココ−−ドデセ
ン、 8−カルボキシテトラシクロ[4,4,0,12°5゜
17・”]−]3−ドデシル4.4.0.12・5.1
7・10]−3−ドデセン、 8−メチル−8−カルボキシテトラシクロ[4゜4.0
.12°5.11°10]−3−ドデシル[4,4,0
゜12・5.17・10]−ドデセン、 8−カルボキシトリシクロ[5,2,1,0”・6コー
8−デシル−[4,4,0,12・5.17・”]−]
3−ドデセン 8−メチル−8−カルボキシトリシクロ[5,2゜1.
02・6]−8−デシル[4,4,0,12・5,17
・10コ−3−ドデセン、 8−カルボキシペンタシクロ[6,5,1,13“6.
02・7゜09・1!コー4−ペンタデシル[4,4,
0,12°5゜17・10]−3−ドデセン、 8−メチル−8−カルボキシペンタシクロ[6゜5、1
.13− ”、 0”・1.0s・13]−4−ペンタ
デシル[4,4,0,1”°5.17°”]−]3−ド
デセン8−カルボキシトリシクロ[6,2,1,0”=
 ’] −9−ウンデシル[4,4,0,1”°5、1
7、”]−]3−ドデセン 8−メチル−8−カルボキシトリシクロ[6,2゜1.
02°1]−9−ウンデシル[4,4,0,12・5゜
1.7・10]−3−ドデセン、 8−カルボキシペンタシクロ[6,6,1,1”°6゜
02・’、O”′”] −]4−ヘキサデシル4.4.
0゜12・Jff+lO]−ドデセン、 8−メチル−8−カルボキシペンタシクロ[6゜6、1
.1’”6.02・ff、P+14コー4−ヘキサデシ
ル[4,4,0,1’・J?+IO]−ドデセン、8−
アセトキシテトラシクロ[4,4,0,1”= ’。
1’10−3−ドデセン、 8−シアノテトラシクロ[4,4,0,12・5.1f
f、 10]−3−ドデセン、 9−メチル−8−シアノテトラシクロ[4,4,0゜1
2°’、 l’10] −3−ドデセン、8−メチル−
8−シアノテトラシクロ[4,4,0゜12・5.17
・”]−]3−ドデセン8.9−ジメチル−8,9−ジ
シアノテトラシクロ[4,4,0,12・’、 1’1
0] −3−ドデセン、8−カルバモイルテトラシクロ
[4,4,O,l”−’。
1’10] −3−ドデセン、 8−N−メチルカルバモイルテトラシクロ[4゜4、0
.12・5617・10]−ドデセン、8−N、N−ジ
エチルカルバモイルテトラシクロ[4,4,0,12・
S、 p、 1°]−3−ドデセン、N、 N、 N’
、 N’−テトラメチル−8,9−ジカルバモイルテト
ラシクロ[4,4,0,12°S、 p、 1°]−3
−ドデセン、 8−クロルテトラシクロ[4,4,0,1”°J?*l
°]−ドデセン、 8−メチル−8−クロルテトラシクロ[4,4,0゜1
2・5.17・”]−]3−ドデセン8−クロロメチル
カルボキシテトラシクロ[4゜4.0.12・5、17
、10]−3−ドデセン、8−ジブロムプロビル力ルポ
キシテトラシクロ[4,4,0,1”°s、 1’−”
] −]3−ドデセン8−ジクロルプロピルカルボキシ
テトラシクロ[4,4,0,12・’、 1’−”] 
−3〜ドデセン、8−クロロフェニルカルボキシテトラ
シクロ[4,4,O,12″5.17°10]−ドデセ
ン、8−モノブロムフェニルカルボキシテトラシクロ[
4,4,0,12・5.17・”]−]3−ドデセン8
−トリブロムフェニルカルボキシテトラシクロ[4,4
,0,12°5.17・”]−]3−ドデセン8.9−
ジクロルテトラシクロ[4,4,0,1”°5゜171
°]−ドデセン、 8−ブロムテトラシクロ[4,4,0,1”・S、 I
t、 10]−3−ドデセン、 8−ブロムメチルテトラシクロ[4,4,0,12”5
゜17°10]−ドデセン、 8−トリブロムベンジルテトラシクロ[4,4,0゜1
2°5.17・”]−]3−ドデセンテトラシクロ[4
,4,0,12−’、 1’°”]−]3−ドデセンー
8.゛9−ジカルボン酸無水物8.9−ジメチル−テト
ラシクロ[4,4,0,12・5゜17・10]−3−
ドデセン−8,9−ジカルボン酸無水物、 テトラシクロ[4,4,0,1”・5.11°l]−ド
デセン−8,9−ジカルボン酸イミド、 N−フェニル−5−メチルテトラシクロ[4,4゜0.
12°s、 p、 1°]−3−ドデセン−8,9−ジ
カルボン酸イミド、 5−トリクロルシリルテトラシクロ[4,4,0゜12
・5,11・”]−]3−ドデセン5−(ジメチルメト
キシシリル)テトラシクロ[4,4,0,12°S、 
1711°]−3−ドデセン、8−(ジメチルアセチル
シリル)テトラシクロ[4,4,0,12′5.11°
”]−]3−ドデセン8−トリメチルシリルテトラシク
ロ[4,4,0゜12°5.17・”]−]3−ドデセ などが挙げられる。
上記の一般式(1)で表わされるテトラシクロドデセン
誘導体のうち、極性置換基としては、得られる重合体が
高いガラス転移温度と低い吸湿性を有することとなる点
で、式+CH2) RCOOR’ で表わされるカルボ
ン酸エステル基が好ましい。
また、カルボン酸エステル基はテトラシクロドデセン誘
導体1分子当たり1個であることが、得られる重合体の
吸湿性が低くなる点で好ましい。
また、式÷CH,)IICDOR’で示されるカルボン
酸エステル基のうち、nの値が小さいものほど、得られ
る重合体のガラス転移温度が高くなるので好ましい。さ
らに、通常、式+CI(、) 、C0OR’ に右いて
はn=0であることが、モノマーを合成する上で、また
、得られる重合体に良好な特性が得られる上で好ましい
。R′は炭素数L〜20の炭化水素基であるが、炭素数
が多くなるほど重合体の吸湿性が小さくなるので好まし
い。しかし、得られる重合体のガラス転移温度とのバラ
ンスの点から、炭素数1〜4の鎖状炭化水素基、または
炭素数5以上の(多)環状炭化水素基が好ましい。
さらに、カルボン酸エステル基が結合した炭素原子に炭
素数1〜10の炭化水素基が置換されているものが、得
られる重合体のガラス転移温度を低下させずに吸湿性を
低下させるので好ましく、特にメチル基が置換されたも
のは、原料単量体のテトラシクロドデセン誘導体を合成
するのが容易な点で好ましい。
上記の一般式(I)で表わされるテトラシクロドデセン
誘導体の単独開通重合体または該誘導体と他の共重合性
モノマーとの共重合体により、本発明の光学材料が構成
される。共重合体とされる場合において、当該共重合体
に含有される一般式(1)の単量体の割合は、5モル%
以上好ましくは20モル%以上である。そして共重合体
とする場合における共重合性単量体としては、テトラシ
クロドデセン誘導体と同様にメタセシス触媒によって開
通重合し得る単量体および重合体の主鎖に炭素−炭素二
重結合を有する一部重合された単量体を挙げることがで
きる。
これらの共重合性化合物の具体例として、下記一般式(
n)で表わされる極性置換基を有するビシクロ[2,2
,1]−2−ヘプテン誘導体がある。
一般式(II) 〔式中A2およびB2は水素原子または炭素数1〜10
の炭化水素基、x2およびY2は水素原子、炭素数1〜
lOの炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換
された炭素数1〜10の炭化水素基、+CH2) lI
C0口R’ S +CHa) 110COR’、 (−
C1(2)、CN  。
+CH2) 1lCONR’R’、+CH2) I、C
OO2: 、 +CTo) −0COZ 。
+ CHa) h02− + CHa) 、lIIまり
l;!X”トY”カラ構成サレびY2の少なくとも1つ
は水素原子および炭化水素基から選ばれた基以外の基で
ある。なお、R’、R2、R3およびR4は炭素数1〜
20の炭化水素基、2は炭化水素基またはハロゲンで置
換された炭化水素基、碑はSiR’、口3−P(R’は
炭素数1〜10の炭化水素基、Dはハロゲン原子、−0
COR8または一ロR8゜pは0〜3の整数を示す)、
nは0〜lOの整数を示す。〕 、一般式(II)で表わされるビシクロ[2,2,1]
−]2−ヘプテの具体例としては、 5−カルボキシメチルビシクロ[2,2,1]−2−ヘ
プテン、 5−カルボキシエチルビシクロ[2,2,1]−2−ヘ
プテン、 5−カルボキシn−プロピルビシクロ[2,2,1]]
=2−ヘプテン 5−カルボキシイソプロピルビシクロ[2,2,1]−
2−ヘプテン、 5−カルボキシn−ブチルビシクロ[2,2,1]−]
2−ヘプテン 5−カルボキシイソブチルビシクロ[2,2,1]−2
−ヘプテン、 5−カルボキシ5ec−ブチルビシクロ[2,2,1]
−2−ヘプテン、 5−カルボキシt−ブチルビシクロ[2,2,1]−]
2−ヘプテン 5−カルボキシフェニルビシクロ[2,2,1]−2−
ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシメチルビシクロ[2,2,
1コー2−ヘプテン、 5−カルボキシブチル−6−7エニルビシクロ[2,2
,1]−2−ヘプテン、 5.6−ジカルボキシメチルビシクロ[2,2,1]=
2−ヘプテン、 5−カルボキシシクロへキシルビシクロ[2,2゜1コ
ー2−ヘプテン、 5−カルボキシ−(4’−t−ブチルシクロヘキシル)
ビシクロ[2,2,1コー2−ヘプテン、5−メチル−
5−カルボキシシクロへキシルビシクロ[2,2,1]
−2−ヘプテン、5−メチル−5−カルボキシ(4°−
t−ブチルシクロヘキシル)ビシクロ[2,2,1]−
2−ヘプテン、 5−カルボキシメンチルビシクロ[2,2,1]−2−
ヘプテン、 5−メチル−カルボキシメンチルビシクロ[2゜2.1
コー2−ヘプテン、 5−カルボキシボルニルビシクロ[2,2,1]−2−
ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシボルニルビシクロ[2,2
,1]−2−ヘプテン、 5−カルボキシイソボルニルビシクロ[2,2,1]−
2−ヘプテン、 5−カルボキシアダマンチルビシクロ[2,2,I J
−2−ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシアダマンチルビシクロ[2
,2,1コー2−ヘプテン、 5−カルボキシビシクロ[2,2,1]−2−ヘプチル
−ビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、5−メチル
−5−カルボキシビシクロ[2,2,1]−2−ヘプチ
ル−ビシクロ[2,2,1] −2−ヘプテン、 5−カルボキシテトラシクロ[4,4,0,12°5゜
171°]−3−ドデシルビシクロ[2,2,1]−2
−ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシテトラシクロ[4゜4.0
.12・3.17・10]−ドデシルビシクロ[2,2
,1コー2−ヘプテン、 5−カルボキシトリシクロ[5,2,1,0”°6]−
8−デシルービシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシトリシクロ[5,2゜1.
0’1]−8−デシル−ビシクロ[2,2,1]]=2
−ヘプテン 5−カルボキシペンタシクロ[6,5,1,1’゛’。
0.2・7.09・”]−]4−ペンタデシルビシクロ
2.2.1コー2−ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシペンタシクロ[6゜5.1
.1””、0.”’、0s13] −4−ペンタf ’
yルビシクロ[2,2,1コー2−ヘプテン、5−カル
ボキシトリシクロ[6,2,1,02−7] −9−ウ
ンデシルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシトリシクロ[6,2゜1.
02・1]−9−ウンデシルビシクロ[2,2,1]−
2−ヘプテン、 5−カルボキシペンタシクロ[6,6,1,13−’。
0.2・7゜Os・”]−]4−ヘキサデシルビシクロ
2.2.1]−2−ヘプテン、 5−メチル−5−カルボキシペンタシクロ[6゜6、1
.1’・6. Q、 2・i、Qll・”]−]4−ヘ
キサデシルビシクロ2.2.1]−2−ヘプテン、5−
アセトキシビシクロ[2,2,1] −2−ヘプテン、 5−シアノビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、6
−メチル−5−シアノビシクロ[2,2,1]−2−ヘ
プテン、 5−メチル−5−シアノビシクロ[2,2,lコー2−
ヘプテン 5.6−シメチルー5.6−ジシアツビシクロ[2゜2
.1]−2−ヘプテン、 5−カルバモイルビシクロ[2,2,1] −2−ヘプ
テン、 5−N−メチルカルバモイルビシクロ[2,2,1]−
2−ヘプテン、 5−N、N−ジエチルカルバモイルビシクロ[2゜2.
1]−2−ヘプテン、 N、 N、 N’、 N’−テトラメチル−5,6−ジ
カルバモイルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、
5−クロルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、5
−メチル−5−クロルビシクロ[2,2,1]−2−ヘ
プテン、 5−クロルメチルカルボキシビシクロ[2,2,1]−
2−ヘプテン、 5−ジブロムプロビル力ルポキシビシクロ[2゜2.1
]−2−ヘプテン、 5−ジクロルプロピルカルボキシビシクロ[2゜2.1
コー2−ヘプテン、 5−クロルフェニルカルボキシビシクロE2.2゜1コ
ー2−ヘプテン、 5−モノブロムフェニルカルボキシビシクロ[2,2,
1コー2−ヘプテン、 5−トリブロムフェニル力ルポキシビシクロ[2,2,
1]−2−ヘプテン、 5.6−ジクロルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテ
ン、 5−ブロムメチルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテ
ン、 5−ブロムメチルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテ
ン、 5−トリブロムベンジルカルボキシビシクロ[2,2,
1]−2−ヘプテン、 ビシクロ[2,2,1]−2−へブテン−5,6−ジカ
ルボン酸無水物、 5.6−シメチルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテ
ン−5,6−ジカルボン酸無水物 ビシクロ[2,2,1]−2−へブテン−5,6−ジカ
ルボン酸イミド、 N−7二二ルー5−メチルビシクロ[2,2,1]−2
−へブテン−ジカルボン酸イミド、5−トリクロルシリ
ルビシクロ[2,2,1]−2−ヘプテン、 5−(ジメチルメトキシシリル)ビシクロ[2,2゜1
]−2−ヘプテン、 5−(ジメチルアセチルシリル)ビシクロ[2,2゜l
]−2−ヘプテン、 5−トリメチルシリルビシクロ[2,2,1]−2−ヘ
プテン などが挙げられる。
上記一般式(1)で示される化合物および一般式(n)
で示される化合物の共重合体中の組成比ハ、個々の構造
のホモポリマーのガラス転移温度や吸水率にもよるが、
(I)/ (n)=9515〜5/95(重量比)が好
ましく、更に好ましくは、90/10〜10/90であ
る。
また、上記一般式(1)で表わされるテトラシクロドデ
セン誘導体は、環状オレフィン化合物と開環共重合して
共重合体を形成することのできるものである。斯かる環
状オレフィン化合物の具体例としては、シクロペンテン
、シクロオクテン、1.5−シクロオクタジエン、1.
5.9−シクロドデカトリエンなどのシクロオレフィン
、ビシクロ[2゜2.1コー2−ヘプテン、トリシクロ
[5,2,1,0’・6コー8−デカン、トリシクロ[
5,2,1,02°6]−デカン、トリシクロ[6,2
,1,0’−”コー9−ウンデセン、トリシクロ[6,
2,1,0’1コー4−ウンデセン、テトラシクロ[4
,4,0,1”・5.17・”]−]3−ドデセンペン
タシクロ[6,5,1,1’・6.02°7.09”l
]−4−ペンタデセン、ペンタシクロ[6,6,1,1
’・6゜02・ff、09・”]−4−へキサデセン、
ペンタシクロ[6,5,1,1’°’、 O’−7,0
9−131−11−ペンタデセンなどのポリシクロアル
ケン類を挙げることができる。
上記のポリシクロアルケンは、共重合体の吸湿性を低下
させ、かつ共重合体のガラス転移温度をコントロールす
るのに有用である。従って、テトラシクロデセンの単独
またはビシクロヘプテンとの共重合体のガラス転移温度
が高くて熱分解の温度に近く、あるいはそれ以上である
場合には、シクロオレフィンと共重合させることにより
、ガラス転移温度を、実際に成形を容易になし得る温度
にまで低下させることができる。
また、テトラシクロドデセンの単独重合体またはビシク
ロヘプテンとの共重合体のガラス転移温度が低くて10
0℃以下の場合には、ポリシクロアルケンを共重合させ
ることによって、重合体の吸湿性を低くし、またガラス
転移温度を上げることができる。
また、一般式(I)で表わされるテトラシクロドデセン
誘導体は、ポリブタジェン、ポリイソプレン、スチレン
−ブタジェン共重合体、エチレン−プロピレン非共役ジ
エン共重合ゴム、ポリノルボルネン、ボリペンテナマー
などの重合体の主鎖に炭素−炭素二重結合を含んだ不飽
和炭化水素系ポリマーと共重合することもできる。
上記のようにして得られる(共)重合体は飽和吸水率が
1.8%以下、ガラス転移温度が100℃以上のものが
好ましい。飽和吸水率は1.2%以下であることがより
好ましく、0.8%以下が最も好ましい。ガラス転移温
度は120℃以上のものがより好ましい。
開通(共)重合体を製造する際に用いられるメタセシス
触媒とは、通常(a)w、MoおよびReの化合物から
選ばれた少なくとも1種と、(b)デミングの周期律表
IA、IIA、nB、IIIA、rVAあるいはrVB
族元素の化合物で少なくとも1つの元素−炭素結合ある
いは元素−水素結合を有するものから選ばれた少なくと
も1種との組合せからなる触媒であるが、触媒活性を高
める添加剤を加えたものであってもよい。
(a)成分として適当なW、MoあるいはReの化合物
は、これらのハロゲン化物、オキシハロゲン化物、アル
コキシハロゲン化物、アルコキシド、カルボン酸塩、(
オキシ)アセチルアセトネート、カルボニル錯体、アセ
トニトリル錯体、ヒドリド錯体、およびその誘導体、あ
るいはこれらの組合せであるが、VlよびMoの化合物
、特にこれらのハロゲン化物、オキシハロゲン化物およ
びアルコキシハロゲン化物が重合活性、実用性の点から
好ましい。また反応によって上記の化合物を生成する2
種以上の化合物の混合物であってもよい。
これらの化合物は適当な錯化剤例えばP(CsHs)%
、CJ、Nなどによって錯化されていてもよい。
具体的な例としてはMCI、、MCI、、WCI、、W
Br、、WF、、Ml、、MoCl、、MoC1,、M
oCl*、ReCl3、ll0c1.、Mo0Cl 3
、Re0CIa、Re0Br3、W(OCJs) s、
MCl2(OCJs)4、 Mo(口CaHs)acl
s  、 MO(OCJs)s、Mo0z(’ac’a
c)z 、W(DCOR)s、W (CO) s、Mo
 (CO) 6 、Re2(CO)to 、 Re0B
r3・P(Cs)Is)s、WCl5・P (CsHs
) 3、WClg・C5H5N5W(CO) s’P 
(CsHs) s、W(Co) c (CLCN) a
などが挙げられる。また上記のうち特に好ましい化合物
(!: L テMoCl5、MO(OC2H5) zc
li、WCl6、W(OCJs) acliなどが挙げ
られる。
(5)成分として適当な化合物は周期律表のIA、II
A、IIB、II[A、IVAまたはrVB族元素の化
合物であって少なくとも一つの元素−炭素接合を有する
ものあるいはこれらの水素化物である。具体的な例とし
ては、n−C,)1.Li、n−C5H,、N’a、 
C5)I、N’a。
C)IsMgL  CJsMgBr、CH3MgBr、
  n CJJgCI 。
t−C4HsMgCISCHz=CHCH2MgCI、
  (CJs)2Zn。
(C211s)2cd % C’aZn(CJs)* 
、(CHs)J s (C2H5)3B。
(n C4H9)3B、  (CHi)s^1 、  
(C)13)2AICI 。
(C)13) 3A12C1,、CH3AlCl、、(
C2Hs) J!。
LIAI(C2Hs) 2、(CJs)aAl−0(C
JsL、(CJs)i^ICI、C2HsAIC1□ 
、 (CJs)z^I)I 、  (iso−CJs)
 a^IH。
(CJs) 2人l0CJs、(iso−C4Hs)3
A1. (C21b)3^12CI、、(CHz)4G
’a、(CH3) <Sn、 (n−C<1(=) <
Sn、(CJs)3S+H。
(n−CJ l !+) 3^1、(n−C4Lt)i
^1、LSI(、N’aHSB2Hg、N’aBL、^
IH,、LiAlH4、旧H4およびT+Haなどが挙
げられる。また反応によってこれらの化合物を生成する
2種以上の化合物の混合物を用いることもできる。
特に好ましいものの例としては、(CL)3^1、(C
H3) 2AICI 、 (C)13) 3A12CI
3、CH3AlCl、、(C2H5) 3AI 、(c
2os) 2AICI 、(C2Hs)+、5AIC1
+、s、C2HsA]C12、(CJs)2AIH,(
CJs)z^10C2H5、(C2Hs) 2AICN
 1(Cslb) 3^1 、(iso−CJsL^1
1(iso−C4Hs) z^1)1− (CJIり3
^1. (CsH+t)*^11(CsHs) aAl
 などを挙げることができる。
(a)成分とら)成分の量的関係は金属原子比で(a)
:(b)が1:1〜1:20、好ましくは1:2〜1:
10の範囲で用いられる。
上記の(a)および(5)の二成分から調製された触媒
は、通常本発明の光学材料をえるための重合反応におい
て高い活性を有するが、望まれる場合には更に次に挙げ
るような(C)成分(活性化剤)を添加することによっ
て、−層高活性な触媒を得ることもできる。
(C)成分としては各種の化合物を使用することができ
るが、特に好適に使用される化合物には次の゛ものが含
まれる。
(1)単体ホウ素、BF3 、BCl3、B(0−n−
C,H,) s、(C2H5O3)2 、OF、 82
03、H2BO3などのホウ素の非有機金属化合物、S
l (OC2)1s) aなどのケイ素の非有機金属化
合物、 (2)アルコール類、ヒドロパーオキシド類およびパー
オキシド類、 (3)水、 (4)酸素、 (5)アルデヒドおよびケトンなどのカルボニル化合物
およびその重合物、 (6)エチレンオキシド、エピクロルヒドリン、オキセ
タンなどの環状エーテル類、 (7)N、N−ジエチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類、アニリン、モルホリン
、ピペリジンなどのアミン類およびアゾベンゼンなどの
アゾ化合物、 (8)N−ニトロソジメチルアミン、N−ニトロソジフ
ェニルアミンなどのN−ニトロン化合物、(9)トリク
ロルメラミン、N−クロルサクシノイミド、フェニルス
ルフェニルクロリドなどの5−C1またはN−Cl基を
含む化合物 などが含まれる。
また、(a)成分と(ハ)成分の量的関係は、添加する
(C1a分の機種によってきわめて多様に変化するため
一律に規定することはできないが、多くの場合(C)/
(a) (モル比)が0.005〜10、好ましくは0
.05〜1.0の範囲で用いられる。
得られる開環(共)重合体の分子量は、触媒の種類およ
び濃度、重合温度、溶媒の種類および量並びに単量体濃
度などの反応条件を変えることによって調節することが
可能であるが、より好ましくは、α−オレフィン類、 
α、ω−ジオレフィン類、またはアセチレン類などの分
子内に少なくとも1つの炭素間二重結合または炭素間三
重結合を有する化合物あるいは塩化アリル、酢酸アリル
、トリメチルアリロキシランなどの極性アリル化合物の
適当量を反応系に添加することにより調節される。
本発明において用いられる溶媒としては、例えばペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンな
どのアルカン類、シクロヘキサン、シクロへブタン、シ
クロオクタン、デカリン、ノルボルナンなどのシクロア
ルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベン
ゼン、クメンなどの芳香族化合物、クロルブタン、ブロ
ムヘキサン、ジクロルエタン、ヘキサメチレンジプロミ
ド、クロルベンゼンなどのハロゲン化アルカン、アリー
ルなどの化合物、酢酸エチル、プロピオン酸メチルなど
の飽和カルボン酸エステル類などが挙げられる。
本発明の光学材料は、公知の酸化防止剤、例えば2.6
−ジーt−ブチル−4−メチルフェノール、2.2°−
ジオキシ−3,3°−ジ−t−ブチル−5,5’−ジメ
チルジフェニルメタン、フェニル−β−ナフチルアミン
、あるいは紫外線吸収剤、例えば2.4−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾ
フェノン、2゛−ヒドロキシ−4−メトキシ−2°−カ
ルボキシベンゾフェノンなどを添加することによって安
定化することができる。また加工性を向上させるために
滑剤などの従来樹脂加工において用いられている添加剤
を添加することもできる。
本発明の光学材料は、種々の公知の成形手段を適用して
光学製品とすることができる。すなわち、射出成形法、
圧縮成形法、押出し成形法などを利用することができる
本発明による光学材料には、その表面に、熱硬化法、紫
外線硬化法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法などの方法により、無機化合物、シラン
カップリング剤などの有機シリコン化合物、アクリル系
モノマー、ビニルモノマー、メラミン樹脂、エポキシ樹
脂、フッ素系樹脂、シリコーン樹脂などをハードコート
することにより、耐熱性、光学特性、耐薬品性、耐摩耗
性、透湿性などを向上させることができる。
本発明の光学材料の用途は特に制限されるものではなく
、広い範囲にわたって使用することができ、例えば、−
酸カメラ用レンズ、ビデオカメラ用レンズ、望遠鏡用レ
ンズ、レーザービーム用レンズなどのレンズ、光学式ビ
デオディスク、オーディオディスク、文書ファイルディ
スク、メモリディスクなどの光ディスクに特に好適に使
用することができる。
〔効果〕
本発明の光学材料は、−船式(I)で表わされる化合物
の重合体または共重合体よりなるものであるため、優れ
た光学的特性すなわち高い透明性と低複屈折性を有する
と共に優れた耐熱性および大きな機械的強度を有し、し
かも十分な耐湿性を有し、さらに良好な成形性を有する
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について述べるが、本発明がこれ
らに限定されるものではない。
実施例1 窒素雰囲気下において、窒素置換した反応容器内に、構
造式(1)で示されるモノマー8−カルボキシメチルテ
トラシクロ[4,4,0,1”°5.1ff+IO]−
3−ドデセン50gと、1.2−ジクロルエタン200
 !n1と、分子量調節剤である1−ヘキセン0.38
gと、触媒であるMCI、の濃度0.05 M/j!の
クロロベンゼン溶液の9.16rn1と、パラアルデヒ
ドの濃度0.1M/j!の1.2−ジクロルエタン溶液
の6.87dと、トリイソブチルアルミニウムの濃度0
.5M/1のトルエン溶液の3.7mA’とを加え、6
0℃で10時間反応させ、固有粘度(ηt、h) 0.
78d1/g(クロロホルム中、30℃、濃度0.5g
/d1)のポリマー45gを得た。
得られたポリマーを300℃でプレス成形して試験片を
作製し、この試験片について、ガラス転移温度、吸水率
および屈折率を測定した。
試験結果を第1表に示す。
実施例2 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0.12°
5.17°10]−ドデセン50 gを用いたほかは実
施例1と同様にして、46gのポリマーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。
試験結果を第1表に示す。
実施例3 モノマーとして構造式(1)で示される8−カルボキシ
メチルテトラシクロ[4,4,0,12・5.17・1
0]−ドデセン(A) 25gと、構造式(3)で示さ
れる5−メチル−5−カルボキシメチルビシクロ[2,
2,1]−2−ヘプテン(B)25gとを用いたほかは
実施例1と同様にして、(A)  :  (B)の共重
合体組成が重量比で55:45の共重合体44gを得た
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。
試験結果を第1表に示す。
実施例4 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0.1”、
1”’] −3−Pデセン42,5 gト、構造式(7
)で示される5−メチル−5−カルボキシシクロへキシ
ルビシクロ[2,2,1] −2−ヘプテン7.5gと
を用い、同様に開環重合を行って固有粘度0゜68df
l/gのポリマーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。試験結果を第1表に
示す。
実施例5 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0、1”−
’、 1” 10]−ドデセン32.5gと、構造式(
8)で示される8−メチル−8−カルボキシ(4°−1
−ブチルシクロヘキシル)ビシクロ[2゜2.1]−2
−ヘプテン17.5 gとを用い、同様に開通重合を行
って固有粘度0.66a/gのポリマーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。試験結果を第1表に
示す。
実施例6 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0、12−
 ’、 1’゛”] −]3−ドデセン32.5と、構
造式(9)で示される8−メチル−8−カルボキシn−
ブチルテトラシクロ[4,4,0,1”・5,17・1
0]−3−ドデセン17.5gとを用い、同様に開通重
合を行って固有粘度0.78J/gのポリマーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。試験結果を第1表に
示す 実施例7 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0.12・
Jj””]−]3−ドデセン37.5gと、構造式(1
0)で示される8−メチル−8−カルボキシシクロへキ
シルテトラシクロ[4,4,0,1”・5.17・10
]−3−ドデセン12.5gとを用い、同様に開通重合
を行って固有粘度0.86dll/gのポリマーを得た
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。試験結果を第1表に
示す。
実施例8 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0.12・
5.17・”]−]3−ドデセン20.0と、構造式(
11)で示される8−メチル−8−カルボキシトリシク
ロ[5,2,1,02−’コー8−デシルテトラシクロ
[4,4,0゜12°s、ltt+o]−ドデセン30
.Ogとを用い、同様に開通重合を行って、固有粘度0
.83a/gのポリマーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。試験結果を第1表に
示す。
実施例9 モノマーとして構造式(2)で示される8−メチル−8
−カルボキシメチルテトラシクロ[4,4゜0、1”−
’、 1’10] −3−ドデセン40 gと、構造式
(12)で示されるシクロペンテン40 gとを用い、
同様に開通重合を行って固有粘度0.68J/gのポリ
マーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。試験結果を第1表に
示す。
比較例1 構造式(4)で示されるメチルメタクリレートを重合し
て得られる固有粘度0.26a/gのポリメチルメタク
リレートを用い、240℃でプレス成形を行ない、実施
例1と同様の試験片を作製し、同様に緒特性を測定した
試験結果を第1表に示す。
比較例2 実施例1における8−カルボキシメチル−テトラシクロ
[4,4,0,1”−’、 l’10] −3−ドデセ
ンの代わりに、構造式(5)で示される5−カルボキシ
メチルビシクロ[2,2,1] −2−ヘプテンを用い
、同様に開通重合を行なって固有粘度0.52J/gの
ポリマーを得た。
このポリマーを実施例1と同様に成形加工して試験片を
作製し、同様に緒特性を測定した。。
試験結果を第1表に示す。
比較例3 モノマーとして極性置換基を有しない構造式(13)で
示される8−メチルテトチシクロ[4,4゜o、 t2
. S、1’−”] −]3−ドデセを、三塩化ルテニ
ウムの水和物触媒を用いてn−ブタノール溶媒中で反応
させることにより、開和重合物を合成し、実施例1と同
様に成形加工して試験片を作製し、同様に緒特性を測定
した。試験結果を第1表に示す。
比較例4 市販のポリカーボネート樹脂を実施例1と同様に成形加
工して試験片を作製し、同様に緒特性を測定した。試験
結果を第1表に示す。
以上において使用したモノマーの構造式は次のとおりで
ある。
構造式(1) 構造式(2) 構造式(3) 構造式(4) CH3 CH2=C−COOCH3 構造式(5) 構造式(6) 構造式(7) 構造式(8) 構造式(9) 構造式(lO) 構造式(11) 構造式(12) 構造式(13) なお、試験片の緒特性の測定方法は次のとおりである。
ガラス転移温度 走査熱量計(DSC)により、窒素雰囲気下において1
0/分の昇温速度で測定した。
飽和吸水率 試料を水中に浸して試料に水を吸収させ、平衡状態に到
達した後の試料の重量W1を測定し、その後、この試料
を乾燥した窒素気流下で200℃に加熱し、これによっ
て放出された水分量W2をカールフィッシャー法によっ
て定量し、次式によって飽和吸水率を算出した。
飽和吸水率= −X 100 (%) W、−W3 複屈折値 エリプソメーターによって測定した。
接着性 樹脂基板上にアルミニウムを蒸着し、1mmX1mωの
基盤目100個をカッターで刻み、セロテープ剥離試験
を行って接着性を評価した。すなわち、剥離されたます
目の数が10以下のものを「O」とし、11以上のもの
を「×」とした。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)下記一般式( I )で表わされるテトラシクロ[4
    、4、0、1^2^、^5、1^7^、^1^0]−3
    −ドデセン誘導体の少なくとも1種の開環重合体または
    該誘導体と他の共重合性モノマーとの共重合体からなる
    ことを特徴とする光学材料。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中A^1およびB^1は水素原子または炭素数1〜
    10の炭化水素基、X^1およびY^1は水素原子、炭
    素数1〜10の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原
    子で置換された炭素数1〜10の炭化水素基、−(CH
    _2)_nCOOR^1、−(CH_2)_nOCOR
    ^1、−(CH_2)_nCN、−(CH_2)_nC
    ONR^2R^3、−(CH_2)_nCOOZ、−(
    CH_2)_nOCOZ、−(CH_2)_nOZ、−
    (CH_2)_nWまたはX^1とY^1から構成され
    ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
    学式、表等があります▼を示し、X^1およ びY^1の少なくとも1つは水素原子および炭化水素基
    から選ばれた基以外の基である。なお、R^1、R^2
    、R^3およびR^4は炭素数1〜20の炭化水素基、
    Zは炭化水素基またはハロゲンで置換された炭化水素基
    、WはSIR^5_pD_3_−_p(R^5は炭素数
    1〜10の炭化水素基、Dはハロゲン原子、−OCOR
    ^5または−OR^5、pは0〜3の整数を示す)、n
    は0〜10の整数を示す。〕 2)共重合体性モノマーが下記一般式(II)で表わされ
    る極性置換基を有するビシクロ[2、2、1]−2−ヘ
    プテン誘導体である特許請求の範囲第1項記載の光学材
    料。 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中A^2およびB^2は水素原子または炭素数1〜
    10の炭化水素基、X^2およびY^2は水素原子、炭
    素数1〜10の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原
    子で置換された炭素数1〜10の炭化水素基、−(CH
    _2)_nCOOR^1、−(CH_2)_nOCOR
    ^1、−(CH_2)_nCN、−(CH_2)_nC
    ONR^2R^3、−(CH_2)_nCOOZ、−(
    CH_2)_nOCOZ、−(CH_2)_nOZ、−
    (CH_2)_nWまたはX^2とY^2から構成され
    た▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、
    化学式、表等があります▼を示し、X^2およびY^2
    の少なくとも1つは水素原子および炭化水素基から選ば
    れた基以外の基である。なお、R^1、R^2、R^3
    およびR^4は炭素数1〜20の炭化水素基、Zは炭化
    水素基またはハロゲンで置換された炭化水素基、WはS
    IR^5_pD_3_−_p(R^5は炭素数1〜10
    の炭化水素基、Dはハロゲン原子、−OCOR^5また
    は−OR^5、pは0〜3の整数を示す)、nは0〜1
    0の整数を示す。〕 3)重合体のガラス転移温度が100℃以上、飽和吸水
    率が1.8%以下である特許請求の範囲第1項記載の光
    学材料。 4)重合体のガラス転移温度が120℃以上である特許
    請求の範囲第1項、第2項または第3項記載の光学材料
    。 5)重合体の飽和吸水率が1.2%以下である特許請求
    の範囲第1項または第2項記載の光学材料。 6)重合体の飽和吸水率が0.8%以下である特許請求
    の範囲第1項、第2項または第5項記載の光学材料。
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