JPH01137230A - 液晶注入装置 - Google Patents
液晶注入装置Info
- Publication number
- JPH01137230A JPH01137230A JP62296575A JP29657587A JPH01137230A JP H01137230 A JPH01137230 A JP H01137230A JP 62296575 A JP62296575 A JP 62296575A JP 29657587 A JP29657587 A JP 29657587A JP H01137230 A JPH01137230 A JP H01137230A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- reservoir
- wall
- crystal panel
- pressure
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶パネルに液晶を注入するための液晶注入装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来の技術
液晶の注入方法や液晶の注入装置は、種々提案されてい
る。一般に空の液晶パネルの内部表面には水分が吸着し
ており、液晶中には空気や水分が溶存している。これら
は、液晶表示素子を動作させた場合液晶の電気分解を促
進し、不純物の増加や気泡の発生等を引き起こし、液晶
表示素子の表示特性の劣化の原因となる。
る。一般に空の液晶パネルの内部表面には水分が吸着し
ており、液晶中には空気や水分が溶存している。これら
は、液晶表示素子を動作させた場合液晶の電気分解を促
進し、不純物の増加や気泡の発生等を引き起こし、液晶
表示素子の表示特性の劣化の原因となる。
これらの水分や空気などを取り除く方法として、従来、
第２図の模式図に示すような液晶注入装置が提案されて
いる。それは、液晶溜２に満たした液晶中に溶存してい
る空気や水分等や、空の液晶パネル３の内部表面に吸着
している水分を槽５内で減圧弁６より減圧排気しながら
取り除いた後、液晶パネル支持具４で液晶パネル３の注
入口を液晶中に浸漬させ液晶パネル中に液晶を徐々に含
浸させ、乾燥させた窒素ガスやアルゴンガス等をガス導
入弁７から槽内５に注入しその圧力を利用して液晶パネ
ル３に液晶を充満さする液晶注入装置である。このよう
な液晶注入装置を用いる方法は生産性が良く、信頼性の
高い液晶表示素子を提供できることから、現在、液晶表
示素子の製造工程に広く用いられている。
第２図の模式図に示すような液晶注入装置が提案されて
いる。それは、液晶溜２に満たした液晶中に溶存してい
る空気や水分等や、空の液晶パネル３の内部表面に吸着
している水分を槽５内で減圧弁６より減圧排気しながら
取り除いた後、液晶パネル支持具４で液晶パネル３の注
入口を液晶中に浸漬させ液晶パネル中に液晶を徐々に含
浸させ、乾燥させた窒素ガスやアルゴンガス等をガス導
入弁７から槽内５に注入しその圧力を利用して液晶パネ
ル３に液晶を充満さする液晶注入装置である。このよう
な液晶注入装置を用いる方法は生産性が良く、信頼性の
高い液晶表示素子を提供できることから、現在、液晶表
示素子の製造工程に広く用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、液晶表示素子に用いられる実用液晶材料は、種
々の要求特性を満たす必要性があり、単一成分ではなく
士数種の成分からなる混合材料である。したがって、液
晶が揮発性の高い成分を含んでいる場合、この方法では
液晶中に溶存している空気や水分等を除去する際、液晶
中の揮発しやすい成分が蒸発し、液晶の組成変動が起こ
る。その結果、液晶の融点、透明点が上昇し、液晶温度
範囲が変わってしまう。また、一般に組成変動に伴い、
液晶の粘度の上昇や誘電率異方性の変化などが起こるた
め、液晶表示素子のしきい値電圧等の表示特性の変動、
応答特性の低下がおこる。
々の要求特性を満たす必要性があり、単一成分ではなく
士数種の成分からなる混合材料である。したがって、液
晶が揮発性の高い成分を含んでいる場合、この方法では
液晶中に溶存している空気や水分等を除去する際、液晶
中の揮発しやすい成分が蒸発し、液晶の組成変動が起こ
る。その結果、液晶の融点、透明点が上昇し、液晶温度
範囲が変わってしまう。また、一般に組成変動に伴い、
液晶の粘度の上昇や誘電率異方性の変化などが起こるた
め、液晶表示素子のしきい値電圧等の表示特性の変動、
応答特性の低下がおこる。
問題点を解決するための手段
液晶溜と、液晶溜の周囲の一部、または全部を囲む壁と
を含む要素を槽内部に収容するとともに、前記槽内部を
減圧、排気可能な装置を設ける。
を含む要素を槽内部に収容するとともに、前記槽内部を
減圧、排気可能な装置を設ける。
作用
上記の構成によれば、液晶溜の周囲に壁を設けることに
より、減圧脱泡した際、層内の真空度の分布、あるいは
、槽内に揮発した液晶の蒸気圧分布ができ、壁のない場
合に比べて液晶が揮発しにくくなると思われる。そのた
め、液晶の組成変動が少なくなり、液晶の温度範囲の変
化、液晶表示素子の表示特性の変動、応答特性の低下を
軽減することができる。
より、減圧脱泡した際、層内の真空度の分布、あるいは
、槽内に揮発した液晶の蒸気圧分布ができ、壁のない場
合に比べて液晶が揮発しにくくなると思われる。そのた
め、液晶の組成変動が少なくなり、液晶の温度範囲の変
化、液晶表示素子の表示特性の変動、応答特性の低下を
軽減することができる。
実施例
第１図に本発明の液晶注入装置の模式図を示す。
１は液晶溜の周囲を囲む壁、２は液晶溜、３は液晶パネ
ル、４は液晶を上下させるための液晶パネル支持具、５
は槽、６は減圧弁、７はガス導入弁を示す。
ル、４は液晶を上下させるための液晶パネル支持具、５
は槽、６は減圧弁、７はガス導入弁を示す。
周囲を囲む壁ｌを設けた液晶溜２に液晶を溝たし、槽５
内を減圧弁６より減圧排気し、その後、液晶パネル支持
具４を用いて液晶パネル３の注入口を液晶溜２の液晶に
浸漬させ、液晶パネル３に液晶を徐々に含浸させる。次
に、乾燥した窒素ガスやアルゴンガスをガス導入弁７か
ら徐々に注入し大気圧に戻しながら、液晶パネル３に液
晶を注入する。
内を減圧弁６より減圧排気し、その後、液晶パネル支持
具４を用いて液晶パネル３の注入口を液晶溜２の液晶に
浸漬させ、液晶パネル３に液晶を徐々に含浸させる。次
に、乾燥した窒素ガスやアルゴンガスをガス導入弁７か
ら徐々に注入し大気圧に戻しながら、液晶パネル３に液
晶を注入する。
液晶溜２０周囲を囲む壁ｌは、液晶パネルの形状や注入
口の大きさ、位置等に合わせて壁の大きざ、形状、位置
等を最適にする必要がある。例えば、液晶溜２の面積を
小さくし、それに隣接するように液晶面より高く壁１を
設けるとよい。液晶溜２０周囲を一部、つまり三方ある
いは三方を壁１で囲むと壁１を設けない場合に比べて液
晶の組成変動を少なくする効果がある。また、液晶溜２
の周囲を全部、つまり四方を壁１で囲むほうがより効果
が高いが、液晶パネル３の注入口を液晶溜２に近付は難
く、液晶溜２の周囲を囲む壁１の一部、あるいは全部を
取り外すか、チューブ等の補助具を用いて注入する必要
がある。
口の大きさ、位置等に合わせて壁の大きざ、形状、位置
等を最適にする必要がある。例えば、液晶溜２の面積を
小さくし、それに隣接するように液晶面より高く壁１を
設けるとよい。液晶溜２０周囲を一部、つまり三方ある
いは三方を壁１で囲むと壁１を設けない場合に比べて液
晶の組成変動を少なくする効果がある。また、液晶溜２
の周囲を全部、つまり四方を壁１で囲むほうがより効果
が高いが、液晶パネル３の注入口を液晶溜２に近付は難
く、液晶溜２の周囲を囲む壁１の一部、あるいは全部を
取り外すか、チューブ等の補助具を用いて注入する必要
がある。
そして、液晶溜２の周囲を囲む壁１の一部、あるいは、
全部を取り外す場合は、周囲を囲む壁１を設けた液晶溜
２に液晶を満たし、槽５内を減圧弁６より減圧排気する
。充分減圧排気した後、（々品温２の周囲を囲む壁１の
一部、あるいは、全部を取り外し、液晶パネル支持具４
を用いて液晶パネル３の注入口を液晶溜２の液晶に浸漬
させ、液晶パネル３に液晶を徐々に含浸させた。乾燥し
た窒素ガスやアルゴンガスをガス導入弁７から徐々に注
入し大気圧に戻゛しながら、液晶パネル３に液晶を注入
する。このとき、壁１を取り外すための補助具を必要と
する。
全部を取り外す場合は、周囲を囲む壁１を設けた液晶溜
２に液晶を満たし、槽５内を減圧弁６より減圧排気する
。充分減圧排気した後、（々品温２の周囲を囲む壁１の
一部、あるいは、全部を取り外し、液晶パネル支持具４
を用いて液晶パネル３の注入口を液晶溜２の液晶に浸漬
させ、液晶パネル３に液晶を徐々に含浸させた。乾燥し
た窒素ガスやアルゴンガスをガス導入弁７から徐々に注
入し大気圧に戻゛しながら、液晶パネル３に液晶を注入
する。このとき、壁１を取り外すための補助具を必要と
する。
液晶溜２にヒーターを設けることにより、液晶の粘性を
下げ、空気や水分の除去を容易にする。
下げ、空気や水分の除去を容易にする。
また、液晶パネルの温度制御可能なヒーターを液晶パネ
ル支持具４に設けることにより、液晶パネルに液晶を注
入する際、液晶の粘性を低下させ、液晶の注入の効率を
向上させることができる。また、壁ｌに冷却器を設ける
ことにより、液晶の揮発を抑えることができる。これら
のヒーター、冷却器を設ける場合は、壁１と液晶溜２の
間に断熱材を設ける必要がある。
ル支持具４に設けることにより、液晶パネルに液晶を注
入する際、液晶の粘性を低下させ、液晶の注入の効率を
向上させることができる。また、壁ｌに冷却器を設ける
ことにより、液晶の揮発を抑えることができる。これら
のヒーター、冷却器を設ける場合は、壁１と液晶溜２の
間に断熱材を設ける必要がある。
実施例１
揮発成分を含む液晶Ａを下記の組成で調製した。
この液晶Ａの透明点は７０．０℃である。
第１図に示すような液晶注入装置を用いて液晶への注入
を下記のごとく行った。２５℃の槽５内において、周囲
を囲む壁１を設けた液晶溜２に液晶へを入れ、減圧弁６
を開は槽内３を４Ｐａまて真空ポンプで減圧排気しなが
ら液晶Ａを１０分間脱泡した。支持具４を用いて液晶パ
ネルの注入口を液晶溜２の液晶Ａに浸漬し、ガス導入弁
７を開″けチッソガスを徐々に注入し大気圧に戻しなが
ら、液晶パネルに液晶Ａを注入した。このとき、壁１力
着夜品溜２を全部（四方）、三方、そして三方を囲む場
合について行い、それぞれ液晶パネルは（１）、（２）
、そして（３）を用いた。
を下記のごとく行った。２５℃の槽５内において、周囲
を囲む壁１を設けた液晶溜２に液晶へを入れ、減圧弁６
を開は槽内３を４Ｐａまて真空ポンプで減圧排気しなが
ら液晶Ａを１０分間脱泡した。支持具４を用いて液晶パ
ネルの注入口を液晶溜２の液晶Ａに浸漬し、ガス導入弁
７を開″けチッソガスを徐々に注入し大気圧に戻しなが
ら、液晶パネルに液晶Ａを注入した。このとき、壁１力
着夜品溜２を全部（四方）、三方、そして三方を囲む場
合について行い、それぞれ液晶パネルは（１）、（２）
、そして（３）を用いた。
上記減圧脱泡後の液晶Ａの透明点と、液晶表示素子（１
）（２Ｘ３）の電圧無印加の状態からしきい値電圧に相
当する電圧を印加した時の立ち上がり応答時間を表１に
示す。
）（２Ｘ３）の電圧無印加の状態からしきい値電圧に相
当する電圧を印加した時の立ち上がり応答時間を表１に
示す。
比較例として、第２図に示す液晶注入装置を用いて液晶
パネル（４）に液晶Ａの注入を同様に行った。
パネル（４）に液晶Ａの注入を同様に行った。
減圧脱泡後の液晶Ａの透明点と、液晶表示素子（４）の
電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電圧を印
加した時の立ち上がり応答時間を表１に示す。
電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電圧を印
加した時の立ち上がり応答時間を表１に示す。
表 １
（液晶Ａの減圧前の透明点、７０．０℃）以上より明ら
かなように、本発明の液晶注入装置を用いることにより
、液晶の■成変動を少なくし、表示特性を低下させるこ
となく液晶表示素子を作製することができる。
かなように、本発明の液晶注入装置を用いることにより
、液晶の■成変動を少なくし、表示特性を低下させるこ
となく液晶表示素子を作製することができる。
実施例２
揮発成分を含む液晶Ｂを下記の組成で調製した。
この液晶Ｂの透明点は６３．０℃である。
第３図に示すような液晶注入装置を用いて液晶Ｂの注入
を下記のごとく行った。２４℃の槽５内において、周囲
を全部囲む壁１を設けた液晶溜２に液晶Ｂを入れ、減圧
弁６を開は槽内３を６Ｐａまて真空ポンプで減圧排気し
ながら液晶Ｂを８分間脱泡した。減圧排気した後、補助
具８を用いて壁ｌを取り外し、支持具４を用いて液晶パ
ネル（５）の注入口を液晶溜２の液晶Ｂに浸漬し、ガス
導入弁７を開はチッソガスを徐々に注入し大気圧に戻し
ながら、液晶パネル（５）に液晶Ｂを注入した。
を下記のごとく行った。２４℃の槽５内において、周囲
を全部囲む壁１を設けた液晶溜２に液晶Ｂを入れ、減圧
弁６を開は槽内３を６Ｐａまて真空ポンプで減圧排気し
ながら液晶Ｂを８分間脱泡した。減圧排気した後、補助
具８を用いて壁ｌを取り外し、支持具４を用いて液晶パ
ネル（５）の注入口を液晶溜２の液晶Ｂに浸漬し、ガス
導入弁７を開はチッソガスを徐々に注入し大気圧に戻し
ながら、液晶パネル（５）に液晶Ｂを注入した。
上記減圧脱泡後の液晶Ｂの透明点と、液晶表示素子（５
）の電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電圧
を印加した時の立ち上がり応答時間を表２に示す。
）の電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電圧
を印加した時の立ち上がり応答時間を表２に示す。
比較例として、第２図に示す液晶注入装置を用いて液晶
パネル（６）に液晶Ｂの注入を同様に行った。
パネル（６）に液晶Ｂの注入を同様に行った。
減圧脱泡後の液晶Ｂの透明点と、液晶表示素子（６）の
電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電圧を印
加した時の立ち上がり応答時間を表２に示す。
電圧無印加の状態からしきい値電圧に相当する電圧を印
加した時の立ち上がり応答時間を表２に示す。
表２
（液晶Ｂの減圧前の透明点、６３．０℃）以上より明ら
かなように、本発明の液晶注入装置を用いることにより
、液晶の組成変動を少なくし、表示特性を低下させるこ
となく液晶表示素子を作製することができろ。
かなように、本発明の液晶注入装置を用いることにより
、液晶の組成変動を少なくし、表示特性を低下させるこ
となく液晶表示素子を作製することができろ。
実施例３
揮発成分を含む液晶Ｃを下記の組成で調製した。
（以下余白）
第１図に示すような液晶注入装置を用いて液晶Ｃの注入
を下記のごとく行った。２８°Ｃの槽５内において、周
囲を三方囲む壁１を設けた液晶溜２に液晶Ｃを入れ、減
圧弁６を開は槽内３を５Ｐａまで真空ポンプで減圧排気
しながら液晶Ｃを１２分間脱泡した。支持具４を用いて
液晶パネル（７）の注入口を液晶溜２の液晶Ｃに浸漬し
、ガス導入弁７を開はチッソガスを徐々に注入し大気圧
に戻しながら、液晶パネル（７）に液晶Ｃを注入した。
を下記のごとく行った。２８°Ｃの槽５内において、周
囲を三方囲む壁１を設けた液晶溜２に液晶Ｃを入れ、減
圧弁６を開は槽内３を５Ｐａまで真空ポンプで減圧排気
しながら液晶Ｃを１２分間脱泡した。支持具４を用いて
液晶パネル（７）の注入口を液晶溜２の液晶Ｃに浸漬し
、ガス導入弁７を開はチッソガスを徐々に注入し大気圧
に戻しながら、液晶パネル（７）に液晶Ｃを注入した。
上記減圧脱泡後の液晶Ｃをガスクロマトグラフィを用い
てその組成を分析した結果を表３に示す。
てその組成を分析した結果を表３に示す。
液晶表示素子（７）の電圧無印加の状態からしきい値電
圧に相当する電圧を印加した時の立ち上がり応答時間は
１２０ｍ５であった。
圧に相当する電圧を印加した時の立ち上がり応答時間は
１２０ｍ５であった。
比較例として、第２図に示す液晶注入装置を用いて７α
品パネル（８）に液晶Ｃの注入を同様に行った。
品パネル（８）に液晶Ｃの注入を同様に行った。
減圧脱泡後の液晶Ｃをガスクロマトグラフィを用いてそ
の組成を分析した結果を表３に示す。
の組成を分析した結果を表３に示す。
液晶表示素子（８）の電圧無印加の状態からしきい値電
圧に相当する電圧を印加した時の立ち上がり応答時間は
１６８ｍ５であった。
圧に相当する電圧を印加した時の立ち上がり応答時間は
１６８ｍ５であった。
（以下余白）
表 ３ Ｍｉ成分析結果（ｗｔχ）
以上より明らかなように、本発明の液晶注入装置を用い
ることにより、液晶の組成変動を少なくし、表示特性を
低下させることなく液晶表示素子を作製することができ
る。
ることにより、液晶の組成変動を少なくし、表示特性を
低下させることなく液晶表示素子を作製することができ
る。
発明の効果
本発明の液晶注入装置は、揮発性成分を含む液晶に有効
であり、液晶の組成変動を少なくし、液晶表示素子の表
示、応答特性の低下、ばらつきをなくす。また、本発明
は生産性が良く、信頼性の高い液晶表示素子を提供でき
、実用的価値は非常に高い。
であり、液晶の組成変動を少なくし、液晶表示素子の表
示、応答特性の低下、ばらつきをなくす。また、本発明
は生産性が良く、信頼性の高い液晶表示素子を提供でき
、実用的価値は非常に高い。
第１図本発明の一実施例の液晶注入装置の模式図、第２
図は従来例の液晶注入装置の模式図、第３図は本発明の
他の実施例の液晶注入装置の模式１・・・・液晶溜の周
囲を囲む壁、２・・・・液晶溜、３・・・・液晶パネル
、４・・・・液晶を上下させるための液晶パネル支持具
、５・・・・槽、６・・・・減圧弁、７・・・・ガス導
入弁、８は壁ｌを取り外すための補助具。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第 ２ 図
図は従来例の液晶注入装置の模式図、第３図は本発明の
他の実施例の液晶注入装置の模式１・・・・液晶溜の周
囲を囲む壁、２・・・・液晶溜、３・・・・液晶パネル
、４・・・・液晶を上下させるための液晶パネル支持具
、５・・・・槽、６・・・・減圧弁、７・・・・ガス導
入弁、８は壁ｌを取り外すための補助具。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第 ２ 図
Claims (5)
- （１）液晶溜と、液晶溜の周囲の一部、または全部を囲
む壁とを含む要素を槽内部に収容するとともに、前記槽
内部を減圧、排気可能な装置を設けたことを特徴とする
液晶注入装置。 - （２）液晶溜の周囲の一部、あるいは全部を囲む壁が取
り外し可能であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の液晶注入装置。 - （３）液晶溜に液晶の温度制御可能なヒーターを設けた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶注入
装置。 - （４）壁に温度制御可能なヒーターを設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の液晶注入装置。 - （５）液晶溜と壁との間に断熱材を設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の液晶注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296575A JPH01137230A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 液晶注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296575A JPH01137230A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 液晶注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137230A true JPH01137230A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17835314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62296575A Pending JPH01137230A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 液晶注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01137230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5579137A (en) * | 1994-06-16 | 1996-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for injection of liquid crystal into an electrooptical device |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62296575A patent/JPH01137230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5579137A (en) * | 1994-06-16 | 1996-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for injection of liquid crystal into an electrooptical device |
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