JPH0193124A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0193124A JPH0193124A JP24971787A JP24971787A JPH0193124A JP H0193124 A JPH0193124 A JP H0193124A JP 24971787 A JP24971787 A JP 24971787A JP 24971787 A JP24971787 A JP 24971787A JP H0193124 A JPH0193124 A JP H0193124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- present
- microwaves
- waveguides
- waveguide
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板等に使用するドライエツチング装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のドライエツチング装置では、単独のマイクロ波の
発生源から一本の導波管を通して、エツチングを行うシ
リコンウェハ上の空間にマイクロ波を放出し、プラズマ
を発生させ、エツチングを行う方法をとっていた。しか
し、この方法では、プラズマの分布がマイクロ波を放出
する前述の一本の導波管によって固定されているため調
節が困難で、エツチングにむらが生じやすく不均一にな
ることが多かった。
発生源から一本の導波管を通して、エツチングを行うシ
リコンウェハ上の空間にマイクロ波を放出し、プラズマ
を発生させ、エツチングを行う方法をとっていた。しか
し、この方法では、プラズマの分布がマイクロ波を放出
する前述の一本の導波管によって固定されているため調
節が困難で、エツチングにむらが生じやすく不均一にな
ることが多かった。
本発明は、プラズマの分布を固定せず、エツチングにむ
らがなく均一になるドライエツチング装置を提供するこ
とを目的とする。
らがなく均一になるドライエツチング装置を提供するこ
とを目的とする。
、（問題点を解決するための手段）
本発明のドライエツチング装置は、マイクロ波の強さが
調節可能なマイクロ波発生源を複数個設け、各マイクロ
波発生源ごとに導波管を設け、それらの導波管を集めて
使用することを特徴とする。
調節可能なマイクロ波発生源を複数個設け、各マイクロ
波発生源ごとに導波管を設け、それらの導波管を集めて
使用することを特徴とする。
以下、本発明を図面により説明する。
第１図は、本発明の一実施例による複数個の導波管を集
めた導波管出口の横断面図である。
めた導波管出口の横断面図である。
各導波管１ごとにマイクロ波を空間に放出し、プラズマ
を発生させるので、プラズマの分布にかたよりがなく、
均一性の良いエツチングをすることができる。また、お
のおののマイクロ波の発生源は、マイクロ波の強さの調
節が可能となっているので、より均一性のよいエツチン
グ効果が得られる。
を発生させるので、プラズマの分布にかたよりがなく、
均一性の良いエツチングをすることができる。また、お
のおののマイクロ波の発生源は、マイクロ波の強さの調
節が可能となっているので、より均一性のよいエツチン
グ効果が得られる。
第２図は、本発明のドライエツチング装置の全体の構成
を示す図である。
を示す図である。
マイクロ波発生装置２は、複数個の導波管の各導波管１
ごとにマイクロ波を放出する。
ごとにマイクロ波を放出する。
マイクロ波は、各導波管１を経てチャンバ３に達する。
チャンバ３はウェハ４を支持するウェハ支持台５を備え
る。ウェハは、反応ガス、例えば酸素ガス雰囲気でマイ
クロ波によってドライエツチングされる。
る。ウェハは、反応ガス、例えば酸素ガス雰囲気でマイ
クロ波によってドライエツチングされる。
また、本発明装置は、アッシャ−に応用することができ
、これにより、均一性の良いアッシングができる。
、これにより、均一性の良いアッシングができる。
（実施例）
本発明のドライエツチング装置を用いてアッシングした
場合と、用いずにアッシングした場合を比較した。
場合と、用いずにアッシングした場合を比較した。
第３図（ａ）は、シリコン製基板６を用い、本発明のエ
ツチング装置により基板−面に塗布したレジスト膜７の
アッシングを実施した場合であり、（ｂ）は本発明のエ
ツチング装置を用いずに従来の一本の導波管を通しアッ
シングした場合である。
ツチング装置により基板−面に塗布したレジスト膜７の
アッシングを実施した場合であり、（ｂ）は本発明のエ
ツチング装置を用いずに従来の一本の導波管を通しアッ
シングした場合である。
どちらもアッシングの途中で取り出した。本発明装置に
より実施しなかった場合は、明らかにアッシングにむら
があるのに対して、本発明装置により実施した場合は、
はぼむらなくアッシングされている。
より実施しなかった場合は、明らかにアッシングにむら
があるのに対して、本発明装置により実施した場合は、
はぼむらなくアッシングされている。
第４図は、本発明装置（ａ）の場合と従来の装置（ｂ）
の場合について、第３図の実施例と同じエツチング装置
を用いて、シリコン製基板６上にポリシリコン膜８をレ
ジストパターン９にそってエツチングを行った結果を示
す図である。
の場合について、第３図の実施例と同じエツチング装置
を用いて、シリコン製基板６上にポリシリコン膜８をレ
ジストパターン９にそってエツチングを行った結果を示
す図である。
どちらもエツチングの途中で取り出した。本発明装置に
より実施しなかった場合は、明らかにエツチングにむら
があるのに対して、本発明装置により実施した場合は、
はぼ均一にエツチングされている。
より実施しなかった場合は、明らかにエツチングにむら
があるのに対して、本発明装置により実施した場合は、
はぼ均一にエツチングされている。
（発明の効果）
本発明によれば、マイクロ波の強さが調節可能なマイク
ロ波発生源を複数個設け、各マイクロ波発生源ごとに導
波管を設け、それらの導波管を集めて使用するようにし
たので、エツチングにむらがなくなり、エツチングの均
一性を図ることができ、製品の品質を大幅に向上するこ
とができる。
ロ波発生源を複数個設け、各マイクロ波発生源ごとに導
波管を設け、それらの導波管を集めて使用するようにし
たので、エツチングにむらがなくなり、エツチングの均
一性を図ることができ、製品の品質を大幅に向上するこ
とができる。
第１図は、本発明の一実施例による複数個の導波管を集
めた導波管出口の横断面図である。 第２図は、本発明のドライエツチング装置の全体の構成
を示す図である。 第３図は、本発明のドライエツチング装置を使用した実
施例（ａ）と、従来の装置を使用した実施例（ｂ）のア
ッシングを示すウェハの平面図と横断面図、 第４図は本発明のドライエツチング装置を使用した実施
例（ａ）と、従来の装置を使用した実施例（ｂ）のエツ
チングを示すウェハの平面図と横断面図である。 １・・・導波管 ２・・・マイクロ波発生装
置３・・・チャンバ ４・・・ウェハ５・・・
ウェハ支持台 ６・・・基板７・・・レジスト膜
８・・・ポリシリコン膜９・・・レジストパター
ン
めた導波管出口の横断面図である。 第２図は、本発明のドライエツチング装置の全体の構成
を示す図である。 第３図は、本発明のドライエツチング装置を使用した実
施例（ａ）と、従来の装置を使用した実施例（ｂ）のア
ッシングを示すウェハの平面図と横断面図、 第４図は本発明のドライエツチング装置を使用した実施
例（ａ）と、従来の装置を使用した実施例（ｂ）のエツ
チングを示すウェハの平面図と横断面図である。 １・・・導波管 ２・・・マイクロ波発生装
置３・・・チャンバ ４・・・ウェハ５・・・
ウェハ支持台 ６・・・基板７・・・レジスト膜
８・・・ポリシリコン膜９・・・レジストパター
ン
Claims (1)
- マイクロ波の強さが調節可能なマイクロ波発生源を複
数個設け、各マイクロ波発生源ごとに導波管を設け、そ
れらの導波管を集めて使用することを特徴とするドライ
エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24971787A JPH0193124A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24971787A JPH0193124A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193124A true JPH0193124A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17197152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24971787A Pending JPH0193124A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193124A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134926A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ生成源およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
| JPH0437357U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-30 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP24971787A patent/JPH0193124A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134926A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ生成源およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
| JPH0437357U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-30 |
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