JPH01134926A - プラズマ生成源およびそれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロ波プラズマ生成源およびそれを用い
たプラズマＣＶＤ装置、プラズマエツチング装置のよう
なプラズマ処理装置の高性能化にかかわり、特にプラズ
マ処理装置に用いられているマイクロ波プラズマ生成源
の改善に関するものである。

［従来の技術１ 半導体製造のプロセス技術として、ドライプロセスが半
導体の微細化、高集積化のために非常に重要な技術とな
ってきた。このようなドライプロセスにおいて、エツチ
ング、デポジションなどにプラズマを用いたプラズマ処
理装置が最近使用されつつある。このようなプラズマ処
理装置としては、例えば、プラズマＣｖＤ装置、イオン
ジャワエツチング装置、プラズマ流エツチング装置、ダ
イナミックイオンビームミキシング装置、イオン打ち込
み装置などがあるが、これらのプラズマ処理装置の共通
点はプラズマ発生手段にあり、しかもこれらの装置の性
能はこのプラズマの性質に左右されてしまう。つまり、
これらはいずれもプラズマ生成室における放電ガスをプ
ラズマ状態にした後、このプラズマを取り出し、もしく
はこのプラズマからイオンを取り出して、試着の表面を
微細加工している。

プラズマを発生させるプラズマ生成源としては、種々の
放電形式があるが、その中でも、マイクロ波励起による
電子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ放電（ＥＣＲ
放電）は、■低い圧力（ｌｘｌｏ−５Ｔｏｒｒ以下）で
放電可能であり、イオンの方向がそろうこと、■高密度
プラズマが発生できること、■無電極放電であるため寿
命が長く、活性ガスを使用できること、等の優れた特徴
を持っているのでン主目されている。

第８図に従来のＥＣＲ放電を用いたプラズマ生成源とそ
れを用いたＥＣＲＣＶＤ装置の基本構成を示す（１列え
ば、Ｊｐｎ、Ｊ、八ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、ｖｏ１．２２．
Ｎｏ、４．　（１９８３）Ｌ２１０〜Ｌ２１２）。第８
図において、１はプラズマ生成室、２はマイクロ波導入
窓、３は導波管、４は磁気コイル、５および６はガス導
入口、７はプラズマリミッタ、８は引き出されたプラズ
マ流、９は試料台、１０は試料である。プラズマ生成室
１にガス導入口５よりガスを、導波管３からマイクロ波
（例えば２．４５ＧＨｚ）を導入しく図にはマイクロ波
発振源、アイソレータ、整合器、マイクロ波電力計を省
略しである）、磁気コイル４によって電子サイクロトロ
ン共鳴（Ｅ（：ｎ）条件の直流磁場（８７５ガウス）を
マイクロ波電界に対して直角方向に印加すると、これら
の相互作用で、プラズマ発、生室１に導入されたガスは
プラズマとなる。例えば、試料（Ｓ＋ウェハ等）　１０
の土にＳ、Ｏ，をデポジションする場合には、ガス導入
口５より酸素ガスを導入してプラズマ化し、ガス導入口
６より　Ｓｌ）＋４を導入することにより、試料を加熱
することなく試料１０の上に緻密な膜が低温で形成され
る。また、試料ｌＯの表面の５１０２をエツチングする
場合には、ガス導入口５から導入したＣＦ、ｔなどのガ
スをプラズマ化し、試料ｌＯを照射することによりＳ、
０２がエツチングされる。また、第８図において、プラ
ズマの引出し口にイオン引出し電極を取り付けて、プラ
ズマ中のイオンのみを取り出し、しかもそのイオンエネ
ルギを制御すれば、イオンジャワエツチング装置として
使用できる。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来、この種の装置のマイクロ波励起によるプラズマ生
成室の空胴は直径２０ｃｍ程度の空胴で構成されており
、はぼこの径に対応する試料までは処理が可能である。

しかしながら、均一で高密度なプラズマを得る条件は難
しく、一般には、均一なプラズマを得る条件を優先して
使用するために、プラズマ密度の低いところ、すなわち
処理速度の遅いところで使用していた。これは、プラズ
マ密度が高くなってくると、マイクロ波がプラズマ生成
室の全域に伝播せずに、プラズマ密度の濃いところでマ
イクロ波が局所的にプラズマに吸収されるものと考えら
れるためである。すなわち、均一で高密度のプラズマを
生成するマイクロ波プラズマ生成源の開発は、重要な課
題になっていた。

また、今後、生産性の向上のためには大きな試料や大量
の試料を微細加工できる装置の開発が必要となることは
必至である。この要求に応えるためには、大口径で高密
度のプラズマを生成するプラズマ生成源を用いた大口径
・高速処理のプラズマデポジション装置、ダイナミック
イオンビームスキシング装置などの開発が必要である。

そのためには、大口径ビームでしかも高密度のプラズマ
を生成するプラズマ生成源の開発が必須である。

ところが、単純にプラズマ生成室を大きくして、大口径
のプラズマ生成源を作っても、マイクロ波の電界強度は
周辺で弱くなり、しかもマイクロ波の伝播モードも多重
モードになり電界強度の不均一化が生じるため、プラズ
マ密度が低下するばかりか、均一性を得る条件が非常に
厳しくなってくる。この事情は、マイクロ波導入窓部２
を介してプラズマ生成室１にマイクロ波を導入す〜る導
波管３が矩形導波管であっても円筒導波管であっても、
さらにこの導波管３の大きさを大きくしても事情は変わ
らず同様な傾向にある。

このような目的に対処するために、均一で大口径の高密
度プラズマを発生するプラズマ生成源の開発か重要な課
題になっている。

本発明は、均一で高密度のプラズマを発生し、しかも大
口径化に適用できるプラズマ生成源を実現することによ
り、高速・大面積のプラズマ処理装置を提供することを
目的とする。

［問題点を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明プラズマ生成
源は少なくともマイクロ波源、マイクロ波導波管および
マイクロ波導入口からなるマイクロ波導入機構と、プラ
ズマ生成用空胴部とを有し、マイクロ波導入機構はマイ
クロ波導入口によりプラズマ生成用空胴部に結合され、
マイクロ波源からプラズマ生成用空胴部にマイクロ波を
導入し、プラズマを発生させるプラズマ生成源において
、マイクロ波導入口が複数であることを特徴とする。

また本発明プラズマ処理装置は少なくともマイクロ波源
、マイクロ波導波管およびマイクロ波導入口からなるマ
イクロ波導入機構と、プラズマ生成用空胴部と、プラズ
マ生成用空ＩＲ部に結合された試料室とを有し、マイク
ロ波導入機構はマイクロ波導入口によりプラズマ生成用
空胴部に結合され、マイクロ波源からプラズマ生成用空
胴部にマイクロ波を尋人し、試料室は少なくともプラズ
マにより処理される試料を設置する試料台を有するプラ
ズマ処理装置において、マイクロ波導入口が複数である
ことを特徴とする。

［作　用１ 従来のイオン源では、プラズマを生成する空胴にマイク
ロ波を導入する入口が一つであったため、高密度プラズ
マを得ようとするとマイクロ波導入口近傍のプラズマが
強くなり、均一で高密度のプラズマを得るのが困難であ
った。実際のプラズマ処理装置では均一なプラズマ０生
成を°優先しているため、プラズマ密度は弱いが均一性
の良い条件で各種の加工処理を行っていた。

それに対して本発明では、高密度プラズマの生成に適し
た比較的小型なマイクロ波導入口（導入窓）を用いて高
密度プラズマを生成するとともに複数のマイクロ波導入
口を設置した。これにより、導入口近傍で生成する高密
度プラズマを重合わせ（実際にはマイクロ波も重合わさ
れている）平均化して、均一で高密度なプラズマの発生
を可能にした。さらに、本発明によればマイクロ波を導
入する導入口の大きさ・間隔を適切にし、数を増大する
ことにより、大口径化が可能なので、大口径で均一・高
密度のプラズマを発生できる。

［実施例〕 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例の構成を示す断面図である。

同図において、１１はマイクロ波分岐用導波管、１２八
はマイクロ波導入口、１２Ｂはマイクロ波導入窓（誘電
体）、１２Ｃは仕切板であり、マイクロ波導入口１２八
とマイクロ波導入窓１２Ｂとでマイクロ波導入結合部を
形成する。マイクロ波分岐用導波管１１はマイクロ波を
分岐するもので、マイクロ波は伝播しながら複数の矩形
導波管に等しく分配される。プラズマ生成室１にマイク
ロ波を導入する直前のマイクロ波分岐用導波管１１の形
状、すなわちマイクロ波導入口１２Ａの形状の例を第２
図（八）　、　（Ｂ）　に示す。従来のプラズマ生成源
では、マイクロ波導入口が１個の矩形導波管で構成され
ており、通常は９．６ｃ＋ｎ　ｘ２．７ｃｍ　、　１０
．９ｃｍｘ５．４ｃｍなどの導波管が使用されていた。

これに対して、ここでは一つの導波管のかわりに複数の
矩形導波管を用いて、複数のマイクロ波導入口１２Ａか
らプラズマ生成室１にマイクロ波を導入している。すな
わち、一つのマイクロ波導波管３から導入されたマイク
ロ波は、マイクロ波分岐用導波管１１で複数の同一のマ
イクロ波電界分布（当然マイクロ波電力も等しい）を有
するマイクロ波に分岐され、マイクロ波導入口１２Ａに
達する。第２図（八）に示すような並列に配置された４
個、もしくは第２図（Ｂ）に示すような１６個のマイク
ロ波導入口１２Ａを介して、マイクロ波はプラズマ生成
室に導入される。このようにすることにより、■広範囲
の領域で高密度プラズマと導入するマイクロ波との結合
をとることができる、■導入する直前のマイクロ波の電
界分布（電力分布）の均一化が図られ、空間的に均一な
マイクロ波がプラズマ中に伝播・吸収される。なお、こ
の図では、マイクロ波導入口１２八を密に配置した場合
を示したが、間をあけても良いことは言うまでもない。

また、第２図では、４個と８×２個のマイクロ波導入口
を配置した例を示したが、これ以上いくつにも拡張可能
である。必要とするプラズマ生成室の大ぎさに合わせて
マイクロ波導入口の数を増大することができる。

一般に、矩形導波管の断面寸法をａｘｂ　（ａ＞ｂ）と
し、マイクロ波の周波数を２．４５６１１□とすると、
ＴＥＩＯモードのマイクロ波を伝播するためには、長平
方向の大きさ：ａを１２．２〜６．１ｃｍにし、もう一
方の方向の長さ：°ｂを６．１ｃｍ以下にする必要があ
る。このような、矩形導波管を伝播するマイクロ波を分
岐するためには、第３図のような原理で導波モードを保
存したまま分岐ができる。第３図（八）は矩形導波管２
１の短い方向に分岐してマイクロ波導入口２１Ａおよび
２１Ｂを構成する場合であり、分岐の方向がマイクロ波
が導波されていない方向なので、電界分布が乱されにく
く、直接分岐できる。導入されたマイクロ波２２は２２
Ａおよび２２Ｂに分岐される。導波管の短い側の中央で
分岐することにより、同等の２つのマイクロ波の導波モ
ードに分割される。第３図（Ｂ）は矩形導波管２３の長
手方向に分岐してマイクロ波導入口２３八、２３Ｂを構
成する場合で、マイクロ波が導波されている方向で、マ
イクロ波が結合する中央の長さしをマイクロ波の電力を
等分するように構成する。これは、マイクロ波の４開口
形回路素子であり、ハイブリッド結合器と呼ばれている
。中央の導体棒２３Ｃは、整合調整用のもので必要に応
じて使用することができる。このような、ハイブリッド
結合器を使用することにより、第３図（Ｂ）においては
導入されたマイクロ波２２は、等価な２つのマイクロ波
２２Ａと２２８　ｐ分岐することができる。

この第３図（Ａ）の方法でマイクロ波を分割したものが
、第１図のマイクロ波分岐用導波管１１に相当している
。マイクロ波分岐用導波管に導入されたマイクロ波は、
この導波管部で均等な複数のＴＥＩＯモードのマイクロ
波となり、複数の矩形導波管で伝播したのと等価なマイ
クロ波がプラズマ生成用の空胴に導入される。

マイクロ波を分割する例を第４図および第５図に示した
。第４図および第５図の矢印はマイクロ波の分岐の様子
を示している。第４図は第３図（Ｂ）のハイブリッド結
合器のみを用いた例を示しており、第５図は最初の分岐
にＨ−分岐を使用した例を示した。ここの説明では、比
較的分かり易い例を示したが、種々のマイクロ波分岐回
路が使用できる。この分岐されたマイクロ波導入口の断
面の様子は、第６図（八）のようになる。さらに、第３
図（Ａ）の分岐方法と同図（Ｂ）の分岐方法との組合せ
を用いることにより、第２図（Ｂ）に示したような２次
元の配置を有するマイクロ波導入口の構成ができる。以
上の説明では、一つの導波管から、次々と分岐して複数
の矩形導波管に分岐する構成のみを述べたが、分岐する
構成にしないで、複数の導波管を並列に接続して構成し
てもよいことはいうまでもない。例えば、第１図で、４
個の矩形導波管を並列に配列して、個々の導波管にマイ
クロ波発振器を直接接続しても等価の作用を行うことが
できる。また、各マイクロ波分岐導波管は、マイクロ波
電力を等分に分岐する場合のみを示したが、この配分比
を適切にして、所望のマイクロ波導入口の数を有するプ
ラズマ生成源およびそれを用いた装置を設計することか
できることは言うまでもない。

マイクロ波導入窓１２Ｂは８電体で構成さ、れている。

第１図では積層の誘電体構成の例を示したが、石英、ア
ルミナなどの単層の誘電体であってもよい。一般に、マ
イクロ波導入窓は、■マイクロ波の導入、■真空封じ、
■導入するマイクロ波と生成されたプラズマとの結合（
インピーダンス整合）、■プラズマの遮蔽などの役目を
もっている。特に、高密度プラズマを生成するためには
、マイクロ波を導入する導波管の形状を小さくして電力
密度を高めると同時に、マイクロ波導入窓で高密度プラ
ズマとインピーダンス整合をとるのが重要である。プラ
ズマの銹電率を考慮してマイクロ波導入窓を構成する必
要かある。形状（大きさ・厚み）は、インピーダンス整
合をとってマイクロ波の反射が小さくなるように設計す
ればよいが、一般に高密度プラズマとインピーダンス整
合をとるためには、話電率の高い誘電体（例えは、アル
ミナ）の使用が効果的である。また、プラズマと接触す
る部分は、熱伝導率が高く高融点の誘電体が有効なので
、その目的にはＢＮが適している。例えば、真空封じの
ために加工、平坦性に優れた石英を用いる場合には、石
英とアルミナの２層構成の誘電体や石英、アルミナ、　
ＢＮの３層構成の誘電体のマイクロ波導入窓が高密度プ
ラズマの生成に有効である。

図にはマイクロ波整合器、マイクロ波電力計。

（マイクロ波発振源、アイソレータ）などマイクロ波回
路部品が図示されていないが、必要に応じて使用するこ
とは勿論である。

このような構成になっているので、ガス導入口５からガ
スを、導波管３よりマイクロ波（例えば、２．４５０Ｉ
＋□）をプラズマ生成室１に導入し、磁気コイル４によ
って電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件（８７５ガ
ウス）を満たす直流磁場をマイクロ波電界に対して直角
方向に印加すると、これらの相互作用でプラズマ生成室
１に導入されたガスはプラズマ化される。このとき、マ
イクロ波導入窓１２Ｂ近傍でマイクロ波が高密度プラズ
マに結合・吸収されるように磁場強度・分布を制御する
と、マイクロ波導入口１２Ａに対応して高密度プラズマ
が生成される。このように局所的に生成された高密度プ
ラズマが重なりあい、平均化されて、均一で高密度なプ
ラズマになる。さらにこのプラズマは発散磁場によって
、プラズマ流として試料台９の方向に輪、送される。よ
フて、この試料台９の上に種々の試料ｌＯを設置するこ
とにより、デポジション、エツチング等のプラズマ処理
を行うことができる。

なお、第１図のプラズマ生成室１のマイクロ波導入部の
近傍に点線で示した仕切板（ステンレス鋼等の金属板）
１２Ｃを設けて個別の矩形導波管（マイクロ波導入口１
２八）に対応するマイクロ波がそれぞれプラズマと結合
し、ある程度均一なプラズマを生成してからプラズマお
よびマイクロ波を合流して、均一なプラズマを得てもよ
いことは言うまでもない。

一般に、プラズマ生成源１から試料１ｏへのプラズマ流
の拡がりは外部の磁場勾配、プラズマ生成源と試料との
距離などに依存し、調整できる。マイクロ波導入口の外
径を１５〜４０ｃｍφにすることは容易なので、試料上
ではこの１．５倍〜２倍の面積で均一な高密度プラズマ
が得られる。

第６図は、幅１００ｃｍのような大面積の試料を処理す
る場合に有効なプラズマ生成源のマイクロ波導入口の形
状を示した図である。第６図（八）は、第４図または第
５図のマイクロ波分岐導波管を用いて１次元方向にマイ
クロ波導入口を配列した例で、例えば、導入口の矩形の
大きさをｌＯ，９ｃｍＸ５．４ｃｍとして、１１〜１５
ｃｍの間隔で並べれば、９０〜１２０ｃｍの大きさにな
る。よって、このようなマイクロ波導入口を有するプラ
ズマ生成源を構成すれば、幅１ｍにわたって均一で高密
度なプラズマを得ることができる。この図ではプラズマ
生成用の空胴は矩形（直方体）を想定しているが、円筒
であってもよいことは言うまでもない。よって、−方向
に均一な加工処理ができるから、他方向に被処理基板を
移動させることにより、２次元的に大面積の試料を処理
できる。具体的には、第８図および第１図について説明
したのと同様な方法で、大面積のステンレス鋼やプラス
チックの上に低温で５１０２，５１３Ｎ４などの膜を高
速で形成できる。さらに、第６図（Ｂ）は、より均一性
の向上を図るために、プラズマ導入口の配列を２列交互
に重なり合うようにしたものである。第６図（Ａ）　、
　（Ｂ）に示したマイクロ波導入口は一方向に試料を移
動する処理装置に対して有効である。ここでは、１次元
的な配置を示したが、２次元的に拡大して、１ｍｍ角度
のプラズマを生成することも可能である。

第７図に本発明のプラズマ処理装置の他の例として、ダ
イナミックイオンビームミキシング装置の構成例を示す
。図において、１２は複数のマイクロ波導入口およびマ
イクロ波導入窓からなるマイクロ波導入結合部である。

１３はプラズマからイオンを引出し、そのイオンエネル
ギを制御する３枚電極構成のイオン引出し電極系、１４
は引き出されたイオンビーム、１５は試料台、１６は形
成膜の構成元素を供給する蒸発源、１７はシャッタ、１
８はシャッタ駆動機構、１９は排気系である。

ダイナミックイオンビームミキシングとは、薄膜形成と
イオン注入とを同時、あるいは順次縁り返すことにより
、合金膜の形成、界面消失を起こさせるものであり、極
めて母材と一体化した強固で、特性の優れた膜が表面に
形成できる。第７図で、蒸発源１７によって、Ｔ、、八
ｎ　、ＢもしくはＳｌを蒸発させ、一方イオン源（プラ
ズマ生成源１）側からＮイオンビーム１４を試料に、引
出し電極系１３の制御で１〜４０ｋＶ照射することによ
り、Ｔ、Ｎ、　八Ｊ２Ｎ。

ＢＮや５１３Ｎ４が形成される。また、Ｃを蒸発源１６
で蒸発させながら、計のイオンビーム１４を照射すると
、ダイアモンド薄膜など通常の膜形成法では実現できな
い膜を形成できる。

この装置は、先に説明した均一で高密度のプラズマを生
成するプラズマ生成源を使用して、均一で高密度のイオ
ンビーム１４を得ているので、試料ｌＯを高速でしかも
均一に処理できる。

また、本願発明のプラズマ生成源に１枚電極・単葉メツ
シュ電極を用いれば低エネルギイオンの生成源としても
有効である。　　“ この他、本願発明のプラズマ生成源は、イオンドーピン
グ、半導体表面の清浄化などのプラズマ加工・処理装置
に使用できる。

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明は複数のマイクロ波導入口
からマイクロ波を導入してプラズマを生成する構成にな
っているので、均一で高密度のプラズマを生成できる。

しかも大口径ビームの生成に適した構成になっているた
め、１ｍ程度の大口径化が可能である。さらに、本プラ
ズマ生成源を搭載したプラズマ加工・処理装置（エツチ
ング。

デポジション、イオンビームダイナミックミキシング、
イオンドーピングなどのプラズマ・イオン応用装置）は
、均一で高密度のプラズマを用いて処理できるので、ス
ループットを高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の構成を示す断面図、第２図は
本発明によるマイクロ波導入口の基本構成を示す図、 第３図はマイクロ波分岐導波管の原理図、第４図および
第５図はそれぞれマイクロ波分岐導波管の構成例を示す
図、 第６図はマイクロ波導入口の配置例を示す図、第７図は
本発明によるイオンビーム・ダイナミック・ミキシング
装置の実施例を示す図、第８図は従来のεＣＲＣＶＤ装
置の構成を示す図である。 １・・・プラズマ生成室、 ２・・・マイクロ波導入窓、 ３・・・導波管、 ４・・・磁気コイル、 ５・・・ガス導入口、 ６・・・ガス導入口、 ７・・・プラズマリミッタ、 ８・・・プラズマ流、 ９・・・試料台、 ｌＯ・・・試料、 １１・・・マイクロ波分岐用導波管、 １２・・・マイクロ波導入結合部、 １２Ａ・・・マイクロ波導入口、 １２Ｂ・・・マイクロ波導入窓、 １２Ｇ・・・仕切板、 １３・・・引出し電極、 １４・・・イオンビーム、 １５・・・試料台、 １６・・・蒸発源、 １７・・・シャッタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくともマイクロ波源、マイクロ波導波管および
   マイクロ波導入口からなるマイクロ波導入機構と、プラ
   ズマ生成用空洞部とを有し、前記マイクロ波導入機構は
   前記マイクロ波導入口により前記プラズマ生成用空胴部
   に結合され、前記マイクロ波源から前記プラズマ生成用
   空胴部にマイクロ波を導入し、プラズマを発生させるプ
   ラズマ生成源において、前記マイクロ波導入口が複数で
   あることを特徴とするプラズマ生成源。 ２）前記マイクロ波導入機構は、単一のマイクロ波源と
   、マイクロ波分岐手段を有するマイクロ波導波管と、分
   岐されたマイクロ波に対応する数のマイクロ波導入口か
   らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
   ラズマ生成源。 ３）前記マイクロ波導入機構は、複数のマイクロ波源と
   、該マイクロ波源に対応する複数のマイクロ波導波管と
   、該マイクロ波導波管に対応する複数のマイクロ波導入
   口からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   のプラズマ生成源。 ４）少なくともマイクロ波源、マイクロ波導波管および
   マイクロ波導入口からなるマイクロ波導入機構と、プラ
   ズマ生成用空胴部と、該プラズマ生成用空胴部に結合さ
   れた試料室とを有し、前記マイクロ波導入機構は前記マ
   イクロ波導入口により前記プラズマ生成用空胴部に結合
   され、前記マイクロ波源から前記プラズマ生成用空胴部
   にマイクロ波を導入し、前記試料室は少なくともプラズ
   マにより処理される試料を設置する試料台を有するプラ
   ズマ処理装置において、前記マイクロ波導入口が複数で
   あることを特徴とするプラズマ処理装置。 ５）前記試料室は、前記プラズマ生成源からイオンを引
   き出すイオン引き出し機構を有することを特徴とする特
   許請求の範囲第４項記載のプラズマ処理装置。 ６）前記試料室は、前記試料に形成される膜の構成元素
   を供給する蒸発源を蒸発させる機構を有することを特徴
   とする特許請求の範囲第５項記載のプラズマ処理装置。 ７）前記マイクロ波導入機構は、単一のマイクロ波源と
   、マイクロ波分岐手段を有するマイクロ波導波管と、分
   岐されたマイクロ波に対応する数のマイクロ波導入口か
   らなることを特徴とする特許請求の範囲第４項、第５項
   または第６項のいずれかの項に記載のプラズマ処理装置
   。 ８）前記マイクロ波導入機構は、複数のマイクロ波源と
   、該マイクロ波源に対応する複数のマイクロ波導波管と
   、該マイクロ波導波管に対応する複数のマイクロ波導入
   口からなることを特徴とする特許請求の範囲第４項、第
   ５項または第６項のいずれかの項に記載のプラズマ処理
   装置。