JPH01138752A - 積層型固体撮像装置 - Google Patents
積層型固体撮像装置Info
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- JPH01138752A JPH01138752A JP62297965A JP29796587A JPH01138752A JP H01138752 A JPH01138752 A JP H01138752A JP 62297965 A JP62297965 A JP 62297965A JP 29796587 A JP29796587 A JP 29796587A JP H01138752 A JPH01138752 A JP H01138752A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像素子チップ゛に光導電体膜を積層し
て構成される積層型固体撮像装置に係わり、特に画素電
極の改良をはかった積層型固体撮像装置に関する。
て構成される積層型固体撮像装置に係わり、特に画素電
極の改良をはかった積層型固体撮像装置に関する。
（従来の技術）
固体撮像素子チップに光導電体膜を積層した２階建て構
造の固体撮像装置は、感光部の開口面積を広くすること
ができるため、高感度且つ低スミアと云う優れた特性を
有する。このため、この固体撮像装置は、各種監視用Ｔ
Ｖや高品位ＴＶ等のカメラとして有ｔ！ｉ視されている
。この種の固体撮像装置用の光導電体膜としては、現在
のところ、アモルファス材料膜が用いられている。例え
ば、５ｃ−Ａｓ−Ｔｃ膜（サチコン膜） 、 Ｚｎ５ｃ
−ＺｎＣｄＴｃ にュービコン膜） 、 ａ−８ｔ：
ＩＩ膜（水素化非晶質シリコン膜）等である。これらの
材料の中で特に、特性や加工性の良さ、低温形成の可能
性等から、ａ−８ｌ：Ｈ膜が本命になりつつある。
造の固体撮像装置は、感光部の開口面積を広くすること
ができるため、高感度且つ低スミアと云う優れた特性を
有する。このため、この固体撮像装置は、各種監視用Ｔ
Ｖや高品位ＴＶ等のカメラとして有ｔ！ｉ視されている
。この種の固体撮像装置用の光導電体膜としては、現在
のところ、アモルファス材料膜が用いられている。例え
ば、５ｃ−Ａｓ−Ｔｃ膜（サチコン膜） 、 Ｚｎ５ｃ
−ＺｎＣｄＴｃ にュービコン膜） 、 ａ−８ｔ：
ＩＩ膜（水素化非晶質シリコン膜）等である。これらの
材料の中で特に、特性や加工性の良さ、低温形成の可能
性等から、ａ−８ｌ：Ｈ膜が本命になりつつある。
ａ−８ｌ：ＩＩ膜を光導電体膜として固体撮像素子チッ
プ上に積層する場合、従来は金属画素電極がチップ最上
部に露出した状態で、この上にａ−８ｌ：１１Ｍを成膜
することが行われている（例えば、第１６回国際固体コ
ンファレンス、アブストラクト、 ｐｐ３２５〜３２８
参照）。ところが、このような構造では、画素電極と先
導電体膜との界面特性に起因する光感度の低下や残像が
大きいこと等が問題になる。
プ上に積層する場合、従来は金属画素電極がチップ最上
部に露出した状態で、この上にａ−８ｌ：１１Ｍを成膜
することが行われている（例えば、第１６回国際固体コ
ンファレンス、アブストラクト、 ｐｐ３２５〜３２８
参照）。ところが、このような構造では、画素電極と先
導電体膜との界面特性に起因する光感度の低下や残像が
大きいこと等が問題になる。
また、ａ−８ｌ：Ｉ＋膜を積層する金属電極表面の状態
により光感度、残像等の特性が変動するために、再現性
良く良好な特性を示す積層型固体撮像素子を得ることが
難しい。
により光感度、残像等の特性が変動するために、再現性
良く良好な特性を示す積層型固体撮像素子を得ることが
難しい。
本発明者等は、この原因が金属表面に存在する酸素や炭
素等の不純物による金属電極近傍のａ−８ｌ：１１膜の
汚染であることを見出した。即ち、金属電極表面の酸素
や炭素がａ−３ｔ：Ｈ膜の成膜時にａ−８ｔ：Ｈ膜に取
り込まれるか、或いはその後に金属表面からａ−８ｌ：
ＩＩ膜に拡散して、光感度や残像等の特性を低下させる
。
素等の不純物による金属電極近傍のａ−８ｌ：１１膜の
汚染であることを見出した。即ち、金属電極表面の酸素
や炭素がａ−３ｔ：Ｈ膜の成膜時にａ−８ｔ：Ｈ膜に取
り込まれるか、或いはその後に金属表面からａ−８ｌ：
ＩＩ膜に拡散して、光感度や残像等の特性を低下させる
。
（発明が解決しようとする問題点）
このように従来、ａ−８ｔ：ＩＩ膜を光導電体膜として
用いた積層型固体撮像装置では、画素電極の金属表面の
酸素や炭素が画素電極界面近傍のａ−８ｌ：Ｉｆ膜に取
り込まれて、光感度や残像特性等が低下すると云う問題
があった。
用いた積層型固体撮像装置では、画素電極の金属表面の
酸素や炭素が画素電極界面近傍のａ−８ｌ：Ｉｆ膜に取
り込まれて、光感度や残像特性等が低下すると云う問題
があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、画素電極表面の状態を良好に保持する
ことができ、光感度が大きく且つ残像値の小さい積層型
固体撮１象装置を提供することにある。
とするところは、画素電極表面の状態を良好に保持する
ことができ、光感度が大きく且つ残像値の小さい積層型
固体撮１象装置を提供することにある。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
本発明の骨子は、積層型固体撮像装置における画素電極
として、表面の自然酸化膜の除去が容品な金属シリサイ
ドを用いることにある。
として、表面の自然酸化膜の除去が容品な金属シリサイ
ドを用いることにある。
即ち本発明は、半導体基板に信号電荷蓄積ダイオードと
信号電荷読出し部が配列され、最上部に信号電荷蓄積ダ
イオードに電気的に接続された画素電極が形成された固
体撮像素子チップと、このチップ上に光電変換部として
積層された水素化非晶質シリコン膜からなる光導電体膜
とを具備した積層型固体撮像装置において、前記固体撮
像素子チップ上の画素電極の少なくとも前記光導電体膜
と接する部分を、自然酸化膜として５ｉＱ２が優先的に
形成され、几っＳｉＯ２のエッチャントに対して耐性の
ある金属シリサイドにより構成するようにしたものであ
る。
信号電荷読出し部が配列され、最上部に信号電荷蓄積ダ
イオードに電気的に接続された画素電極が形成された固
体撮像素子チップと、このチップ上に光電変換部として
積層された水素化非晶質シリコン膜からなる光導電体膜
とを具備した積層型固体撮像装置において、前記固体撮
像素子チップ上の画素電極の少なくとも前記光導電体膜
と接する部分を、自然酸化膜として５ｉＱ２が優先的に
形成され、几っＳｉＯ２のエッチャントに対して耐性の
ある金属シリサイドにより構成するようにしたものであ
る。
（作 用）
本発明によれば、画素電極の表面部としてＭｏシリサイ
ド、Ｗシリサイド、Ｃｒシリサイド等のＨＦやＮＨ４Ｆ
の水溶液により表面の酸化膜を除去可能な金属シリサイ
ドを用いることにより、この上に形成する光導電膜であ
るａ−８１：Ｈ膜と画素７ば極との界面の酸化膜を容易
に除去することができる。従って、光感度、残像の特性
の良好な固体撮像装置を再現性良く実現することが可能
となる。
ド、Ｗシリサイド、Ｃｒシリサイド等のＨＦやＮＨ４Ｆ
の水溶液により表面の酸化膜を除去可能な金属シリサイ
ドを用いることにより、この上に形成する光導電膜であ
るａ−８１：Ｈ膜と画素７ば極との界面の酸化膜を容易
に除去することができる。従って、光感度、残像の特性
の良好な固体撮像装置を再現性良く実現することが可能
となる。
こＺＴ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等のシリサイドはＨＦやＮＨ４
Ｆの水溶液により自然酸化膜を容易に除去できるとして
いるが、その理由を以下の通りである。Ｓ （、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒの酸化物の生成エネルギーの大小関係は Ｓ ｉ ０２ ＞ＷＯｑ ＞Ｍｏｂ、＞Ｃｒｏｑとなっ
ているために、Ｍｏシリサイド、Ｗシリサイド、Ｃｒシ
リサイド等を酸化すると、ＭｏＯ３゜ＷＯ３，ＣｒＯ３
でな（Ｓｉ０２が優先的に形成される。実際、Ｍｏシリ
サイドを熱酸化するとＭ ｏ Ｏ３でなくＳｉＯ２か形
成されることが文献（Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ’ ｔｈｅ
Ｉ’：Ｉｅｃｔｒｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔ
ｙｖｏ１．ｌＩ２ （１９６５） Ｐ２Ｓ５〜５８９
）に報告されている。従って、Ｍｏシリサイド、Ｗシリ
サイド。
Ｆの水溶液により自然酸化膜を容易に除去できるとして
いるが、その理由を以下の通りである。Ｓ （、Ｍｏ、
Ｗ、Ｃｒの酸化物の生成エネルギーの大小関係は Ｓ ｉ ０２ ＞ＷＯｑ ＞Ｍｏｂ、＞Ｃｒｏｑとなっ
ているために、Ｍｏシリサイド、Ｗシリサイド、Ｃｒシ
リサイド等を酸化すると、ＭｏＯ３゜ＷＯ３，ＣｒＯ３
でな（Ｓｉ０２が優先的に形成される。実際、Ｍｏシリ
サイドを熱酸化するとＭ ｏ Ｏ３でなくＳｉＯ２か形
成されることが文献（Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ’ ｔｈｅ
Ｉ’：Ｉｅｃｔｒｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔ
ｙｖｏ１．ｌＩ２ （１９６５） Ｐ２Ｓ５〜５８９
）に報告されている。従って、Ｍｏシリサイド、Ｗシリ
サイド。
Ｃｒシリサイドの自然酸化膜も当然ＳｉＯ２である。Ｓ
ｉＯ２であれば、ＨＦやＮＨ４Ｆの水溶液で８易に除去
することができる。
ｉＯ２であれば、ＨＦやＮＨ４Ｆの水溶液で８易に除去
することができる。
一方、Ｍｏシリサイド、Ｗシリサイド、Ｃｒシリサイド
は多結晶シリコンと同様に、ＨＦ。
は多結晶シリコンと同様に、ＨＦ。
ＮＨ４Ｆの水溶液に耐エツチング性がある。従って、Ｍ
ｏシリサイド、Ｗシリサイド、Ｃｒシリサイドにおいて
は、表面の自然酸化膜をＨＦやＮＨ４Ｆの水溶液で処理
して容易に除去することができる。また、酸化物がＳｉ
Ｏ２よりも生成エネルギーが小さい金属であるならば、
このような金属シリサイドを画素電極として用いること
が可能である。なお、画素電極として多結晶シリコンを
用いたのでは、画素電極を光が透過してしまい、基板内
部にキャリアが発生しスミア発生の問題となる。金属シ
リサイドであれば、このような問題はない。
ｏシリサイド、Ｗシリサイド、Ｃｒシリサイドにおいて
は、表面の自然酸化膜をＨＦやＮＨ４Ｆの水溶液で処理
して容易に除去することができる。また、酸化物がＳｉ
Ｏ２よりも生成エネルギーが小さい金属であるならば、
このような金属シリサイドを画素電極として用いること
が可能である。なお、画素電極として多結晶シリコンを
用いたのでは、画素電極を光が透過してしまい、基板内
部にキャリアが発生しスミア発生の問題となる。金属シ
リサイドであれば、このような問題はない。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる積層型ＣＣＤ撮像装
置の概略構造を示す断面図である。
置の概略構造を示す断面図である。
ｐ十型Ｓｉ基板１１上にｐウェル１２が形成されたウェ
ーハを用いて、インターライン転送型ＣＣＤ撮像索子チ
ップ１が構成されている。即ち、信号電荷を蓄積する蓄
積ダイオード１３がマトリックス状に形成され、蓄積ダ
イオード１３の列に隣接してｎ十型の埋込みチャネルＣ
ＯＤからなる垂直ＣＣＤ１４が形成されている。１５は
チャネルやストッパとしてのｐ十型層であり、これによ
り分離されて同様の構成の蓄積ダイオード列と垂直ＣＣ
Ｄの組が繰返し配列形成される。
ーハを用いて、インターライン転送型ＣＣＤ撮像索子チ
ップ１が構成されている。即ち、信号電荷を蓄積する蓄
積ダイオード１３がマトリックス状に形成され、蓄積ダ
イオード１３の列に隣接してｎ十型の埋込みチャネルＣ
ＯＤからなる垂直ＣＣＤ１４が形成されている。１５は
チャネルやストッパとしてのｐ十型層であり、これによ
り分離されて同様の構成の蓄積ダイオード列と垂直ＣＣ
Ｄの組が繰返し配列形成される。
１６１．１６２は垂直ＣＣＤ１４の転送ゲート電極であ
り、その一部は蓄積ダイオード１３からＣＣＤチャネル
への電荷転送ゲート電極を兼ねている。転送ゲート電極
１６１，１６２が形成された基板上は層間絶縁膜１８．
．１．８２に覆われ、且つ蓄積ダイオード１３に接続さ
れる多結晶シリコン電極１７が形成されて、平坦化され
ている。
り、その一部は蓄積ダイオード１３からＣＣＤチャネル
への電荷転送ゲート電極を兼ねている。転送ゲート電極
１６１，１６２が形成された基板上は層間絶縁膜１８．
．１．８２に覆われ、且つ蓄積ダイオード１３に接続さ
れる多結晶シリコン電極１７が形成されて、平坦化され
ている。
第１の層間絶縁膜１８１は例えばＣＶＤによるＳｉＯ２
膜であり、第２の層間絶縁膜１８２はプラズマＣＶＤに
よるＢＰＳＣ膜である。この構造は、多結晶シリコン膜
電極１７を各蓄積ダイオード１３上に立てた後、ＢＰＳ
Ｃ；膜を被着してこれを溶融し、反応性イオンエツチン
グ法でＢＰＳＣ膜をエツチングして多結晶シリコン電極
１７の表面を露出させることで得られる。
膜であり、第２の層間絶縁膜１８２はプラズマＣＶＤに
よるＢＰＳＣ膜である。この構造は、多結晶シリコン膜
電極１７を各蓄積ダイオード１３上に立てた後、ＢＰＳ
Ｃ；膜を被着してこれを溶融し、反応性イオンエツチン
グ法でＢＰＳＣ膜をエツチングして多結晶シリコン電極
１７の表面を露出させることで得られる。
このように表面が平坦化されたＣＣＤ撮像索子チップ１
上に、各多結晶シリコン電極１７に接続される画素電極
１９が形成されている。この画素電極１９は、スパッタ
リング法によりＭｏシリサイド膜を全面に被着した後に
、反応性イオンエツチング法でエツチングして所定の形
状に形成される。画素電極１９が形成されたチップ基板
上には、光導電体膜２が積層形成される。このとき、光
導電体膜２を形成する直前に、３％のＨＦの水溶液によ
り３０秒間浸して処理することにより、画素電極３上の
Ｍｏシリサイド膜の熱酸化膜を除去し、その直後に光導
電体膜２を形成する。これにより、画素電極１９の表面
の酸素や炭素等の不純物が効果的に除去され、画素電極
１９と光導電体膜２との界面が良好なものとなる。
上に、各多結晶シリコン電極１７に接続される画素電極
１９が形成されている。この画素電極１９は、スパッタ
リング法によりＭｏシリサイド膜を全面に被着した後に
、反応性イオンエツチング法でエツチングして所定の形
状に形成される。画素電極１９が形成されたチップ基板
上には、光導電体膜２が積層形成される。このとき、光
導電体膜２を形成する直前に、３％のＨＦの水溶液によ
り３０秒間浸して処理することにより、画素電極３上の
Ｍｏシリサイド膜の熱酸化膜を除去し、その直後に光導
電体膜２を形成する。これにより、画素電極１９の表面
の酸素や炭素等の不純物が効果的に除去され、画素電極
１９と光導電体膜２との界面が良好なものとなる。
光導電体膜２は、正孔注入阻止層としてのｉ型のａ−８
ＩＣ：ＩＩ膜（水素化アモルファスシリコン台カーバイ
ド）膜２１、主として光電変換が行われる高抵抗のａ−
８１：Ｉｔ膜２２及び電子注入阻止層となるｐ型のａ−
８ＩＣ：Ｈ膜２３の３層構造からなる。これらの膜は、
ＳｉＨ４ガスを主成分とするガスのグロー放電分解法に
より形成される。ａ−８ＩＣ：Ｈ膜２１は、暗導電率Ｕ
ｏ 〜１Ｏ−Ｉ４／Ωｃｍで厚さ １００λ程度とす
る。高抵抗ａ−８１：Ｉｆ膜２２は、暗導電率σ〜１０
−１２／Ωｃｍで光電変換に必要な十分な厚さとする。
ＩＣ：ＩＩ膜（水素化アモルファスシリコン台カーバイ
ド）膜２１、主として光電変換が行われる高抵抗のａ−
８１：Ｉｔ膜２２及び電子注入阻止層となるｐ型のａ−
８ＩＣ：Ｈ膜２３の３層構造からなる。これらの膜は、
ＳｉＨ４ガスを主成分とするガスのグロー放電分解法に
より形成される。ａ−８ＩＣ：Ｈ膜２１は、暗導電率Ｕ
ｏ 〜１Ｏ−Ｉ４／Ωｃｍで厚さ １００λ程度とす
る。高抵抗ａ−８１：Ｉｆ膜２２は、暗導電率σ〜１０
−１２／Ωｃｍで光電変換に必要な十分な厚さとする。
ｐ型ａ−８ＩＣ：ＩＩ膜２３は約２０００程度とする。
このように形成された光導電体膜２上に透明電極として
、例えばＩＴＯ電極２４が形成されている。
、例えばＩＴＯ電極２４が形成されている。
このようにして形成されたＣＣＤ撮像装置の光感度と残
像を７１−１定した。ＣＣＤ撮像素子チップとしては、
２０万画素、２ノ３インチサイズのものを用い、光導電
体膜の実効電界強度を１ ｘ １０’ Ｖ／ａｍとした
。残像測定では信号電流１００ｎＡとなるように光量を
調整した。下記表に、測定結果を従来の電極を用いたも
のと、Ｍｏシリサイド電極でＨＦ水溶液処理有りと無し
との３つのサンプルについて示した。なお、光感度はサ
ンプル１の値で規格化して示した。残像値は３フイール
ドの値である。
像を７１−１定した。ＣＣＤ撮像素子チップとしては、
２０万画素、２ノ３インチサイズのものを用い、光導電
体膜の実効電界強度を１ ｘ １０’ Ｖ／ａｍとした
。残像測定では信号電流１００ｎＡとなるように光量を
調整した。下記表に、測定結果を従来の電極を用いたも
のと、Ｍｏシリサイド電極でＨＦ水溶液処理有りと無し
との３つのサンプルについて示した。なお、光感度はサ
ンプル１の値で規格化して示した。残像値は３フイール
ドの値である。
この表から判るように、画素電極１９がＭｏシリサイド
電極でＨＦ処理無しとＴｉ電極の場合は、光感度と残像
値は略同じである。これに対して、Ｍｏシリサイド電極
でＨＦ処理Ｈりの場合は、光感度が大きくなり、残像値
が小さくなっていることが判る。Ｍｏシリサイド電極で
ＨＦ処理した場合は、画素電極１つの表面の酸化膜がａ
−８ｌ：ＩＩ膜の堆積の直前に除去されるため、画素電
極１９の表面とａ−８ｉ：ＩＩ膜の界面の酸素や炭素が
減少し、これにより光感度が大きく残像が小さくなるの
である。
電極でＨＦ処理無しとＴｉ電極の場合は、光感度と残像
値は略同じである。これに対して、Ｍｏシリサイド電極
でＨＦ処理Ｈりの場合は、光感度が大きくなり、残像値
が小さくなっていることが判る。Ｍｏシリサイド電極で
ＨＦ処理した場合は、画素電極１つの表面の酸化膜がａ
−８ｌ：ＩＩ膜の堆積の直前に除去されるため、画素電
極１９の表面とａ−８ｉ：ＩＩ膜の界面の酸素や炭素が
減少し、これにより光感度が大きく残像が小さくなるの
である。
実際、表のサンプルとそれぞれ同等の処理を施したＭｏ
シリサイドとＴｉの上に堆積したａ−８１：ｉｔ膜を２
次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によって不純物の膜厚方
向の分布を調べたところ、Ｍｏシリサイド電極でＨＦ処
理をした場合には、Ｍｏシリサイド電極でＨＦ処理なし
の場合或いはＴｉ電極の場合に比べて、電極表面近傍の
ａ−８ｔ：Ｈ膜に含まれる酸素と炭素の瓜が少ないこと
を確認した。さらに、ＷシリサイドやＣｒシリサイドの
場合も、Ｍｏシリサイドと同様の結果が得られるのを確
認した。即ち、Ｍ ｏシリサイド、Ｗシリサイド。
シリサイドとＴｉの上に堆積したａ−８１：ｉｔ膜を２
次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によって不純物の膜厚方
向の分布を調べたところ、Ｍｏシリサイド電極でＨＦ処
理をした場合には、Ｍｏシリサイド電極でＨＦ処理なし
の場合或いはＴｉ電極の場合に比べて、電極表面近傍の
ａ−８ｔ：Ｈ膜に含まれる酸素と炭素の瓜が少ないこと
を確認した。さらに、ＷシリサイドやＣｒシリサイドの
場合も、Ｍｏシリサイドと同様の結果が得られるのを確
認した。即ち、Ｍ ｏシリサイド、Ｗシリサイド。
Ｃｒシリサイド等の酸化膜除去可能な材料を画素電極１
９に用いると、光導電体膜２であるａ−３ｔ：ＩＩ膜の
堆積直前に画素電極１９の表面の酸化膜を除去すること
で、画素電極１９の表面が洗浄化され、画素電極１９の
表面近傍のａ−８ｔ：ＩＩ模膜中酸素や炭素等の不純物
が減少して、光感度が大きく残像値が小さくなるのであ
る。
９に用いると、光導電体膜２であるａ−３ｔ：ＩＩ膜の
堆積直前に画素電極１９の表面の酸化膜を除去すること
で、画素電極１９の表面が洗浄化され、画素電極１９の
表面近傍のａ−８ｔ：ＩＩ模膜中酸素や炭素等の不純物
が減少して、光感度が大きく残像値が小さくなるのであ
る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。実施例ではＣＣＤ撮像索子を用いたが、ＭｏＳ型や
ＢＢＤ型撮像索子チップを用いてこれにａ−３ｌ ：
Ｈ光導電体膜を積層する場合にも、本発明を同様に適用
することができる。さらに、ａ−８ｌ二Ｉｔ光導電体膜
の製法も、実施例のものに限らず、例えば光励起膜形成
法により形成してもよい。
い。実施例ではＣＣＤ撮像索子を用いたが、ＭｏＳ型や
ＢＢＤ型撮像索子チップを用いてこれにａ−３ｌ ：
Ｈ光導電体膜を積層する場合にも、本発明を同様に適用
することができる。さらに、ａ−８ｌ二Ｉｔ光導電体膜
の製法も、実施例のものに限らず、例えば光励起膜形成
法により形成してもよい。
また、光導電体膜はａ−８ｉ ： Ｈ膜が主体であれば
よく、ａ−９ＩＣ：１１ 、 ａ−８ＩＧｅ：！ｌ、
ａ−８ｉＮ：Ｈ、ａ−８ＩＳｎ：Ｈ，更にこれらのＦを
含有するものを用いた場合にも本発明は有効である。
よく、ａ−９ＩＣ：１１ 、 ａ−８ＩＧｅ：！ｌ、
ａ−８ｉＮ：Ｈ、ａ−８ＩＳｎ：Ｈ，更にこれらのＦを
含有するものを用いた場合にも本発明は有効である。
また、実施例では画素電極を１層の金属シリサイドによ
り構成したが、製造プロセス上に画素電極の膜剥がれの
問題が生じる場合には、金属シリサイドの下に被着性の
良好な導電膜を挿入して、画素電極を２層から構成して
もよい。さらに、画素電極としての金属シリサイドは、
Ｍｏ、Ｗ。
り構成したが、製造プロセス上に画素電極の膜剥がれの
問題が生じる場合には、金属シリサイドの下に被着性の
良好な導電膜を挿入して、画素電極を２層から構成して
もよい。さらに、画素電極としての金属シリサイドは、
Ｍｏ、Ｗ。
Ｃｒのシリサイドに限るものではなく、自然酸化膜とし
てＳｉＯ２が優先的に形成され、且つＳｉＯ２のエッチ
ャントであるＨＦやＮＨ４Ｆ等の水溶液に対して十分な
耐性のあるものであればよい。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる
。
てＳｉＯ２が優先的に形成され、且つＳｉＯ２のエッチ
ャントであるＨＦやＮＨ４Ｆ等の水溶液に対して十分な
耐性のあるものであればよい。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる
。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、光導電体膜として
のａ−８ｔ：ｉｆ膜に接する画素電極の少なくとも表面
部にＭｏシリサイド、Ｗシリサイド。
のａ−８ｔ：ｉｆ膜に接する画素電極の少なくとも表面
部にＭｏシリサイド、Ｗシリサイド。
Ｃｒシリサイド等の表面酸化膜を除去可能な材料を画素
電極として用いることにより、画素電極表面をａ−８ｉ
： Ｈ膜堆積直前に効果的に洗浄することができ、光
感度が大き（残像値の小さい積層型固体撮像装置を実現
することができる。
電極として用いることにより、画素電極表面をａ−８ｉ
： Ｈ膜堆積直前に効果的に洗浄することができ、光
感度が大き（残像値の小さい積層型固体撮像装置を実現
することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる積層型ＣＣＤ撮象装
置の概略構造を示す断面図である。 １・・・ＣＣＤ撮像索子チップ、２・・・光導電体膜、
１１・・・ｐ十型Ｓｔ基板、１２・・・ｐウェル、１３
・・・蓄積ダイオード、１４・・・垂直ＣＣＤ、１．５
・・・ｐ＋型層、１６１，１６２・・・転送ゲート電極
、１７・・・ｎ十型多結晶シリコン電極、１８１，１８
２・・・層間絶縁膜、１９・・・画素電極、２１・・・
ｉ型ａ−８ＩＣ二ＩＩ膜、２２ 、、、高抵抗ａ−８ｉ
：ＩＩ膜、２３−・−ｐ型ａ−８１Ｃ：Ｉｆ膜、２４・
・・ＩＴＯ膜。
置の概略構造を示す断面図である。 １・・・ＣＣＤ撮像索子チップ、２・・・光導電体膜、
１１・・・ｐ十型Ｓｔ基板、１２・・・ｐウェル、１３
・・・蓄積ダイオード、１４・・・垂直ＣＣＤ、１．５
・・・ｐ＋型層、１６１，１６２・・・転送ゲート電極
、１７・・・ｎ十型多結晶シリコン電極、１８１，１８
２・・・層間絶縁膜、１９・・・画素電極、２１・・・
ｉ型ａ−８ＩＣ二ＩＩ膜、２２ 、、、高抵抗ａ−８ｉ
：ＩＩ膜、２３−・−ｐ型ａ−８１Ｃ：Ｉｆ膜、２４・
・・ＩＴＯ膜。
Claims (2)
- （１）半導体基板に信号電荷蓄積ダイオードと信号電荷
読出し部が配列され、最上部に信号電荷蓄積ダイオード
に電気的に接続された画素電極が形成された固体撮像素
子チップと、このチップ上に光電変換部として積層され
た水素化非晶質シリコン膜からなる光導電体膜とを具備
した積層型固体撮像装置において、前記固体撮像素子チ
ップ上の画素電極の少なくとも前記光導電体膜と接する
部分を、自然酸化膜としてＳｉＯ＿２が優先的に形成さ
れる金属シリサイドにより構成したことを特徴とする積
層型固体撮像装置。 - （２）前記金属シリサイドはＭｏシリサイド、Ｗシリサ
イド又はＣｒシリサイドであり、前記ＳｉＯ＿２のエッ
チャントはＨＦ又はＮＨ＿４Ｆの水溶液であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層型固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297965A JPH01138752A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 積層型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297965A JPH01138752A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 積層型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138752A true JPH01138752A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17853381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297965A Pending JPH01138752A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 積層型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138752A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1113499A3 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-16 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
| JPWO2012176390A1 (ja) * | 2011-06-23 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62297965A patent/JPH01138752A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1113499A3 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-16 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
| JPWO2012176390A1 (ja) * | 2011-06-23 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
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