JPH0113362Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0113362Y2 JPH0113362Y2 JP567183U JP567183U JPH0113362Y2 JP H0113362 Y2 JPH0113362 Y2 JP H0113362Y2 JP 567183 U JP567183 U JP 567183U JP 567183 U JP567183 U JP 567183U JP H0113362 Y2 JPH0113362 Y2 JP H0113362Y2
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- Japan
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- varistor
- electrodes
- common electrode
- capacitance
- divided
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- Expired
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- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、音響機器に関連する小型直流モータ
のノイズ防止、リレー接点の保護、半導体素子の
静電気に対する保護等に使用されるバリスタに関
する。
のノイズ防止、リレー接点の保護、半導体素子の
静電気に対する保護等に使用されるバリスタに関
する。
従来技術
従来のこの種のバリスタは、一般に、円環状等
の適当な形状に形成されたバリスタ素体の表面も
しくは裏面または両面に、一個またはそれ以上の
個数の電極を被着形成した構造となつている。第
1図及び第2図は従来のバリスタの一例を示し、
円環状に形成されたバリスタ素体1の表面に、ギ
ヤツプGによつて分割された複数の分割電極2,
3及び4を設け、裏面に前記電極2〜4に共通に
対向する共通電極5を設けた構造となつている。
前記バリスタ素体1としては、シリコンカーバイ
ト(SiC)系、酸化錫(Sn02)系、酸化鉄
(Fe203)系、酸化チタン(Ti02)系またはチタ
ン酸ストロンチウム(SrTi03)系等の焼結体が
使用される。
の適当な形状に形成されたバリスタ素体の表面も
しくは裏面または両面に、一個またはそれ以上の
個数の電極を被着形成した構造となつている。第
1図及び第2図は従来のバリスタの一例を示し、
円環状に形成されたバリスタ素体1の表面に、ギ
ヤツプGによつて分割された複数の分割電極2,
3及び4を設け、裏面に前記電極2〜4に共通に
対向する共通電極5を設けた構造となつている。
前記バリスタ素体1としては、シリコンカーバイ
ト(SiC)系、酸化錫(Sn02)系、酸化鉄
(Fe203)系、酸化チタン(Ti02)系またはチタ
ン酸ストロンチウム(SrTi03)系等の焼結体が
使用される。
第3図は第1図及び第2図に示した従来のバリ
スタの電気的等価回路図であり、分割電極2,3
及び4の各々と共通電極5との間に、バリスタ特
性Vz2,Vz3,Vz4と並列に、静電容量C2
5,C35,C45を接続した回路構成となる。
スタの電気的等価回路図であり、分割電極2,3
及び4の各々と共通電極5との間に、バリスタ特
性Vz2,Vz3,Vz4と並列に、静電容量C2
5,C35,C45を接続した回路構成となる。
上記の等価回路において、スパイク状の火花雑
音やリード伝播ノイズ等がバリスタ電圧を越えた
場合はそのバリスタ特性により電圧をカツトし、
一方、印加電圧がバリスタ電圧より低い電圧範囲
では一種のコンデンサとして動作し、電極間に発
生する静電容量C25,C35,C45によりノ
イズを消去する。
音やリード伝播ノイズ等がバリスタ電圧を越えた
場合はそのバリスタ特性により電圧をカツトし、
一方、印加電圧がバリスタ電圧より低い電圧範囲
では一種のコンデンサとして動作し、電極間に発
生する静電容量C25,C35,C45によりノ
イズを消去する。
従来技術の欠点
ところで、当該バリスタを、例えばエレクトロ
ガバナ付モータ回路のノイズ消去用として使用し
た場合、バリスタの持つ静電容量値C25,C3
5,C45とエレクトロガバナ回路の定数値との
インピーダンスマツチングが悪いと、逆に発振を
起しノイズ消去ができなくなるので、バリスタの
持つ静電容量C25,C35,C45の値を、イ
ンピーダンスマツチングを取るのに適当に値に調
整することが必要になる場合がある。静電容量C
25,C35,C45は、バリスタ素体の焼成法
や材料選択によつて変更することが可能である
が、電極の重なり面積を変更する方法が最も簡単
で確実である。ところが、従来のバリスタは、前
述した如く、分割電極2〜4と共通電極5とを、
互いに重なり合わせて対向させてあつたため、分
割電極2〜4と共通電極5との重なり面積を調整
して静電容量C25,C35,C45を調整しよ
うとすると、バリスタ電圧が、静電容量の変化に
対して逆相関の関係で、大きくが変化してしま
う。このため、従来のバリスタにおいては、電極
面積の調整による静電容量値のコントロールが非
常に因難であつた。
ガバナ付モータ回路のノイズ消去用として使用し
た場合、バリスタの持つ静電容量値C25,C3
5,C45とエレクトロガバナ回路の定数値との
インピーダンスマツチングが悪いと、逆に発振を
起しノイズ消去ができなくなるので、バリスタの
持つ静電容量C25,C35,C45の値を、イ
ンピーダンスマツチングを取るのに適当に値に調
整することが必要になる場合がある。静電容量C
25,C35,C45は、バリスタ素体の焼成法
や材料選択によつて変更することが可能である
が、電極の重なり面積を変更する方法が最も簡単
で確実である。ところが、従来のバリスタは、前
述した如く、分割電極2〜4と共通電極5とを、
互いに重なり合わせて対向させてあつたため、分
割電極2〜4と共通電極5との重なり面積を調整
して静電容量C25,C35,C45を調整しよ
うとすると、バリスタ電圧が、静電容量の変化に
対して逆相関の関係で、大きくが変化してしま
う。このため、従来のバリスタにおいては、電極
面積の調整による静電容量値のコントロールが非
常に因難であつた。
本考案の目的
そこで本考案は、上述する従来からの問題点を
解決し、バリスタ電圧の変化を抑えつつ、静電容
量を所望の値に容易に調整し得るようにしたバリ
スタを提供することを目的とする。
解決し、バリスタ電圧の変化を抑えつつ、静電容
量を所望の値に容易に調整し得るようにしたバリ
スタを提供することを目的とする。
本考案の構成
上記目的を達成するため、本考案は、相対する
両面にそれぞれ電極を設けたバリスタにおいて、
前記両面の電極は、互いに重なり合わない位置に
形成したことを特徴とする。
両面にそれぞれ電極を設けたバリスタにおいて、
前記両面の電極は、互いに重なり合わない位置に
形成したことを特徴とする。
実施例
第4図は本考案に係るバリスタの正面図、第5
図は第4図のA−A線上における断面図、第6図
は同じくその背面図である。図において、第1図
及び第2図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。この実施例では、酸化チタン
(Ti02)系またはチタン酸ストロンチウム
(SrTi03)系等のバリスタ素体1の表面側の外周
寄りに、ギヤツプGによつて複数に分割された電
極2〜4を形成すると共に、裏面側の中心寄りの
前記分割電極2〜4と重なり合わない位置に、円
環状の共通電極5を形成した構造となつている。
即ち分割電極2〜4の内端縁半径をr1とし、共通
電極5の外端縁半径をr2としたとき、r1>r2とな
るようにし、分割電極2〜4の内端縁と共通電極
5の外端縁との間に、前記半径差(r1−r2)だけ
のギヤツプgが生じるように形成するのである。
このような構造であると、前記ギヤツプgの幅を
増減調整することにより、分割電極2〜4と共通
電極5との間に発生する静電容量C25,C3
5,C45を減少させまたは増加させることがで
きる。しかも、この場合、電極面積の増減が非常
に小さくて済むから、バリスタ電圧の変化を従来
より著しく小さくすることができる。このため、
静電容量の調整、特に10μF前後の低静電容量領
域の調整及び素子製造が非常に容易になり、例え
ばエレクトロガバナ付マイクロモータに対するイ
ンピーダンスマツチグ等が非常に取り易くなる。
なお、実施例では酸化チタン系にバリスタを示し
たが、Zn0系等の他のバリスタであつてもよい。
また分割電極2〜4を共通電極5より内径側に形
成する等、他の態様を取ることも可能である。
図は第4図のA−A線上における断面図、第6図
は同じくその背面図である。図において、第1図
及び第2図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。この実施例では、酸化チタン
(Ti02)系またはチタン酸ストロンチウム
(SrTi03)系等のバリスタ素体1の表面側の外周
寄りに、ギヤツプGによつて複数に分割された電
極2〜4を形成すると共に、裏面側の中心寄りの
前記分割電極2〜4と重なり合わない位置に、円
環状の共通電極5を形成した構造となつている。
即ち分割電極2〜4の内端縁半径をr1とし、共通
電極5の外端縁半径をr2としたとき、r1>r2とな
るようにし、分割電極2〜4の内端縁と共通電極
5の外端縁との間に、前記半径差(r1−r2)だけ
のギヤツプgが生じるように形成するのである。
このような構造であると、前記ギヤツプgの幅を
増減調整することにより、分割電極2〜4と共通
電極5との間に発生する静電容量C25,C3
5,C45を減少させまたは増加させることがで
きる。しかも、この場合、電極面積の増減が非常
に小さくて済むから、バリスタ電圧の変化を従来
より著しく小さくすることができる。このため、
静電容量の調整、特に10μF前後の低静電容量領
域の調整及び素子製造が非常に容易になり、例え
ばエレクトロガバナ付マイクロモータに対するイ
ンピーダンスマツチグ等が非常に取り易くなる。
なお、実施例では酸化チタン系にバリスタを示し
たが、Zn0系等の他のバリスタであつてもよい。
また分割電極2〜4を共通電極5より内径側に形
成する等、他の態様を取ることも可能である。
本考案の効果
以上述べたように、本考案は、相当する両面に
それぞれ電極を設けたバリスタにおいて、前記両
面の電極は、互いに重なり合わない位置に形成し
たことを特徴とするから、バリスタ電圧の変化を
抑えつつ、静電容量を所望の値に容易に調整し得
るようにしたバリスタを提供することができる。
それぞれ電極を設けたバリスタにおいて、前記両
面の電極は、互いに重なり合わない位置に形成し
たことを特徴とするから、バリスタ電圧の変化を
抑えつつ、静電容量を所望の値に容易に調整し得
るようにしたバリスタを提供することができる。
第1図は従来のバリスタの正面図、第2図は同
じくその側面断面図、第3図は同じくその電気的
等価回路図、第4図は本考案に係るバリスタの正
面図、第5図は第4図のA−A線上における断面
図、第6図は同じく背面図である。 1……バリスタ素体、2〜5……電極、g……
ギヤツプ。
じくその側面断面図、第3図は同じくその電気的
等価回路図、第4図は本考案に係るバリスタの正
面図、第5図は第4図のA−A線上における断面
図、第6図は同じく背面図である。 1……バリスタ素体、2〜5……電極、g……
ギヤツプ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 相対する両面にそれぞれ電極を設けたバリス
タにおいて、前記両面の電極は、互いに重なり
合わない位置に形成したことを特徴とするバリ
スタ。 (2) 前記両面の電極は、円軸円環状に形成したこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項
に記載のバリスタ。 (3) 前記両面に形成される電極の一方は、複数の
分割電極であることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第1項または第2項に記載のバリス
タ。 (4) 前記両面に形成される電極の他方は、前記分
割電極に対して共通の共通電極であることを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第3項に記載
のバリスタ。 (5) バリスタ素体が酸化チタン系またはチタン酸
ストロンチウム系で成ることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第1項、第2項、第3項ま
たは第4項に記載のバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP567183U JPS59112903U (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP567183U JPS59112903U (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112903U JPS59112903U (ja) | 1984-07-30 |
| JPH0113362Y2 true JPH0113362Y2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=30137260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP567183U Granted JPS59112903U (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112903U (ja) |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP567183U patent/JPS59112903U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59112903U (ja) | 1984-07-30 |
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