JPH01132684A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPH01132684A JPH01132684A JP62290369A JP29036987A JPH01132684A JP H01132684 A JPH01132684 A JP H01132684A JP 62290369 A JP62290369 A JP 62290369A JP 29036987 A JP29036987 A JP 29036987A JP H01132684 A JPH01132684 A JP H01132684A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱光学効果を利用した熱書込み型液晶表示装置
に用いる液晶組成物に係り、その特性として極めて狭い
ネマチック相を有し、かつ、融点の低いスメクチック相
を有することを特徴とした液晶組成物に関するものであ
る。
に用いる液晶組成物に係り、その特性として極めて狭い
ネマチック相を有し、かつ、融点の低いスメクチック相
を有することを特徴とした液晶組成物に関するものであ
る。
昨今の液晶表示素子の進展は目覚しいものがあるが、そ
の主流はネマチック液晶の応用に関するものが殆んどで
ある。その一方で、他の液晶相の特性を利用した異った
動作モードによる表示装置の研究も実用化に向けて盛ん
に行われており、これらの中の一つにスメクチック人相
の熱光学効果を利用した熱書込み投写装置がある。この
ような装置の方式では、従来のTN型(ツィステッドネ
マチック型)と比較して桁違いの大面積、大容量表示が
可能となる。
の主流はネマチック液晶の応用に関するものが殆んどで
ある。その一方で、他の液晶相の特性を利用した異った
動作モードによる表示装置の研究も実用化に向けて盛ん
に行われており、これらの中の一つにスメクチック人相
の熱光学効果を利用した熱書込み投写装置がある。この
ような装置の方式では、従来のTN型(ツィステッドネ
マチック型)と比較して桁違いの大面積、大容量表示が
可能となる。
仁のような分野に用いられる液晶材料に要求される特性
としてつぎのようなことがあげられる。
としてつぎのようなことがあげられる。
1)広いスメクチック人相を有すること(好ましくは0
〜−20℃以下までスメクチック人相を有すること。)
。
〜−20℃以下までスメクチック人相を有すること。)
。
2)極めて狭いネマチック相を有すること。
3)複屈折率が大きいこと。
4)比熱・相転移エネルギーが小さいこと。
5)誘電異方性が大きいこと。
これらの中では、とりわけ1)、2)、3)項が投写画
面などのコントラストなど表示品位をよくするために重
要と思われる。これらの特性を有する液晶材料としては
現在のところ単一化合物では見当らないため、程々の液
晶化合物の混合系が検討されている。これらの例として
は、つぎのような一般式で示される化合物の混合系があ
る。
面などのコントラストなど表示品位をよくするために重
要と思われる。これらの特性を有する液晶材料としては
現在のところ単一化合物では見当らないため、程々の液
晶化合物の混合系が検討されている。これらの例として
は、つぎのような一般式で示される化合物の混合系があ
る。
その組成の例としては表1に示すようなものがある。
表 1
(ここで、mp;融点(”C)、SN点;スメクチック
・ネマチック転移点(’C)、NI点;ネマチック・ア
イソトロピック転移点(T、)、NR;ネマチックレン
ジ(’C)(−NI点(’C)−8N点(℃)〕である
。また組成の数字は式とnの数を表す(例えば1.はn
−8の式■の化合物を意味する)。) 組成物aでは、ネマチックレンジが0.5℃と極めて狭
いが融点が24℃と高く室温付近であるため実験用とし
てはともかくも、実用的には使い難い材料である。一方
、組成物e% fでは融点が一30℃、−32,7℃と
かなシ低くネマチックレンジが3.2℃、2.6℃と広
くなっておシ必ずしも満足すべきものでない。
・ネマチック転移点(’C)、NI点;ネマチック・ア
イソトロピック転移点(T、)、NR;ネマチックレン
ジ(’C)(−NI点(’C)−8N点(℃)〕である
。また組成の数字は式とnの数を表す(例えば1.はn
−8の式■の化合物を意味する)。) 組成物aでは、ネマチックレンジが0.5℃と極めて狭
いが融点が24℃と高く室温付近であるため実験用とし
てはともかくも、実用的には使い難い材料である。一方
、組成物e% fでは融点が一30℃、−32,7℃と
かなシ低くネマチックレンジが3.2℃、2.6℃と広
くなっておシ必ずしも満足すべきものでない。
ネマチックレンジは表示素子の書込み速度や表示コント
ラストに影響をおよぼす要因であシ、ネマチックレンジ
が広くなると書込み速度の低下、コントラストの低下に
結びつく。すなわち、ネマチックレンジが広いと熱書込
みの際に、等方性液体からネマチック相を経て不透明な
スメクチック相を形成させる過程において、ネマチック
相で長い冷却時間を要することになシ、書込み速度を遅
くする要因となる。一方、ネマチック相状態である時間
が長くなると配向処理(垂直配向もしくはホモジニアス
配向)した基板によって、液晶が配向してしまい散乱し
たスメクチック人相が得られなくなシコントラストの低
下の要因となる。
ラストに影響をおよぼす要因であシ、ネマチックレンジ
が広くなると書込み速度の低下、コントラストの低下に
結びつく。すなわち、ネマチックレンジが広いと熱書込
みの際に、等方性液体からネマチック相を経て不透明な
スメクチック相を形成させる過程において、ネマチック
相で長い冷却時間を要することになシ、書込み速度を遅
くする要因となる。一方、ネマチック相状態である時間
が長くなると配向処理(垂直配向もしくはホモジニアス
配向)した基板によって、液晶が配向してしまい散乱し
たスメクチック人相が得られなくなシコントラストの低
下の要因となる。
融点については、0℃以下であれば通常の用途には供し
得るものと思われる。それは、熱書込み型液晶表示装置
は屋内で使用されるため、0℃以下の環境下では通常使
用されないと考えられるからである。
得るものと思われる。それは、熱書込み型液晶表示装置
は屋内で使用されるため、0℃以下の環境下では通常使
用されないと考えられるからである。
熱書込み用液晶組成物としては、前記組成物以外に4.
%開閉60−144383、特開昭60−252686
、特開昭61−268790などが知られているが、ネ
マチックレンジが2℃以下で融点が0℃以下を合わせも
つ組成物は見当らない。
%開閉60−144383、特開昭60−252686
、特開昭61−268790などが知られているが、ネ
マチックレンジが2℃以下で融点が0℃以下を合わせも
つ組成物は見当らない。
本発明者らは上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研
究を重ねた結果、ネマチックレンジが2℃以下で融点が
0℃以下の液晶組成物を得ることに成功した。すなわち
、本発明の目的は、熱書込み液晶表示素子用の液晶組成
物および該組成物を用いた液晶表示素子を提供すること
であシ、更に詳しくは、その特性として極めて狭いネマ
チックレンジを有し、かつ、融点の低い相転移を有する
液晶組成物および該組成物を用いた熱書込み液晶表示素
子を提供するととである。
究を重ねた結果、ネマチックレンジが2℃以下で融点が
0℃以下の液晶組成物を得ることに成功した。すなわち
、本発明の目的は、熱書込み液晶表示素子用の液晶組成
物および該組成物を用いた液晶表示素子を提供すること
であシ、更に詳しくは、その特性として極めて狭いネマ
チックレンジを有し、かつ、融点の低い相転移を有する
液晶組成物および該組成物を用いた熱書込み液晶表示素
子を提供するととである。
本発明の第一の発明の液晶組成物は、4−n−オクチル
−4′−シアノビフェニル、4−n−ドデシル−47−
シアノビフェニルおよび、一般式 (ここで、R1は炭素数9.10もしくは11のアルキ
ル基を示す)で示される4−n−アルキル−4′−シア
ノビフェニルの少くとも1種からなるA成分、および一
般式 (ここで、R1は炭素数8もしくは9のアルキル基を示
す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−47−シ
アノビフェニルの少くとも18[および、一般式 (こむで、R8は炭素数11もしくは12のアルキル基
を示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′
−シアノビフェニルの少くとも1種からなるB成分を含
有し、A成分とB成分の比率が95:5ないし45 :
55であることを特徴とする。
−4′−シアノビフェニル、4−n−ドデシル−47−
シアノビフェニルおよび、一般式 (ここで、R1は炭素数9.10もしくは11のアルキ
ル基を示す)で示される4−n−アルキル−4′−シア
ノビフェニルの少くとも1種からなるA成分、および一
般式 (ここで、R1は炭素数8もしくは9のアルキル基を示
す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−47−シ
アノビフェニルの少くとも18[および、一般式 (こむで、R8は炭素数11もしくは12のアルキル基
を示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′
−シアノビフェニルの少くとも1種からなるB成分を含
有し、A成分とB成分の比率が95:5ないし45 :
55であることを特徴とする。
また、上記A成分とB成分に一般式
(ここで、亀は炭素数8から12のアルキル基を示す)
で示さnる4−n−アルコキシ−4′−シアノビフエニ
ルの少くとも121のC成分を加えた液晶組成物である
。
で示さnる4−n−アルコキシ−4′−シアノビフエニ
ルの少くとも121のC成分を加えた液晶組成物である
。
本発明の液晶組成物のA成分中の組成比は、4−n−オ
クチル−47−ジアツビフエ三ルと4−n−ドデシル−
4′−シアノビフェニルの重量比が1:1ないし9:1
であシ、好ましくは3=2ないし4:1である。また、
(I)式で示される4−n−アルキル−4′−シアノビ
フェニルの具体的な化合物名としては、(a) 4−
n−ノナノイルオキシ−4′−シアノビフェニル、 f
bl 4−n−デカメイルオキシ−4′−シアノビフェ
ニル、(C)4−n−ウンデカノイルオキシ−4′−ビ
フェニルであり、これらの少くとも1株がA成分中に4
0係以上含まnる。好ましくは(a)と(blもしくは
/および(C1との混合系で使用するのがよく、その好
ましい使用重量比は1:1である。
クチル−47−ジアツビフエ三ルと4−n−ドデシル−
4′−シアノビフェニルの重量比が1:1ないし9:1
であシ、好ましくは3=2ないし4:1である。また、
(I)式で示される4−n−アルキル−4′−シアノビ
フェニルの具体的な化合物名としては、(a) 4−
n−ノナノイルオキシ−4′−シアノビフェニル、 f
bl 4−n−デカメイルオキシ−4′−シアノビフェ
ニル、(C)4−n−ウンデカノイルオキシ−4′−ビ
フェニルであり、これらの少くとも1株がA成分中に4
0係以上含まnる。好ましくは(a)と(blもしくは
/および(C1との混合系で使用するのがよく、その好
ましい使用重量比は1:1である。
本発明の液晶組成物のB成分中の組成比は、式(■)で
示さnる4−n−アルカノイルオキシ−47−シアノビ
フェニルの少くとも1種と式(1)で示される4−n−
アルカノイルオキシ−47−シアノビフェニルの少くと
も1種の比率が55:45ないし95:5である。
示さnる4−n−アルカノイルオキシ−47−シアノビ
フェニルの少くとも1種と式(1)で示される4−n−
アルカノイルオキシ−47−シアノビフェニルの少くと
も1種の比率が55:45ないし95:5である。
本発明の液晶組成物のA成分とB成分の比率は、95:
5ないし45:55である。B成分が50%以上になる
と融点が高くなり、また5係以下になると融点の低下の
効果が少であシ、NRへの影響も小さくなる。
5ないし45:55である。B成分が50%以上になる
と融点が高くなり、また5係以下になると融点の低下の
効果が少であシ、NRへの影響も小さくなる。
本発明の液晶組成物のC成分は、(■)式で示される4
−n−アルコキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも
1種であるが、2種以上を使用するのが好ましい。使用
量は組成物全体の25係以下であシ、好ましくは20係
以下である。
−n−アルコキシ−4′−シアノビフェニルの少くとも
1種であるが、2種以上を使用するのが好ましい。使用
量は組成物全体の25係以下であシ、好ましくは20係
以下である。
20%以上になると融点に悪影響等をおよぼす。
本発明の第二の発明の液晶表示素子は、4−n−オクチ
ル−47−シアノビフェニル、4−m−ドデシル−4′
−シアノビフェニルおよび、−般式 (ここで、R1は炭素数9.10もしくは11のアルキ
ル基を示す)で示される4−n−アルキル−4′−シア
ノビフェニルの少くとも1aLからなるA成分、および 一般式 (ここで、馬は炭素数8もしくは9のアルキル基を示す
)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′−シア
ノビフェニルの少くとも1種および、一般式 (ここで、R8は炭素数11もしくは12のアルキル基
を示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′
−シアノビフェニルの少くとも1種からなるB成分を含
有し、A成分とB成分の比率が95:5ないし45:5
5である液晶組成物を用いた熱書込み用であることが特
徴である。
ル−47−シアノビフェニル、4−m−ドデシル−4′
−シアノビフェニルおよび、−般式 (ここで、R1は炭素数9.10もしくは11のアルキ
ル基を示す)で示される4−n−アルキル−4′−シア
ノビフェニルの少くとも1aLからなるA成分、および 一般式 (ここで、馬は炭素数8もしくは9のアルキル基を示す
)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′−シア
ノビフェニルの少くとも1種および、一般式 (ここで、R8は炭素数11もしくは12のアルキル基
を示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′
−シアノビフェニルの少くとも1種からなるB成分を含
有し、A成分とB成分の比率が95:5ないし45:5
5である液晶組成物を用いた熱書込み用であることが特
徴である。
また、本発明として上記人成分とB成分に二股式
(ここで、亀は炭素数8から12のアルキル基を示す)
で示される4−n−アルコキシ−4′−シアノビフェニ
ルの1種以上のC成分が含有された液晶組成物を用いた
熱書込み用液晶表示素子を示すことができる。
で示される4−n−アルコキシ−4′−シアノビフェニ
ルの1種以上のC成分が含有された液晶組成物を用いた
熱書込み用液晶表示素子を示すことができる。
本発明の組成物は、染料、コレステリック液晶、NI点
の調整などのために用いられるための高温液晶と共に用
いることができる。
の調整などのために用いられるための高温液晶と共に用
いることができる。
染料としては二色性染料、レーザー光の波長に合った二
色性染料が用いられ、アゾ系染料、アントラキノン染料
をあげることができる。その含有量は10%以下、通常
5%以下である。
色性染料が用いられ、アゾ系染料、アントラキノン染料
をあげることができる。その含有量は10%以下、通常
5%以下である。
コレステリック液晶としては、たとえば、4′−シアノ
−4−(2’−メチルブチルオキシ)ビフェニル、4′
−シアノ−4−(2’−メチルブチル)ビフェニル、4
’−(2−メチルブチルオキシ)安息香酸−4′−シア
ノフェニル、2−クロル−1,4−ビス(4’−2−メ
チルブチルオキシベンツイルオキシ)ベンゼン、4’−
(2−メチルブチル)−4−ビフェニルカルボンv 、
i/−ヘンチルシクロヘキシルエステルなどあげること
ができる。その含有量30係以下通常は20%以下であ
る。
−4−(2’−メチルブチルオキシ)ビフェニル、4′
−シアノ−4−(2’−メチルブチル)ビフェニル、4
’−(2−メチルブチルオキシ)安息香酸−4′−シア
ノフェニル、2−クロル−1,4−ビス(4’−2−メ
チルブチルオキシベンツイルオキシ)ベンゼン、4’−
(2−メチルブチル)−4−ビフェニルカルボンv 、
i/−ヘンチルシクロヘキシルエステルなどあげること
ができる。その含有量30係以下通常は20%以下であ
る。
高温液晶としては、4−n−ノニル−4”−シアノター
フェニル、4−n−ノニルオキシ−4“−シアノターフ
ェニル、4−()ランス−4−〇−ノニルシクロヘキシ
ル) + 47−シアノビフェニル、1−(4’−n−
へキシルフェニル)−2−(4’−シアノ−4−ビフェ
ニリル)エタン、トランス−4−n−ノニルシクロヘキ
サンカルボンI!12−4’−シアノビフェニルエステ
ル、1−(4’−n−へキシルシクロヘキシル)−2−
(4’−シアノー4−ビフェニル)エタン、トランス−
4−n−ノニル安息香酸−4′−シアノ−4−ビフェニ
リルエステル、トランス−4−n−7ニルオキシ安息香
酸−47−ジアツー4−ビフェニリルエステルなどをあ
げることができる。その含有量は30%以下、好ましく
は20%以下である。
フェニル、4−n−ノニルオキシ−4“−シアノターフ
ェニル、4−()ランス−4−〇−ノニルシクロヘキシ
ル) + 47−シアノビフェニル、1−(4’−n−
へキシルフェニル)−2−(4’−シアノ−4−ビフェ
ニリル)エタン、トランス−4−n−ノニルシクロヘキ
サンカルボンI!12−4’−シアノビフェニルエステ
ル、1−(4’−n−へキシルシクロヘキシル)−2−
(4’−シアノー4−ビフェニル)エタン、トランス−
4−n−ノニル安息香酸−4′−シアノ−4−ビフェニ
リルエステル、トランス−4−n−7ニルオキシ安息香
酸−47−ジアツー4−ビフェニリルエステルなどをあ
げることができる。その含有量は30%以下、好ましく
は20%以下である。
本発明の液晶組成物および液晶素子は、極めて狭いネマ
チック相を有しかつ融点の低い相転移を有するのが特徴
であシ、熱書込み用液晶表示装置に用いるに適したもの
である。
チック相を有しかつ融点の低い相転移を有するのが特徴
であシ、熱書込み用液晶表示装置に用いるに適したもの
である。
本発明の液晶組成物は、具体的にはネマチックレンジが
2℃以下であるため表示素子の書き込み速度は速くなυ
、また、投写画面などのコントラストがよくなり、表示
品位が著しく向上する。また、融点0℃以下であるため
屋内、室温で使用熱書込み型液晶表示装置に使用しても
問題がなく、実用的に使用し得る液晶材料である。
2℃以下であるため表示素子の書き込み速度は速くなυ
、また、投写画面などのコントラストがよくなり、表示
品位が著しく向上する。また、融点0℃以下であるため
屋内、室温で使用熱書込み型液晶表示装置に使用しても
問題がなく、実用的に使用し得る液晶材料である。
実施例1〜7
表2の所定の組成(重量%)に基づいて液晶組成物を調
製し、その特性を測定し、結果を表に示す。
製し、その特性を測定し、結果を表に示す。
比較例1〜9
実施例と同様に組成物を調製し、その特性を測定した。
結果を表3に示す。
手続補正書(自発)
昭和63年 3月ユ/日
Claims (5)
- (1)4−n−オクチル−4′−シアノビフェニル、4
−n−ドデシル−4′−シアノビフェニルおよび、一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ここで、R_1は炭素数9、10もしくは11のアル
キル基を示す)で示される4−n−アルキル−4′−シ
アノビフェニルの少くとも1種からなるA成分、 および、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (ここで、R_2は炭素数8もしくは9のアルキル基を
示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′−
シアノビフェニルの少くとも1種および、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (ここで、R_3は炭素数11もしくは12のアルキル
基を示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4
′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるB成分、 を含有し、A成分とB成分の比率が95:5ないし45
:55であることを特徴とする液晶組成物。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (ここで、R_4は炭素数8から12のアルキル基を示
す)で示される4−n−アルコキシ−4′−シアノビフ
ェニルの1種以上を含有する特許請求の範囲第(1)項
記載の液晶組成物。 - (3)4−n−オクチル−4′−シアノビフェニルと4
−n−ドデシル−4′−シアノビフェニルの比が1:1
ないし9:1であり、( I )式で示される4−n−ア
ルキル−4′−シアノビフェニルがA成分中に40%以
上含有し、式(II)で示される4−n−アルカノイルオ
キシ−4′−シアノビフェニルの少くとも1種と式(I
II)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′−シ
アノビフェニルの少くとも1種の比率が55:45ない
し95:5である特許請求の範囲第(1)項もしくは第
(2)項記載の液晶組成物。 - (4)4−n−オクチル−4′−シアノビフェニル、4
−n−ドデシル−4′−シアノビフェニルおよび、一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (ここで、R_1は炭素数9、10もしくは11のアル
キル基を示す)で示される4−n−アルキル−4′−シ
アノビフェニルの少くとも1種からなるA成分、および
一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (ここで、R_2は炭素数8もしくは9のアルキル基を
示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4′−
シアノビフェニルの少くとも1種および、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (ここで、R_3は炭素数11もしくは12のアルキル
基を示す)で示される4−n−アルカノイルオキシ−4
′−シアノビフェニルの少くとも1種からなるB成分を
含有し、A成分とB成分の比率が95:5ないし45:
55である液晶組成物を用いたことを特徴とする熱書込
み用液晶表示素子。 - (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (ここで、R_4は炭素数8から12のアルキル基を示
す)で示される4−n−アルコキシ−4′−シアノビフ
ェニルの少くとも1種を含有する液晶組成物を用いた特
許請求の範囲第(4)項記載の熱書込み用液晶表示素子
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290369A JP2627628B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 液晶組成物 |
| PCT/JP1988/001157 WO1989004859A1 (fr) | 1987-11-17 | 1988-11-17 | Compose a base de cristaux liquides |
| US07/381,411 US5094776A (en) | 1987-11-17 | 1988-11-17 | Liquid crystal composition |
| DE8888910097T DE3871385D1 (de) | 1987-11-17 | 1988-11-17 | Fluessigkristallzubereitung. |
| EP88910097A EP0347468B1 (en) | 1987-11-17 | 1988-11-17 | Liquid crystal composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290369A JP2627628B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132684A true JPH01132684A (ja) | 1989-05-25 |
| JP2627628B2 JP2627628B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17755137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290369A Expired - Lifetime JP2627628B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 液晶組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5094776A (ja) |
| EP (1) | EP0347468B1 (ja) |
| JP (1) | JP2627628B2 (ja) |
| DE (1) | DE3871385D1 (ja) |
| WO (1) | WO1989004859A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770459A (en) * | 1986-04-30 | 1998-06-23 | Igen International, Inc. | Methods and apparatus for improved luminescence assays using particle concentration, electrochemical generation of chemiluminescence detection |
| US6881589B1 (en) | 1987-04-30 | 2005-04-19 | Bioveris Corporation | Electrochemiluminescent localizable complexes for assay compositions |
| US5935779A (en) * | 1988-11-03 | 1999-08-10 | Igen International Inc. | Methods for improved particle electrochemiluminescence assay |
| US5798083A (en) * | 1988-11-03 | 1998-08-25 | Igen International, Inc. | Apparatus for improved luminescence assays using particle concentration and chemiluminescence detection |
| US5705402A (en) * | 1988-11-03 | 1998-01-06 | Igen International, Inc. | Method and apparatus for magnetic microparticulate based luminescence assay including plurality of magnets |
| US5962218A (en) * | 1988-11-03 | 1999-10-05 | Igen International Inc. | Methods and apparatus for improved luminescence assays |
| US5746974A (en) * | 1988-11-03 | 1998-05-05 | Igen International, Inc. | Apparatus for improved luminescence assays using particle concentration, electrochemical generation of chemiluminescence and chemiluminescence detection |
| ZA92803B (en) | 1991-02-06 | 1992-11-25 | Igen Inc | Method and apparatus for magnetic microparticulate based luminescene asay including plurality of magnets |
| JP5590796B2 (ja) | 2005-06-03 | 2014-09-17 | ボード・オブ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・テキサス・システム | 電気化学および単一ファラデー電極による電気化学発光 |
| US10787303B2 (en) | 2016-05-29 | 2020-09-29 | Cellulose Material Solutions, LLC | Packaging insulation products and methods of making and using same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1433130A (en) * | 1972-11-09 | 1976-04-22 | Secr Defence | Substituted biphenyl and polyphenyl compounds and liquid crystal materials and devices containing them |
| US4053431A (en) * | 1973-11-19 | 1977-10-11 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline biphenyls |
| US4069167A (en) * | 1974-09-25 | 1978-01-17 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| FR2297201A1 (fr) * | 1975-01-10 | 1976-08-06 | Thomson Csf | Produits mesogenes pour cellules a cristal liquide, et procede de fabrication desdits produits |
| DE3209178A1 (de) * | 1982-03-13 | 1983-09-15 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Polyhalogenaromaten |
| JPS59122574A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-16 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶物質 |
| JPS60144383A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-07-30 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶物質 |
| JPS60252686A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶物質 |
| JPS61275385A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-12-05 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶組成物 |
| JPS61268790A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Nec Corp | 熱書込液晶素子用液晶組成物 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290369A patent/JP2627628B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-17 WO PCT/JP1988/001157 patent/WO1989004859A1/ja not_active Ceased
- 1988-11-17 DE DE8888910097T patent/DE3871385D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-17 US US07/381,411 patent/US5094776A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-17 EP EP88910097A patent/EP0347468B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1989004859A1 (fr) | 1989-06-01 |
| JP2627628B2 (ja) | 1997-07-09 |
| DE3871385D1 (de) | 1992-06-25 |
| US5094776A (en) | 1992-03-10 |
| EP0347468A1 (en) | 1989-12-27 |
| EP0347468B1 (en) | 1992-05-20 |
| EP0347468A4 (en) | 1990-03-12 |
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