JPH01136324A - 非直線性誘電体素子の製造方法 - Google Patents
非直線性誘電体素子の製造方法Info
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- JPH01136324A JPH01136324A JP62294159A JP29415987A JPH01136324A JP H01136324 A JPH01136324 A JP H01136324A JP 62294159 A JP62294159 A JP 62294159A JP 29415987 A JP29415987 A JP 29415987A JP H01136324 A JPH01136324 A JP H01136324A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、ＢａＴｉ Ｏｚ系多結晶体からなる、非直
線特性の優れた非直線性誘電体素子の製造方法に関する
。
線特性の優れた非直線性誘電体素子の製造方法に関する
。
一般にＢａＴｉ Ｏｓ系セラミックを中心とす４ペロプ
スカイト形構造を有するＡＢＯｓ系強誘電体の応用分野
としては、その高誘電率や圧電特性を利用する分野の他
に、強誘電体の非直線性を利用した分野が知られている
。
スカイト形構造を有するＡＢＯｓ系強誘電体の応用分野
としては、その高誘電率や圧電特性を利用する分野の他
に、強誘電体の非直線性を利用した分野が知られている
。
近年新たな応用例として、このような強誘電体を、蛍光
灯、水銀放電灯、ナトリウム放電灯などの放電灯無接点
始動装置の高圧パルス発生素子として用いることが、特
公昭４８−２８７２６号公報などにおいて開示されてい
る。
灯、水銀放電灯、ナトリウム放電灯などの放電灯無接点
始動装置の高圧パルス発生素子として用いることが、特
公昭４８−２８７２６号公報などにおいて開示されてい
る。
ところで、かかる用途に使用される非直線性誘電体素子
としては、Ｄ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急峻でその
温度特性が良好であること、誘電率が高い値でしかも温
度特性が良好であること、すなわち電圧Ｖと電荷Ｑの関
係が第４図に示すように角形特性であり、温度に対して
安定であることが要求される。
としては、Ｄ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急峻でその
温度特性が良好であること、誘電率が高い値でしかも温
度特性が良好であること、すなわち電圧Ｖと電荷Ｑの関
係が第４図に示すように角形特性であり、温度に対して
安定であることが要求される。
ＢａＴｉ Ｏｓ単結晶は、かかるヒステリシス曲線が角
形特性を示すために非直線性誘電体素子としては有効で
あるが、温度変化に対して非直線特性が不安定であり、
またその製造法も研究段階で実用化に至っていない、し
たがって従来はＢａＴｉ Ｏｓ系多結晶体を用いた非直
線性誘電体素子の利用が考えられているが、このＢａＴ
ｉ Ｏｚ系多結晶体は、−般に第５図に示すように、Ｄ
−Ｅヒステリシス曲線がある程度の飽和特性を示すが、
残留分極のばらつきが大きく、また誘電率が温度に対し
て不安定であり、更にはＤ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜
が緩慢であり、非直線性誘電体素子としては良好な特性
のものが実用化されるに至っていない。
形特性を示すために非直線性誘電体素子としては有効で
あるが、温度変化に対して非直線特性が不安定であり、
またその製造法も研究段階で実用化に至っていない、し
たがって従来はＢａＴｉ Ｏｓ系多結晶体を用いた非直
線性誘電体素子の利用が考えられているが、このＢａＴ
ｉ Ｏｚ系多結晶体は、−般に第５図に示すように、Ｄ
−Ｅヒステリシス曲線がある程度の飽和特性を示すが、
残留分極のばらつきが大きく、また誘電率が温度に対し
て不安定であり、更にはＤ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜
が緩慢であり、非直線性誘電体素子としては良好な特性
のものが実用化されるに至っていない。
この点を改善するため、特公昭５９−１２５号公報には
、ＢａＴｉ Ｏｓを主成分とする多結晶体からなり、そ
の化学式をＡ ｙ Ｂ ＊ Ｏｓと表すとき、そのｙ／
ｚのモル比が、０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９の範囲にあ
ることを特徴とする非直線性誘電体素子が提案されてい
る。この構成をもつ非直線性誘電体素子は、従来のＢａ
Ｔｉ Ｏ３系多結晶体からなる非直線性誘電体素子に比
べ、Ｄ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急峻で誘電率が高
く、しかもＢａＴｉ Ｏｓ単結晶に比べ温度特性が安定
で誘電体損失の少ない優れた特徴を有するものである。
、ＢａＴｉ Ｏｓを主成分とする多結晶体からなり、そ
の化学式をＡ ｙ Ｂ ＊ Ｏｓと表すとき、そのｙ／
ｚのモル比が、０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９の範囲にあ
ることを特徴とする非直線性誘電体素子が提案されてい
る。この構成をもつ非直線性誘電体素子は、従来のＢａ
Ｔｉ Ｏ３系多結晶体からなる非直線性誘電体素子に比
べ、Ｄ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急峻で誘電率が高
く、しかもＢａＴｉ Ｏｓ単結晶に比べ温度特性が安定
で誘電体損失の少ない優れた特徴を有するものである。
ところで、ＢａＴｉ Ｏｓ系多結晶体のｙ／ｚのモル比
を等モルではなく 、０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９とし
たものは上記のように、従来のものに比べかなり特性は
改善されたものであるけれども、パルス発生装置に用い
た場合のパルス発生電圧は、未だ充分高くないという問
題点を有している。
を等モルではなく 、０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９とし
たものは上記のように、従来のものに比べかなり特性は
改善されたものであるけれども、パルス発生装置に用い
た場合のパルス発生電圧は、未だ充分高くないという問
題点を有している。
一般に誘電体素子を焼成して作成する場合、その焼成温
度を下げたり、焼成温度範囲を広げたりするために、Ｍ
ｎ＋ Ｃｒの酸化物やカオリンなどを鉱化剤として主成
分に約０．１重量％添加している。
度を下げたり、焼成温度範囲を広げたりするために、Ｍ
ｎ＋ Ｃｒの酸化物やカオリンなどを鉱化剤として主成
分に約０．１重量％添加している。
これらの鉱化剤は誘電体素子の焼成温度範囲を広げるば
かりでなく、結晶粒成長もコントロールする機能をもっ
ている。
かりでなく、結晶粒成長もコントロールする機能をもっ
ている。
ところで、このような鉱化剤は焼成中に粒界に析出して
上記の機能を発揮す番ように、なっているものであるが
、誘電体素子の非直線形特性を高めるためには、粒界に
析出するＭｎ等の酸化物やカオリン等の鉱化剤の残留量
を下げる必要があり、最終的にはフラックスのように、
異常粒成長が生じない範囲の高温で、且つ焼成時間を長
くすることによって昇華させてしまうのが好ましいこと
がわかった。そしてこのように鉱化剤を昇華させるのに
必要な温度Ｔは、１４００℃く１６１４５０℃であるこ
とが判明した。
上記の機能を発揮す番ように、なっているものであるが
、誘電体素子の非直線形特性を高めるためには、粒界に
析出するＭｎ等の酸化物やカオリン等の鉱化剤の残留量
を下げる必要があり、最終的にはフラックスのように、
異常粒成長が生じない範囲の高温で、且つ焼成時間を長
くすることによって昇華させてしまうのが好ましいこと
がわかった。そしてこのように鉱化剤を昇華させるのに
必要な温度Ｔは、１４００℃く１６１４５０℃であるこ
とが判明した。
ところが、上記特許公報で提案されている、ｙ／２のモ
ル比を０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９とした非直線誘電体
素子において、更に非直線特性を高めパルス発生電圧を
高めるため焼成温度Ｔを１４００℃〈１６１４５０℃と
すると、異常粒成長が生じ、しかもバルク同士が接合し
てしまい、良好な非直線特性が得られないという問題点
があった。
ル比を０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９とした非直線誘電体
素子において、更に非直線特性を高めパルス発生電圧を
高めるため焼成温度Ｔを１４００℃〈１６１４５０℃と
すると、異常粒成長が生じ、しかもバルク同士が接合し
てしまい、良好な非直線特性が得られないという問題点
があった。
本発明は、上記特許公報記載の非直線性誘電体素子にお
ける上記問題点を解決するためになされたもので、Ｍｎ
等の酸化物やカオリン等の鉱化剤を昇華させて、その残
留量を低下させるのに必要な温度Ｔ （１４００℃く１
６１４５０℃）で焼成を行っても、異常粒成長が生ぜず
、良好な非直線特性が得られるようにした非直線性誘電
体素子の製造方法を提供することを目的とする。
ける上記問題点を解決するためになされたもので、Ｍｎ
等の酸化物やカオリン等の鉱化剤を昇華させて、その残
留量を低下させるのに必要な温度Ｔ （１４００℃く１
６１４５０℃）で焼成を行っても、異常粒成長が生ぜず
、良好な非直線特性が得られるようにした非直線性誘電
体素子の製造方法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記問題点を
解決するため、本発明は、焼成したときＢａＴｉ Ｏｘ
を主成分とする多結晶体からなり、その化学式をＡ、Ｂ
、Ｏ，と表したとき、そのＡ。
解決するため、本発明は、焼成したときＢａＴｉ Ｏｘ
を主成分とする多結晶体からなり、その化学式をＡ、Ｂ
、Ｏ，と表したとき、そのＡ。
Ｂのモル比ｙ／ｚを、１．００７≦ｙ／ｚ≦１．０３の
゛範囲となるように原料粉末を調整し、且つＭｎ＋ Ｃ
ｒの酸化物からなる鉱化剤を添加し、１４００℃〈Ｔ≦
１４５０℃の焼成温度Ｔで焼成するものである。
゛範囲となるように原料粉末を調整し、且つＭｎ＋ Ｃ
ｒの酸化物からなる鉱化剤を添加し、１４００℃〈Ｔ≦
１４５０℃の焼成温度Ｔで焼成するものである。
このようにして非直線性誘電体素子を製造することによ
り、１４００℃くＴ≦１４５０℃の高温度Ｔで焼成を行
っても異常粒成長を阻止しながら、Ｍｎ等の酸化物やカ
オリン等の鉱化剤を昇華させることができ、良好な非線
形特性を持つ非直線性誘電体素子を得ることができる。
り、１４００℃くＴ≦１４５０℃の高温度Ｔで焼成を行
っても異常粒成長を阻止しながら、Ｍｎ等の酸化物やカ
オリン等の鉱化剤を昇華させることができ、良好な非線
形特性を持つ非直線性誘電体素子を得ることができる。
なお、ＢａＴｉ Ｏｘを主成分とする多結晶体の化学式
をＡ ｙ Ｂ −Ｏｓと表したときのｙ／ｚのモル比を
、１．００７未満にすると、従来のもののように異常粒
成長が発生してしまうものであるが、一方モル比ｙ／ｚ
が１．０３を越えるようにすると結晶粒の成長が妨げら
れるようになる。
をＡ ｙ Ｂ −Ｏｓと表したときのｙ／ｚのモル比を
、１．００７未満にすると、従来のもののように異常粒
成長が発生してしまうものであるが、一方モル比ｙ／ｚ
が１．０３を越えるようにすると結晶粒の成長が妨げら
れるようになる。
したがってこのモル比ｙ／ｚは、１ 、００７≦ｙ／ｚ
≦１．０３が適切な範囲となる。
≦１．０３が適切な範囲となる。
以下実施例について説明する。
０第１実施例
原料粉末Ｂａ Ｏｒ Ｔ ｉ Ｏｚ ｒ Ｚｒ Ｏｚを
第１表の所望組成となるように、且つ８ａｙ（Ｔｌｘ＋
Ｚｒ＋−Ｊ＊Ｏｉのｙ／２のモル比を同じく第１表の
とおりとし、これにＭｎ、 Ｃｒ等の酸化物を鉱化剤と
して０．１重量％添加して磁器ポット、メノーボールを
用いて湿式混合した０次いで脱水乾燥後、１１５０℃を
保持して２時間仮焼成し、その後再び磁器ポットメノー
ボールを用いて粉砕を行った０次いで水分を蒸発させた
後これに適当量のバインダーを加え、１０トンプレスで
１８．５φ、０．７５ｍの円板に加圧成型した。
第１表の所望組成となるように、且つ８ａｙ（Ｔｌｘ＋
Ｚｒ＋−Ｊ＊Ｏｉのｙ／２のモル比を同じく第１表の
とおりとし、これにＭｎ、 Ｃｒ等の酸化物を鉱化剤と
して０．１重量％添加して磁器ポット、メノーボールを
用いて湿式混合した０次いで脱水乾燥後、１１５０℃を
保持して２時間仮焼成し、その後再び磁器ポットメノー
ボールを用いて粉砕を行った０次いで水分を蒸発させた
後これに適当量のバインダーを加え、１０トンプレスで
１８．５φ、０．７５ｍの円板に加圧成型した。
次いで、１４００℃〈Ｔ≦１４５０℃の焼成温度Ｔで２
時間焼成して磁器素子を形成し、これに銀電極を焼き付
けて非直線性誘電体素子を作成した。なお第１表におい
て、試料Ｎａ９． ｔｏ、 １４は、対比するため作成
した本発明の範囲外の素子である。
時間焼成して磁器素子を形成し、これに銀電極を焼き付
けて非直線性誘電体素子を作成した。なお第１表におい
て、試料Ｎａ９． ｔｏ、 １４は、対比するため作成
した本発明の範囲外の素子である。
第１表
このようにして得られた非直線性誘電体素子のパルス発
生電圧を、第１図に示すパルス発生回路及びパルス測定
回路を用いて、室温（２０℃）で測定した結果、第１表
に示すような結果が得られた。
生電圧を、第１図に示すパルス発生回路及びパルス測定
回路を用いて、室温（２０℃）で測定した結果、第１表
に示すような結果が得られた。
なおパルス発生回路は、第１図に示すように、上記によ
り作成した各非直線性誘電体素子１と１２５Ｗ水銀灯用
安定器２の直列回路を、２００ Ｖ 、 ５０Ｈｚの交
流電源３に接続して構成し、発生パルス電圧を非直線性
誘電体素子１の端子間に接続したオシロスコープ４によ
り測定した。
り作成した各非直線性誘電体素子１と１２５Ｗ水銀灯用
安定器２の直列回路を、２００ Ｖ 、 ５０Ｈｚの交
流電源３に接続して構成し、発生パルス電圧を非直線性
誘電体素子１の端子間に接続したオシロスコープ４によ
り測定した。
上記第１表かられかるように、ｙ／ｚのモル比を、１
、００７≦ｙ／ｚ≦１゜０３とした非直線性誘電体素子
のパルス発生電圧は、４５０〜１０００ Ｖという高い
値を示している。
、００７≦ｙ／ｚ≦１゜０３とした非直線性誘電体素子
のパルス発生電圧は、４５０〜１０００ Ｖという高い
値を示している。
以上のデータから、本発明はＢａＴｉＯｓを主成分とす
る多結晶体からなり、その化学式をＡ、Ｂ、Ｏ。
る多結晶体からなり、その化学式をＡ、Ｂ、Ｏ。
と表したとき、そのＡ、Ｂのモル比ｙ／ｚを１．００７
≦ｙ／ｚ≦１．０３の範囲となるように限定して各原料
粉末を調整し、１４００℃〈Ｔ≦１４５０℃の温度Ｔで
焼成して作成するものである。
≦ｙ／ｚ≦１．０３の範囲となるように限定して各原料
粉末を調整し、１４００℃〈Ｔ≦１４５０℃の温度Ｔで
焼成して作成するものである。
また第１表かられかるように、ＢａＴｉ Ｏｓを主成分
とする多結晶体の化学式を８ａｙ（Ｔｉｘ＋ Ｚｒ＋−
ｘ）ｘＯ３と表すとき、Ｘの値はｘ ＝０．８８〜０．
９６としたとき、発生パルス電圧が６００ｖ以上となり
、その範囲外では５００ｖ以下となりかなり低下する。
とする多結晶体の化学式を８ａｙ（Ｔｉｘ＋ Ｚｒ＋−
ｘ）ｘＯ３と表すとき、Ｘの値はｘ ＝０．８８〜０．
９６としたとき、発生パルス電圧が６００ｖ以上となり
、その範囲外では５００ｖ以下となりかなり低下する。
また第２図に示すように、パルス発生電圧の温度特性が
、通常使用される一３０〜＋６０℃において大幅に低下
して不安定であり実用的でない、したがってＸの値は０
．８８〜０．９６に設定するのが好ましい、なお第２図
における各特性曲線に付した番号は、第１表における試
料磁に対応するものである。
、通常使用される一３０〜＋６０℃において大幅に低下
して不安定であり実用的でない、したがってＸの値は０
．８８〜０．９６に設定するのが好ましい、なお第２図
における各特性曲線に付した番号は、第１表における試
料磁に対応するものである。
０第２実施例
上記第１実施例において最も高いパルス電圧を発生した
磁５の試料と同一の組成、すなわち主成分８ａｙ（Ｔｉ
ｘ＋ Ｚｒ＋−＊ＬＯｓのＢａＴｉＯｓ ９２モル％。
磁５の試料と同一の組成、すなわち主成分８ａｙ（Ｔｉ
ｘ＋ Ｚｒ＋−＊ＬＯｓのＢａＴｉＯｓ ９２モル％。
ＢａＺｒ Ｏｓ ８モル％、ｙ／ｚ−１，０２としたも
のにおいて、添加する鉱化剤たるＭｎ、 Ｃｒの酸化物
Ｍｎ ＣＯ３１ＣｒｌＯ，の１種又は２種を、その添加
量を第２表に示すように変えて添加し、第１実施例と同
様な工程で非直線性誘電体素子を作成した。そして、か
くして得られた素子のパルス発生電圧を第１図に示した
測定回路を用いて測定したところ第２表に示す結果が得
られた。
のにおいて、添加する鉱化剤たるＭｎ、 Ｃｒの酸化物
Ｍｎ ＣＯ３１ＣｒｌＯ，の１種又は２種を、その添加
量を第２表に示すように変えて添加し、第１実施例と同
様な工程で非直線性誘電体素子を作成した。そして、か
くして得られた素子のパルス発生電圧を第１図に示した
測定回路を用いて測定したところ第２表に示す結果が得
られた。
第２表
第２表かられかるように、鉱化剤の添加量によって発生
パルス電圧の値は大幅に変化するが、主成分に対して０
．０２〜０．５重量％の範囲で満足すべ １きパルス
電圧が発生しており、そして上記範囲以外では試料１１
ｈｌ、 ６． ７．１２．１６で示すように、パルス
発生電圧が低下し、満足すべき特性が得られない。すな
わち、添加量が０．０２重量％未満では添加による効果
が全く認められないし、０．５重量 １％を越える
と電気的特性が劣化して好ましくない、 ４なお本実
施例では、鉱化剤たるＭｎ＋ Ｃｒの酸化物 」を
、Ｍｎ ＣＯ３＋ Ｃｒｔ Ｏｓとして添加したものを
示し ｊたが、これに限定されるものではな（、他
の化合物として添加しても同様の効果が得られるもので
ある。
パルス電圧の値は大幅に変化するが、主成分に対して０
．０２〜０．５重量％の範囲で満足すべ １きパルス
電圧が発生しており、そして上記範囲以外では試料１１
ｈｌ、 ６． ７．１２．１６で示すように、パルス
発生電圧が低下し、満足すべき特性が得られない。すな
わち、添加量が０．０２重量％未満では添加による効果
が全く認められないし、０．５重量 １％を越える
と電気的特性が劣化して好ましくない、 ４なお本実
施例では、鉱化剤たるＭｎ＋ Ｃｒの酸化物 」を
、Ｍｎ ＣＯ３＋ Ｃｒｔ Ｏｓとして添加したものを
示し ｊたが、これに限定されるものではな（、他
の化合物として添加しても同様の効果が得られるもので
ある。
０第３実施例
（この実施例は、Ｂａ（Ｔｉ、 Ｚｒ） Ｏｓ系組成の
多結晶体において、Ｂａ元素をＳｒ、 Ｃａ＋ Ｐｂ群
から選ばれた １少なくとも１種以上の元素で置換
したもので、上記第１実施例において最も高いパルス電
圧を発生したｌ１ｈ５の試料と同一組成、すなわち主成
分Ｂａ。
（この実施例は、Ｂａ（Ｔｉ、 Ｚｒ） Ｏｓ系組成の
多結晶体において、Ｂａ元素をＳｒ、 Ｃａ＋ Ｐｂ群
から選ばれた １少なくとも１種以上の元素で置換
したもので、上記第１実施例において最も高いパルス電
圧を発生したｌ１ｈ５の試料と同一組成、すなわち主成
分Ｂａ。
（Ｔｉｘ＋ Ｚｒｌ−ｘ）ｇｏｓのＢａＴｉ Ｏｓを９
２モル％、 ＢａＺｒＯｓを８モル％、 ｙ／２−１
．０２としたものにおいて、Ｂａ元素の一部を上記Ｓｒ
、 Ｃａ＋ Ｐｂ元素で１モル％ま ゛で置換したと
ころ、第３図に示すように高いパルス電圧が得られ、更
に非直線特性が向上することが確認された。
２モル％、 ＢａＺｒＯｓを８モル％、 ｙ／２−１
．０２としたものにおいて、Ｂａ元素の一部を上記Ｓｒ
、 Ｃａ＋ Ｐｂ元素で１モル％ま ゛で置換したと
ころ、第３図に示すように高いパルス電圧が得られ、更
に非直線特性が向上することが確認された。
上記各実施例において、更にＯｆ、 Ｓｂ、 Ｎｂ、
Ｓｔ及び鉄族元素の酸化物、粘土質物、希土類元素化合
一を１種又は１種以上を微量添加することにより、克結
に際し磁器の還元防止あるいは緻密焼結を促艙させるこ
とができ、絶縁抵抗の向上を計ることができる。
Ｓｔ及び鉄族元素の酸化物、粘土質物、希土類元素化合
一を１種又は１種以上を微量添加することにより、克結
に際し磁器の還元防止あるいは緻密焼結を促艙させるこ
とができ、絶縁抵抗の向上を計ることができる。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、焼成して得られるＢａＴｉ Ｏｓを主成分とする多結
晶体の化学式をＡ、Ｂ、Ｏ，と表したとき７） ｙ ／
ｚのモル比を、１．００７≦ｙ／ｚ≦１．０３となる
ように原料組成を調整して１４００℃くＴ≦１４５０℃
の焼成温度Ｔで焼成を行うようにしたので、異常粒成長
を阻止しながら鉱化剤を昇華させてその残留量を下げる
ことができ、良好な非直線特性をもつ非直線性誘電体素
子を得ることができる。
、焼成して得られるＢａＴｉ Ｏｓを主成分とする多結
晶体の化学式をＡ、Ｂ、Ｏ，と表したとき７） ｙ ／
ｚのモル比を、１．００７≦ｙ／ｚ≦１．０３となる
ように原料組成を調整して１４００℃くＴ≦１４５０℃
の焼成温度Ｔで焼成を行うようにしたので、異常粒成長
を阻止しながら鉱化剤を昇華させてその残留量を下げる
ことができ、良好な非直線特性をもつ非直線性誘電体素
子を得ることができる。
第１図は、非直線性誘電体素子のパルス発生回路及びそ
の測定回路を示す図、第２図は、ＢａＴｉＯ３を主成分
とする多結晶体の化学式をＢａ、 （ｒｉｇ ，Ｚｒ１
−１１）１１０３と表したときのＸの値の変化させた場
合におけるパルス発生電圧の温度特性を示す図、第３図
は、Ｈａの一部をＰｂｎ Ｓｒ、 Ｃａで置換した場合
におけるパルス発生電圧特性を示す図、第４図は、Ｂａ
Ｔｉ Ｏ２単結晶体のＤ−Ｅヒステリシス曲線図、第５
図は、従来のＢａＴｉＯｓ多結晶体のＤ−Ｅヒステリシ
ス曲線を示す図である。 図において、１は非直線性誘電体素子、２は水銀灯用安
定器、３は交流電源、４はオシロスコープを示す。 第１図 □ 温度（０Ｃ） 第３図
の測定回路を示す図、第２図は、ＢａＴｉＯ３を主成分
とする多結晶体の化学式をＢａ、 （ｒｉｇ ，Ｚｒ１
−１１）１１０３と表したときのＸの値の変化させた場
合におけるパルス発生電圧の温度特性を示す図、第３図
は、Ｈａの一部をＰｂｎ Ｓｒ、 Ｃａで置換した場合
におけるパルス発生電圧特性を示す図、第４図は、Ｂａ
Ｔｉ Ｏ２単結晶体のＤ−Ｅヒステリシス曲線図、第５
図は、従来のＢａＴｉＯｓ多結晶体のＤ−Ｅヒステリシ
ス曲線を示す図である。 図において、１は非直線性誘電体素子、２は水銀灯用安
定器、３は交流電源、４はオシロスコープを示す。 第１図 □ 温度（０Ｃ） 第３図
Claims (5)
- （１）焼成したときＢａＴｉＯ＿３を主成分とする多結
晶体からなり、その化学式をＡ＿ｙＢ＿ｚＯ＿３と表し
たとき、そのＡ，Ｂのモル比ｙ／ｚが、１．００７≦ｙ
／ｚ≦１．０３の範囲となるように原料粉末を調整し、
且つＭｎ，Ｃｒの酸化物からなる鉱化剤を添加し、１４
００℃＜Ｔ≦１４５０℃の焼成温度Ｔで焼成することを
特徴とする非直線性誘電体素子の製造方法。 - （２）前記多結晶体の化学式を８ａ＿ｙ（Ｔｉ＿ｘ，Ｚ
ｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｘＯ＿３と表したとき、ｘ＝０．８
８〜０．９６に設定したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の非直線性誘電体素子の製造方法。 - （３）前記ＢａＴｉＯ＿３を主成分とする多結晶体にお
いて、Ｂａの一部をＳｒ，Ｃａ，Ｐｂの群から選ばれた
少なくとも１種の元素で１０モル％以下置換しているこ
とを特徴とする非直線性誘電体素子の製造方法。 - （４）前記Ｍｎ，Ｃｒの酸化物からなる鉱化剤は、その
１種又は２種を、０．０２〜０．５重量％添加したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれ
かに記載の非直線性誘電体素子の製造方法。 - （５）Ｈｆ，Ｓｂ，Ｎｂ，Ｓｉ及び鉄族元素の酸化物，
粘土質物，希土類元素化合物の１種又は１種以上を含有
させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４
項のいずれかに記載の非直線性誘電体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29415987A JP2696118B2 (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 非直線性誘電体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP29415987A JP2696118B2 (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 非直線性誘電体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136324A true JPH01136324A (ja) | 1989-05-29 |
| JP2696118B2 JP2696118B2 (ja) | 1998-01-14 |
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ID=17804077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29415987A Expired - Fee Related JP2696118B2 (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 非直線性誘電体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2696118B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356037B1 (en) | 1998-04-08 | 2002-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and a capacitor using the same |
| JP2007017043A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加湿装置 |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP29415987A patent/JP2696118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356037B1 (en) | 1998-04-08 | 2002-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and a capacitor using the same |
| JP2007017043A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加湿装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2696118B2 (ja) | 1998-01-14 |
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