JPH0113621B2 - - Google Patents
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- JPH0113621B2 JPH0113621B2 JP7035481A JP7035481A JPH0113621B2 JP H0113621 B2 JPH0113621 B2 JP H0113621B2 JP 7035481 A JP7035481 A JP 7035481A JP 7035481 A JP7035481 A JP 7035481A JP H0113621 B2 JPH0113621 B2 JP H0113621B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/668—Means for obtaining or monitoring the vacuum
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
本発明は真空しや断器などの真空開閉機器の真
空度監視装置に関する。 一般に真空しや断器などの真空開閉機器は内部
の真空度の良否によつてしや断能力が大きく左右
されるため、その真空度を監視することが重要と
なる。このため従来においても種々の真空度監視
装置が提案されているが、いずれも絶縁、大き
さ、コストなどにおいて問題があり、実用的でな
かつた。 そこで、本願出願人は先に特願昭55−37098号
で真空電気機器の真空度監視装置を提案している
が、この真空度監視装置は真空度の変化により真
空電気機器たとえば真空しや断器の内部の分担電
圧が変化し、これにより真空電気機器たとえば真
空しや断器の外部近傍の電界が変化することに着
目し、この電界を検出し、この検出信号の大きさ
で真空度のモニタリングを行なおうとするもので
ある。第1図に真空開閉機器たとえば真空しや断
器の真空度監視装置の構成を示す。 第1図において、1は真空しや断器、2は固定
電極、3は可動電極、4は固定リード、5は可動
リード、6は絶縁筒、7,8は絶縁筒6の両端に
封着された端板で、固定リード4は端板7に取付
けられ、可動リード5はベローズ9を介して端板
8に封着される。 10は絶縁筒6の中間に取付けられたシールド
である。 このような構成の真空しや断器の真空容器の内
部は高真空に保たれており、この真空度が劣化し
た場合に、固定電極2、可動電極3とシールド1
0間の抵抗が急激に小さくなり、固定電極2、可
動電極3とシールド10間の電圧が小さくなり、
真空しや断器の各部での分担電圧に変化が生じ
る。従つてシールド10の電圧は真空度によつて
大きく変化し、シールド10付近の電界Eも大き
く変化する。第3図に真空しや断器内圧力と真空
しや断器外部近傍の電界強度の関係を示す。 また11はシールド10の外部側近傍に設けら
れた電界センサであつて、この電界センサ11は
第2図に示すようにポツケルス素子(電気光学効
果素子)12の両側に偏光板13,14を配置
し、絶縁物ケース15内に収納してなるもので、
発光部(電気一光変換部)16からの光は光フア
イバ17を介して電界センサ11に供給され、電
界センサ11からの光を光フアイバ18を介して
受光部(光一電気変換部)19に供給し、ここ
で、受光した光の量に応じた電気信号に変換して
出力し、この出力を真空度良否判定部20で受け
て真空度の良否を判定する。真空度良否判定部2
0は受光部19の出力が急激に大きく(又は小さ
く)なつたことにより真空度劣化を検知して警報
や表示のための出力を出す。 このような構成の真空度監視装置では、電界セ
ンサ11にポツケルス素子12を用い、そのポツ
ケルス効果を利用して真空度に応じた電界強度を
検出し、その検出量の大きさで真空度の良否を判
定する訳であるが、電界以外で光量が変化した
り、あるいは真空度と関係なく電界が変化(例え
ばサージ電圧などによる)した場合など誤検出し
ないように種々の考慮を払う必要があるために、
構成がやや複雑であつた。 本発明はこのような点に鑑みなされたもので、
即ち発光部と、真空開閉機器の真空部の外周側に
配置され、かつ液晶を用いてなる電界センサと、
受光素子を有する受光部とを光フアイバ結合して
なり、前記受光部の出力を真空度監視信号とし、
常時真空度の監視計測ができるようにしたことを
特徴とする真空開閉機器の真空度監視装置を提供
しようとするもので、以下実施例を用いて説明す
る。 本発明を説明する前にまず本発明に適用される
電界センサとして用いる液晶について説明する。
液晶にはいくつかの動作方式があるが、まず、第
4図および第5図に夫々動的散乱効果(DSM)
を利用した液晶素子構成および動的散乱効果
(DSM)型液晶素子の透過特性を示す。 第4図において、21は動的散乱効果(DSM)
を利用した液晶、22および23は夫々液晶21
の上面および下面側に配置された透明電極であつ
て、これらの透明電極22と23間に交流電源
(直流電源でも可)が接続されている。また24,
25はガラス、26はプラスチツクなどの絶縁部
材であつて、液晶21の側面側は絶縁部材26で
囲まれている。これらの透明電極22,23と絶
縁部材26は液晶21と反応したりして液晶21
に影響を与えない物質である。 第4図構成の透明電極22,23に電源Vによ
り電圧を印加していくと、印加電界E(=V/d、
ここでVは電源電圧、dは液晶21の厚さ)と透
過率P2/P1の関係は第5図で示される。ここで、
P1およびP2は夫々入力光のエネルギーおよび出
力光のエネルギーである。 また第6図および第7図に夫々ねじれ効果
(TN)型液晶素子構成およびねじれ効果(TN)
型液晶素子の透過特性および旋光特性を示す。 第6図において、31はねじれ効果(TN)を
利用した液晶、32および33は夫々液晶31の
上面および下面側に配置された透明電極であつ
て、これらの透明電極32と33間に交流電源V
(直流電源でも可)が接続されている。34は偏
光子としての偏光板、35は検光子としての偏光
板であり、これら偏光板34,35の偏光面を平
行させておく。 36および37はガラス、38はプラスチツク
などの絶縁部材であつて、液晶31の側面側は絶
縁部材38で囲繞されている。これらの透明電極
32,33と絶縁部材38は液晶31と反応した
りして液晶31に影響を与えない物質である。 第7図において、イの点線の曲線は液晶31に
偏光板34,35を用いない状態で厚さdの液晶
31に電圧Vを印加していつた場合の印加電界E
(=V/d)と旋光角(deg)との関係を示す旋
光特性曲線であり、またロの実線の曲線はイの如
き旋光特性をもつ液晶31を用いた第6図構成
で、透明電極32,33に電源Vにより電圧を印
加していつた場合の印加電界E(=V/d)と透
過率の関係を示す透過特性曲線である。なお偏光
板34と35の偏光面を直角とすると印加電界E
と透過率P2/P1の関係は第7図のイの如く逆に
なる。 さらに電界効果型Distortion of Align Phase
(略してDAP型という)液晶素子構成は前述した
第6図と同様に構成され、またそのDAP型液晶
素子の透過特性および旋光特性についても前述し
た第7図と同様である。 なお、ねじれ効果(TN)型液晶素子構成の場
合やDAP型液晶素子構成の場合でも、第6図構
成を用いて言えば偏光板35は必要であるが入力
光としてフオトダイオードの出力光を使用すれば
偏光板34を必要とし、レーザ光を使用すれば偏
光板34は不要となる。 上述した動的散乱効果(DSM)型液晶とねじ
れ効果(TN)及びDAP型液晶の差異はDSM型
は素子構成が容易であり、TN及びDAP型は透過
特性に顕著なしきい値を有することである。しか
も特にTN型のしきい値は液晶の成分を調整する
ことによりコントロールが可能であり、真空開閉
機器の真空度監視装置の電界センサ部に使用にあ
たつてはその電界強度に合致することが可能であ
る。 次に液晶の機能別分類を下表に示す。
空度監視装置に関する。 一般に真空しや断器などの真空開閉機器は内部
の真空度の良否によつてしや断能力が大きく左右
されるため、その真空度を監視することが重要と
なる。このため従来においても種々の真空度監視
装置が提案されているが、いずれも絶縁、大き
さ、コストなどにおいて問題があり、実用的でな
かつた。 そこで、本願出願人は先に特願昭55−37098号
で真空電気機器の真空度監視装置を提案している
が、この真空度監視装置は真空度の変化により真
空電気機器たとえば真空しや断器の内部の分担電
圧が変化し、これにより真空電気機器たとえば真
空しや断器の外部近傍の電界が変化することに着
目し、この電界を検出し、この検出信号の大きさ
で真空度のモニタリングを行なおうとするもので
ある。第1図に真空開閉機器たとえば真空しや断
器の真空度監視装置の構成を示す。 第1図において、1は真空しや断器、2は固定
電極、3は可動電極、4は固定リード、5は可動
リード、6は絶縁筒、7,8は絶縁筒6の両端に
封着された端板で、固定リード4は端板7に取付
けられ、可動リード5はベローズ9を介して端板
8に封着される。 10は絶縁筒6の中間に取付けられたシールド
である。 このような構成の真空しや断器の真空容器の内
部は高真空に保たれており、この真空度が劣化し
た場合に、固定電極2、可動電極3とシールド1
0間の抵抗が急激に小さくなり、固定電極2、可
動電極3とシールド10間の電圧が小さくなり、
真空しや断器の各部での分担電圧に変化が生じ
る。従つてシールド10の電圧は真空度によつて
大きく変化し、シールド10付近の電界Eも大き
く変化する。第3図に真空しや断器内圧力と真空
しや断器外部近傍の電界強度の関係を示す。 また11はシールド10の外部側近傍に設けら
れた電界センサであつて、この電界センサ11は
第2図に示すようにポツケルス素子(電気光学効
果素子)12の両側に偏光板13,14を配置
し、絶縁物ケース15内に収納してなるもので、
発光部(電気一光変換部)16からの光は光フア
イバ17を介して電界センサ11に供給され、電
界センサ11からの光を光フアイバ18を介して
受光部(光一電気変換部)19に供給し、ここ
で、受光した光の量に応じた電気信号に変換して
出力し、この出力を真空度良否判定部20で受け
て真空度の良否を判定する。真空度良否判定部2
0は受光部19の出力が急激に大きく(又は小さ
く)なつたことにより真空度劣化を検知して警報
や表示のための出力を出す。 このような構成の真空度監視装置では、電界セ
ンサ11にポツケルス素子12を用い、そのポツ
ケルス効果を利用して真空度に応じた電界強度を
検出し、その検出量の大きさで真空度の良否を判
定する訳であるが、電界以外で光量が変化した
り、あるいは真空度と関係なく電界が変化(例え
ばサージ電圧などによる)した場合など誤検出し
ないように種々の考慮を払う必要があるために、
構成がやや複雑であつた。 本発明はこのような点に鑑みなされたもので、
即ち発光部と、真空開閉機器の真空部の外周側に
配置され、かつ液晶を用いてなる電界センサと、
受光素子を有する受光部とを光フアイバ結合して
なり、前記受光部の出力を真空度監視信号とし、
常時真空度の監視計測ができるようにしたことを
特徴とする真空開閉機器の真空度監視装置を提供
しようとするもので、以下実施例を用いて説明す
る。 本発明を説明する前にまず本発明に適用される
電界センサとして用いる液晶について説明する。
液晶にはいくつかの動作方式があるが、まず、第
4図および第5図に夫々動的散乱効果(DSM)
を利用した液晶素子構成および動的散乱効果
(DSM)型液晶素子の透過特性を示す。 第4図において、21は動的散乱効果(DSM)
を利用した液晶、22および23は夫々液晶21
の上面および下面側に配置された透明電極であつ
て、これらの透明電極22と23間に交流電源
(直流電源でも可)が接続されている。また24,
25はガラス、26はプラスチツクなどの絶縁部
材であつて、液晶21の側面側は絶縁部材26で
囲まれている。これらの透明電極22,23と絶
縁部材26は液晶21と反応したりして液晶21
に影響を与えない物質である。 第4図構成の透明電極22,23に電源Vによ
り電圧を印加していくと、印加電界E(=V/d、
ここでVは電源電圧、dは液晶21の厚さ)と透
過率P2/P1の関係は第5図で示される。ここで、
P1およびP2は夫々入力光のエネルギーおよび出
力光のエネルギーである。 また第6図および第7図に夫々ねじれ効果
(TN)型液晶素子構成およびねじれ効果(TN)
型液晶素子の透過特性および旋光特性を示す。 第6図において、31はねじれ効果(TN)を
利用した液晶、32および33は夫々液晶31の
上面および下面側に配置された透明電極であつ
て、これらの透明電極32と33間に交流電源V
(直流電源でも可)が接続されている。34は偏
光子としての偏光板、35は検光子としての偏光
板であり、これら偏光板34,35の偏光面を平
行させておく。 36および37はガラス、38はプラスチツク
などの絶縁部材であつて、液晶31の側面側は絶
縁部材38で囲繞されている。これらの透明電極
32,33と絶縁部材38は液晶31と反応した
りして液晶31に影響を与えない物質である。 第7図において、イの点線の曲線は液晶31に
偏光板34,35を用いない状態で厚さdの液晶
31に電圧Vを印加していつた場合の印加電界E
(=V/d)と旋光角(deg)との関係を示す旋
光特性曲線であり、またロの実線の曲線はイの如
き旋光特性をもつ液晶31を用いた第6図構成
で、透明電極32,33に電源Vにより電圧を印
加していつた場合の印加電界E(=V/d)と透
過率の関係を示す透過特性曲線である。なお偏光
板34と35の偏光面を直角とすると印加電界E
と透過率P2/P1の関係は第7図のイの如く逆に
なる。 さらに電界効果型Distortion of Align Phase
(略してDAP型という)液晶素子構成は前述した
第6図と同様に構成され、またそのDAP型液晶
素子の透過特性および旋光特性についても前述し
た第7図と同様である。 なお、ねじれ効果(TN)型液晶素子構成の場
合やDAP型液晶素子構成の場合でも、第6図構
成を用いて言えば偏光板35は必要であるが入力
光としてフオトダイオードの出力光を使用すれば
偏光板34を必要とし、レーザ光を使用すれば偏
光板34は不要となる。 上述した動的散乱効果(DSM)型液晶とねじ
れ効果(TN)及びDAP型液晶の差異はDSM型
は素子構成が容易であり、TN及びDAP型は透過
特性に顕著なしきい値を有することである。しか
も特にTN型のしきい値は液晶の成分を調整する
ことによりコントロールが可能であり、真空開閉
機器の真空度監視装置の電界センサ部に使用にあ
たつてはその電界強度に合致することが可能であ
る。 次に液晶の機能別分類を下表に示す。
【表】
真空開閉機器の真空度監視装置の電界センサ部
に使用する液晶としては、コントラストの大きな
DAP型又はTN型を使用するのが望ましい。なお
DMP型とTN型の使いわけは真空開閉機器の使
用電界強度に応じて使用する。 第8図は本発明による真空開閉機器の真空度監
視装置の一実施例を示し、第1図と同じものある
いは同じ機能を有するものには同符号を用いてい
る。同図において40は真空しや断器1を収納す
るタンク壁であつて接地されている。また41は
真空しや断器1の外周側に配置された電界センサ
であつて、この電界センサ41として、たとえば
ねじれ効果(TN)型液晶素子を用いた場合の詳
細を第9図で示す。第9図において、ねじれ効果
(TN)型液晶42の両側に偏光子としての偏光
板13と検光子としての偏光板14とを配置し、
偏光板13の入力光側にガラス部材43を当接配
置し、このガラス部材43に光フアイバ17が接
続されている。また偏光板14の出力光側にガラ
ス部材44を当接配置し、このガラス部材44に
光フアイバ18が接続されている。これらの液晶
42と偏光板13,14とガラス部材43,44
が絶縁物ケース15に収納されている。これらの
偏光板13,14および絶縁物ケース15は液晶
42と反応したりして液晶42に影響を与えない
物質である。 次に電界センサ41としてねじれ効果(TN)
型液晶素子を用いた場合の動作説明をする。 発光部16のたとえばフオトダイオードからの
光を電界センサ41へ入力する。真空開閉機器こ
こでは真空しや断器1の外周側には内部の真空度
に対応した電界が分布している。このため電界セ
ンサ41の液晶42には電界が印加されている。
従つて電界センサ41へ入力した光(光のエネル
ギーP1)は偏光子としての偏光板13介し、液
晶42を透過し、検光子としての偏光板14を経
て取り出される光(光のエネルギーP2)は前述
した第7図の特性から判るように透過率(P2/
P1)と比例する。つまり、真空度劣化(不良)
となれば、その度合に応じて印加電界が増し、印
加電界が増せば電界センサ41からの出力光(光
のエネルギーP2)は極端に低下する。受光部1
9では電界センサ41からのこの低下した出力を
受け、これを電気信号(電流信号)に変換し、こ
のとき真空度不良として表示又は警報信号を出力
し、一方電界センサ41から第6図の真空度良好
領域における光(光のエネルギーP2)が供給さ
れたときは、光のエネルギーP2が大なので電気
信号に変換しても出力しないように構成しておけ
ばよい。たとえば受光部19の構成を、光一電気
変換部とたとえばトランジスタなどを用いたスイ
ツチング回路との組合せでよい。 また受光部19は液晶素子の型が異なれば液晶
素子の透過特性が異なるので、それに応じて真空
度不良に対応した検出信号が取り出せるように構
成されることはいうまでもない。この検出信号を
警報、表示信号として用いればよい。 本実施例第8図においては、電界センサ41と
して、ねじれ効果(TN)型液晶素子(第9図参
照)を用いた場合について言及したけれども、本
発明はこれに限定されることなく電界センサとし
て動的散乱効果(DSM)型液晶素子や電界効果
型Distortion of Align Phase(DAP型と略記す
る)液晶素子を用いた場合についても同様に適用
される。この場合、DSM型液晶素子を用いた場
合は第9図で言えば電界センサ41の構成は液晶
42の代りにDSM型液晶を用い、偏光板13,
14を必要せず、DSM型液晶とガラス部材43,
44を絶縁物ケース15に収納したものとなり、
またDAP型液晶素子を用いた場合は第9図でい
えば液晶42の代りにDAP型液晶を用いた構成
となる。なお、発光部16としてレーザを用い、
そのレーザ光(単一振動を示す)を電界センサに
入力する場合には偏光子としての偏光板は不要と
なる。 本発明は本実施例に限定されることなく種々の
応用および変形が考えられる。 上述した本発明による真空開閉機器の真空度監
視装置を用いれば次のような種々の効果を奏す
る。 (1) 電界センサとして液晶素子(TN型液晶素
子、DAP型液晶素子)を使用することにより、
真空度良否判定部が不要となり、構成が簡単に
なる。 (2) 電界センサ部の光路を従来のポツケルス型素
子に比して小さくできるので、光フアイバの出
射光を平行線化するなどの光学系は不要とな
り、電界センサ部構成が簡単である。 (3) 真空開閉機器内部の真空状態をその機器構造
を全く変えることなく非接触で監視できる。 (4) 光フアイバによつて接地電位と高圧部である
真空しや断器などの真空開閉機器との絶縁が容
易に行なえるので、電圧階級に関係なく真空度
の監視を行なうことができる(第8図参照)。 (5) 電界センサ41および光フアイバ17,18
は全て絶縁物で構成され、小型であるので実装
化が容易である。 (6) 真空開閉機器の高圧部に設置される電界セン
サを構成する液晶素子は全て受動素子であり、
信頼性が非常に高い。 (7) 光の効果を利用して真空度の検出を行なつて
いるので、システムの耐ノイズ性が高い。 (8) サージ電圧のような短時間(数〜数100μs)
のパルスに対して液晶素子は数10ms以上の応
答時間なので、特別のサージ電圧対策装置が不
要である。 (9) 真空開閉機器の真空度監視が自動的に行なわ
れるので、電力システムの自動化が容易であ
る。
に使用する液晶としては、コントラストの大きな
DAP型又はTN型を使用するのが望ましい。なお
DMP型とTN型の使いわけは真空開閉機器の使
用電界強度に応じて使用する。 第8図は本発明による真空開閉機器の真空度監
視装置の一実施例を示し、第1図と同じものある
いは同じ機能を有するものには同符号を用いてい
る。同図において40は真空しや断器1を収納す
るタンク壁であつて接地されている。また41は
真空しや断器1の外周側に配置された電界センサ
であつて、この電界センサ41として、たとえば
ねじれ効果(TN)型液晶素子を用いた場合の詳
細を第9図で示す。第9図において、ねじれ効果
(TN)型液晶42の両側に偏光子としての偏光
板13と検光子としての偏光板14とを配置し、
偏光板13の入力光側にガラス部材43を当接配
置し、このガラス部材43に光フアイバ17が接
続されている。また偏光板14の出力光側にガラ
ス部材44を当接配置し、このガラス部材44に
光フアイバ18が接続されている。これらの液晶
42と偏光板13,14とガラス部材43,44
が絶縁物ケース15に収納されている。これらの
偏光板13,14および絶縁物ケース15は液晶
42と反応したりして液晶42に影響を与えない
物質である。 次に電界センサ41としてねじれ効果(TN)
型液晶素子を用いた場合の動作説明をする。 発光部16のたとえばフオトダイオードからの
光を電界センサ41へ入力する。真空開閉機器こ
こでは真空しや断器1の外周側には内部の真空度
に対応した電界が分布している。このため電界セ
ンサ41の液晶42には電界が印加されている。
従つて電界センサ41へ入力した光(光のエネル
ギーP1)は偏光子としての偏光板13介し、液
晶42を透過し、検光子としての偏光板14を経
て取り出される光(光のエネルギーP2)は前述
した第7図の特性から判るように透過率(P2/
P1)と比例する。つまり、真空度劣化(不良)
となれば、その度合に応じて印加電界が増し、印
加電界が増せば電界センサ41からの出力光(光
のエネルギーP2)は極端に低下する。受光部1
9では電界センサ41からのこの低下した出力を
受け、これを電気信号(電流信号)に変換し、こ
のとき真空度不良として表示又は警報信号を出力
し、一方電界センサ41から第6図の真空度良好
領域における光(光のエネルギーP2)が供給さ
れたときは、光のエネルギーP2が大なので電気
信号に変換しても出力しないように構成しておけ
ばよい。たとえば受光部19の構成を、光一電気
変換部とたとえばトランジスタなどを用いたスイ
ツチング回路との組合せでよい。 また受光部19は液晶素子の型が異なれば液晶
素子の透過特性が異なるので、それに応じて真空
度不良に対応した検出信号が取り出せるように構
成されることはいうまでもない。この検出信号を
警報、表示信号として用いればよい。 本実施例第8図においては、電界センサ41と
して、ねじれ効果(TN)型液晶素子(第9図参
照)を用いた場合について言及したけれども、本
発明はこれに限定されることなく電界センサとし
て動的散乱効果(DSM)型液晶素子や電界効果
型Distortion of Align Phase(DAP型と略記す
る)液晶素子を用いた場合についても同様に適用
される。この場合、DSM型液晶素子を用いた場
合は第9図で言えば電界センサ41の構成は液晶
42の代りにDSM型液晶を用い、偏光板13,
14を必要せず、DSM型液晶とガラス部材43,
44を絶縁物ケース15に収納したものとなり、
またDAP型液晶素子を用いた場合は第9図でい
えば液晶42の代りにDAP型液晶を用いた構成
となる。なお、発光部16としてレーザを用い、
そのレーザ光(単一振動を示す)を電界センサに
入力する場合には偏光子としての偏光板は不要と
なる。 本発明は本実施例に限定されることなく種々の
応用および変形が考えられる。 上述した本発明による真空開閉機器の真空度監
視装置を用いれば次のような種々の効果を奏す
る。 (1) 電界センサとして液晶素子(TN型液晶素
子、DAP型液晶素子)を使用することにより、
真空度良否判定部が不要となり、構成が簡単に
なる。 (2) 電界センサ部の光路を従来のポツケルス型素
子に比して小さくできるので、光フアイバの出
射光を平行線化するなどの光学系は不要とな
り、電界センサ部構成が簡単である。 (3) 真空開閉機器内部の真空状態をその機器構造
を全く変えることなく非接触で監視できる。 (4) 光フアイバによつて接地電位と高圧部である
真空しや断器などの真空開閉機器との絶縁が容
易に行なえるので、電圧階級に関係なく真空度
の監視を行なうことができる(第8図参照)。 (5) 電界センサ41および光フアイバ17,18
は全て絶縁物で構成され、小型であるので実装
化が容易である。 (6) 真空開閉機器の高圧部に設置される電界セン
サを構成する液晶素子は全て受動素子であり、
信頼性が非常に高い。 (7) 光の効果を利用して真空度の検出を行なつて
いるので、システムの耐ノイズ性が高い。 (8) サージ電圧のような短時間(数〜数100μs)
のパルスに対して液晶素子は数10ms以上の応
答時間なので、特別のサージ電圧対策装置が不
要である。 (9) 真空開閉機器の真空度監視が自動的に行なわ
れるので、電力システムの自動化が容易であ
る。
第1図は従来の真空開閉機器の真空度監視装置
の一例を示す構成図、第2図は第1図のA部の拡
大断面図、第3図は真空しや断器内圧力と真空し
や断器近傍電界強度の関係を示す特性図、第4図
は動的散乱効果を利用した液晶素子の構成図、第
5図は第4図の動的散乱効果型液晶素子の透過特
性図、第6図はねじれ効果型液晶素子の構成図、
第7図はねじれ効果型液晶素子の旋光特性及び透
過特性を示す図、第8図は本発明による真空開閉
機器の真空度監視装置の一実施例を示す構成図、
第9図は第8図のB部の拡大断面図であつて、図
中1は真空しや断器、13,14は偏光板、15
は絶縁物ケース、16は発光部、17,18は光
フアイバ、19は受光部、41は電界センサ、4
2はねじれ効果型液晶、43,44はガラス部材
を示す。
の一例を示す構成図、第2図は第1図のA部の拡
大断面図、第3図は真空しや断器内圧力と真空し
や断器近傍電界強度の関係を示す特性図、第4図
は動的散乱効果を利用した液晶素子の構成図、第
5図は第4図の動的散乱効果型液晶素子の透過特
性図、第6図はねじれ効果型液晶素子の構成図、
第7図はねじれ効果型液晶素子の旋光特性及び透
過特性を示す図、第8図は本発明による真空開閉
機器の真空度監視装置の一実施例を示す構成図、
第9図は第8図のB部の拡大断面図であつて、図
中1は真空しや断器、13,14は偏光板、15
は絶縁物ケース、16は発光部、17,18は光
フアイバ、19は受光部、41は電界センサ、4
2はねじれ効果型液晶、43,44はガラス部材
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 発光部と、真空開閉機器の真空部の外周側に
配置され、かつ液晶を用いてなる電界センサと、
受光素子を有する受光部とを光フアイバ結合して
なり、前記受光部の出力を真空度監視信号とした
ことを特徴とする真空開閉機器の真空度監視装
置。 2 電界センサとして、動的散乱効果形液晶を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の真空開閉機器の真空度監視装置。 3 電界センサとして、ねじれ効果形液晶と、少
なくとも検光子としての偏光板とを備えたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の真空開閉
機器の真空度監視装置。 4 電界センサとして、電界効果形(DAP)液
晶と、少なくとも検光子としての偏光板とを備え
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
真空開閉機器の真空度監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7035481A JPS57185632A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Vacuum monitor for vacuum switching mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7035481A JPS57185632A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Vacuum monitor for vacuum switching mechanism |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57185632A JPS57185632A (en) | 1982-11-15 |
| JPH0113621B2 true JPH0113621B2 (ja) | 1989-03-07 |
Family
ID=13429007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7035481A Granted JPS57185632A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Vacuum monitor for vacuum switching mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57185632A (ja) |
-
1981
- 1981-05-11 JP JP7035481A patent/JPS57185632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57185632A (en) | 1982-11-15 |
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