JPS59125B2 - 非直線性誘電体素子 - Google Patents
非直線性誘電体素子Info
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- JPS59125B2 JPS59125B2 JP53129233A JP12923378A JPS59125B2 JP S59125 B2 JPS59125 B2 JP S59125B2 JP 53129233 A JP53129233 A JP 53129233A JP 12923378 A JP12923378 A JP 12923378A JP S59125 B2 JPS59125 B2 JP S59125B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非直線性誘電体素子にかかり、特にＢａＴｉＯ
３系多結晶体からなる誘電率が電界の強度によつて変化
する非直線性を利用した非直線性誘電体素子に関するも
のである。
３系多結晶体からなる誘電率が電界の強度によつて変化
する非直線性を利用した非直線性誘電体素子に関するも
のである。
一般にＢａＴｉＯ３系磁器を中心とするペロブスカイト
形構造を有するＡＢＯ３形強誘電体の応用分野としては
、高誘電率の利用、圧電的性質の利用の外に強誘電体の
非直線性の応用が知られている。
形構造を有するＡＢＯ３形強誘電体の応用分野としては
、高誘電率の利用、圧電的性質の利用の外に強誘電体の
非直線性の応用が知られている。
つまり、誘電率が電界の強度によつて変化することを利
用する非線形（可飽和）素子、ヒステリシス特性を利用
する記憶蓄積素子、論理演算素子等の用途にＢａＴ１Ｏ
３単結晶を用いると、その使用周波数の限界もあがり、
消費電力も非常に小さく小型大容量のものが容易に得ら
れる等の大きな効果が予想されて、この応用研究がすで
にベル研究所でＡｎｄｒｅｓＯｎ等によつて発表されて
いる。ところが疲労現象やしきい（ＴｈｅｒｓｈＯｌｄ
）の電場がない等の欠点が明らかになり実用化に至てい
ない。最近、新規の用途例として非線形（可飽和）素子
として螢光灯・水銀灯・ナトリウム放電灯類の放電灯・
無接点起動装置に用いることが特公昭４８−２８７２６
、更に強誘電体素体表面を鏡面加工、エツチング処理に
よつて可飽和曲線の良好な非線形素子が得られることは
特開昭５２１４６０６９等で知られている。
用する非線形（可飽和）素子、ヒステリシス特性を利用
する記憶蓄積素子、論理演算素子等の用途にＢａＴ１Ｏ
３単結晶を用いると、その使用周波数の限界もあがり、
消費電力も非常に小さく小型大容量のものが容易に得ら
れる等の大きな効果が予想されて、この応用研究がすで
にベル研究所でＡｎｄｒｅｓＯｎ等によつて発表されて
いる。ところが疲労現象やしきい（ＴｈｅｒｓｈＯｌｄ
）の電場がない等の欠点が明らかになり実用化に至てい
ない。最近、新規の用途例として非線形（可飽和）素子
として螢光灯・水銀灯・ナトリウム放電灯類の放電灯・
無接点起動装置に用いることが特公昭４８−２８７２６
、更に強誘電体素体表面を鏡面加工、エツチング処理に
よつて可飽和曲線の良好な非線形素子が得られることは
特開昭５２１４６０６９等で知られている。
ところが、かかる用途に使用される非線形素子（以下非
直線性誘電体素子と称す）としてはＤ一Ｅヒステリシス
曲線の傾斜が急しゆんなこと、誘電率が高い値でしかも
温度に対して安定であること、Ｄ−Ｅヒステリシスの温
度特性が良好であること。
直線性誘電体素子と称す）としてはＤ一Ｅヒステリシス
曲線の傾斜が急しゆんなこと、誘電率が高い値でしかも
温度に対して安定であること、Ｄ−Ｅヒステリシスの温
度特性が良好であること。
つまりその電圧と電荷Ｑの関係が第１図Ａに示すような
Ｄ−Ｅヒステリシス曲線が角形特性であり、温度に対し
て安定であることが要求されている。ＢａＴｉＯ３単結
晶は、かかる曲線が角形特性を示す為に非直線性誘電体
素子としては有効である。
Ｄ−Ｅヒステリシス曲線が角形特性であり、温度に対し
て安定であることが要求されている。ＢａＴｉＯ３単結
晶は、かかる曲線が角形特性を示す為に非直線性誘電体
素子としては有効である。
又ＢａＴｉＯ３単結晶の育成にフラツクス法、溶融法等
が知られている。しかるに製造方法そのものがまだ研究
段階で実用化に至つていない。そこで、従来のＢａＴｉ
Ｏ３系多結晶体は一般に第１図Ｂに示すようなＤ−Ｅヒ
ステリシス曲線がある程度の飽和特性を示すが、誘電率
が温度に対して不安定であり、かつＤ−Ｅヒステリシス
曲線の傾斜が緩慢であり非直線性誘電体素子として実用
化に至つていないのが現状である。そこで本発明者らは
、これ等の問題点に対して鋭意研究の結果ＢａＴｉＯ３
系多結晶体のＢａ元素をＡ，Ｔｉ元素をＢで表わしたと
きにＡｙＢｚＯ３となるｙ／ｚのモル比を変えることに
より、結晶粒径や粒界の様相が異なり、Ｄ−Ｅヒステリ
シス形態や容量電圧特性、いわゆる容量の非直線性に多
大の影響を与えることが判明した。
が知られている。しかるに製造方法そのものがまだ研究
段階で実用化に至つていない。そこで、従来のＢａＴｉ
Ｏ３系多結晶体は一般に第１図Ｂに示すようなＤ−Ｅヒ
ステリシス曲線がある程度の飽和特性を示すが、誘電率
が温度に対して不安定であり、かつＤ−Ｅヒステリシス
曲線の傾斜が緩慢であり非直線性誘電体素子として実用
化に至つていないのが現状である。そこで本発明者らは
、これ等の問題点に対して鋭意研究の結果ＢａＴｉＯ３
系多結晶体のＢａ元素をＡ，Ｔｉ元素をＢで表わしたと
きにＡｙＢｚＯ３となるｙ／ｚのモル比を変えることに
より、結晶粒径や粒界の様相が異なり、Ｄ−Ｅヒステリ
シス形態や容量電圧特性、いわゆる容量の非直線性に多
大の影響を与えることが判明した。
つまり、ＢａＴｉＯ３系多結晶体、特に良好なものとし
てＢａＴｉＯ３のＴｉの１部をＳｎで置換した固溶体Ｂ
ａ（Ｔｉ−Ｓｎ）０３がＳｎの添加量によつてキユリ一
点が低温側に移行した状態の固溶体を選択して実線を行
なつた結果、容量電圧特性がもつとも非直線性を示す、
最適な領域としてＢａＴｉＯ３系多結晶体のｙ／ｚのモ
ル比を等モルではなく、０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９の
範囲であることを見出したものである。すなわち、本発
明の非直線性誘電体素子は新規なものとして、Ｄ−Ｅヒ
ステリシス曲線の傾斜が急しゆんで誘電率が高い値でし
かも温度特性がＢａＴｉＯ３単結晶に比較し極めて安定
であり誘電体損失の小さい極めて優れた特徴を有するも
のでありパルス発生器、放電灯・点灯装置等の非直線性
誘電体素子として実用化が可能となつたものである。
てＢａＴｉＯ３のＴｉの１部をＳｎで置換した固溶体Ｂ
ａ（Ｔｉ−Ｓｎ）０３がＳｎの添加量によつてキユリ一
点が低温側に移行した状態の固溶体を選択して実線を行
なつた結果、容量電圧特性がもつとも非直線性を示す、
最適な領域としてＢａＴｉＯ３系多結晶体のｙ／ｚのモ
ル比を等モルではなく、０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９の
範囲であることを見出したものである。すなわち、本発
明の非直線性誘電体素子は新規なものとして、Ｄ−Ｅヒ
ステリシス曲線の傾斜が急しゆんで誘電率が高い値でし
かも温度特性がＢａＴｉＯ３単結晶に比較し極めて安定
であり誘電体損失の小さい極めて優れた特徴を有するも
のでありパルス発生器、放電灯・点灯装置等の非直線性
誘電体素子として実用化が可能となつたものである。
又、本発明はＢａ（Ｔｉｘ−Ｓｎ，−ｘ）０３糸組成で
Ｂａ元素を１０モル％までＳｒ，Ｃａ，Ｐｂ，Ｍｇの群
から選ばれた少なくとも１種以上の元素を置換しても同
様であることが確認された。
Ｂａ元素を１０モル％までＳｒ，Ｃａ，Ｐｂ，Ｍｇの群
から選ばれた少なくとも１種以上の元素を置換しても同
様であることが確認された。
更に前述組成に添加剤として、Ｍｎ，Ｃｒ酸化物を０．
０２〜０．５重量％含有させることによつてＢａＴｌＯ
３の持つ固有のヒステリシス特性を損うことなく磁器焼
結に際して、還元防止あるいはその焼結性が向上し、よ
り緻密で均質な優れた多結晶体が得られることが判明し
た。以下実施例をあげて本発明を詳細に説明する。
０２〜０．５重量％含有させることによつてＢａＴｌＯ
３の持つ固有のヒステリシス特性を損うことなく磁器焼
結に際して、還元防止あるいはその焼結性が向上し、よ
り緻密で均質な優れた多結晶体が得られることが判明し
た。以下実施例をあげて本発明を詳細に説明する。
第１図ＡはＢａＴｉＯ３単結晶体のＤ−Ｅヒステリシス
曲線例図であり、Ｂは従来のＢａＴｉＯ３多結晶体のＤ
−Ｅヒステリシス曲線例図である。第２図は本発明の実
施例である非直線性誘電体素子のＤＥヒステリシス曲線
例図である。第３図は本発明の非直線性誘電体素子を用
いた放電灯・無接点起動装置の回路図である。
曲線例図であり、Ｂは従来のＢａＴｉＯ３多結晶体のＤ
−Ｅヒステリシス曲線例図である。第２図は本発明の実
施例である非直線性誘電体素子のＤＥヒステリシス曲線
例図である。第３図は本発明の非直線性誘電体素子を用
いた放電灯・無接点起動装置の回路図である。
第４〜５図は第３図に示す回路の動作原理を示す回路お
よび動作波形図である。
よび動作波形図である。
第６図は、ＢａＴｉＯ３多結晶体のＹ／Ｚのモル比と各
試料を第３図に示す回路で実装した場合の放電灯の両端
に加わるパルス電圧との関係を示すものである。
試料を第３図に示す回路で実装した場合の放電灯の両端
に加わるパルス電圧との関係を示すものである。
試料は組成比ＢａＴｉＯ３９４ｍＯｔＯｌ）ＢａＳｎＯ
３６ｍＯｔ％にＭｎ添加したものが白丸印、Ｃｒ添加し
たものが黒丸印である。第７図は同じく本発明の実施例
であるＢａ（Ｔｌｘ，ｓｎｌ−Ｘ）０３組成比列のパル
ス電圧の温度特性を示し、５本の曲線は何れもｙ／ｚが
０．９８である。
３６ｍＯｔ％にＭｎ添加したものが白丸印、Ｃｒ添加し
たものが黒丸印である。第７図は同じく本発明の実施例
であるＢａ（Ｔｌｘ，ｓｎｌ−Ｘ）０３組成比列のパル
ス電圧の温度特性を示し、５本の曲線は何れもｙ／ｚが
０．９８である。
第８図は同じく実施例である添加物−パルス電圧を示す
。実施例 １ 原料粉末ＢａＣＯ３，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２鉱化剤を第一
表の所望組成となるように磁製ポツト、メノーボールを
用いて湿式混合した。
。実施例 １ 原料粉末ＢａＣＯ３，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２鉱化剤を第一
表の所望組成となるように磁製ポツト、メノーボールを
用いて湿式混合した。
脱水乾燥後１１５０℃で２時間保持し、仮焼成せしめ、
その後ふたたび磁製ポツト、メノーボールを用いて粉砕
を行なつた。水分を蒸発させたあとこれに適当量のバイ
ンダーを加え１６．５φ、０．４５♂の円板に１０トン
プレスで加圧成型した。ついで１３００）１４００℃で
２時間焼成せしめた。この場合Ｂａｙ（ＴｌＸ，Ｓｎｌ
−Ｘ）ＺＯ３のｙ／ｚのモル比は第一表の通り０．９２
≦ｙ／ｚ≦０．９９の範囲内にある。かくして得られた
磁器素子に銀電極を焼付、その後パルス電圧特性、パル
ス電圧温度特性を第１表に示すように第３図の回路で測
定し、ついでそのＤ−Ｅヒステリシス曲線を測定しその
例図を第２図に示す。このパルス発生の簡単な動作原理
については、以下に動作原理図及び動作波形図を第４〜
５図に示す。
その後ふたたび磁製ポツト、メノーボールを用いて粉砕
を行なつた。水分を蒸発させたあとこれに適当量のバイ
ンダーを加え１６．５φ、０．４５♂の円板に１０トン
プレスで加圧成型した。ついで１３００）１４００℃で
２時間焼成せしめた。この場合Ｂａｙ（ＴｌＸ，Ｓｎｌ
−Ｘ）ＺＯ３のｙ／ｚのモル比は第一表の通り０．９２
≦ｙ／ｚ≦０．９９の範囲内にある。かくして得られた
磁器素子に銀電極を焼付、その後パルス電圧特性、パル
ス電圧温度特性を第１表に示すように第３図の回路で測
定し、ついでそのＤ−Ｅヒステリシス曲線を測定しその
例図を第２図に示す。このパルス発生の簡単な動作原理
については、以下に動作原理図及び動作波形図を第４〜
５図に示す。
第３図においてＣｎは非直線性誘電体素子であり、その
特性は第２図に示す通りである。
特性は第２図に示す通りである。
第５図においてＡは通常のコンデンサの特性であり、Ｑ
はＥに比例する。
はＥに比例する。
しかるにＢは本発明による素子の特性でありＤＯ以上で
はＱがほぼ一定となる。Ｑ＜Ｃ〉＝Ｃ（Ｆ）×（）であ
るから、同図Ｂになる特性は電圧がＥＯ以上では見掛上
の容量が急激に減少し、蓄積される電荷は飽和し結果と
して、充電電流が急激に減少する。このため、安定器で
は第４図に示す様にＬ×Ｄｉ／Ｄｔに比例した逆起電力
が生じ、放電灯ＦＬを起動させるトリカー（パルス）電
圧が発生する。Ｌは安定器のインダクタンスでありＤｉ
／Ｄｔは非直線性誘電体素子の充電々流の変化である。
±を大きくとるために、第５図に於けるＥＯ（Ｖ）Ｄｔ
以下の充電々流の傾きとＥＯ（）以上で飽和充電電流の
傾きの差が大きい程トリカー（パルス）電圧が高くなり
安定に起動させることが出来る。
はＱがほぼ一定となる。Ｑ＜Ｃ〉＝Ｃ（Ｆ）×（）であ
るから、同図Ｂになる特性は電圧がＥＯ以上では見掛上
の容量が急激に減少し、蓄積される電荷は飽和し結果と
して、充電電流が急激に減少する。このため、安定器で
は第４図に示す様にＬ×Ｄｉ／Ｄｔに比例した逆起電力
が生じ、放電灯ＦＬを起動させるトリカー（パルス）電
圧が発生する。Ｌは安定器のインダクタンスでありＤｉ
／Ｄｔは非直線性誘電体素子の充電々流の変化である。
±を大きくとるために、第５図に於けるＥＯ（Ｖ）Ｄｔ
以下の充電々流の傾きとＥＯ（）以上で飽和充電電流の
傾きの差が大きい程トリカー（パルス）電圧が高くなり
安定に起動させることが出来る。
故にＣｎ素子のＤ−Ｅヒステリシスとしては角形特性に
近いことが必要となる。このヒステリシス形態を定量的
に表わすことは容易ではないが本実験では第３図に示す
回路によるパルス電圧をこのヒステリシス形態の定量的
な尺度とした。第４図に於いて例えばＥＯ（Ｖ）を適当
な値に設定し交流電圧をＣｎ素子に印加した時第５図に
示されるようにＥＯに於て充電々流は急激に変化し、前
述の如く安定器のインダクタンスＬに比例した逆起電力
によるパルスが交流電圧のＥＯに重畳される。このパル
ス電圧が第３図に於ける放電灯の起動パルス即ちトリカ
ーとなるものである。以上、第１表かられかるように本
発明範囲内のものはパルス電圧特性が４００〜９００Ｖ
の高い値を示している。
近いことが必要となる。このヒステリシス形態を定量的
に表わすことは容易ではないが本実験では第３図に示す
回路によるパルス電圧をこのヒステリシス形態の定量的
な尺度とした。第４図に於いて例えばＥＯ（Ｖ）を適当
な値に設定し交流電圧をＣｎ素子に印加した時第５図に
示されるようにＥＯに於て充電々流は急激に変化し、前
述の如く安定器のインダクタンスＬに比例した逆起電力
によるパルスが交流電圧のＥＯに重畳される。このパル
ス電圧が第３図に於ける放電灯の起動パルス即ちトリカ
ーとなるものである。以上、第１表かられかるように本
発明範囲内のものはパルス電圧特性が４００〜９００Ｖ
の高い値を示している。
更に第６図に示すようにＢａｙ（Ｔｉｘ，Ｓｎｌ−ｘ）
ＺＯ３のｙ／ｚのモル比が０．９２〜０．９９範囲のも
のは第３図の回路によるパルス電圧が４００Ｖ以上であ
り、パルス電圧の温度特性が通常使用される−３０〜＋
６０℃において４００〜９００Ｖと高電圧パルス発生す
る。
ＺＯ３のｙ／ｚのモル比が０．９２〜０．９９範囲のも
のは第３図の回路によるパルス電圧が４００Ｖ以上であ
り、パルス電圧の温度特性が通常使用される−３０〜＋
６０℃において４００〜９００Ｖと高電圧パルス発生す
る。
尚、比較の為試料黒１，７，１６，２２は本発明範囲外
のものである。以上第１表より、本発明の実施例におけ
るＢａｙ（Ｔｉｘ−Ｓｎｌ−ｘ）ＺＯ３のｙ／ｚのモル
比が０．９２〜０．９９の範囲外、及びＸの比が０．９
〜０．９８の範囲外ではパルス電圧が４００以下となり
、又第７図に示すパルス電圧の温度特性も大巾に低下し
て不安定で実用的でない。
のものである。以上第１表より、本発明の実施例におけ
るＢａｙ（Ｔｉｘ−Ｓｎｌ−ｘ）ＺＯ３のｙ／ｚのモル
比が０．９２〜０．９９の範囲外、及びＸの比が０．９
〜０．９８の範囲外ではパルス電圧が４００以下となり
、又第７図に示すパルス電圧の温度特性も大巾に低下し
て不安定で実用的でない。
なお第７図において口印は第１表試料黒７の場合である
。以上の理由に基づいて本発明はＢａＴｉＯ３系多結晶
体磁器のｙ／ｚのモル比を等モルでなく０．９２〈ｙ／
ｚ〈０．９９の範囲からなる非直線性誘電体素子に限定
するものである。
。以上の理由に基づいて本発明はＢａＴｉＯ３系多結晶
体磁器のｙ／ｚのモル比を等モルでなく０．９２〈ｙ／
ｚ〈０．９９の範囲からなる非直線性誘電体素子に限定
するものである。
実施例 ２
主成分Ｂａｙ（Ｔｉｘ，Ｓｎｌ−ｘ）ＺＯ３のＢａＴｌ
Ｏ３９４モル％、ＢａＳｎＯ３６モル％ｙ／ｚ＝０．９
７〜０．９９として更に添加剤としてＭｎｃＯ３，ｃｒ
２Ｏ３の１種又は複合添加を第２表及び第８図に示すよ
うに添加せしめて、実施例１と同様にしてパルス電圧を
求めた。
Ｏ３９４モル％、ＢａＳｎＯ３６モル％ｙ／ｚ＝０．９
７〜０．９９として更に添加剤としてＭｎｃＯ３，ｃｒ
２Ｏ３の１種又は複合添加を第２表及び第８図に示すよ
うに添加せしめて、実施例１と同様にしてパルス電圧を
求めた。
第８図はｙ／ｚ＝０．９８のものを示す。第２表におい
て、添加物の添加量によつてパルス電圧が格段に向上す
る効果を有する。
て、添加物の添加量によつてパルス電圧が格段に向上す
る効果を有する。
これ等の添加物を添加する時は、例えばＭｎはＭｎｃＯ
３，ｃｒはＣｒ２Ｏ３として添加したがこれに限定する
ものではなく、他の化合物として用いても、同様の効果
がみとめられるものであり、その添加量も添加する化合
物の状態を勘案すべきであるが、生成分に対して０．０
２〜０．５重量％が実用範囲内と考えられ、−０．５重
量％では電気的特性の劣化が著しくなつて好ましくない
。したがつて、添加量が０．０２〜０．５重量％の範囲
が電気諸特性特にパルス電圧が満足される範囲であると
言つてよい。この場合、０．０２重量％以下では添加に
よる効果が全くみとめられない。更に鉱化剤としてＮｂ
，Ｓｉおよび鉄族元素の酸化物、粘土質物、希土類元化
合物を１種又は１種以上微量添加することにより、焼結
に際し磁器の還元防止あるいはより緻密なる焼結を促進
する効果を有するために絶縁抵抗の向上が計れる。
３，ｃｒはＣｒ２Ｏ３として添加したがこれに限定する
ものではなく、他の化合物として用いても、同様の効果
がみとめられるものであり、その添加量も添加する化合
物の状態を勘案すべきであるが、生成分に対して０．０
２〜０．５重量％が実用範囲内と考えられ、−０．５重
量％では電気的特性の劣化が著しくなつて好ましくない
。したがつて、添加量が０．０２〜０．５重量％の範囲
が電気諸特性特にパルス電圧が満足される範囲であると
言つてよい。この場合、０．０２重量％以下では添加に
よる効果が全くみとめられない。更に鉱化剤としてＮｂ
，Ｓｉおよび鉄族元素の酸化物、粘土質物、希土類元化
合物を１種又は１種以上微量添加することにより、焼結
に際し磁器の還元防止あるいはより緻密なる焼結を促進
する効果を有するために絶縁抵抗の向上が計れる。
以上の様に本発明の非直線性誘電体素゛子は第２図に示
すようなＤ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急しゆんで誘
電率が高くしかも誘電体損失の小さな優れた特徴を有す
るものであり、非直線性誘電体素子として、従来全くな
かつた新規のものとして本発明によつて始めて実用化が
可能となつたも第１図Ａ Ｑ ｖ ，″− のである。
すようなＤ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急しゆんで誘
電率が高くしかも誘電体損失の小さな優れた特徴を有す
るものであり、非直線性誘電体素子として、従来全くな
かつた新規のものとして本発明によつて始めて実用化が
可能となつたも第１図Ａ Ｑ ｖ ，″− のである。
したがつて非直線性誘電体素子として用いる前述の放電
灯・無接点起動装置のほか記憶蓄積素子、論理演算素子
等への用途に実用化が可能となり今後この非直線性を積
極的に利用した用途開発も課題となつた。
灯・無接点起動装置のほか記憶蓄積素子、論理演算素子
等への用途に実用化が可能となり今後この非直線性を積
極的に利用した用途開発も課題となつた。
このように本発明による非直線性誘電体素子の電子工業
界における有用性は多大なるものがある。
界における有用性は多大なるものがある。
第１図は従来例の説明でａはＢａＴｉＯ３単結晶体のＤ
−Ｅヒステリシス曲線例図、ｂはＢａＴｉＯ３多結晶体
のＤ−Ｅヒステリシス曲線例図である。
−Ｅヒステリシス曲線例図、ｂはＢａＴｉＯ３多結晶体
のＤ−Ｅヒステリシス曲線例図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＢａＴｉＯ＿３を主成分とする多結晶体からなり、
その化学式をＡｙＢｚＯ＿３と表わす時、そのｙ／ｚの
モル比が０．９２≦ｙ／ｚ≦０．９９の範囲にあること
を特徴とする非直線性誘電体素子。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の非直線性誘電体素子に
おいて、その化学式をＢａｙ（Ｔｉｘ、Ｓｎ＿１＿−＿
ｘ）ｚＯ＿３と表わす時、このｘの値がｘ＝０．９〜０
．９８であることを特徴とする非直線性誘電体素子。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の非直線性誘電体素子に
おいて、Ｂａの一部をＳｒ、Ｃａ、Ｐｂの群から選ばれ
た少くとも一種の元素で１０モル％以下置換したことを
特徴とする非直線性誘電体素子。 ４ Ｍｎ、Ｃｒの酸化物１種又は１種以上０．０２〜０
．５重量％含有することを特徴とする特許請求範囲第１
項記載の非直線性誘電体素子。 ５ Ｎｂ、Ｓｉおよび鉄族元素の酸化物、粘土質物、希
土類元素化合物を１種又は１種以上添加含有することを
特徴とする特許請求範囲第１項記載の非直線性誘電体素
子。 ６ パルス発生器、放電灯・点灯装置等の非直線性誘電
体素子とすることを特徴とする特許請求範囲第１項記載
の非直線性誘電体素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53129233A JPS59125B2 (ja) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | 非直線性誘電体素子 |
| CA000337903A CA1142343A (en) | 1978-10-20 | 1979-10-18 | Non-linear dielectric element |
| GB7936224A GB2035287B (en) | 1978-10-20 | 1979-10-18 | Non-linear dielectric element composition |
| FR7925909A FR2439463A1 (fr) | 1978-10-20 | 1979-10-18 | Element a caracteristique dielectrique non lineaire |
| DE19792942187 DE2942187A1 (de) | 1978-10-20 | 1979-10-18 | Nichtlineares dielektrisches element |
| US06/476,250 US4447549A (en) | 1978-10-20 | 1983-03-22 | Non-linear dielectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53129233A JPS59125B2 (ja) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | 非直線性誘電体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5556621A JPS5556621A (en) | 1980-04-25 |
| JPS59125B2 true JPS59125B2 (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=15004454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53129233A Expired JPS59125B2 (ja) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | 非直線性誘電体素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4447549A (ja) |
| JP (1) | JPS59125B2 (ja) |
| CA (1) | CA1142343A (ja) |
| DE (1) | DE2942187A1 (ja) |
| FR (1) | FR2439463A1 (ja) |
| GB (1) | GB2035287B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674917A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-20 | Tdk Electronics Co Ltd | Nonnlinear dielectric element |
| JPS5693298A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Device for firing discharge lamp |
| JPS57126120A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-05 | Tdk Electronics Co Ltd | Voltage sensitive capacitance element |
| JPS57130302A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Tdk Electronics Co Ltd | Nonlinear dielectric element |
| JPS57129340U (ja) * | 1981-02-09 | 1982-08-12 | ||
| JPS57138122A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-26 | Tdk Electronics Co Ltd | Voltage responsive current limiting element |
| WO1983003028A1 (fr) * | 1982-02-20 | 1983-09-01 | Masujima, Sho | Element limiteur de courant sensible a la tension |
| JPS58192293A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | 三菱電機株式会社 | 放電灯点灯装置 |
| JPS5916293A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | 東芝ライテック株式会社 | 放電灯点灯装置 |
| JPS5935354A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-27 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高圧金属蒸気放電灯 |
| JPS59203720A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Tokuyama Soda Co Ltd | 結晶性金属酸化物及びその製造方法 |
| JPS60124396A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| JPS63221504A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | ティーディーケイ株式会社 | 非直線性誘電体素子 |
| JPS63221505A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-14 | ティーディーケイ株式会社 | 非直線性誘電体素子 |
| US4858066A (en) * | 1988-12-22 | 1989-08-15 | Gte Products Corporation | Nonlinear dielectric capacitor for pulse generation applications |
| US6331325B1 (en) * | 1994-09-30 | 2001-12-18 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films using boron |
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| US7382013B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric thin film, dielectric thin film device, and method of production thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3103440A (en) * | 1963-09-10 | Electrostrictive barium titanate ceramic with | ||
| US3103441A (en) * | 1963-09-10 | Ceramic materials having flat temperature characteristics | ||
| US2402515A (en) * | 1943-06-11 | 1946-06-18 | Titanium Alloy Mfg Co | High dielectric material and method of making same |
| GB583639A (en) * | 1944-11-10 | 1946-12-23 | Titanium Alloy Mfg Co | Improvements relating to ceramic dielectric materials and to methods of making the same |
| GB638834A (en) * | 1947-10-17 | 1950-06-14 | Nat Lead Co | Improvements relating to ceramic dielectric materials and methods of manufacturing the same |
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| GB761307A (en) * | 1953-10-26 | 1956-11-14 | Erie Resistor Corp | Dielectrics |
| DE1063514B (de) * | 1955-06-25 | 1959-08-13 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Titanatkoerpers sehr hoher Dielektrizitaetskonstante |
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| NL231805A (ja) * | 1957-10-03 | |||
| US3345189A (en) * | 1963-10-30 | 1967-10-03 | Tdk Electronics Co Ltd | Ceramic dielectrics |
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| DE1490659B2 (de) * | 1964-09-17 | 1972-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Gesinterter elektrischer kaltleiterwiderstandskoerper und verfahren zu seiner herstellung |
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| JPS5813606B2 (ja) * | 1974-08-14 | 1983-03-15 | 川崎製鉄株式会社 | ジキトクセイノ キワメテ スグレタ イツホウコウセイケイソコウタイバンノ セイゾウホウホウ |
| JPS5818001B2 (ja) * | 1975-06-30 | 1983-04-11 | 三菱電機株式会社 | マイクロハコタイハツシンキ |
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| DE2634896C2 (de) * | 1976-08-03 | 1985-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kondensatordielektrikum mit inneren Sperrschichten und Verfahren zu seiner Herstellung |
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-
1978
- 1978-10-20 JP JP53129233A patent/JPS59125B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-10-18 CA CA000337903A patent/CA1142343A/en not_active Expired
- 1979-10-18 FR FR7925909A patent/FR2439463A1/fr active Granted
- 1979-10-18 GB GB7936224A patent/GB2035287B/en not_active Expired
- 1979-10-18 DE DE19792942187 patent/DE2942187A1/de active Granted
-
1983
- 1983-03-22 US US06/476,250 patent/US4447549A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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