JPS644204Y2 - - Google Patents
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- JPS644204Y2 JPS644204Y2 JP8367381U JP8367381U JPS644204Y2 JP S644204 Y2 JPS644204 Y2 JP S644204Y2 JP 8367381 U JP8367381 U JP 8367381U JP 8367381 U JP8367381 U JP 8367381U JP S644204 Y2 JPS644204 Y2 JP S644204Y2
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は真空しや断装置の真空度監視装置に関
するものである。
するものである。
一般に真空しや断器は内部の真空度の良否によ
つて能力が大きく左右されるため真空度を監視す
ることが必要になる。このため、従来においても
種々の真空度監視装置が提案されているが、いず
れも絶縁、大きさ、コストなどにおいて問題があ
り、実用的でなかつた。
つて能力が大きく左右されるため真空度を監視す
ることが必要になる。このため、従来においても
種々の真空度監視装置が提案されているが、いず
れも絶縁、大きさ、コストなどにおいて問題があ
り、実用的でなかつた。
本考案は上記の従来の欠点を除去して、構成が
簡単小形で安価であるとともに絶縁上の問題もな
く、かつ真空度を常時高感度、高信頼度で監視す
ることができるとともに設置の容易な真空度監視
装置を提供することを目的とする。
簡単小形で安価であるとともに絶縁上の問題もな
く、かつ真空度を常時高感度、高信頼度で監視す
ることができるとともに設置の容易な真空度監視
装置を提供することを目的とする。
まず、本考案の基本的な考え方を第1図A,
B、第2図および第3図A,Bによつて説明す
る。第1図A,Bは夫々通電状態における真空し
や断器およびその等価回路を示し、1は固定電
極、2は可動電極、3は固定リード、4は可動リ
ード、5は絶縁筒、6,7は絶縁筒5の両端に封
着された端板で、固定リード3は端板6に取付け
られ、可動リード4はベローズ8を介して端板7
に封着される。9は絶縁筒5の中間に取付けられ
たシールドである。又、10,11は夫々真空し
や断器の設置された回路の電源および負荷、1
2,13は夫々固定電極1とシールド9間の抵抗
および静電容量、14,15は夫々可動電極2と
シールド9間の抵抗および静電容量、16a,1
6bは絶縁筒5の抵抗、17はシールド9とアー
ス電位間の静電容量である。
B、第2図および第3図A,Bによつて説明す
る。第1図A,Bは夫々通電状態における真空し
や断器およびその等価回路を示し、1は固定電
極、2は可動電極、3は固定リード、4は可動リ
ード、5は絶縁筒、6,7は絶縁筒5の両端に封
着された端板で、固定リード3は端板6に取付け
られ、可動リード4はベローズ8を介して端板7
に封着される。9は絶縁筒5の中間に取付けられ
たシールドである。又、10,11は夫々真空し
や断器の設置された回路の電源および負荷、1
2,13は夫々固定電極1とシールド9間の抵抗
および静電容量、14,15は夫々可動電極2と
シールド9間の抵抗および静電容量、16a,1
6bは絶縁筒5の抵抗、17はシールド9とアー
ス電位間の静電容量である。
上記した真空しや断器においては絶縁筒5およ
び端板6,7によつて形成された真空容器の内部
は高真空に保たれており、この真空度が劣化した
場合に、静電容量13,15は大気中の誘電率が
真空誘電率にほぼ等しいため変化しないが抵抗1
2,14は急激に小さくなる。このため、電極
1,2とシールド9間の電圧が小さくなり、真空
しや断器の各部での分担電圧に変化が生じる。例
えば真空度が良好な場合には電源10の電圧を
V、固定電極1とシールド9間の電圧をV1、可
動電極2とシールド9間の電圧をV2、シールド
9とアース電位間の電圧をV3としてV1=V2=
V/2,V3=V−V1=V/2となるが、真空度が劣化 した場合にはV1=V2=V/4,V3=V−V/4=3/4 Vとなる(尚、これらの値はほんの一例として示
したもので、しや断器の構造や真空度によつて変
化する。)。従つて、第2図に示すようにシールド
9の電圧V3は真空度によつて大きく変化し、シ
ールド9の外周側の電界Eも大きく変化する。
び端板6,7によつて形成された真空容器の内部
は高真空に保たれており、この真空度が劣化した
場合に、静電容量13,15は大気中の誘電率が
真空誘電率にほぼ等しいため変化しないが抵抗1
2,14は急激に小さくなる。このため、電極
1,2とシールド9間の電圧が小さくなり、真空
しや断器の各部での分担電圧に変化が生じる。例
えば真空度が良好な場合には電源10の電圧を
V、固定電極1とシールド9間の電圧をV1、可
動電極2とシールド9間の電圧をV2、シールド
9とアース電位間の電圧をV3としてV1=V2=
V/2,V3=V−V1=V/2となるが、真空度が劣化 した場合にはV1=V2=V/4,V3=V−V/4=3/4 Vとなる(尚、これらの値はほんの一例として示
したもので、しや断器の構造や真空度によつて変
化する。)。従つて、第2図に示すようにシールド
9の電圧V3は真空度によつて大きく変化し、シ
ールド9の外周側の電界Eも大きく変化する。
又、第3図A,Bは夫々しや断状態における真
空しや断器およびその等価回路を示し、18,1
9は夫々電極1,2間の抵抗および静電容量を示
す。この場合も静電容量13,15,19は真空
度によつて変化しないが、抵抗12,14,18
は真空度によつて変化し、従つて真空度が劣化す
るとシールド9の電圧は上昇し、シールド9の外
周側の電界も大きくなる。
空しや断器およびその等価回路を示し、18,1
9は夫々電極1,2間の抵抗および静電容量を示
す。この場合も静電容量13,15,19は真空
度によつて変化しないが、抵抗12,14,18
は真空度によつて変化し、従つて真空度が劣化す
るとシールド9の電圧は上昇し、シールド9の外
周側の電界も大きくなる。
このように真空しや断器においては通電状態で
もしや断状態でもシールド9の電位が真空度によ
つて大きく変化し、シールド9の外周側の電界も
大きく変化する。又、これに伴つて真空しや断器
の外周側の電界も全般的に変化する。従つて、真
空しや断器の外周側の電界を監視することにより
真空しや断器の真空度を常時監視することができ
る。なお、上記の説明においては、真空しや断器
のシールド9の外周における電界変化について述
べたが、電界の変化を生ずるのは必ずしもシール
ド部分だけとは限らず、シールドが無い場合でも
固定リード3、可動リード4の負荷電流が流れる
導体と絶縁され、これら導体と真空空間を介して
対向する金属部材があればその外周側の電界も前
述したシールドと同様な変化をするので、この金
属部材の外周の電界を監視することにより、同様
に真空度を監視することができる。
もしや断状態でもシールド9の電位が真空度によ
つて大きく変化し、シールド9の外周側の電界も
大きく変化する。又、これに伴つて真空しや断器
の外周側の電界も全般的に変化する。従つて、真
空しや断器の外周側の電界を監視することにより
真空しや断器の真空度を常時監視することができ
る。なお、上記の説明においては、真空しや断器
のシールド9の外周における電界変化について述
べたが、電界の変化を生ずるのは必ずしもシール
ド部分だけとは限らず、シールドが無い場合でも
固定リード3、可動リード4の負荷電流が流れる
導体と絶縁され、これら導体と真空空間を介して
対向する金属部材があればその外周側の電界も前
述したシールドと同様な変化をするので、この金
属部材の外周の電界を監視することにより、同様
に真空度を監視することができる。
以下本考案の実施例を図面とともに説明する。
第4図A,B,Cは本考案の第1の実施例を示
し、支持脚20上にはタンク21が水平方向に支
持され、タンク21内には絶縁材22,23およ
び導電部材24,25を介して真空しや断器26
が水平方向に支持される。又、タンク21の上部
には長さ方向に一対の取付座21aが設けられ、
各取付座21a上には一対のブツシング27が取
付けられる。各ブツシング27の下部には径大部
27aが形成され、径大部27aには夫々変流器
28が内蔵される。又、各ブツシング27の上端
には端子29が設けられ、端子29間に絶縁距離
Lをとるために各ブツシング27は相反する方向
に傾斜して設けられる。又、導電部材24,25
と端子29間を夫々接続する導体30がブツシン
グ27内に挿通され、タンク21およびブツシン
グ27内にはSF6ガス、フレオンガスあるいは絶
縁油などの絶縁流体31が充填される。
第4図A,B,Cは本考案の第1の実施例を示
し、支持脚20上にはタンク21が水平方向に支
持され、タンク21内には絶縁材22,23およ
び導電部材24,25を介して真空しや断器26
が水平方向に支持される。又、タンク21の上部
には長さ方向に一対の取付座21aが設けられ、
各取付座21a上には一対のブツシング27が取
付けられる。各ブツシング27の下部には径大部
27aが形成され、径大部27aには夫々変流器
28が内蔵される。又、各ブツシング27の上端
には端子29が設けられ、端子29間に絶縁距離
Lをとるために各ブツシング27は相反する方向
に傾斜して設けられる。又、導電部材24,25
と端子29間を夫々接続する導体30がブツシン
グ27内に挿通され、タンク21およびブツシン
グ27内にはSF6ガス、フレオンガスあるいは絶
縁油などの絶縁流体31が充填される。
上記のような構成のタンク形真空しや断装置に
おいて、タンク21の下部における真空しや断器
26のシールド9と対向した部分に孔21bを設
け、孔21bの縁部を外方に突出させてフランジ
部21cを形成し、フランジ部21cにOリング
32を介して第1のケース33をボルト34によ
り密封して締着する。第1のケース33はエポキ
シ樹脂などの絶縁材で形成するとともにタンク2
1の内方側に凹んだ形状とする。第2のケース3
5は液状注型硬化ゴムなどの絶縁モールド材を所
定の形状にし、第2のケース35は第1のケース
33内に嵌合する。この際、各ケース33,35
間に隙間36が生じるとコロナ放電が生じるので
この場合には隙間36にグリースを充填してコロ
ナ放電の発生を防ぐ。第2のケース35は中央に
凹部35aを有している。金属カバー37は凹部
35aと嵌合する凹部37aを有しており、金属
カバー37は各ケース33,35の外面側に配置
するとともに凹部37aを凹部35aに嵌合し、
金属カバー37および第1のケース33のフラン
ジ部33aに挿通したボルト38をフランジ部2
1cに螺着することにより金属カバー37を第2
のケース35が第1のケース33に圧接するよう
に締着する。この際、仮に凹部35a,37a間
に隙間39があるとコロナ放電を生じるのでこの
場合には隙間39にグリースを充填して圧接す
る。金属カバー37は接地電位となる。検知部4
0はプラスチツクなどの絶縁材から成る検知部ケ
ース41内に電気光学効果素子42(ポツケル素
子、カー素子、DAP形又はTN形液晶などから成
る。以下素子と略称する。)とその両端に密接さ
れた偏光子43および検光子44を密閉収納して
成り、偏光子43および検光子44には夫々光フ
アイバー45,46の一端を接続する。検知部4
0および光フアイバー45,46は第2のケース
35中に一体にモールドして固定する。光フアイ
バー45,46は金属カバー37を挿通して外部
に引出し、光フアイバー45の先端には発光部4
7を設けるとともに光フアイバー46の先端には
受光部48を設け、受光部48には真空度の良否
を判定する真空度良否判定部49を電気的に接続
する。
おいて、タンク21の下部における真空しや断器
26のシールド9と対向した部分に孔21bを設
け、孔21bの縁部を外方に突出させてフランジ
部21cを形成し、フランジ部21cにOリング
32を介して第1のケース33をボルト34によ
り密封して締着する。第1のケース33はエポキ
シ樹脂などの絶縁材で形成するとともにタンク2
1の内方側に凹んだ形状とする。第2のケース3
5は液状注型硬化ゴムなどの絶縁モールド材を所
定の形状にし、第2のケース35は第1のケース
33内に嵌合する。この際、各ケース33,35
間に隙間36が生じるとコロナ放電が生じるので
この場合には隙間36にグリースを充填してコロ
ナ放電の発生を防ぐ。第2のケース35は中央に
凹部35aを有している。金属カバー37は凹部
35aと嵌合する凹部37aを有しており、金属
カバー37は各ケース33,35の外面側に配置
するとともに凹部37aを凹部35aに嵌合し、
金属カバー37および第1のケース33のフラン
ジ部33aに挿通したボルト38をフランジ部2
1cに螺着することにより金属カバー37を第2
のケース35が第1のケース33に圧接するよう
に締着する。この際、仮に凹部35a,37a間
に隙間39があるとコロナ放電を生じるのでこの
場合には隙間39にグリースを充填して圧接す
る。金属カバー37は接地電位となる。検知部4
0はプラスチツクなどの絶縁材から成る検知部ケ
ース41内に電気光学効果素子42(ポツケル素
子、カー素子、DAP形又はTN形液晶などから成
る。以下素子と略称する。)とその両端に密接さ
れた偏光子43および検光子44を密閉収納して
成り、偏光子43および検光子44には夫々光フ
アイバー45,46の一端を接続する。検知部4
0および光フアイバー45,46は第2のケース
35中に一体にモールドして固定する。光フアイ
バー45,46は金属カバー37を挿通して外部
に引出し、光フアイバー45の先端には発光部4
7を設けるとともに光フアイバー46の先端には
受光部48を設け、受光部48には真空度の良否
を判定する真空度良否判定部49を電気的に接続
する。
上記の真空度監視装置の動作を第5図を用いて
説明すると、発光部47から発せられた光は光フ
アイバー45を介して偏光子43に送られ、水平
方向あるいは垂直方向に直線偏光される。素子4
2はシールド9の外周側の電界Eを水平方向ある
いは垂直方向に加えられ、電界Eの大きさに応じ
て偏光子43からの光の偏光面を角度θだけ変化
させる。次に素子42を通過した光は偏光子43
の偏光面と所定な関係にある偏光面を有する検光
子44に加えられ、検光子44を通過した光は光
フアイバー46を介して光量に応じた電気信号を
出す受光部48に加えられる。第6図に示すよう
に真空しや断器26の真空度が良好な場合には素
子42に加わる電界Eは小さく、真空度が不良に
なると電界Eが上昇する。従つて、素子42にお
ける光の偏光面の回転角θは真空度が良好な場合
は小さく、真空度が不良になるとθは大きくな
る。このため、偏光子43および検光子44の偏
光面が直角な場合には真空度が不良になると検光
子44の通過光量は多くなり、受光部48の出力
Aは第6図の実線で示すように大きくなる。又、
偏光子43および検光子44の偏光面が平行な場
合には真空度が不良になると検光子44の通過光
量が少くなり、受光部48の出力Aは第6図の点
線で示すように小さくなる。このため真空度良否
判定部49は出力Aが急激に変化したことにより
真空度劣化を検知して警報や表示のための出力を
出す。
説明すると、発光部47から発せられた光は光フ
アイバー45を介して偏光子43に送られ、水平
方向あるいは垂直方向に直線偏光される。素子4
2はシールド9の外周側の電界Eを水平方向ある
いは垂直方向に加えられ、電界Eの大きさに応じ
て偏光子43からの光の偏光面を角度θだけ変化
させる。次に素子42を通過した光は偏光子43
の偏光面と所定な関係にある偏光面を有する検光
子44に加えられ、検光子44を通過した光は光
フアイバー46を介して光量に応じた電気信号を
出す受光部48に加えられる。第6図に示すよう
に真空しや断器26の真空度が良好な場合には素
子42に加わる電界Eは小さく、真空度が不良に
なると電界Eが上昇する。従つて、素子42にお
ける光の偏光面の回転角θは真空度が良好な場合
は小さく、真空度が不良になるとθは大きくな
る。このため、偏光子43および検光子44の偏
光面が直角な場合には真空度が不良になると検光
子44の通過光量は多くなり、受光部48の出力
Aは第6図の実線で示すように大きくなる。又、
偏光子43および検光子44の偏光面が平行な場
合には真空度が不良になると検光子44の通過光
量が少くなり、受光部48の出力Aは第6図の点
線で示すように小さくなる。このため真空度良否
判定部49は出力Aが急激に変化したことにより
真空度劣化を検知して警報や表示のための出力を
出す。
ところで、タンク21内には比誘電率εsが小さ
く絶縁耐力の高い絶縁流体31(SF6およびフレ
オンはεs≒1、絶縁油はεs≒2)が充填されてい
るために真空しや断器26とタンク21間の間隔
が小さくなつている。従つて、シールド9とアー
ス電位のタンク21間の静電容量17は、この間
の間隔が小さいことおよび対向面積が大きいこと
により大きくなり、シールド9の電位が特に真空
度良好時において小さくなる。このため、真空度
劣化時のシールド9の電位変化が大きくなり、シ
ールド9とタンク21間における電界変化も大き
くなる。このため、素子42の電界変化の検知感
度が向上する。第7図は上記のことの説明図で、
シールド9とアース電位間の間隔が大きい場合の
電圧特性は、真空度良好時には実線イ、真空度不
良時には点線ロ、又本実施例のようにシールド9
とアース電位のタンク21との間の間隔が小さい
場合の電圧特性は、真空度良好時には実線ハ、真
空度不良時には点線ニとなり、本実施例の方が真
空度劣化時の電圧変化が大きいことが判明する。
又、真空しや断器26とタンク21間の間隔が小
さいためこの間の等電位線の間隔が密になり、特
にシールド9の電位が上昇する真空度劣化時の電
界が大きくなる。このように電界および電界変化
が大きくなるため素子42の電界検知感度が向上
する。
く絶縁耐力の高い絶縁流体31(SF6およびフレ
オンはεs≒1、絶縁油はεs≒2)が充填されてい
るために真空しや断器26とタンク21間の間隔
が小さくなつている。従つて、シールド9とアー
ス電位のタンク21間の静電容量17は、この間
の間隔が小さいことおよび対向面積が大きいこと
により大きくなり、シールド9の電位が特に真空
度良好時において小さくなる。このため、真空度
劣化時のシールド9の電位変化が大きくなり、シ
ールド9とタンク21間における電界変化も大き
くなる。このため、素子42の電界変化の検知感
度が向上する。第7図は上記のことの説明図で、
シールド9とアース電位間の間隔が大きい場合の
電圧特性は、真空度良好時には実線イ、真空度不
良時には点線ロ、又本実施例のようにシールド9
とアース電位のタンク21との間の間隔が小さい
場合の電圧特性は、真空度良好時には実線ハ、真
空度不良時には点線ニとなり、本実施例の方が真
空度劣化時の電圧変化が大きいことが判明する。
又、真空しや断器26とタンク21間の間隔が小
さいためこの間の等電位線の間隔が密になり、特
にシールド9の電位が上昇する真空度劣化時の電
界が大きくなる。このように電界および電界変化
が大きくなるため素子42の電界検知感度が向上
する。
又、上記実施例では検知器40はタンク21の
内方側に凹んだ第1のケース33内に嵌合された
第2のケース35中に設置されているので、光フ
アイバー45,46をタンク21に密に貫通させ
る必要がなく、又素子42の交換時には金属カバ
ー37および第2のケース35を取外すだけで良
く第1のケース33は取外す必要がないのでタン
ク21の密閉性は保たれる。又、検知部42はケ
ース33,35を介してタンク21側に固定支持
されているので真空しや断器26の開閉操作時の
衝撃を受け難く、誤動作を生じない。又、検知部
40は第2のケース35中に密閉されているので
水分やホコリ等の浸入がなく、素子42などの寿
命が長く誤動作も生じなくなる。又、検知部40
および光フアイバー45,46は絶縁性であるの
で真空しや断装置全体としての絶縁性を損わな
い。
内方側に凹んだ第1のケース33内に嵌合された
第2のケース35中に設置されているので、光フ
アイバー45,46をタンク21に密に貫通させ
る必要がなく、又素子42の交換時には金属カバ
ー37および第2のケース35を取外すだけで良
く第1のケース33は取外す必要がないのでタン
ク21の密閉性は保たれる。又、検知部42はケ
ース33,35を介してタンク21側に固定支持
されているので真空しや断器26の開閉操作時の
衝撃を受け難く、誤動作を生じない。又、検知部
40は第2のケース35中に密閉されているので
水分やホコリ等の浸入がなく、素子42などの寿
命が長く誤動作も生じなくなる。又、検知部40
および光フアイバー45,46は絶縁性であるの
で真空しや断装置全体としての絶縁性を損わな
い。
さらに、第2のケース35は金属カバー37に
押圧されて第1のケース33に圧接されているの
でケース33,35間にコロナの発生やホコリ、
外気の浸入がなく素子42の感度が安定する。
又、金属カバー37はアース電位であるので人体
に対する安全性が保たれるとともに凹部37aを
設けたことにより検知部40周辺の電界が大きく
なり、検知部40の検知感度が向上する。
押圧されて第1のケース33に圧接されているの
でケース33,35間にコロナの発生やホコリ、
外気の浸入がなく素子42の感度が安定する。
又、金属カバー37はアース電位であるので人体
に対する安全性が保たれるとともに凹部37aを
設けたことにより検知部40周辺の電界が大きく
なり、検知部40の検知感度が向上する。
尚、第2のケース35としてゴム材を用いた場
合には弾性が大きいため硬化収縮時に検知部40
や光フアイバー45,46を破壊することがな
い。又、各ケース33,35の材質はエポキシ樹
脂が適当であるが、アークが発生し易い場合には
アルミナを又アークが発生し難い場合にはシリカ
を充填材として用いると良い。
合には弾性が大きいため硬化収縮時に検知部40
や光フアイバー45,46を破壊することがな
い。又、各ケース33,35の材質はエポキシ樹
脂が適当であるが、アークが発生し易い場合には
アルミナを又アークが発生し難い場合にはシリカ
を充填材として用いると良い。
第8図は本考案の第2の実施例を示し、この例
ではタンク21の側板21dに孔21eを設けて
その周縁を外部側に突出させてフランジ部21f
を形成し、このフランジ部21fに第1の実施例
と同様の構成で真空度監視装置を設けたものであ
る。ただし、この例では第1のケース33′、第
2のケース35′および金属カバー37′の凹部
(37aに相当)の長さを長くして検知部40を
シールド9の外周近傍に位置させるようにしてい
る。
ではタンク21の側板21dに孔21eを設けて
その周縁を外部側に突出させてフランジ部21f
を形成し、このフランジ部21fに第1の実施例
と同様の構成で真空度監視装置を設けたものであ
る。ただし、この例では第1のケース33′、第
2のケース35′および金属カバー37′の凹部
(37aに相当)の長さを長くして検知部40を
シールド9の外周近傍に位置させるようにしてい
る。
尚、上記各実施例では偏光子43および検光子
44を第2のケース35中に設けたが光フアイバ
ーを介して金属カバー37の外部側に設けても良
い。
44を第2のケース35中に設けたが光フアイバ
ーを介して金属カバー37の外部側に設けても良
い。
以上のように本考案においては、タンク内に真
空しや断器を収納するとともにタンク内の空隙に
絶縁流体を充填した真空しや断装置において、タ
ンクに設けた孔に密封した取付けられるとともに
タンク内方側へ凹んだ絶縁材から成る第1のケー
スと、絶縁モールド材から成り、第1のケース内
に嵌合された第2のケースと、各ケースの外面側
に第2のケースを第1のケースに圧接するよう取
付けた接地電位の金属カバーと、発光部と、偏光
子と、第2のケース中の真空しや断器外周位置に
モールド固定された電気光学効果素子と、検光子
とから成る真空度監視装置を設けており、真空し
や断器の真空度によつて変化する真空しや断器外
周側の電界を前記素子によつて検知して検光子の
通過効量の変化から真空度劣化を検知するように
しており、構成が簡単小形で安価な真空度監視装
置が得られる。又、タンク内には絶縁耐力の高い
絶縁流体を充填したので真空しや断器とタンクの
間隔を小さくすることができ、この間の電界を大
きくすることができる。又、上記間隔を小さくし
たことによりこの間の静電容量が大きくなり、真
空度劣化時の真空しや断器外周の電界変化が大き
くなる。このように電界および電界変化が大きい
ことにより前記素子の電界検知感度が向上し、真
空度監視機能も向上する。又、前記素子はタンク
の内方側に凹んだ第1のケース内に嵌合された第
2のケース中にモールド固定されているので、素
子からの光情報をタンク壁に密に貫通して引出す
必要がなく、又素子の交換時に第1のケースを取
外す必要がないためタンク内の絶縁流体の流出も
なく、真空度監視装置の設置が容易となる。又、
素子は真空しや断器ではなくそのタンク側に設け
られているので真空しや断器の開閉時の衝撃によ
る損傷や誤動作は生じない。又、素子は第2のケ
ース内に密閉されているので水分やホコリ等の浸
入がなく、寿命が長く誤動作も生じない。又、第
2のケースは金属カバーに押圧されて第1のケー
スに嵌合圧接されているのでケース間にコロナの
発生やホコリ、外気の浸入がなく素子の感度が安
定する。
空しや断器を収納するとともにタンク内の空隙に
絶縁流体を充填した真空しや断装置において、タ
ンクに設けた孔に密封した取付けられるとともに
タンク内方側へ凹んだ絶縁材から成る第1のケー
スと、絶縁モールド材から成り、第1のケース内
に嵌合された第2のケースと、各ケースの外面側
に第2のケースを第1のケースに圧接するよう取
付けた接地電位の金属カバーと、発光部と、偏光
子と、第2のケース中の真空しや断器外周位置に
モールド固定された電気光学効果素子と、検光子
とから成る真空度監視装置を設けており、真空し
や断器の真空度によつて変化する真空しや断器外
周側の電界を前記素子によつて検知して検光子の
通過効量の変化から真空度劣化を検知するように
しており、構成が簡単小形で安価な真空度監視装
置が得られる。又、タンク内には絶縁耐力の高い
絶縁流体を充填したので真空しや断器とタンクの
間隔を小さくすることができ、この間の電界を大
きくすることができる。又、上記間隔を小さくし
たことによりこの間の静電容量が大きくなり、真
空度劣化時の真空しや断器外周の電界変化が大き
くなる。このように電界および電界変化が大きい
ことにより前記素子の電界検知感度が向上し、真
空度監視機能も向上する。又、前記素子はタンク
の内方側に凹んだ第1のケース内に嵌合された第
2のケース中にモールド固定されているので、素
子からの光情報をタンク壁に密に貫通して引出す
必要がなく、又素子の交換時に第1のケースを取
外す必要がないためタンク内の絶縁流体の流出も
なく、真空度監視装置の設置が容易となる。又、
素子は真空しや断器ではなくそのタンク側に設け
られているので真空しや断器の開閉時の衝撃によ
る損傷や誤動作は生じない。又、素子は第2のケ
ース内に密閉されているので水分やホコリ等の浸
入がなく、寿命が長く誤動作も生じない。又、第
2のケースは金属カバーに押圧されて第1のケー
スに嵌合圧接されているのでケース間にコロナの
発生やホコリ、外気の浸入がなく素子の感度が安
定する。
又、前記素子は絶縁材から成るため前記素子を
設けたことにより絶縁上支障を生じることがな
く、又素子、偏光子および検光子は受動素子で故
障が少く、装置としての信頼性が高い。又、真空
しや断器の開閉いずれの状態でも真空度を監視す
ることができ、真空度を常時監視することができ
る。
設けたことにより絶縁上支障を生じることがな
く、又素子、偏光子および検光子は受動素子で故
障が少く、装置としての信頼性が高い。又、真空
しや断器の開閉いずれの状態でも真空度を監視す
ることができ、真空度を常時監視することができ
る。
第1図A,Bおよび第2図は夫々真空しや断器
の通電状態における縦断正面図、等価回路図およ
び真空度と各部の電圧・電界との関係図、第3図
A,Bは夫々真空しや断器のしや断状態における
縦断正面図および等価回路図、第4図A,B,C
は夫々本考案の第1の実施例に係る真空度監視装
置を有する真空しや断装置の縦断正面図、真空度
監視装置の縦断正面図(第4図CX−X断面図)
および真空度監視装置の底面図、第5〜7図は
夫々本考案の第1の実施例に係る真空度監視装置
の動作説明図、真空度と電界・受光部出力との関
係図および真空しや断器とタンク間の電圧分布
図、第8図は本考案の第2の実施例に係る真空度
監視装置を有する真空しや断装置の縦断正面図。 9……シールド、21……タンク、21b,2
1e……孔、26……真空しや断器、31……絶
縁流体、33,33′……第1のケース、35,
35′……第2のケース、37,37′……金属カ
バー、42……電気光学効果素子、43……偏光
子、44……検光子、45,46……光フアイバ
ー、47……光源、48……受光部。
の通電状態における縦断正面図、等価回路図およ
び真空度と各部の電圧・電界との関係図、第3図
A,Bは夫々真空しや断器のしや断状態における
縦断正面図および等価回路図、第4図A,B,C
は夫々本考案の第1の実施例に係る真空度監視装
置を有する真空しや断装置の縦断正面図、真空度
監視装置の縦断正面図(第4図CX−X断面図)
および真空度監視装置の底面図、第5〜7図は
夫々本考案の第1の実施例に係る真空度監視装置
の動作説明図、真空度と電界・受光部出力との関
係図および真空しや断器とタンク間の電圧分布
図、第8図は本考案の第2の実施例に係る真空度
監視装置を有する真空しや断装置の縦断正面図。 9……シールド、21……タンク、21b,2
1e……孔、26……真空しや断器、31……絶
縁流体、33,33′……第1のケース、35,
35′……第2のケース、37,37′……金属カ
バー、42……電気光学効果素子、43……偏光
子、44……検光子、45,46……光フアイバ
ー、47……光源、48……受光部。
Claims (1)
- 真空部内に電圧が印加され電流が流れる導体を
備え、この導体と絶縁されるとともに、真空空隙
を介して対向する金属部材を有する真空しや断器
をタンク内に収納し且つ該タンク内の空隙に絶縁
流体を充填した真空しや断装置において、タンク
に設けた孔に密封して取付けられるとともにタン
ク内方側に凹んだ絶縁材から成る第1のケース
と、絶縁モールド材から成り、第1のケース内に
嵌合された第2のケースと、各ケースの外面側に
第2のケースを第1のケースに圧接するよう取付
けた接地電位の金属カバーと、発光部と、発光部
からの光を直線偏光する偏光子と、第2のケース
中の真空しや断器の前記金属部材の外周位置にモ
ールド固定され、偏光子からの光の偏光面を印加
電界の大きさに応じて回転させる電気光学効果素
子と、電気光学効果素子からの光を受ける検光子
とから成ることを特徴とする真空しや断装置の真
空度監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8367381U JPS644204Y2 (ja) | 1981-06-06 | 1981-06-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8367381U JPS644204Y2 (ja) | 1981-06-06 | 1981-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57195737U JPS57195737U (ja) | 1982-12-11 |
| JPS644204Y2 true JPS644204Y2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=29879078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8367381U Expired JPS644204Y2 (ja) | 1981-06-06 | 1981-06-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS644204Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-06 JP JP8367381U patent/JPS644204Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57195737U (ja) | 1982-12-11 |
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