JPH01139773A - 展開剤による基材の伝導性金属被覆 - Google Patents
展開剤による基材の伝導性金属被覆Info
- Publication number
- JPH01139773A JPH01139773A JP63164078A JP16407888A JPH01139773A JP H01139773 A JPH01139773 A JP H01139773A JP 63164078 A JP63164078 A JP 63164078A JP 16407888 A JP16407888 A JP 16407888A JP H01139773 A JPH01139773 A JP H01139773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- amine
- metal
- layer
- hydroxyethyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
- C23C24/082—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat without intermediate formation of a liquid in the layer
- C23C24/085—Coating with metallic material, i.e. metals or metal alloys, optionally comprising hard particles, e.g. oxides, carbides or nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
- C23C24/082—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat without intermediate formation of a liquid in the layer
- C23C24/085—Coating with metallic material, i.e. metals or metal alloys, optionally comprising hard particles, e.g. oxides, carbides or nitrides
- C23C24/087—Coating with metal alloys or metal elements only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/18—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/207—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a prefabricated paste pattern, ink pattern or powder pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0129—Thermoplastic polymer, e.g. auto-adhesive layer; Shaping of thermoplastic polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09118—Moulded substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基材に金属の伝導層を形成する方法に関する。
特に本発明は、伝導層が銅又はニッケルの別個の金属粒
子から形成され、そして化学展開剤（ｄｅＶｅｌＯｐｉ
ｎ（Ｉ ａ（Ｊｅｎｔ）が使用される方法に関する。
子から形成され、そして化学展開剤（ｄｅＶｅｌＯｐｉ
ｎ（Ｉ ａ（Ｊｅｎｔ）が使用される方法に関する。
−殻内な不伝導性基材に伝導性金属の層を形成すること
を要求されることがしばしばある。このような複合材料
はプリント回路板、電磁妨害シールド等として有用であ
る。
を要求されることがしばしばある。このような複合材料
はプリント回路板、電磁妨害シールド等として有用であ
る。
特公昭５９−１１０７０４ （新技術開発）は、伝導層
を基材にキャリヤーガス（例えば窒素又はアルゴン）を
用いて超微細（例えば０．０２μｍ）金属粒子をスプレ
ーし、次に低温（例えば８０℃）焼結することによって
形成することができることを開示している。この方法の
１つの顕箸な欠点は、そのような微細な金属ダストの利
用可能性には限界がおるということである。さらに、エ
アースプレー系における金属ダストの使用は大規模な衛
生上の保護手段を特徴とする 特公昭４８−６６１３３（藤森工業）及びドイツ国特許
２、１６３．１１８ （藤森工業（界））は共に、金
属粒子をバインダーと混合し、基材に塗イロし、乾燥し
、そして酸、ハロゲン、又はハロゲン化物である薬剤で
処理する方法を記載している。そのような方法は不便で
あり、バインダー及び腐蝕性薬剤を必要とするために装
置に損傷を与える。
を基材にキャリヤーガス（例えば窒素又はアルゴン）を
用いて超微細（例えば０．０２μｍ）金属粒子をスプレ
ーし、次に低温（例えば８０℃）焼結することによって
形成することができることを開示している。この方法の
１つの顕箸な欠点は、そのような微細な金属ダストの利
用可能性には限界がおるということである。さらに、エ
アースプレー系における金属ダストの使用は大規模な衛
生上の保護手段を特徴とする 特公昭４８−６６１３３（藤森工業）及びドイツ国特許
２、１６３．１１８ （藤森工業（界））は共に、金
属粒子をバインダーと混合し、基材に塗イロし、乾燥し
、そして酸、ハロゲン、又はハロゲン化物である薬剤で
処理する方法を記載している。そのような方法は不便で
あり、バインダー及び腐蝕性薬剤を必要とするために装
置に損傷を与える。
イギリス国特許２，０８５，３４０は、銅粒子及び場合
によっては、湿潤剤（好ましくはトリエタノールアミン
）を含むペイントを教示している。そのペイントは伝導
塗膜を製造するために有用である。
によっては、湿潤剤（好ましくはトリエタノールアミン
）を含むペイントを教示している。そのペイントは伝導
塗膜を製造するために有用である。
それにはバインダーの存在しない伝導層についての教示
はない。
はない。
米国特許４，４３４，０８４（ＤＬＩＤＯｎｔ（ｆｌｉ
ｃｋｓ））及びドイツ国特許２，４１１，９８８（Ｏｕ
ｐｏｎｔ（Ｂｅｓｋｅ））は共に銅及びスズ粒子の混合
物を化学活性剤を使用しそしてスズを溶解するために十
分な熱をかけて基材に塗布する方法を記載している。そ
の米国特許では、化学活性剤が不活性有機媒質中の有機
酸フラックス及び有機アミンである。そのドイツ公報で
は、化学活性剤が補助剤としてトリエタノールアミンを
含むことができるフラックスである。両方の特許は金属
間化合物（Ｃｕ３Ｓｎ）の形成を必要とし、いずれの特
許も他の薬剤の不存在におけるアミンの使用を教示して
いない。
ｃｋｓ））及びドイツ国特許２，４１１，９８８（Ｏｕ
ｐｏｎｔ（Ｂｅｓｋｅ））は共に銅及びスズ粒子の混合
物を化学活性剤を使用しそしてスズを溶解するために十
分な熱をかけて基材に塗布する方法を記載している。そ
の米国特許では、化学活性剤が不活性有機媒質中の有機
酸フラックス及び有機アミンである。そのドイツ公報で
は、化学活性剤が補助剤としてトリエタノールアミンを
含むことができるフラックスである。両方の特許は金属
間化合物（Ｃｕ３Ｓｎ）の形成を必要とし、いずれの特
許も他の薬剤の不存在におけるアミンの使用を教示して
いない。
本発明の１つの目的は、基材に伝導性金属層を形成する
方法であって、金属粒子を基材に析出させ、展開剤（ｄ
ｅｖｅｌｏｐｅｒ）と接触させ、そして加熱する（必ず
しも述べられている順序であることを要しない）ところ
の方法を提供することである。
方法であって、金属粒子を基材に析出させ、展開剤（ｄ
ｅｖｅｌｏｐｅｒ）と接触させ、そして加熱する（必ず
しも述べられている順序であることを要しない）ところ
の方法を提供することである。
本発明のもう１つの目的は、前記方法によって作られた
被’ＭＷ材を提供することである。
被’ＭＷ材を提供することである。
本発明の方法は実施するのに便利であり、比較的無腐蝕
性の金属を含み、そして基材上に密着性のＪ：い、非常
に伝導性のよい金属コーティングを作る。
性の金属を含み、そして基材上に密着性のＪ：い、非常
に伝導性のよい金属コーティングを作る。
本発明の１つの要素はニッケル又は銅粒子の使用でおる
。一般に、粉状のあらゆるニッケル又は銅が本発明で使
用するために適している。臨界的ではないが、プレート
形（板状の）の金属粒子を使用することが好ましい。し
かしながら、優れた結果が球状の粒子を使用しても得ら
れた。ニッケル又は銅の粒子サイズはざらに重要である
。大きなサイズの粒子を使用したときに、主として困難
なことは基材に粒子の均一な分散を得ること及び比較的
薄い金属層において十分な粒子と粒子との接触を確実に
することである。一般に、粒子サイズは３０μｍより小
さく、好ましくは２０μｍより小さく、より好ましくは
１０μ瓦より小さい。
。一般に、粉状のあらゆるニッケル又は銅が本発明で使
用するために適している。臨界的ではないが、プレート
形（板状の）の金属粒子を使用することが好ましい。し
かしながら、優れた結果が球状の粒子を使用しても得ら
れた。ニッケル又は銅の粒子サイズはざらに重要である
。大きなサイズの粒子を使用したときに、主として困難
なことは基材に粒子の均一な分散を得ること及び比較的
薄い金属層において十分な粒子と粒子との接触を確実に
することである。一般に、粒子サイズは３０μｍより小
さく、好ましくは２０μｍより小さく、より好ましくは
１０μ瓦より小さい。
銅又はニッケルは特別に高純度である必要はない。実際
に、かなりな量の銅酸化物（例えば７０％まで）が存在
してもよい。さらに、銅又はニッケルと他の金属との混
合物を使用することができる。
に、かなりな量の銅酸化物（例えば７０％まで）が存在
してもよい。さらに、銅又はニッケルと他の金属との混
合物を使用することができる。
混合物を使用する場合、その混合物は、望ましくは少く
とも４０重」％、より望ましくは少くとも５０重量％、
好ましくは少くとも６０重量％、最も好ましくは少くと
も７０重鑓％が銅及び／又はニッケルである。６０〜８
０％の銅と２０〜４０％のアルミニウムとの混合物は魅
力的な銀色の外観を有する伝導性表面を生成するであろ
う。
とも４０重」％、より望ましくは少くとも５０重量％、
好ましくは少くとも６０重量％、最も好ましくは少くと
も７０重鑓％が銅及び／又はニッケルである。６０〜８
０％の銅と２０〜４０％のアルミニウムとの混合物は魅
力的な銀色の外観を有する伝導性表面を生成するであろ
う。
金属粒子を基材に析出させる。適当な基材は実質的に、
その表面へ金属粉末が密着することができるように一時
的に比較的吹く、変形しうる状態になることができ、そ
して金属が密着した後、比較的妨害されない金属の層を
与えることができるように比較的硬く、変形できない状
態になることができるところのあらゆる材料を含む。従
って、ガラス、天然樹脂（例えば加硫されていない天然
ゴム〉、及び合成樹脂が適当であり、好ましくは合成樹
脂である。
その表面へ金属粉末が密着することができるように一時
的に比較的吹く、変形しうる状態になることができ、そ
して金属が密着した後、比較的妨害されない金属の層を
与えることができるように比較的硬く、変形できない状
態になることができるところのあらゆる材料を含む。従
って、ガラス、天然樹脂（例えば加硫されていない天然
ゴム〉、及び合成樹脂が適当であり、好ましくは合成樹
脂である。
本発明の目的のために好ましい合成樹脂は熱可塑性樹脂
と未硬化樹脂との二つのカテゴリーに分けることができ
る。熱可塑性樹脂は典型的には、樹脂の表面へ金属粉末
を施与し、金属粒子を樹脂の表面に埋め込むことができ
るように樹脂が軟化されるような温度まで樹脂を／ＪＯ
熱し、そして周囲温度まで冷却することによって使用さ
れる。未硬化樹脂は曲型的には、それらを完全に未硬化
又は半硬化状態（金属粒子が表面に密着することができ
るように十分に未硬化）にし、樹脂の表面へ金属粒子を
塗布し、そして樹脂を硬化させることによって使用され
る。
と未硬化樹脂との二つのカテゴリーに分けることができ
る。熱可塑性樹脂は典型的には、樹脂の表面へ金属粉末
を施与し、金属粒子を樹脂の表面に埋め込むことができ
るように樹脂が軟化されるような温度まで樹脂を／ＪＯ
熱し、そして周囲温度まで冷却することによって使用さ
れる。未硬化樹脂は曲型的には、それらを完全に未硬化
又は半硬化状態（金属粒子が表面に密着することができ
るように十分に未硬化）にし、樹脂の表面へ金属粒子を
塗布し、そして樹脂を硬化させることによって使用され
る。
適当な熱可塑樹脂にはポリオレフィン、例えばポリプロ
ピレン及びポリブタジェン（ポリエチレンはあまり好ま
しくない、その耐表面湿潤性のためと解される） ：ハ
ロゲン化ポリオレフィン、例えばポリビニリデンジフル
オライド（ＰＶＤＦ）（ポリテトラフルオロエチレン（
ＰＴＦＥ）は、それを分解させる温度でさえも流れない
ので好ましくない）：スチレン系樹脂、例えばポリスチ
レン、耐衝撃性ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、アクリロニ
トリルブタジェン−スチレン（ＡＢＳ＞、及びスチレン
−アクリロニトリル（ＳＡＮ）ニアクリル系樹脂、例え
ばポリメチルメタクリレート（プレキシグラス）；ポリ
アクリルエーテル、例えばポリフェニレンオキシド（Ｎ
ｏｒｙｌ） ：ポリアリルスルフィド、例えばポリフェ
ニレンスルフィド（Ｒｙｔｏｎ） ：ポリエステル、例
えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリブ
チレン−テレフタレート（ＰＢＴ）：ポリカーボネート
（Ｌｅｘａｎ） ：ボリアミド、例えばナイロン６（ナ
イロンは固体から粘性のない液体へ急速に変化するので
使用するのが困難である）；ポリエーテルイミド（Ｐ
Ｅ Ｉ ） （Ｖｌｔｅｍ） ：及びポリエーテルスル
ホン（Ｐ Ｅ Ｓ ） （Ｖｉｃｔｒｅｘ） 、ポリエ
ーテルエーチルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケト
ン（ＰＥＫ） 、ポリアリ−レート、ポリスルホン、ポ
リアリールスルホン、液晶性ポリマー、及び熱可塑性ポ
リイミド樹脂がある。
ピレン及びポリブタジェン（ポリエチレンはあまり好ま
しくない、その耐表面湿潤性のためと解される） ：ハ
ロゲン化ポリオレフィン、例えばポリビニリデンジフル
オライド（ＰＶＤＦ）（ポリテトラフルオロエチレン（
ＰＴＦＥ）は、それを分解させる温度でさえも流れない
ので好ましくない）：スチレン系樹脂、例えばポリスチ
レン、耐衝撃性ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、アクリロニ
トリルブタジェン−スチレン（ＡＢＳ＞、及びスチレン
−アクリロニトリル（ＳＡＮ）ニアクリル系樹脂、例え
ばポリメチルメタクリレート（プレキシグラス）；ポリ
アクリルエーテル、例えばポリフェニレンオキシド（Ｎ
ｏｒｙｌ） ：ポリアリルスルフィド、例えばポリフェ
ニレンスルフィド（Ｒｙｔｏｎ） ：ポリエステル、例
えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリブ
チレン−テレフタレート（ＰＢＴ）：ポリカーボネート
（Ｌｅｘａｎ） ：ボリアミド、例えばナイロン６（ナ
イロンは固体から粘性のない液体へ急速に変化するので
使用するのが困難である）；ポリエーテルイミド（Ｐ
Ｅ Ｉ ） （Ｖｌｔｅｍ） ：及びポリエーテルスル
ホン（Ｐ Ｅ Ｓ ） （Ｖｉｃｔｒｅｘ） 、ポリエ
ーテルエーチルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケト
ン（ＰＥＫ） 、ポリアリ−レート、ポリスルホン、ポ
リアリールスルホン、液晶性ポリマー、及び熱可塑性ポ
リイミド樹脂がある。
約２００℃以上の温度で軟化する熱可塑性樹脂は、展開
剤の不存在においてかなり伝導性のよい金属層を生成す
るという点で異常である特別な部類の熱可塑性樹脂を意
味する。そのような高軟化点樹脂の代表的なものはポリ
エーテルスルホン（ＰＥＳ） 、ポリエーテルイミド（
ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ） 、ポリアリ−レート
、ポリスルホン、ポリアリールスルホン、液晶性ポリマ
ー、及び熱可塑性ポリイミド樹脂である。そのような樹
脂の共通の特徴は芳香族性結合の度合が高いということ
である。そのような構造の存在は一般に、高いガラス転
移温度及び２００℃より高い流れ温度を有する樹脂を作
る。一般に、この実施態様においては、ポリマーの反復
単位中の炭素原子の少くとも４０％、望ましくは少くと
も５０％、より望ましくは少くとも６０％が芳香族性炭
素原子であることが望ましい。これらの樹脂には展開剤
の不存在において伝導性の層を作るが、展開剤を使用す
ることによって伝導性の層の伝導率を改良することがで
きる。
剤の不存在においてかなり伝導性のよい金属層を生成す
るという点で異常である特別な部類の熱可塑性樹脂を意
味する。そのような高軟化点樹脂の代表的なものはポリ
エーテルスルホン（ＰＥＳ） 、ポリエーテルイミド（
ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ） 、ポリアリ−レート
、ポリスルホン、ポリアリールスルホン、液晶性ポリマ
ー、及び熱可塑性ポリイミド樹脂である。そのような樹
脂の共通の特徴は芳香族性結合の度合が高いということ
である。そのような構造の存在は一般に、高いガラス転
移温度及び２００℃より高い流れ温度を有する樹脂を作
る。一般に、この実施態様においては、ポリマーの反復
単位中の炭素原子の少くとも４０％、望ましくは少くと
も５０％、より望ましくは少くとも６０％が芳香族性炭
素原子であることが望ましい。これらの樹脂には展開剤
の不存在において伝導性の層を作るが、展開剤を使用す
ることによって伝導性の層の伝導率を改良することがで
きる。
未硬化樹脂の例にはエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル
及びシリコンゴムのような熱硬化性樹脂がある。また、
別の未硬化樹脂（又は半硬化樹脂）、例えば紫外線硬化
、電子ビーム硬化、及び電離線硬化樹脂も使用すること
ができる。しかしながら、金属層が存在するので、これ
らの手段による硬化は樹脂の被覆されていない側からの
み行うことができる。
及びシリコンゴムのような熱硬化性樹脂がある。また、
別の未硬化樹脂（又は半硬化樹脂）、例えば紫外線硬化
、電子ビーム硬化、及び電離線硬化樹脂も使用すること
ができる。しかしながら、金属層が存在するので、これ
らの手段による硬化は樹脂の被覆されていない側からの
み行うことができる。
基材は、例えば薄いシート（例えば０．５〜１ｍｍ）の
形であるが、他の形（例えば立方体、球等）であること
ができる。基材を入手可能な材料の普通の商業グレード
から選択することができ、特別な取扱又は処理を必要と
しない。被覆されるべき表面には比較的に汚れ及びグリ
ースが存在しないのがよいが、基材の表面が異常な程度
に汚染されていなければ洗浄工程は必要とされない。
形であるが、他の形（例えば立方体、球等）であること
ができる。基材を入手可能な材料の普通の商業グレード
から選択することができ、特別な取扱又は処理を必要と
しない。被覆されるべき表面には比較的に汚れ及びグリ
ースが存在しないのがよいが、基材の表面が異常な程度
に汚染されていなければ洗浄工程は必要とされない。
本発明においては、金属粒子が展開剤と接触することが
要求される。適当な展開剤には第三級アミン、第三級リ
ン化合物、及び（ａ）３価の窒素又は２価のイオウであ
る第１の原子及び（ｂ）窒素又は酸素である第２の原子
を共に有する二官能価の化合物であって、該第１と第２
の原子が少くとも２つの他の原子（好ましくは炭素原子
）によって分離されかつ銅又はニッケルと配位錯体を形
成することができる化合物がある。この展開剤は、展開
温度での展開剤の蒸発が本発明の方法を妨害しないよう
に十分に高い分子量であることが好ましい。一般に、分
子量は少くとも１５０であることが好ましく、少くとも
２５０であることがより好ましい。あまりにも分子量の
低い化合物はまた、基材にピットを作る傾向がある。
要求される。適当な展開剤には第三級アミン、第三級リ
ン化合物、及び（ａ）３価の窒素又は２価のイオウであ
る第１の原子及び（ｂ）窒素又は酸素である第２の原子
を共に有する二官能価の化合物であって、該第１と第２
の原子が少くとも２つの他の原子（好ましくは炭素原子
）によって分離されかつ銅又はニッケルと配位錯体を形
成することができる化合物がある。この展開剤は、展開
温度での展開剤の蒸発が本発明の方法を妨害しないよう
に十分に高い分子量であることが好ましい。一般に、分
子量は少くとも１５０であることが好ましく、少くとも
２５０であることがより好ましい。あまりにも分子量の
低い化合物はまた、基材にピットを作る傾向がある。
第三級アミンの例にはメチルジココアミン及びジメチル
ココアミンのような長鎖脂肪族第三級アミン、及びジメ
チルタロ−アミンのようなある程度の不飽和を含む第三
級アミンがある。
ココアミンのような長鎖脂肪族第三級アミン、及びジメ
チルタロ−アミンのようなある程度の不飽和を含む第三
級アミンがある。
第三級アミンは、第四級アンモニウム塩を用いてインナ
イツに生じさせることができる。ただし、展開温度はそ
の塩が第三級アミンへ熱分解するのに十分に高いことが
条件である。すなわち、塩化ジココジメチルアンモニウ
ム及び塩化Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’、Ｎ’−ペンタメチル−
Ｎ−タロー１．３−プロパンシアンモニウムのような化
合物を、第三級アミンをインサイツに発生させるために
使用することができる。しかしながら、この方法は、対
イオンが腐蝕を起す可能性があるという欠点を有してい
る。
イツに生じさせることができる。ただし、展開温度はそ
の塩が第三級アミンへ熱分解するのに十分に高いことが
条件である。すなわち、塩化ジココジメチルアンモニウ
ム及び塩化Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’、Ｎ’−ペンタメチル−
Ｎ−タロー１．３−プロパンシアンモニウムのような化
合物を、第三級アミンをインサイツに発生させるために
使用することができる。しかしながら、この方法は、対
イオンが腐蝕を起す可能性があるという欠点を有してい
る。
適当な第三級リン化合物（Ｐ （ＩＩＩ）化合物）には
第三級ホスフィン、例えばトリフェニルホスフィン（リ
ン化トリフェニル、（Ｃ６Ｈ５”）Ｐ）及び第三級ボス
フィツト、例えばトリブチルホスフィツト（（ＣＨ３（
ＣＨ２）３０）３Ｐ）がある。
第三級ホスフィン、例えばトリフェニルホスフィン（リ
ン化トリフェニル、（Ｃ６Ｈ５”）Ｐ）及び第三級ボス
フィツト、例えばトリブチルホスフィツト（（ＣＨ３（
ＣＨ２）３０）３Ｐ）がある。
適当な二官能価の化合物にはアルカノールアミン、例え
ば、２−ヒドロキシエチルアミン、３−ヒドロキシプロ
ピルアミン、４−ヒドロキシブチルアミン、ヒドロキシ
ヘキシルアミン、及び２−ヒドロキシ−１−エチルエチ
ルアミン：芳香族ヒドロキシアミン、例えばオルト−ア
ミノフェノール；ジアミン、例えばＮ−メチル−１，２
−ジアミノエタン；第二級アミノアルコール、例えばジ
ェタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ
−ｔｅｒｔブチルエタノールアミン、及びＮ、Ｎ’−ジ
ェタノールエチレンジアミン；第三級アミノアルコール
、例えばトリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ −ビス（２−
ヒドロキシエチル）ココアミン、及びＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミン；第一級アミン、例
えばＮ−アシルエチレンジアミン；第三級アミン、例え
ばビス＝（Ｎ、Ｎ−２−ヒドロキシエチル）ドデカンア
ミン及びビス−（Ｎ、Ｎ −２−ヒドロキシエチル）ホ
ルムアミド；第二級スルフィド、例えばビス−〔２−ヒ
ドロキシエチルフスルフィド及びジラウリルチオジプロ
ピオネート：ヒドラジド、例えば蓚酸ビス（シクロヘキ
シリデンヒドラジド〕 （又はＣｕｐｒｉｚｏｎＴとし
て知られる）及びサリチルヒドラジド；ヒドラゾン、例
えばサリチルヒドラゾン：及びオキシム、例えばサリチ
ルアトキシムがある。
ば、２−ヒドロキシエチルアミン、３−ヒドロキシプロ
ピルアミン、４−ヒドロキシブチルアミン、ヒドロキシ
ヘキシルアミン、及び２−ヒドロキシ−１−エチルエチ
ルアミン：芳香族ヒドロキシアミン、例えばオルト−ア
ミノフェノール；ジアミン、例えばＮ−メチル−１，２
−ジアミノエタン；第二級アミノアルコール、例えばジ
ェタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ
−ｔｅｒｔブチルエタノールアミン、及びＮ、Ｎ’−ジ
ェタノールエチレンジアミン；第三級アミノアルコール
、例えばトリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ −ビス（２−
ヒドロキシエチル）ココアミン、及びＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミン；第一級アミン、例
えばＮ−アシルエチレンジアミン；第三級アミン、例え
ばビス＝（Ｎ、Ｎ−２−ヒドロキシエチル）ドデカンア
ミン及びビス−（Ｎ、Ｎ −２−ヒドロキシエチル）ホ
ルムアミド；第二級スルフィド、例えばビス−〔２−ヒ
ドロキシエチルフスルフィド及びジラウリルチオジプロ
ピオネート：ヒドラジド、例えば蓚酸ビス（シクロヘキ
シリデンヒドラジド〕 （又はＣｕｐｒｉｚｏｎＴとし
て知られる）及びサリチルヒドラジド；ヒドラゾン、例
えばサリチルヒドラゾン：及びオキシム、例えばサリチ
ルアトキシムがある。
適当な二官能価の化合物の選択において、２つの官能性
原子を分離しなければならない最少の２原子はまた、間
に置かれる原子の好ましい最大の数をも、表わしている
ということを考慮することが重要である。すなわち、６
個以下、より望ましくは５個以下、好ましくは４個以下
、より好ましくは３個以下、そして最も好ましくは２個
の原子が二つの官能性原子を分離している。結合につい
て制限された融通性を有する分子（例えば芳香族性の構
造）においては、たとえ３個の原子が間にあったとして
も分子をほとんどあるいは全く不活性にするであろう。
原子を分離しなければならない最少の２原子はまた、間
に置かれる原子の好ましい最大の数をも、表わしている
ということを考慮することが重要である。すなわち、６
個以下、より望ましくは５個以下、好ましくは４個以下
、より好ましくは３個以下、そして最も好ましくは２個
の原子が二つの官能性原子を分離している。結合につい
て制限された融通性を有する分子（例えば芳香族性の構
造）においては、たとえ３個の原子が間にあったとして
も分子をほとんどあるいは全く不活性にするであろう。
本発明の二官能価化合物として適当な化合物である（す
なわち、配位錯体を形成することができるという要件を
満足する）か否かの決定において、有用なガイドは前記
第１及び第２の原子の間の理論的最少分子内距離である
。
なわち、配位錯体を形成することができるという要件を
満足する）か否かの決定において、有用なガイドは前記
第１及び第２の原子の間の理論的最少分子内距離である
。
この距離は一般に、０．４８ｎｍより小さく、望ま、し
くは０．４０ｍより小さく、より望ましくは０．３５ｎ
ｍより小さく、好ましくは０．３ｎｍより小さく、そし
て最も好ましくは０．２９ｎｍより小さい。
くは０．４０ｍより小さく、より望ましくは０．３５ｎ
ｍより小さく、好ましくは０．３ｎｍより小さく、そし
て最も好ましくは０．２９ｎｍより小さい。
金属粒子を、伝導性表面を得ることができるように十分
に均一な粒子の層が得られるところのあらゆる手段によ
って基材に析出させる。析出の好ましい方法は、ジクロ
ルメタンのような揮発性有機溶媒中の金属の希サスペン
ション（約５〜１５重量％の金属）をスプレーすること
である。この目的のために、塗装に使用されるような普
通のスプレー装置を使用することができる。
に均一な粒子の層が得られるところのあらゆる手段によ
って基材に析出させる。析出の好ましい方法は、ジクロ
ルメタンのような揮発性有機溶媒中の金属の希サスペン
ション（約５〜１５重量％の金属）をスプレーすること
である。この目的のために、塗装に使用されるような普
通のスプレー装置を使用することができる。
もう１つの好ましい方法は、スプレー又は他の手段によ
ってトランスファープレート（例えばアルミニウムプレ
ート）に金属粒子を塗布し、次に基材の表面へそのプレ
ートをプレスすることでおる。トランスファープレート
はまた、成形プレート（以下でざらに説明する）として
も好ましく使用される。もしトランスファープレートに
、ミリングしたり、エツチングしたりして浮出し模様を
形成するならば、金属粒子は基材上にその模様の鏡像を
形成するであろう。
ってトランスファープレート（例えばアルミニウムプレ
ート）に金属粒子を塗布し、次に基材の表面へそのプレ
ートをプレスすることでおる。トランスファープレート
はまた、成形プレート（以下でざらに説明する）として
も好ましく使用される。もしトランスファープレートに
、ミリングしたり、エツチングしたりして浮出し模様を
形成するならば、金属粒子は基材上にその模様の鏡像を
形成するであろう。
金属が直接スプレー法又はトランスファープレート法に
よって析出される場合、マスクを使用して模様を形成す
ることができる。ローラーコーティング、静電塗装、流
動床塗装等の方法を使用することもできる。
よって析出される場合、マスクを使用して模様を形成す
ることができる。ローラーコーティング、静電塗装、流
動床塗装等の方法を使用することもできる。
金属粒子を便利な手段によって展開剤と接触さＵる。１
つの簡単な手段は、金属粒子を基材に析出させた後、そ
の金属粒子へ液体展開剤又は固体展開剤の溶液をスプレ
ーすることである。もう１つの方法は、展開剤と基材を
形成するために使用される材料とを混合することである
。この後者の方法は、基材へ析出される金属のすべてを
塗布するための装置を提供することよりも樹脂へ添加剤
を混合する方がしばしば容易であるので、高体積の適用
のために特に便利である。ベーター−ヒドロキシエチル
基を有する展開剤はポリマーの表面へ移動する傾向が増
加する。従って、この変化は好ましい。ある展開剤がお
る樹脂をもろくそして役に立たなくするであろうことを
も付言しておくべきである。金属と展開剤を接触させる
ためのもう１つの方法は、金属粒子をスプレーするため
に使用される溶媒系の成分として展開剤を使用すること
又は不活性溶媒の代わりに展開剤を使用することである
。その方法においては、揮発性展開剤を蒸発させること
ができ、そのガスを空気の不存在で金属を展開するため
に使用することができる。
つの簡単な手段は、金属粒子を基材に析出させた後、そ
の金属粒子へ液体展開剤又は固体展開剤の溶液をスプレ
ーすることである。もう１つの方法は、展開剤と基材を
形成するために使用される材料とを混合することである
。この後者の方法は、基材へ析出される金属のすべてを
塗布するための装置を提供することよりも樹脂へ添加剤
を混合する方がしばしば容易であるので、高体積の適用
のために特に便利である。ベーター−ヒドロキシエチル
基を有する展開剤はポリマーの表面へ移動する傾向が増
加する。従って、この変化は好ましい。ある展開剤がお
る樹脂をもろくそして役に立たなくするであろうことを
も付言しておくべきである。金属と展開剤を接触させる
ためのもう１つの方法は、金属粒子をスプレーするため
に使用される溶媒系の成分として展開剤を使用すること
又は不活性溶媒の代わりに展開剤を使用することである
。その方法においては、揮発性展開剤を蒸発させること
ができ、そのガスを空気の不存在で金属を展開するため
に使用することができる。
展開剤は十分な吊で存在すべきである。すなわち、金属
粒子を伝導性にするために十分な量である。典型的には
、展開剤は、金属の重量を基準として１〜２００重量％
、望ましくは２〜１００重量％、好ましくは１０〜７５
重量％、そしてより好ましくは２５〜５０重」％存在す
る。展開剤が基材へ練込まれる場合、それらの範囲の端
の値は通常、より高いことが必要となるであろう。
粒子を伝導性にするために十分な量である。典型的には
、展開剤は、金属の重量を基準として１〜２００重量％
、望ましくは２〜１００重量％、好ましくは１０〜７５
重量％、そしてより好ましくは２５〜５０重」％存在す
る。展開剤が基材へ練込まれる場合、それらの範囲の端
の値は通常、より高いことが必要となるであろう。
固体基材（例えば熱可塑性樹脂）が基材として使用され
る場合、一般に金属粒子を基材へ接着させることが必要
である。望ましいレベルの金属の密着を得るために、コ
ーティングされた基材を熱圧にかけることが望ましい。
る場合、一般に金属粒子を基材へ接着させることが必要
である。望ましいレベルの金属の密着を得るために、コ
ーティングされた基材を熱圧にかけることが望ましい。
熱圧の１つの作用は粒子を基材中に物理的に埋め込ませ
ることである。要求される熱は、金属粒子を基材の表面
へ押し込むことができるように表面を十分に軟化させる
ために十分なものである。
ることである。要求される熱は、金属粒子を基材の表面
へ押し込むことができるように表面を十分に軟化させる
ために十分なものである。
基材が軟化する温度は選ばれた基材によってかなり変化
するであろう。ある基材は比較的低い温度で軟化しく例
えばポリプロピレンは１５０”Ｃで成形することができ
る）、一方他のものは非常に高い温度を必要とするであ
ろう（例えばポリフェニレンスルフィドは２８０℃を必
要とする）。多くの特定の基材の成形温度が実施例に示
されている。
するであろう。ある基材は比較的低い温度で軟化しく例
えばポリプロピレンは１５０”Ｃで成形することができ
る）、一方他のものは非常に高い温度を必要とするであ
ろう（例えばポリフェニレンスルフィドは２８０℃を必
要とする）。多くの特定の基材の成形温度が実施例に示
されている。
基材のガラス転移温度（Ｔ（１）は成形温度を選択する
ための有用なガイドである。成形温度は典型的には、基
材のガラス転移温度よりも高い。もし成形温度があまり
にも高すぎるならば、基材の流れは不十分であり、そし
て適当な密着は（７られないであろう。もし温度があま
りにも高すぎるならば、基材は溶融し、おそらく分解す
るであろう。簡単な試行錯誤によって必らゆる基材の最
適成形温度を容易に決定することができる。
ための有用なガイドである。成形温度は典型的には、基
材のガラス転移温度よりも高い。もし成形温度があまり
にも高すぎるならば、基材の流れは不十分であり、そし
て適当な密着は（７られないであろう。もし温度があま
りにも高すぎるならば、基材は溶融し、おそらく分解す
るであろう。簡単な試行錯誤によって必らゆる基材の最
適成形温度を容易に決定することができる。
粒子を軟化した表面へ物理的に押し込むために加熱に加
えて圧力が用いられる。圧力はまた、金属粒子から酸素
を除外するためにも作用する。圧力をかけない場合には
、不活性雰囲気で加熱するようなもう１つの酸素を除く
機械を使用しなければならない。圧力の大きさは臨界的
ではなく、主に成形温度での基材の軟化の程度に依存す
る。典型的には、約５〜１００ＭＰａの成形圧力が適当
である。
えて圧力が用いられる。圧力はまた、金属粒子から酸素
を除外するためにも作用する。圧力をかけない場合には
、不活性雰囲気で加熱するようなもう１つの酸素を除く
機械を使用しなければならない。圧力の大きさは臨界的
ではなく、主に成形温度での基材の軟化の程度に依存す
る。典型的には、約５〜１００ＭＰａの成形圧力が適当
である。
圧力はあらゆる便利なプレスによって与えられることが
できる。量産のためにはロールプレスが有利である。圧
力を維持するための最少時間は存在しない。但し、プレ
スする表面が熱源でもある場合には、圧力は基材を成形
温度に到達させるのに十分な時間維持されなければなら
ない。
できる。量産のためにはロールプレスが有利である。圧
力を維持するための最少時間は存在しない。但し、プレ
スする表面が熱源でもある場合には、圧力は基材を成形
温度に到達させるのに十分な時間維持されなければなら
ない。
好ましい実施態様において、ポリマーの溶液をベース基
材の表面にキャストし、それがまた粘着性である間に金
属粉末をその表面に塗布する。
材の表面にキャストし、それがまた粘着性である間に金
属粉末をその表面に塗布する。
ベース基材は場合により、溶媒を十分に蒸発させた後に
除去されることができる。関連する好ましい実ＦＭ態様
において、基材を、その表面が金属粒子を密着させるの
に十分粘着性になるような溶媒と接触させる。
除去されることができる。関連する好ましい実ＦＭ態様
において、基材を、その表面が金属粒子を密着させるの
に十分粘着性になるような溶媒と接触させる。
半硬化又は未硬化樹脂の場合には、加熱の適用は普通、
成形工程のために必要とされない。事実、それは成形工
程のじゃまになり得る。樹脂は一般に、全く粘着性であ
るので、圧力の使用は一般に樹脂の表面へ粒子を押し込
むために必要とされない。熱硬化性樹脂については、金
属を施与した後、樹脂を硬化するために加熱が必要であ
ろう。
成形工程のために必要とされない。事実、それは成形工
程のじゃまになり得る。樹脂は一般に、全く粘着性であ
るので、圧力の使用は一般に樹脂の表面へ粒子を押し込
むために必要とされない。熱硬化性樹脂については、金
属を施与した後、樹脂を硬化するために加熱が必要であ
ろう。
基材への金属の密着を助けるために加熱が行われても行
われなくても、加熱は展開剤を活性化するために必要で
ある、活性化に必要な温度は選ばれた特定の展開剤によ
って変化する。一般に、１５０〜４００℃、好ましくは
１８０〜２３０℃、そしてより好ましくは２００〜２２
０℃の温度が活性化のために要求される。
われなくても、加熱は展開剤を活性化するために必要で
ある、活性化に必要な温度は選ばれた特定の展開剤によ
って変化する。一般に、１５０〜４００℃、好ましくは
１８０〜２３０℃、そしてより好ましくは２００〜２２
０℃の温度が活性化のために要求される。
展開剤が、成形の前に金属層へ施与される場合、成形の
ための加熱及び展開のための加熱は単一の加熱工程であ
ることができる。但し、温度は各工程のために十分高い
ことが条件でおる。
ための加熱及び展開のための加熱は単一の加熱工程であ
ることができる。但し、温度は各工程のために十分高い
ことが条件でおる。
代わりになるべきものとして、展開剤が存在するままの
コーティングされた基材を低い温度（ポリプロピレンで
は１５０’Ｃ）で成形することができ、このとき展開は
より高い温度で別の工程で行う。
コーティングされた基材を低い温度（ポリプロピレンで
は１５０’Ｃ）で成形することができ、このとき展開は
より高い温度で別の工程で行う。
しかしながら、展開は酸素の不存在で行わなければなら
ないという事実がこの２段階の方法を行うことを不便に
している。成形プレートの効果の１つは酸素の除外であ
るので、成形と展開を同時に行うことが有利でおる。
ないという事実がこの２段階の方法を行うことを不便に
している。成形プレートの効果の１つは酸素の除外であ
るので、成形と展開を同時に行うことが有利でおる。
好ましい実ｔＭ態様において、金属粒子を基材に析出さ
せるまえに、展開剤と接触させそして加熱処理を行う。
せるまえに、展開剤と接触させそして加熱処理を行う。
この実施態様は、ある樹脂が展開のために要求される温
度で分解するという点で有利であり、そしてこの方法で
は、樹脂が展開の熱から分離されている。それは量産技
術に特に適用することができるという点でさらに有利で
ある。
度で分解するという点で有利であり、そしてこの方法で
は、樹脂が展開の熱から分離されている。それは量産技
術に特に適用することができるという点でさらに有利で
ある。
本発明の金属被覆された基材はプリント回路板、ＥＭＩ
シールド、コンデンサー、電池プレート、スイッチ、及
び装飾パネルを含む広く変化に富んだ適用に有用である
。
シールド、コンデンサー、電池プレート、スイッチ、及
び装飾パネルを含む広く変化に富んだ適用に有用である
。
以下の実施例において本発明をさらに説明する。
実施例の表中の１・・・」は、す゛ンプルの抵抗が７メ
ガオーム／平方（ｓｑｕａｒｅ）以上でめったことを怠
味する。
ガオーム／平方（ｓｑｕａｒｅ）以上でめったことを怠
味する。
実施例 １ａ （比較）
この実施例は、適当な展開剤の不存在においては良好な
密着性が１ｑられるが、伝導率は非常に悪い（低い）と
いうことを説明する。予備成形された耐衝撃性ポリスチ
レンのブラック約３インチ×４インチｘ ０．０３イン
チ（７６ｘ１０２ ｘ Ｏ，７６Ｍ＞をジクロルメタン
中の銅粉末のリスペンションでスプレーし、そして溶媒
を完全に蒸発させるためにオーブン中５５°Ｃで乾燥し
た。施与された銅は約０．３ ｇの重量であり、そして
スプレーアップの間に表面が溶媒で膨潤した結果、プラ
スチックへのわずかな接着性を示した。
密着性が１ｑられるが、伝導率は非常に悪い（低い）と
いうことを説明する。予備成形された耐衝撃性ポリスチ
レンのブラック約３インチ×４インチｘ ０．０３イン
チ（７６ｘ１０２ ｘ Ｏ，７６Ｍ＞をジクロルメタン
中の銅粉末のリスペンションでスプレーし、そして溶媒
を完全に蒸発させるためにオーブン中５５°Ｃで乾燥し
た。施与された銅は約０．３ ｇの重量であり、そして
スプレーアップの間に表面が溶媒で膨潤した結果、プラ
スチックへのわずかな接着性を示した。
従って、コーティングされたプレフォームをコーティン
グこぼれなしに取り扱うことができたが、コーティング
をこすった場合、銅が分離してきた。この段階では、コ
ーティングの表面抵抗は１０７オーム／平方より大きか
った。次に、コーティングされたプレフォームをクロム
処理したスチールプレートの間で２１５℃で１２分間５
トン（ｔ）／平方インチ（ｐＳ ｉ ） （６９）ＩＰ
ａ ）の圧力の下で圧縮成形した。型を第２のプレス中
で２０°Ｃまで冷却してプラスチックを除去した。（ポ
リマーが流体になるより高い温度で成形が行なわれるの
で）銅粉末をプラスチックの表面へ圧縮して、密着性の
よい連続の銅層を形成した。この苦はオレンジ色でおり
、１０６オーム／平方より大きな表面抵抗をイｊしてい
た。
グこぼれなしに取り扱うことができたが、コーティング
をこすった場合、銅が分離してきた。この段階では、コ
ーティングの表面抵抗は１０７オーム／平方より大きか
った。次に、コーティングされたプレフォームをクロム
処理したスチールプレートの間で２１５℃で１２分間５
トン（ｔ）／平方インチ（ｐＳ ｉ ） （６９）ＩＰ
ａ ）の圧力の下で圧縮成形した。型を第２のプレス中
で２０°Ｃまで冷却してプラスチックを除去した。（ポ
リマーが流体になるより高い温度で成形が行なわれるの
で）銅粉末をプラスチックの表面へ圧縮して、密着性の
よい連続の銅層を形成した。この苦はオレンジ色でおり
、１０６オーム／平方より大きな表面抵抗をイｊしてい
た。
実施例 １ｂ
この実施例は、成形の前に銅粉末コーティングに適当な
展開剤をスプレーすることによって高伝導銅層が得られ
るということを説明する。
展開剤をスプレーすることによって高伝導銅層が得られ
るということを説明する。
ト１１ＰＳプレフォームを実施例１ａのように銅粉末で
スプレーし、乾燥し、そして次にオーブン中５５℃で乾
燥して溶媒を蒸発させた後にＣｕ ：アミンの重量化３
：１を与えるようにジクロルメタン中Ｎ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）ココアミンの５％溶液でスプレー
した。コーティングされたプレフォームを実施例１ａの
ように圧縮成形した。展開後、よく密着した銅コーテイ
ングはピンク色であり、０．０１７１−ム／平方の表面
抵抗を有していた。
スプレーし、乾燥し、そして次にオーブン中５５℃で乾
燥して溶媒を蒸発させた後にＣｕ ：アミンの重量化３
：１を与えるようにジクロルメタン中Ｎ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）ココアミンの５％溶液でスプレー
した。コーティングされたプレフォームを実施例１ａの
ように圧縮成形した。展開後、よく密着した銅コーテイ
ングはピンク色であり、０．０１７１−ム／平方の表面
抵抗を有していた。
実施例 １に
の実施例において、よく密着しているが不伝導性の銅コ
ーテイングを高伝導率に転換することも適当な展開剤を
適用することによって可能で必るということが示される
。
ーテイングを高伝導率に転換することも適当な展開剤を
適用することによって可能で必るということが示される
。
銅粉末をスプレーしそして実施例１ａのように成形して
不伝導性のコーティングを勺えたＨＩＰＳプレフォーム
をジクロルメタン中Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）ココアミンの５９４溶液でスプレーした。乾燥して
溶媒を除去した後、ブラックを１２分間２１５°Ｃで５
ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧縮成形した
。冷却後、銅コーディングの表面外観がオレンジ色から
ピンク色に変化し、表面抵抗が１０６オーム／平方より
大きな値から１オーム／平方より小さな値に改良された
。
不伝導性のコーティングを勺えたＨＩＰＳプレフォーム
をジクロルメタン中Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）ココアミンの５９４溶液でスプレーした。乾燥して
溶媒を除去した後、ブラックを１２分間２１５°Ｃで５
ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧縮成形した
。冷却後、銅コーディングの表面外観がオレンジ色から
ピンク色に変化し、表面抵抗が１０６オーム／平方より
大きな値から１オーム／平方より小さな値に改良された
。
実施例 ２
この実施例において、金属及び展開剤のスプレーアップ
を単一の段階へ結合することが可能であるということが
示される。
を単一の段階へ結合することが可能であるということが
示される。
ＨＩＰＳプレフォームを１０重母％の銅粉末及び種々な
重量％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−
アミンを含むジクロルメタンでスプレーした。乾燥して
溶媒を蒸発させた後、ブラックを１５分間２００℃で５
ｔｐｓｉ （６９）ＩＰａ）の圧力の下で圧縮成形し
た。冷却後、そのブラックはよく密着した高伝導性の銅
の層を有することが分った。
重量％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−
アミンを含むジクロルメタンでスプレーした。乾燥して
溶媒を蒸発させた後、ブラックを１５分間２００℃で５
ｔｐｓｉ （６９）ＩＰａ）の圧力の下で圧縮成形し
た。冷却後、そのブラックはよく密着した高伝導性の銅
の層を有することが分った。
１．０ ０．０１
２、５ ０．０１
５．０ ０．０１
１０、０ ０．７１実施例 ３
この実施例は、成形加工及び金属粉末での処理の前に（
２０−ルミルによる混合、又は押出のような従来の加工
方法によって）ポリマー展開剤を練込むことによって本
発明の方法をうまく行うことができるということを説明
する。ＨＩ ＰＳ。
２０−ルミルによる混合、又は押出のような従来の加工
方法によって）ポリマー展開剤を練込むことによって本
発明の方法をうまく行うことができるということを説明
する。ＨＩ ＰＳ。
ＡＢＳ及びポリプロピレンプラスヂックヘ配合された種
々な展開剤についてのデータが表Ａに示される。展開剤
を含むプラスチック樹脂の表面にジクロルメタン中に懸
濁された金属粉末をスプレーした後、サンプルを１２分
間２１５℃で５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ ）の圧力の
下で圧縮成形した。表Ａの中の長い脂肪族の鎖は、脂肪
族の鎖の分布を有する天然の鎖の呼称長さを表わす。
々な展開剤についてのデータが表Ａに示される。展開剤
を含むプラスチック樹脂の表面にジクロルメタン中に懸
濁された金属粉末をスプレーした後、サンプルを１２分
間２１５℃で５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ ）の圧力の
下で圧縮成形した。表Ａの中の長い脂肪族の鎖は、脂肪
族の鎖の分布を有する天然の鎖の呼称長さを表わす。
実施例 ４
次の実施例は本発明の方法に適用される原則的なトラン
スファー成形を説明する。
スファー成形を説明する。
Ａ、厚さ０．００２インチ（０，０５１＃）の１片のア
ルミ箔をジクロルメタン中の銅粉末のリスペンションで
スプレーし、次に銅をコーティングした側を、２０−ル
ミルで混合して４％Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）ココアミンを練込んだ厚さ１簡のＡＢＳプラスヂツ
クプレフ４−ムと接触させて置いた。次にこの集成体を
１２．５分間２２０°Ｃで５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ
）の圧力の下で圧縮成形した。
ルミ箔をジクロルメタン中の銅粉末のリスペンションで
スプレーし、次に銅をコーティングした側を、２０−ル
ミルで混合して４％Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）ココアミンを練込んだ厚さ１簡のＡＢＳプラスヂツ
クプレフ４−ムと接触させて置いた。次にこの集成体を
１２．５分間２２０°Ｃで５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ
）の圧力の下で圧縮成形した。
冷却後アルミ箔をＡＢＳの表面から容易にはがすことが
できた。銅はポリマーの表面へすっかり移され、連続の
、光沢のある、高伝導性かつよく密着した金属の層が形
成されていることが分った。
できた。銅はポリマーの表面へすっかり移され、連続の
、光沢のある、高伝導性かつよく密着した金属の層が形
成されていることが分った。
Ｂ、同様な実験を行った。この実験においては、１／４
インチ〜０．０６インチ（６，３〜１．５ ｍ ）の幅
に変化させてカットしたアルミ箔を銅でスプレーし、前
述のように成形した。この場合にも銅は伝導性になり、
ＡＢＳへよく密着していた。
インチ〜０．０６インチ（６，３〜１．５ ｍ ）の幅
に変化させてカットしたアルミ箔を銅でスプレーし、前
述のように成形した。この場合にも銅は伝導性になり、
ＡＢＳへよく密着していた。
Ｃ０△と同じ実験を行った。但し、トランスファー基材
としてアルミニウムの代わりに銅でスプレーしたスチー
ルシム素材を使用した。この場合にもＡＢＳが伝導性銅
層を保持していることが分った。
としてアルミニウムの代わりに銅でスプレーしたスチー
ルシム素材を使用した。この場合にもＡＢＳが伝導性銅
層を保持していることが分った。
Ｄ、厚さ１／４インチ（６，３ｍ＞のアルミニウムブロ
ックにミリングして滓出した部分にＮＥ５５５タイマー
の集積回路に基づく簡単な回路のために要求される回路
模様の凸像（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｍａｇｅ）を作った
。この模様は試験片をジクロルメタン中の銅粉末でスプ
レーし、次に２％Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル
）ココアミンが配合された厚さ０．０３インチ（０，７
６Ｍ）のＨＩＰＳプレフォームに対して１２．５分間２
１５℃で５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧
縮成形した。冷却しそして模様ピースを分離した際に、
銅がアルミニウムからＨＩＰＳへすっかり移され、連続
のよく密着した高伝導性の回路模様が形成されているこ
とが分った。
ックにミリングして滓出した部分にＮＥ５５５タイマー
の集積回路に基づく簡単な回路のために要求される回路
模様の凸像（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｍａｇｅ）を作った
。この模様は試験片をジクロルメタン中の銅粉末でスプ
レーし、次に２％Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル
）ココアミンが配合された厚さ０．０３インチ（０，７
６Ｍ）のＨＩＰＳプレフォームに対して１２．５分間２
１５℃で５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧
縮成形した。冷却しそして模様ピースを分離した際に、
銅がアルミニウムからＨＩＰＳへすっかり移され、連続
のよく密着した高伝導性の回路模様が形成されているこ
とが分った。
Ｅ、Ｄのアルミニウムの模様付試験片をジクロルメタン
中の銅粉末のナスペンションでスプレーし、次にポリエ
ーテルイミドの厚さ０．０３インチ（０，７６Ｍ）の試
験片と接触させて、１０分間２２０℃で５ ｔｐｓｉ
（６９ＭＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。アルミニウ
ムの模様付試験片の中空域を適当な厚さのＶｉｔＯロゴ
ムフィラーで充填することによって、トランスファー成
形の後にＰＥＩが比較的フラットになっているようにこ
れらの中空体へのＰＥＩのたるみを防止することができ
る。
中の銅粉末のナスペンションでスプレーし、次にポリエ
ーテルイミドの厚さ０．０３インチ（０，７６Ｍ）の試
験片と接触させて、１０分間２２０℃で５ ｔｐｓｉ
（６９ＭＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。アルミニウ
ムの模様付試験片の中空域を適当な厚さのＶｉｔＯロゴ
ムフィラーで充填することによって、トランスファー成
形の後にＰＥＩが比較的フラットになっているようにこ
れらの中空体へのＰＥＩのたるみを防止することができ
る。
冷却したときに、銅粉末がアルミニウムからＰＥＩの表
面へ転移し、オレンジ色の回路模様を形成していること
が分った。幅３／１６インチ（４，８ｍｍ ）のトラッ
クの約５インチ（ｔ２７ｍ）にわたるコーラ−からコー
ナーまでの抵抗は、２オームメータープローブを使用し
て１００〜２００オーム前後であった。金属のよりよい
密着は、（ＰＥ Ｉの流動度が改良されるために＞
２４０’Ｃで成形することによって得られるが、これは
いくつかの″フラッシング″（すなわち型からの樹脂の
漏出）を生じる。
面へ転移し、オレンジ色の回路模様を形成していること
が分った。幅３／１６インチ（４，８ｍｍ ）のトラッ
クの約５インチ（ｔ２７ｍ）にわたるコーラ−からコー
ナーまでの抵抗は、２オームメータープローブを使用し
て１００〜２００オーム前後であった。金属のよりよい
密着は、（ＰＥ Ｉの流動度が改良されるために＞
２４０’Ｃで成形することによって得られるが、これは
いくつかの″フラッシング″（すなわち型からの樹脂の
漏出）を生じる。
「Ｓ、成形温度が２２０°Ｃでありそして銅粉末をコー
ティングされたアルミニウムの模様をジクロルメタル中
のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミン
の溶液でスプレーした後に成形サイクルを行った以外は
Ｅにおける場合と同様に実験を行った。この場合にも、
冷却後、ＰＥＩへの銅の転移が完全に行われていた。し
かし、今度は同じ距離にわたるコーナーからコーナーま
での抵抗が、２オームメータープローブを使用して１オ
ーム（又はもつとよい）まで減少されていて、銅は光沢
のあるピンク色であった。
ティングされたアルミニウムの模様をジクロルメタル中
のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミン
の溶液でスプレーした後に成形サイクルを行った以外は
Ｅにおける場合と同様に実験を行った。この場合にも、
冷却後、ＰＥＩへの銅の転移が完全に行われていた。し
かし、今度は同じ距離にわたるコーナーからコーナーま
での抵抗が、２オームメータープローブを使用して１オ
ーム（又はもつとよい）まで減少されていて、銅は光沢
のあるピンク色であった。
Ｇ、実験をＥの場合と同様に行って、ＰＥＩに１００〜
２００オームのコーナーからコーナーまでの抵抗を有す
るオレンジ色の回路模様を得た。次にＰＥＩ／Ｃｕ模様
付プレフォームをジクロルメタン中のＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの溶液でスプレーし
た後、クロムメツキしたスチールシートの間で再び圧縮
成形した。
２００オームのコーナーからコーナーまでの抵抗を有す
るオレンジ色の回路模様を得た。次にＰＥＩ／Ｃｕ模様
付プレフォームをジクロルメタン中のＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの溶液でスプレーし
た後、クロムメツキしたスチールシートの間で再び圧縮
成形した。
冷却したときに、銅層はピンク色に変わり、そしてコー
ナーからコーナーまでの抵抗は１オーム（又はもつとよ
い）まで低下した。
ナーからコーナーまでの抵抗は１オーム（又はもつとよ
い）まで低下した。
１−１．Ｆで作ったＰＥＩ回路板を乾燥し、ワイヤーを
便利なはんだ付によってうまく付けた。
便利なはんだ付によってうまく付けた。
Ｉ、Ｆと同様な方法で、銅をガラスを充填した変性ポリ
オレフィンオキシド（Ｎ０ｒＶ ｌ ）プレフォームへ
１〜ランスフアー成形した。この場合にも、高伝導性の
回路模様が形成された。その回路へ部品（抵抗、コンデ
ンサー、光放射ダイオード、及び集積回路ソケットを含
む）をはんだ付してＮ２５５５集積回路タイマーチップ
に基づいて、機能する発（辰器を集成した。
オレフィンオキシド（Ｎ０ｒＶ ｌ ）プレフォームへ
１〜ランスフアー成形した。この場合にも、高伝導性の
回路模様が形成された。その回路へ部品（抵抗、コンデ
ンサー、光放射ダイオード、及び集積回路ソケットを含
む）をはんだ付してＮ２５５５集積回路タイマーチップ
に基づいて、機能する発（辰器を集成した。
前記データは、本発明の方法が種々なポリマーに関して
トランスファーに成形適用されて、よく密着した伝導性
の模様を与えることを示した。展開剤はトランスファー
成形す−イクル中（ポリマー中にか又は金属粉末上の表
面コーティングとしてかのいずれでもよい）に存在する
ことができ、また第２の別の展開二Ｆ程において使用さ
れることができる。
トランスファーに成形適用されて、よく密着した伝導性
の模様を与えることを示した。展開剤はトランスファー
成形す−イクル中（ポリマー中にか又は金属粉末上の表
面コーティングとしてかのいずれでもよい）に存在する
ことができ、また第２の別の展開二Ｆ程において使用さ
れることができる。
実施例 ５
次の実施例は、本発明の方法の最適化を与えられたポリ
マー／金属／展開剤の組合せについて、いかにすること
ができるかを示す。
マー／金属／展開剤の組合せについて、いかにすること
ができるかを示す。
この実験のために、種々の厚さの耐衝撃性ポリスチレン
プレフォームを使用した。これらをジクロルメタン中の
銅粉末のサスペンションでスプレーし、乾燥し、ジクロ
ルメタン中のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タ
ロ−アミンの１０％溶液でスプレーし、乾燥し、そして
圧縮成形した後に伝導率の評価を行った。必要な厚さの
シムによって分離された２つのクロム処理したスチール
シ−ト（開放式金型）（表Ｂ）の間か又は中実スチール
密閉式ギヤビテイー金型（表Ｃ）においてかのいずれか
で、成形を行った。
プレフォームを使用した。これらをジクロルメタン中の
銅粉末のサスペンションでスプレーし、乾燥し、ジクロ
ルメタン中のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タ
ロ−アミンの１０％溶液でスプレーし、乾燥し、そして
圧縮成形した後に伝導率の評価を行った。必要な厚さの
シムによって分離された２つのクロム処理したスチール
シ−ト（開放式金型）（表Ｂ）の間か又は中実スチール
密閉式ギヤビテイー金型（表Ｃ）においてかのいずれか
で、成形を行った。
前記データは、開放式金型中のＨＩ ＰＳ／Ｃｕ ／
Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの
組合せについて、高伝導率を得るために要求される圧縮
成形時間を通常の２１５°Ｃで１２分間から２００℃で
４分、１８０℃で９分へ又は１６５°Ｃで２５分へさえ
も変えることができるということを示す。さらに、その
データは、成形圧力が１昇られた伝導率にほとんど影響
しないということを表わしている。
Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの
組合せについて、高伝導率を得るために要求される圧縮
成形時間を通常の２１５°Ｃで１２分間から２００℃で
４分、１８０℃で９分へ又は１６５°Ｃで２５分へさえ
も変えることができるということを示す。さらに、その
データは、成形圧力が１昇られた伝導率にほとんど影響
しないということを表わしている。
これらの結果は、密閉式キャビティー金型中の展開剤に
スプレーとしてＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミンを使用した場合、得られた金属表面の伝導
率に大ぎな影響を与えることなしに銅：展開剤の比をよ
り普通の２：１又は３：１の比から７：１まで変化させ
ることができるということを示している。密閉式金型で
の比の変化の成功（すなわち展開剤の使用量の減少）は
、開成式金型の使用と比較して成形の間に展開へＩＩの
熱気が逃げる機会を減少させることになり、そして経済
的な見地からも有利である。一般に開放式及び密閉式キ
ャビティー金型では、最も良い結果はポリマー表面１
ｃａｔ当り金属２５〜３５ｍｇ前後の銅の塗′４５呈を
使用することによって得られた。この塗イ５量より少い
と表面の被覆に破れが観察され、一方この塗＠咄より多
いと金型表面への付着によって銅の労費になる。また、
密閉式キャビティー金型を使用するとプレフォームの変
形が防止され、そして一般に、より完全でかつ均一な金
属表面が得られることが分った。
スプレーとしてＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミンを使用した場合、得られた金属表面の伝導
率に大ぎな影響を与えることなしに銅：展開剤の比をよ
り普通の２：１又は３：１の比から７：１まで変化させ
ることができるということを示している。密閉式金型で
の比の変化の成功（すなわち展開剤の使用量の減少）は
、開成式金型の使用と比較して成形の間に展開へＩＩの
熱気が逃げる機会を減少させることになり、そして経済
的な見地からも有利である。一般に開放式及び密閉式キ
ャビティー金型では、最も良い結果はポリマー表面１
ｃａｔ当り金属２５〜３５ｍｇ前後の銅の塗′４５呈を
使用することによって得られた。この塗イ５量より少い
と表面の被覆に破れが観察され、一方この塗＠咄より多
いと金型表面への付着によって銅の労費になる。また、
密閉式キャビティー金型を使用するとプレフォームの変
形が防止され、そして一般に、より完全でかつ均一な金
属表面が得られることが分った。
実施例 に
の実施例は、本発明において使用することができる展開
剤の範囲を説明する。
剤の範囲を説明する。
３インチ×４インチｘ Ｏ，０３インチ（７６Ｘ１０２
ＸＯ，７６ｍｍ ） ｔ−１１Ｐ Ｓプレフォームを
、溶媒の蒸発後に０．２５〜０．３５ｇ重の銅を与える
ようにジクロルメタン中の銅粉末の１０％サスペンショ
ンでスプレーした。次にジクロルメタン又はテトラヒド
ロフランのいずれかの中の展開剤の５％溶液を、溶媒の
蒸発後に０．１〜０．１５ｇ重の展開剤を与えるように
銅コーテイングの上にスプレーした。次にコーティング
されたプレフォームを１２分間２１５℃で５ｔｐｓｉ
（６９）ｆＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。コーティ
ングした後、金属表面層を４７０−ブ法によって伝導率
を評価した。結果を表りに示す。
ＸＯ，７６ｍｍ ） ｔ−１１Ｐ Ｓプレフォームを
、溶媒の蒸発後に０．２５〜０．３５ｇ重の銅を与える
ようにジクロルメタン中の銅粉末の１０％サスペンショ
ンでスプレーした。次にジクロルメタン又はテトラヒド
ロフランのいずれかの中の展開剤の５％溶液を、溶媒の
蒸発後に０．１〜０．１５ｇ重の展開剤を与えるように
銅コーテイングの上にスプレーした。次にコーティング
されたプレフォームを１２分間２１５℃で５ｔｐｓｉ
（６９）ｆＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。コーティ
ングした後、金属表面層を４７０−ブ法によって伝導率
を評価した。結果を表りに示す。
表り中のサンプルは、その中のデータの理解を助けるた
めにグループによって大ざっばに部類分けされる。これ
らの任意のグループ分けは次のようである。
めにグループによって大ざっばに部類分けされる。これ
らの任意のグループ分けは次のようである。
グループＡ
特別の官能基のないアミン／Ｐ（ＩＩＩ）／５（ＩＩ）
化合物；レドックス反応のみを行うことができる。
化合物；レドックス反応のみを行うことができる。
グループＢ
３価のＮ又は２価のＳ、及び第２のＮ。
０、又はＳ原子の両方を含む物質；レドックス反応及び
／又はキレート化を行うことができる。
／又はキレート化を行うことができる。
グループＣ
活性金属キレート化剤として知られる
物質
グループＤ
Ａ、Ｂ、又はＣにおいて定義されたちの以外の酸化しう
る又はキレート化の官能基を含む物質 グループＥ ４価Ｎ又は酸化されにくい官能基を含む化合物 グループＡ （Ｎ （ＩＩＩ）、 Ｐ （ＩＩＩ）、
Ｓ （ｎ）を含む化合物）について、窒素原子が３つの
アルキル基を有する（すなわち第三級アミン）とき又は
リン（ＩＩＩ）原子が水素原子を有さない（第三級ホス
フィン、第三級ホスフィツト）ときにのみ伝導性鋼表面
が得られるということが理解される。すなわち、特別に
官能化されていない第−級及び第二級アミン、第一級、
第二級及び第三級アミド、及びスルフィドは本発明の方
法の展開剤として不活性である。活性な展開剤である第
三級アミン及びホスフィツトのようなグループＡの物質
は、個々の銅（又はニッケル）粒子の酸化物層と直接レ
ドックス反応（少くとも最初に、アミンオキシド又は、
Ｐ （Ｖ）にそれぞれ酸化される）するために活性を有
している：第三級アミンだけは容易に酸化されてアミン
オキシドになる。
る又はキレート化の官能基を含む物質 グループＥ ４価Ｎ又は酸化されにくい官能基を含む化合物 グループＡ （Ｎ （ＩＩＩ）、 Ｐ （ＩＩＩ）、
Ｓ （ｎ）を含む化合物）について、窒素原子が３つの
アルキル基を有する（すなわち第三級アミン）とき又は
リン（ＩＩＩ）原子が水素原子を有さない（第三級ホス
フィン、第三級ホスフィツト）ときにのみ伝導性鋼表面
が得られるということが理解される。すなわち、特別に
官能化されていない第−級及び第二級アミン、第一級、
第二級及び第三級アミド、及びスルフィドは本発明の方
法の展開剤として不活性である。活性な展開剤である第
三級アミン及びホスフィツトのようなグループＡの物質
は、個々の銅（又はニッケル）粒子の酸化物層と直接レ
ドックス反応（少くとも最初に、アミンオキシド又は、
Ｐ （Ｖ）にそれぞれ酸化される）するために活性を有
している：第三級アミンだけは容易に酸化されてアミン
オキシドになる。
表りから、３価の窒素原子がヒドロキシル基の酸素原子
又は第２のアミンの窒素原子のいずれかから三つの結合
距離に配列されている物質（すなわもグループＢの物質
）は本発明の方法の展開剤として作用するということが
見られる。活性は、（例えばＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）ココアミンのように）窒素に結合されたβ
−ヒドロキシエチル基の組み込みによって改良された第
三級アミン（例えばジメヂルココアミン）によって示さ
れるばかりでなく、さらに興味深いことには、窒素原子
に結合するβ−ヒドロキシエチル基の不存在において不
活性な展開剤である種類の化合物がそのような基の存在
において活性になる（ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２とト
１０ｃＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｃｌ２Ｈ２５ＣＯＮ（ＣＨ３
） ２とＣｌ２ＪＩ２５ＣＯＮ（ＣＩ２ ＣＩ２０ Ｈ
＞ ２の比較〕。β−アミノエチル官能基がＮに結合さ
れているがβ−メルカプトエチル官能基としてではない
場合に同様な効果が見られる （（ＣＨ３（ＣＩ２ ） １１） ２ ＮＨとＣＨ３Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＮＨ２。
又は第２のアミンの窒素原子のいずれかから三つの結合
距離に配列されている物質（すなわもグループＢの物質
）は本発明の方法の展開剤として作用するということが
見られる。活性は、（例えばＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）ココアミンのように）窒素に結合されたβ
−ヒドロキシエチル基の組み込みによって改良された第
三級アミン（例えばジメヂルココアミン）によって示さ
れるばかりでなく、さらに興味深いことには、窒素原子
に結合するβ−ヒドロキシエチル基の不存在において不
活性な展開剤である種類の化合物がそのような基の存在
において活性になる（ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２とト
１０ｃＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｃｌ２Ｈ２５ＣＯＮ（ＣＨ３
） ２とＣｌ２ＪＩ２５ＣＯＮ（ＣＩ２ ＣＩ２０ Ｈ
＞ ２の比較〕。β−アミノエチル官能基がＮに結合さ
れているがβ−メルカプトエチル官能基としてではない
場合に同様な効果が見られる （（ＣＨ３（ＣＩ２ ） １１） ２ ＮＨとＣＨ３Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＮＨ２。
Ｃｔ１３ （ＣＨ２＞ ３ ＮＨＣｔ１２ＣＨ２ＳＨ
とを比較）。２価のイオウ原子に結合するβ−ヒドロキ
シエチル官能基の存在はまた、スルフィドの展開剤とし
ての活チル官能基が２価の酸素に結合されているときく
例えばＯ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）２において）、展開剤の
活性は見られない。表りのデータは、同じ展開剤の分子
は両方の官能基を含むべきであるということを示してい
る（ｃ．２Ｈ２５０Ｈ：Ｃｌ２Ｈ２５ＣＯＮ（ＣＨ３）
２）の２：１重量混合物とｃ．２［−１２５ｃＯＮ （
ＣＨ２ｃＨ２０Ｈ＞２との比較）。これは展開剤活性の
すべての説明において、分子内のメカニズムがグループ
Ｂの物質に対しては特に重要であることを暗示している
。
とを比較）。２価のイオウ原子に結合するβ−ヒドロキ
シエチル官能基の存在はまた、スルフィドの展開剤とし
ての活チル官能基が２価の酸素に結合されているときく
例えばＯ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）２において）、展開剤の
活性は見られない。表りのデータは、同じ展開剤の分子
は両方の官能基を含むべきであるということを示してい
る（ｃ．２Ｈ２５０Ｈ：Ｃｌ２Ｈ２５ＣＯＮ（ＣＨ３）
２）の２：１重量混合物とｃ．２［−１２５ｃＯＮ （
ＣＨ２ｃＨ２０Ｈ＞２との比較）。これは展開剤活性の
すべての説明において、分子内のメカニズムがグループ
Ｂの物質に対しては特に重要であることを暗示している
。
それらの活性の部分的な説明として、グループＢの物質
と金属との間での分子内鏡体の形成を、ａ） Ｎと０（
又は第２のＮ）の間の中央の結合の数が増加するにつれ
ての、特に両方がリングシステムによって立体的に束縛
されている場合に、展開剤活性の減少（ＮＨ２（ＣＨ２
）２０ＨとＮＨ２（ＣＨ２＞６ｏ１−１ ：ＮＨ（Ｃ町
）２Ｎ＋−１２とＮＨ２（ＣＨ２）６ＮＨ２；及びＯ−
ト１０Ｃ６Ｈ４ＮＨ２とｐ−ＨＯＣ６Ｈ４ＮＨ２との比
較）及びｂ）中央の窒素がかさばった置換基に結合され
ている場合の活性の減少 （ＣＨ３Ｎ＋−１ｃＨ２ＣＨ２０Ｈと（ＣＨ３）３ＣＮ
ＨＣＨ２ＣＨ２０Ｈとの比較）から引き出すことができ
る。また表りから、展開剤活性が認識される以前に、一
連のアミンにおいて、ただ１つのβ−ヒドロキシエチル
又はβ−アミンエチル基のみが窒素原子へ結合されてい
ることが必要でおるということも分る。これは、展開剤
の中の窒素原子の存在が展開剤の活性を増加させること
ができるということを強調している。
と金属との間での分子内鏡体の形成を、ａ） Ｎと０（
又は第２のＮ）の間の中央の結合の数が増加するにつれ
ての、特に両方がリングシステムによって立体的に束縛
されている場合に、展開剤活性の減少（ＮＨ２（ＣＨ２
）２０ＨとＮＨ２（ＣＨ２＞６ｏ１−１ ：ＮＨ（Ｃ町
）２Ｎ＋−１２とＮＨ２（ＣＨ２）６ＮＨ２；及びＯ−
ト１０Ｃ６Ｈ４ＮＨ２とｐ−ＨＯＣ６Ｈ４ＮＨ２との比
較）及びｂ）中央の窒素がかさばった置換基に結合され
ている場合の活性の減少 （ＣＨ３Ｎ＋−１ｃＨ２ＣＨ２０Ｈと（ＣＨ３）３ＣＮ
ＨＣＨ２ＣＨ２０Ｈとの比較）から引き出すことができ
る。また表りから、展開剤活性が認識される以前に、一
連のアミンにおいて、ただ１つのβ−ヒドロキシエチル
又はβ−アミンエチル基のみが窒素原子へ結合されてい
ることが必要でおるということも分る。これは、展開剤
の中の窒素原子の存在が展開剤の活性を増加させること
ができるということを強調している。
グループＣの中に挙げられた物質は金属（銅を含む）と
キレートを形成することができるものとしてよく知られ
ている。サリチルアルドキシムのようないくつかの物質
は本発明の方法の展開剤としてゆるやかな活性を示す。
キレートを形成することができるものとしてよく知られ
ている。サリチルアルドキシムのようないくつかの物質
は本発明の方法の展開剤としてゆるやかな活性を示す。
しかし、グループＣの物質の中に、５つの結合によって
分離されたヒドロキシル及び−ＮＨ２の両方の官能基を
含むキレート化剤（例えばサリヂルヒドラゾン、サリチ
ルアルドキシム）からのみ高い活性が見られる。
分離されたヒドロキシル及び−ＮＨ２の両方の官能基を
含むキレート化剤（例えばサリヂルヒドラゾン、サリチ
ルアルドキシム）からのみ高い活性が見られる。
容易に酸化しうる官能基又は金属に対して鏡体を形成す
ることができる官能基のみを含む物質（例えばグループ
Ｄの物質）についてのデータは明らかに、これらの能力
だけでは本発明の方法において伝導率の改良を行うため
に十分ではないということを示している。
ることができる官能基のみを含む物質（例えばグループ
Ｄの物質）についてのデータは明らかに、これらの能力
だけでは本発明の方法において伝導率の改良を行うため
に十分ではないということを示している。
同様に、４価の窒素原子を含むアミンオキシドのような
物質（グループＥ）は活性な展開剤として作用しない。
物質（グループＥ）は活性な展開剤として作用しない。
そのような化合物が４価の窒素原子に結合した２つのβ
−ヒドロキシエチル基を含む場合（例えばｃ．２８２５
Ｎ （０）（ＣＩ−１２ＣＨ２０Ｈ） ２ ）でさえも
それは真実である。これは、グループＢの物質の中の官
能基の立体化学的配列が本発明の方法における展開剤と
してのそれらの活性を説明するために重要であるという
もう１つのしるしである。
−ヒドロキシエチル基を含む場合（例えばｃ．２８２５
Ｎ （０）（ＣＩ−１２ＣＨ２０Ｈ） ２ ）でさえも
それは真実である。これは、グループＢの物質の中の官
能基の立体化学的配列が本発明の方法における展開剤と
してのそれらの活性を説明するために重要であるという
もう１つのしるしである。
実施例 ７
この実施例は、本発明の方法による高伝導層の形成を妨
害することなしに、相当なレベルの酸化第１又は第２銅
を銅粉末と一緒に混合して、該混合物をスプレーするこ
とができることを説明している。
害することなしに、相当なレベルの酸化第１又は第２銅
を銅粉末と一緒に混合して、該混合物をスプレーするこ
とができることを説明している。
すなわち、２重量％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）ココアミンを含む厚さ０．０３インチ（０，７６
％ ＞のＨＩＰＳプレフォームをジクロルメタン中の金
属／酸化物の混合物のリスペンションでスプレーし、次
に１２分間２１５℃で５ ｔｐｓｉ （６９Ｈｐａ）の
圧力の下で圧縮成形して、４プローブ法によって表面伝
導率を評価した。結果を以下に示す。
チル）ココアミンを含む厚さ０．０３インチ（０，７６
％ ＞のＨＩＰＳプレフォームをジクロルメタン中の金
属／酸化物の混合物のリスペンションでスプレーし、次
に１２分間２１５℃で５ ｔｐｓｉ （６９Ｈｐａ）の
圧力の下で圧縮成形して、４プローブ法によって表面伝
導率を評価した。結果を以下に示す。
銅：銅酸化物 表面抵抗 （オーム／平方）９０ ：
１０ ０．０１ ０．０１５０ ：
５０ ０．０１ ０．０１２５ ： ７
５ ０．０６ ０．０１１０ ： ９０
１０Ｍ０ ： １’００
− −これらのデータは、銅金属の７５％
までが形成された伝導層の伝導率に逆効果を与えること
なしに銅の酸化物によって置き換えられることができる
ということを示している。
１０ ０．０１ ０．０１５０ ：
５０ ０．０１ ０．０１２５ ： ７
５ ０．０６ ０．０１１０ ： ９０
１０Ｍ０ ： １’００
− −これらのデータは、銅金属の７５％
までが形成された伝導層の伝導率に逆効果を与えること
なしに銅の酸化物によって置き換えられることができる
ということを示している。
この事実は、本発明の方法による不伝導性鋼層の高伝導
率を示す層への転化が銅酸化物（これは銅粒子の大気酸
化によって自然に生じる）を銅金属へ変える能力によっ
て生じるということを示唆している。
率を示す層への転化が銅酸化物（これは銅粒子の大気酸
化によって自然に生じる）を銅金属へ変える能力によっ
て生じるということを示唆している。
実施例 ８
次の実施例は本発明の方法の種々な金属粉末への適用可
能性を説明する。金属粉末は有機溶媒中の［ナスペンシ
ョンとして圧縮ガススプレー装置から施与されたので、
使用される金属の粒子サイズはそのスプレー可能性を有
していた。２０μ■より小さな粒子４ノイズを有する金
属粉末、特に約１〜１０μｍの間のものが最も容易に適
用することができた。スプレーに使用される方法又は装
置を変えた場合、この粒子サイズの条件を変更すること
ができた。
能性を説明する。金属粉末は有機溶媒中の［ナスペンシ
ョンとして圧縮ガススプレー装置から施与されたので、
使用される金属の粒子サイズはそのスプレー可能性を有
していた。２０μ■より小さな粒子４ノイズを有する金
属粉末、特に約１〜１０μｍの間のものが最も容易に適
用することができた。スプレーに使用される方法又は装
置を変えた場合、この粒子サイズの条件を変更すること
ができた。
Ａ１種々な出所からの銅粉末をジクロルメタン中のナス
ペンションとして厚さ０．０３インチ（０，７６ｍ）の
１−ＩＩＰｓプレフ汁−ムにスプレーして約３ｍｇ／
ｃｒＡの重さの銅を施与した。屹燥後、金属をＮ、Ｎ−
ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの溶液でス
プレーして１．３：１〜３：１の銅：展開剤の比を与え
、次にプレフｔ−ムを１０分間１８０ ’Ｃで５ ｔｐ
ｓｉ （６９）ＩＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。冷
却後、伝導層の抵抗を４プローブ法によって評価した。
ペンションとして厚さ０．０３インチ（０，７６ｍ）の
１−ＩＩＰｓプレフ汁−ムにスプレーして約３ｍｇ／
ｃｒＡの重さの銅を施与した。屹燥後、金属をＮ、Ｎ−
ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの溶液でス
プレーして１．３：１〜３：１の銅：展開剤の比を与え
、次にプレフｔ−ムを１０分間１８０ ’Ｃで５ ｔｐ
ｓｉ （６９）ＩＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。冷
却後、伝導層の抵抗を４プローブ法によって評価した。
市販の銅粉末のすべてが本発明の方法において同じ活性
ではないが、いくつかの出所からの銅粉末を使用するこ
とができることが分る。アルカン（八１ｃａｎ） （４
００）及びボードメット（Ｐｏｕｄｍｅｔ）（２２８Ｂ
４００）からの粉末が特別な断りのない限り他の実施例
のために使用された。
ではないが、いくつかの出所からの銅粉末を使用するこ
とができることが分る。アルカン（八１ｃａｎ） （４
００）及びボードメット（Ｐｏｕｄｍｅｔ）（２２８Ｂ
４００）からの粉末が特別な断りのない限り他の実施例
のために使用された。
Ｂ、ボードメット２２８Ｂ ４００（平均粒子サイズ約
ｏ、 ｉｏｇ ｍ ＞銅粉末を使用して本発明の方法に
よって得られた伝導性銅板について走査電子顕微鏡は５
〜８μｍの層厚を示した。５ｕｂ−１−ミクロン銅粉末
（アルファ（Ａｌｆａ））を使用しても同様な厚さを生
じた。
ｏ、 ｉｏｇ ｍ ＞銅粉末を使用して本発明の方法に
よって得られた伝導性銅板について走査電子顕微鏡は５
〜８μｍの層厚を示した。５ｕｂ−１−ミクロン銅粉末
（アルファ（Ａｌｆａ））を使用しても同様な厚さを生
じた。
Ｃ，Ａと同様な実験をインコ（Ｉｎｃｏ）社（グレード
２５５）及びアルカン社（グレード７５６）からのニッ
ケル粉末を使用して行った。アルカン７５６は容易にス
プレーされ（特にテトラヒドロフラン中に懸濁した場合
）そしてＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココア
ミンの存在で圧縮成形した後に、グレーの伝導層を形成
した（５オーム／平方より小さい表面抵抗）。
２５５）及びアルカン社（グレード７５６）からのニッ
ケル粉末を使用して行った。アルカン７５６は容易にス
プレーされ（特にテトラヒドロフラン中に懸濁した場合
）そしてＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココア
ミンの存在で圧縮成形した後に、グレーの伝導層を形成
した（５オーム／平方より小さい表面抵抗）。
Ｄ、（比較）厚さ０．０３インチ（０，７６％ ）のＨ
ＩＰＳプレフォームをジクロルメタン中のパラジウム粉
末（メッツメタラージカル社（）ｌｅｔＺＨｅｔａｌｌ
ｕｒｇｉｃａｌ Ｃｏｒｐ、）から、粒子サイズ６μ乳
のグレード＃１Ｃ）のサスペンションでスプレーして約
０．３５ｇの型口増加を与えた。５分間２０℃で乾燥し
て溶媒を蒸発させた後、パラジウムを（溶媒膨潤によっ
て）プラスチックへ接着させたが、容易にこすり落すこ
とができた。金属層の表面抵抗は０３７５オーム／平方
であった。次にブラックを１０分間１８０℃で５ ｔｐ
ｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。冷却
後、表向抵抗は０．２３オーム／平方として測定された
。ざらなる実験において、Ｐｄをコーティングトノだプ
レフォームをＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タ
ロ−アミンの溶液でスプレーして、約２．５：ｌのＰｄ
：アミンの重量比を与えた後、圧縮成形した。冷却後、
０．２５オーム／平方の表面抵抗が測定された。この実
施例は、パラジウムが展開剤を必要としないポリマー表
面へ適用された場合に高い伝導率を有するということ及
び本発明の展開剤を使用しても金属層の伝導率は全く増
加しないということを示す。
ＩＰＳプレフォームをジクロルメタン中のパラジウム粉
末（メッツメタラージカル社（）ｌｅｔＺＨｅｔａｌｌ
ｕｒｇｉｃａｌ Ｃｏｒｐ、）から、粒子サイズ６μ乳
のグレード＃１Ｃ）のサスペンションでスプレーして約
０．３５ｇの型口増加を与えた。５分間２０℃で乾燥し
て溶媒を蒸発させた後、パラジウムを（溶媒膨潤によっ
て）プラスチックへ接着させたが、容易にこすり落すこ
とができた。金属層の表面抵抗は０３７５オーム／平方
であった。次にブラックを１０分間１８０℃で５ ｔｐ
ｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧縮成形した。冷却
後、表向抵抗は０．２３オーム／平方として測定された
。ざらなる実験において、Ｐｄをコーティングトノだプ
レフォームをＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タ
ロ−アミンの溶液でスプレーして、約２．５：ｌのＰｄ
：アミンの重量比を与えた後、圧縮成形した。冷却後、
０．２５オーム／平方の表面抵抗が測定された。この実
施例は、パラジウムが展開剤を必要としないポリマー表
面へ適用された場合に高い伝導率を有するということ及
び本発明の展開剤を使用しても金属層の伝導率は全く増
加しないということを示す。
Ｅ、Ｄと同様な実験を銀粉末及び金粉末で行った。両方
の場合において、圧縮成形の前及び展開剤（例えばＮ、
Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン）の存在
において圧縮成形した後、トＩ Ｉ ＰＳにスプレーし
たメタリックコーティングは伝導性であった。
の場合において、圧縮成形の前及び展開剤（例えばＮ、
Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン）の存在
において圧縮成形した後、トＩ Ｉ ＰＳにスプレーし
たメタリックコーティングは伝導性であった。
Ｆ、（比較）２％Ｎ、Ｎ〜ビス（２−ヒドロキシエチル
）］コアミンを含む厚さ０．０フインチ（１，８ｍｍ）
のトＩＩＰｓプレフォームをジクロルメタン中のノフル
ミニウム粉末（アルカン社からのグレード５１００又は
７１００）のナスペンションでスプレーした。乾燥後、
そのサンプルを９分２２５℃で５ ｔｐｓｉ （６９Ｍ
Ｐａ）の圧力の下で圧縮成形した。冷却後、いずれのグ
レードのアルミニウム粉末も測定可能な伝導率を有する
層を与えなかった（すなわち１０７Ａ−ム／平方より大
ぎい）。
）］コアミンを含む厚さ０．０フインチ（１，８ｍｍ）
のトＩＩＰｓプレフォームをジクロルメタン中のノフル
ミニウム粉末（アルカン社からのグレード５１００又は
７１００）のナスペンションでスプレーした。乾燥後、
そのサンプルを９分２２５℃で５ ｔｐｓｉ （６９Ｍ
Ｐａ）の圧力の下で圧縮成形した。冷却後、いずれのグ
レードのアルミニウム粉末も測定可能な伝導率を有する
層を与えなかった（すなわち１０７Ａ−ム／平方より大
ぎい）。
Ｇ、（比較）厚さ０．０３インチ（０，’７６Ｍ ＞の
トＩＩＰｓプレフォームを使用して、種々な金属層）末
をプレフォームにスプレーし、そして１５分間２００
’ＣＣ５０ｔｌ）Ｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧
縮成形した。いくつかの同様な実験を行った。それらの
実験では、金属コーティングをＮ、Ｎ−ビス（２−ヒド
ロキシエチル）タロ−アミンでスプレーした復、成形し
た。各々の場合において成形後の表面抵抗が４プローブ
法によって評価された。クロム、マンガン、亜鉛、鉄、
コバルト、モリブデン、レニウム、スズ、又はビスマス
から形成された金属コーティングはアミン展開剤の存在
において伝導率の増加を示さなかったということが分っ
た。
トＩＩＰｓプレフォームを使用して、種々な金属層）末
をプレフォームにスプレーし、そして１５分間２００
’ＣＣ５０ｔｌ）Ｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力の下で圧
縮成形した。いくつかの同様な実験を行った。それらの
実験では、金属コーティングをＮ、Ｎ−ビス（２−ヒド
ロキシエチル）タロ−アミンでスプレーした復、成形し
た。各々の場合において成形後の表面抵抗が４プローブ
法によって評価された。クロム、マンガン、亜鉛、鉄、
コバルト、モリブデン、レニウム、スズ、又はビスマス
から形成された金属コーティングはアミン展開剤の存在
において伝導率の増加を示さなかったということが分っ
た。
ト１．１−ＩＩＰｓプレフォームをジクロルメタン中に
懸濁した種々な割合の銅粉末（アルカン４００）及びニ
ッケル粉末（アルカン７５６）でスプレーし、次に金属
コーディングをＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミン溶液でスプレーした。得られたサンプルを
１２．５分間２００℃で５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ
）の圧力の下で圧縮成形した。冷却後、よく密着した金
属層の伝導率を測定した。金属層をＸ線螢光分光によっ
ても調べて、１ｑられた実際のＣｕ：Ｎｉ比を測定した
。
懸濁した種々な割合の銅粉末（アルカン４００）及びニ
ッケル粉末（アルカン７５６）でスプレーし、次に金属
コーディングをＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミン溶液でスプレーした。得られたサンプルを
１２．５分間２００℃で５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ
）の圧力の下で圧縮成形した。冷却後、よく密着した金
属層の伝導率を測定した。金属層をＸ線螢光分光によっ
ても調べて、１ｑられた実際のＣｕ：Ｎｉ比を測定した
。
スプレー Ｘ線分析 表面抵抗サスペンシ
ョン による （オーム／−申−−９−−此エ
Ｃｕ：Ｎｉ 平 方）７５ ： ２５
８０： ２０ ０．２３５０：５０
４４：５６ ０．５５２５ ： ７５
３０ ： ７０ ７−１０１．８と同様
な実験を種々な比の銅及び亜ｉ（）の粉末を使用して行
った。
ョン による （オーム／−申−−９−−此エ
Ｃｕ：Ｎｉ 平 方）７５ ： ２５
８０： ２０ ０．２３５０：５０
４４：５６ ０．５５２５ ： ７５
３０ ： ７０ ７−１０１．８と同様
な実験を種々な比の銅及び亜ｉ（）の粉末を使用して行
った。
スプレー Ｘ線分析 表面抵抗サスペンシ
ョン による （オーム／中の比 Ｃｕ：Ｚｎ
平方し ８５：１５ ９７：３ ０
．１６０：４０ ７３：２７
１２．７５０：５０ ５２：４８
３２．３２７ ： ７５ ２０
： ８０Ｊ、Ｈ及び■と同様な方法で、種々な比の銅粉
末及びアルミニウム粉末をスプレーサスペンションにお
いて使用した。成形サイクルは１２．５分間２１５℃で
５ ｔｐｓｉ ＜ ６９ｈｐａ＞の圧力下であった。
ョン による （オーム／中の比 Ｃｕ：Ｚｎ
平方し ８５：１５ ９７：３ ０
．１６０：４０ ７３：２７
１２．７５０：５０ ５２：４８
３２．３２７ ： ７５ ２０
： ８０Ｊ、Ｈ及び■と同様な方法で、種々な比の銅粉
末及びアルミニウム粉末をスプレーサスペンションにお
いて使用した。成形サイクルは１２．５分間２１５℃で
５ ｔｐｓｉ ＜ ６９ｈｐａ＞の圧力下であった。
スプレー Ｘ線分析 表面抵抗サスペンシ
ョン による （オーム／中の比 Ｃｕ：Ａ、ｆ
ｆ 平方） ８０：２０ ８７：１３ ０．２１６０ ： ４０
６０ ： ４０ １００−１０にコーティング中
のアルミニウムの存在は装飾の目的のために使用するこ
とができる魅力的な銀色を生じた。
ョン による （オーム／中の比 Ｃｕ：Ａ、ｆ
ｆ 平方） ８０：２０ ８７：１３ ０．２１６０ ： ４０
６０ ： ４０ １００−１０にコーティング中
のアルミニウムの存在は装飾の目的のために使用するこ
とができる魅力的な銀色を生じた。
Ｋ、実施例９の方法を使用して、種々な比の銅及びスズ
をＨＩＰＳへ施与した。
をＨＩＰＳへ施与した。
スプレー Ｘ線分析 表面抵抗リスペンシ
ョン による （オーム／中の比 Ｑｕ：３ｎ
平方） ８５ ： １５ ８４ ： １６ １３９７０：３
０ ７８：２２ ３．４ ６０ ： ４０ ７６ ： ２４ ２０−５にり、
サンプルをＪと同様にして作ったー。但し、スプレーサ
スペンション中に銅：スズ粉末の７０：３０重量比を用
い、圧縮成形は１８０℃で１２．５分間５ｔ ｐｓ ｉ
（６９ｔ（Ｐａ ）の圧力（すなわちスズの融点より
実質的に低い温度で）で行った。得られたサンプルは３
．６オーム／平方の表面抵抗を表わした。
ョン による （オーム／中の比 Ｑｕ：３ｎ
平方） ８５ ： １５ ８４ ： １６ １３９７０：３
０ ７８：２２ ３．４ ６０ ： ４０ ７６ ： ２４ ２０−５にり、
サンプルをＪと同様にして作ったー。但し、スプレーサ
スペンション中に銅：スズ粉末の７０：３０重量比を用
い、圧縮成形は１８０℃で１２．５分間５ｔ ｐｓ ｉ
（６９ｔ（Ｐａ ）の圧力（すなわちスズの融点より
実質的に低い温度で）で行った。得られたサンプルは３
．６オーム／平方の表面抵抗を表わした。
上の結果は、本発明の方法が銅又はニッケルの高伝導層
の形成に適用できるということを示している。これらの
金属層は金、銀、及びパラジウムのような貴金属から作
られたものと同様に伝導性である。また、このデータは
、本発明の展開剤によって伝導性にされない金属（例え
ばＳｎ、Ｚｎ、及びＡρ）の相当の蟻を銅粉末と混合し
て、良い乃至高い伝導性のコーティングを得ることがで
きるということを示している。
の形成に適用できるということを示している。これらの
金属層は金、銀、及びパラジウムのような貴金属から作
られたものと同様に伝導性である。また、このデータは
、本発明の展開剤によって伝導性にされない金属（例え
ばＳｎ、Ｚｎ、及びＡρ）の相当の蟻を銅粉末と混合し
て、良い乃至高い伝導性のコーティングを得ることがで
きるということを示している。
実施例 ９
以下の実施例は、ある一定の条件を満たせば、圧力が存
在しなくても本発明に係る展開剤を使用して高伝導性コ
ーティングを達成することができることを示すものであ
る。
在しなくても本発明に係る展開剤を使用して高伝導性コ
ーティングを達成することができることを示すものであ
る。
△、縁をマスキングテープで保護した４インチ×３イン
チＸ Ｏ，０３インチ（１０２ｘ７６ｘ Ｑ、７６ Ｍ
）のＨＩＰＳプリフォームに銅粉末のジクロルメタン／
アセトン懸濁液を噴霧し、溶媒蒸発後に０．３ｇの重量
増加を１ｑだ。次いで、その金属にＮ、Ｎ −ビス（２
−ヒドロキシエチル）ココアミンのジクロルメタン溶液
を噴霧して銅：アミン重量比を２．５：１とした。マス
キングテープを除去し、別のＨ■ＰＳプリフォームをそ
の金属被覆表面上に置いて四端全てに対して熱溶接を行
った。そのナンプルを１８５℃のオーブン中に４０分間
入れた。
チＸ Ｏ，０３インチ（１０２ｘ７６ｘ Ｑ、７６ Ｍ
）のＨＩＰＳプリフォームに銅粉末のジクロルメタン／
アセトン懸濁液を噴霧し、溶媒蒸発後に０．３ｇの重量
増加を１ｑだ。次いで、その金属にＮ、Ｎ −ビス（２
−ヒドロキシエチル）ココアミンのジクロルメタン溶液
を噴霧して銅：アミン重量比を２．５：１とした。マス
キングテープを除去し、別のＨ■ＰＳプリフォームをそ
の金属被覆表面上に置いて四端全てに対して熱溶接を行
った。そのナンプルを１８５℃のオーブン中に４０分間
入れた。
１５分後に観察すると、ＨＩＰＳの上片（金属被覆なし
）がふくれていた（内に含まれる展開剤のガス圧による
）。加熱終了後そのサンプルを冷却し、２片のＨＩＰＳ
を分離した。銅被覆表面は明らかに金属的で伝導性を有
するようになったが、圧力の欠除及び２片のトＩ Ｉ
ＰＳの重なりのために不規則だった。しかし、本実施例
は、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン
蒸気が、圧力の存在なしでポリマー表面上の銅粉末に伝
導性を与え得ることを例示する。
）がふくれていた（内に含まれる展開剤のガス圧による
）。加熱終了後そのサンプルを冷却し、２片のＨＩＰＳ
を分離した。銅被覆表面は明らかに金属的で伝導性を有
するようになったが、圧力の欠除及び２片のトＩ Ｉ
ＰＳの重なりのために不規則だった。しかし、本実施例
は、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン
蒸気が、圧力の存在なしでポリマー表面上の銅粉末に伝
導性を与え得ることを例示する。
Ｂ、ＨＩＰＳプリフォームに銅粉末のジクロルメタン懸
濁液を噴霧して乾燥し、２００℃、５ｔｐｓｉ（６９Ｍ
Ｐａ）で１０分間圧縮成形して、非伝導性だが十分接着
したオレンジ色の銅層を得た。このプリフォームの４イ
ンチ×３／４インチ（１０２ｘ １９ｍ ）の細片を、
７滴のｔ４．Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココア
ミンを含有するガラス管に入れた。
濁液を噴霧して乾燥し、２００℃、５ｔｐｓｉ（６９Ｍ
Ｐａ）で１０分間圧縮成形して、非伝導性だが十分接着
したオレンジ色の銅層を得た。このプリフォームの４イ
ンチ×３／４インチ（１０２ｘ １９ｍ ）の細片を、
７滴のｔ４．Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココア
ミンを含有するガラス管に入れた。
この管を排気して窒素で２回パージし、最終的に１ ｍ
ｍ１ｇ（３，４ｋＰａ）まで減圧した。次いでその管を
２００℃のオーブン中に２０分間入れた。オーブンから
取り出して冷却すると、銅コーテイングが高い伝導性を
帯び（１オーム／平方以下）、ピンク色になった。管中
に展開剤を入れない同様のブランク実験では、銅コーテ
イングの伝導率に変化は見られなかった。このように、
空気が不存在において、熱のみで本発明に係る展開剤は
十分効果的である。
ｍ１ｇ（３，４ｋＰａ）まで減圧した。次いでその管を
２００℃のオーブン中に２０分間入れた。オーブンから
取り出して冷却すると、銅コーテイングが高い伝導性を
帯び（１オーム／平方以下）、ピンク色になった。管中
に展開剤を入れない同様のブランク実験では、銅コーテ
イングの伝導率に変化は見られなかった。このように、
空気が不存在において、熱のみで本発明に係る展開剤は
十分効果的である。
Ｃ，Ｂと同様に行った実験において、アミンが銅層の低
伝導率から高伝導率への転換をもたらす最低のオーブン
温度が、１７５℃と２００℃の間であることがわかった
（オーブン中で３０分間）。
伝導率から高伝導率への転換をもたらす最低のオーブン
温度が、１７５℃と２００℃の間であることがわかった
（オーブン中で３０分間）。
Ｄ、Ｂと同様の実験においてアミンを７滴のビス−（β
−ヒドロキシエチル）ドデカンアミドに代え、そのサン
プルを２１５°Ｃで３０分間加熱した。
−ヒドロキシエチル）ドデカンアミドに代え、そのサン
プルを２１５°Ｃで３０分間加熱した。
冷却後、その銅コーテイングはかなり伝導性を帯び、光
沢を有していた。
沢を有していた。
Ｅ、Ｂと同様の実験において、アミンを７滴のトリブチ
ルホスファイトに代え、そのサンプルを２００℃で３０
分間加熱した。冷却後その銅コーテイングは色がオレン
ジからピンクに変化したが、まだ非伝導性だった。この
ように、本発明に係る展開剤の全てが真空中で等しく効
果的な展開剤であるとは限らない。
ルホスファイトに代え、そのサンプルを２００℃で３０
分間加熱した。冷却後その銅コーテイングは色がオレン
ジからピンクに変化したが、まだ非伝導性だった。この
ように、本発明に係る展開剤の全てが真空中で等しく効
果的な展開剤であるとは限らない。
Ｆ、十分接着しているが非伝導性の銅層を有する実施例
２で作ったＨＩＰＳプリフォームにサリチルヒドラゾン
のテトラヒドロフラン溶液を噴霧して管に入れ、その管
を順次、窒素によりパージし、排気し、密閉して２１５
℃のオーブン中で３０分間加熱した。冷却後、そのサン
プルはピンク色で光沢のある銅表面を有することがわか
り、１インチ（２５，４ｍ＞離れた２つのプローブ間の
伝導率は７１オームを示した。
２で作ったＨＩＰＳプリフォームにサリチルヒドラゾン
のテトラヒドロフラン溶液を噴霧して管に入れ、その管
を順次、窒素によりパージし、排気し、密閉して２１５
℃のオーブン中で３０分間加熱した。冷却後、そのサン
プルはピンク色で光沢のある銅表面を有することがわか
り、１インチ（２５，４ｍ＞離れた２つのプローブ間の
伝導率は７１オームを示した。
Ｇ、展開剤の不存在下、２００℃でアルミニウムパター
ンから銅の移送成形により形成された回路パターンを有
し、２個のプローブを用いた長さ３インチ（７６Ｍ）、
幅１／８インチ（３，２Ｍ）の銅トラックに対する抵抗
が６オームを示す厚さ０．０３インチ（０゜７６Ｍ）の
ポリエーテルイミド片を、６滴のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒ
ドロキシエチル）ココアミドを含有する真空管に入れ、
その管を２００℃のオーブン中に３０分間入れた。冷却
後、同距離に対して測定した同じトラックの抵抗は０．
１オーム／平方に減少し、銅の色はオレンジからピンク
に変化した。
ンから銅の移送成形により形成された回路パターンを有
し、２個のプローブを用いた長さ３インチ（７６Ｍ）、
幅１／８インチ（３，２Ｍ）の銅トラックに対する抵抗
が６オームを示す厚さ０．０３インチ（０゜７６Ｍ）の
ポリエーテルイミド片を、６滴のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒ
ドロキシエチル）ココアミドを含有する真空管に入れ、
その管を２００℃のオーブン中に３０分間入れた。冷却
後、同距離に対して測定した同じトラックの抵抗は０．
１オーム／平方に減少し、銅の色はオレンジからピンク
に変化した。
このデータは、本発明に係る多くの展開剤が成形圧の存
在しない真空中で作用し得ることを明らかに示しており
、従って、空気の不存在下で銅粉末コーティングを展開
剤にさらす工程を含む連続ｈロエにおいてそのコーティ
ングの伝導率を高めるために本発明に係る展開剤を用い
ることが可能である。本発明に係るほとんどの展開剤に
対して、成形中の圧力の機能は、（ａ）空気を排除する
こと、（ｂ）適温度の展開剤を金属粒子と密に接触して
含有させること、及び（Ｃ）（流動）ポリマーに対する
金属の接着性を促進することであるということが明らか
である。
在しない真空中で作用し得ることを明らかに示しており
、従って、空気の不存在下で銅粉末コーティングを展開
剤にさらす工程を含む連続ｈロエにおいてそのコーティ
ングの伝導率を高めるために本発明に係る展開剤を用い
ることが可能である。本発明に係るほとんどの展開剤に
対して、成形中の圧力の機能は、（ａ）空気を排除する
こと、（ｂ）適温度の展開剤を金属粒子と密に接触して
含有させること、及び（Ｃ）（流動）ポリマーに対する
金属の接着性を促進することであるということが明らか
である。
実施例 １０
以下の実施例は、本発明が種々の熱可塑性プラスチック
に対して適用できることを示すものである。
に対して適用できることを示すものである。
Ａ、３インチ×４インチｘ ０．０３インチ（ｔ０２ｘ
７６×Ｏ９７６ｍｍ）のプリフォームをＳＡＮポリマー
（Ｔｙｒｉ Ｉ （商標＞ １０００、ダウ社製）か
ら作った。
７６×Ｏ９７６ｍｍ）のプリフォームをＳＡＮポリマー
（Ｔｙｒｉ Ｉ （商標＞ １０００、ダウ社製）か
ら作った。
これに銅粉末のアセトン懸濁液を噴霧して溶媒を蒸発さ
せ、次いでその被覆ナンプルを１８０℃、５ｔｐｓｉ
（６９ＭＰａ）にて１０分間クロム銅の間で圧縮成形す
ると接着性は良好になったが、表面抵抗は１０６オーム
／平方より大きかった。同様の実験において、圧縮成形
に先立って銅被覆ＳＡＮにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）タロ−アミンのジクロルメタン溶液を噴霧し
た。圧縮成形して得られた金属表面はより光沢があり、
中位の伝導率（１０３オーム／平方）部分と混在して高
伝導率（１オーム／平方）部分を示した。成形温度のわ
ずかな上昇はたぶん有益であろう。
せ、次いでその被覆ナンプルを１８０℃、５ｔｐｓｉ
（６９ＭＰａ）にて１０分間クロム銅の間で圧縮成形す
ると接着性は良好になったが、表面抵抗は１０６オーム
／平方より大きかった。同様の実験において、圧縮成形
に先立って銅被覆ＳＡＮにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）タロ−アミンのジクロルメタン溶液を噴霧し
た。圧縮成形して得られた金属表面はより光沢があり、
中位の伝導率（１０３オーム／平方）部分と混在して高
伝導率（１オーム／平方）部分を示した。成形温度のわ
ずかな上昇はたぶん有益であろう。
Ｂ、ポリビニリデンジフルオライド（ＰＶＤＦ）（Ｋｙ
ｎａｒ （商標）４６０１Ｐｅｎｎｗａｌｔ社製）から
３インチ×５インチＸ０．０３インヂ（７６ｘ １２７
Ｘ Ｏ，７６ｍｍ ）のプリフォームを作った。プリ
フォームに銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧すると
、溶媒蒸発後に約０．３５９の銅が装填された。次いで
、このプリフォームを１８０℃、５ ｔｐｓｉ’（６９
ＭＰａ）にて１３分間圧縮成形を行った。冷却すると銅
はかなり良好に接着した層を形成し、表面抵抗は２００
キロオーム／平方だった。成形前に銅コーテイングにＮ
、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンのジ
クロルメタン溶液を噴霧してこの実験を繰り返したとこ
ろ、成形後の銅コーテイングの抵抗は０．３５オーム／
平方に減少し、その表面はピンク色になっているのがわ
かった。成形サイクル温度を２１５℃に上げると上部層
の接着性は改善され、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）タロ−アミンの存在下では、表面抵抗が０．００
２オーム／平方であることが認められた。このように、
本発明に係る展開剤を使用して、非常に高い誘電率を有
するポリマーであるＰＶＤＦ上に高伝導性の銅層を形成
ブることができる。
ｎａｒ （商標）４６０１Ｐｅｎｎｗａｌｔ社製）から
３インチ×５インチＸ０．０３インヂ（７６ｘ １２７
Ｘ Ｏ，７６ｍｍ ）のプリフォームを作った。プリ
フォームに銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧すると
、溶媒蒸発後に約０．３５９の銅が装填された。次いで
、このプリフォームを１８０℃、５ ｔｐｓｉ’（６９
ＭＰａ）にて１３分間圧縮成形を行った。冷却すると銅
はかなり良好に接着した層を形成し、表面抵抗は２００
キロオーム／平方だった。成形前に銅コーテイングにＮ
、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンのジ
クロルメタン溶液を噴霧してこの実験を繰り返したとこ
ろ、成形後の銅コーテイングの抵抗は０．３５オーム／
平方に減少し、その表面はピンク色になっているのがわ
かった。成形サイクル温度を２１５℃に上げると上部層
の接着性は改善され、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）タロ−アミンの存在下では、表面抵抗が０．００
２オーム／平方であることが認められた。このように、
本発明に係る展開剤を使用して、非常に高い誘電率を有
するポリマーであるＰＶＤＦ上に高伝導性の銅層を形成
ブることができる。
Ｃ，Ａと同様のプリフォームをポリメチルメタクリレー
ト樹脂（Ｐｌｅｘｉｇｌａｓｓ、ローム アンドハース
社製）から作った。銅粉末のスプレーアップは、銅被覆
の十分な付着を得るために噴霧溶媒としてテトラヒドロ
フランの使用を必要とした。
ト樹脂（Ｐｌｅｘｉｇｌａｓｓ、ローム アンドハース
社製）から作った。銅粉末のスプレーアップは、銅被覆
の十分な付着を得るために噴霧溶媒としてテトラヒドロ
フランの使用を必要とした。
その銅被覆プリフォームにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）タロ−アミンのジクロルメタン溶液を噴霧し
た。溶媒蒸発後、２２０℃、５ ｔｐｓｉ（６９ＭＰａ
）にて１０分間、そのプリフォームの圧縮成形を行った
。冷却するとその銅表面層はかなり伝導性を帯び（０，
００４オーム／平方）、ピンク色で、接着テープでは銅
をほとんど引き離すことができなかった。同様の実験で
Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンを
省くこと、成形後の銅層はオレンジ色であり、接着テー
プの使用によりその表面からかなりの量の銅を引き離す
ことができた。更に一連の実験で成形温度を１８０℃〜
１４０′Ｃにわたって変化させた。２００°Ｃ以下では
、ポリマーの塑性流動が不十分なために銅の接着性が悪
いことが認められたが、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシ
エチル）タロ−アミンを使用すると伝導率は幾らか向上
した（１０６〜１０３オーム／平方に減少した）。ちょ
うど２４０℃では、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）タロ−アミンの存在下で成形したサンプルは、その
展開剤なしで成形したサンプルよりも銅の接着性が良好
な銅層を形成し、またアミン処理したサンプルの表面抵
抗より低いことが認められた。
シエチル）タロ−アミンのジクロルメタン溶液を噴霧し
た。溶媒蒸発後、２２０℃、５ ｔｐｓｉ（６９ＭＰａ
）にて１０分間、そのプリフォームの圧縮成形を行った
。冷却するとその銅表面層はかなり伝導性を帯び（０，
００４オーム／平方）、ピンク色で、接着テープでは銅
をほとんど引き離すことができなかった。同様の実験で
Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンを
省くこと、成形後の銅層はオレンジ色であり、接着テー
プの使用によりその表面からかなりの量の銅を引き離す
ことができた。更に一連の実験で成形温度を１８０℃〜
１４０′Ｃにわたって変化させた。２００°Ｃ以下では
、ポリマーの塑性流動が不十分なために銅の接着性が悪
いことが認められたが、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシ
エチル）タロ−アミンを使用すると伝導率は幾らか向上
した（１０６〜１０３オーム／平方に減少した）。ちょ
うど２４０℃では、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）タロ−アミンの存在下で成形したサンプルは、その
展開剤なしで成形したサンプルよりも銅の接着性が良好
な銅層を形成し、またアミン処理したサンプルの表面抵
抗より低いことが認められた。
Ｄ、上記と同様のプリフォームを３１０℃でポリフェニ
レンスルフィド（Ｒｙｔｏｎ （商標）ＲＩＯ−７００
６Ａ 、フィリップス社製）ペレットから成形した。こ
のポリマーは、高温の、本質的に難燃性の材料である。
レンスルフィド（Ｒｙｔｏｎ （商標）ＲＩＯ−７００
６Ａ 、フィリップス社製）ペレットから成形した。こ
のポリマーは、高温の、本質的に難燃性の材料である。
圧縮成形中は、金型表面への接着を避けるために、ＰＰ
Ｓベレットもそれから得られるプリフォーム（以下、こ
れを使用）も共に０．００５インチ（０，１３＃）厚ざ
のＰＴＦＥポリマーシー［・の間に置く必要があった。
Ｓベレットもそれから得られるプリフォーム（以下、こ
れを使用）も共に０．００５インチ（０，１３＃）厚ざ
のＰＴＦＥポリマーシー［・の間に置く必要があった。
プリフォームに銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧す
ると銅の重量（ま０．３ｇとなり、次いで、２８０℃、
５ ｔｐｓｉ（６９ＭＰａ）にて１２分間成形を行った
。冷却後に観察すると、樹脂流動が生じ、表面抵抗が１
０３〜１０６オーム／平方の良好に接着した銅層が形成
されていた。成形前にその銅被覆リンプルにＮ、Ｎ−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの溶液を噴霧
して銅：展開剤比を２：１〜３：１とし、この実験を繰
り返すと、ポリマー流動がわずかに高く、良好に接着し
、より光沢があり、表面抵抗が０、００２オーム／平方
の銅層が得られた。２７０℃及び２６０℃ではＰＰＳの
流動はほとんど生じず、金属コーティングは一緒に圧縮
された。そのような圧縮の伝導率は展開剤の不存在下で
２〜３オーム／平方になり得るが接着性が不十分でおり
、そのような温度で展開剤を使用すると表面抵抗は更に
減少する（０．０２オーム／平方まで減少する）。この
データは、有意なポリマー流動をもたらすための十分高
い温度で本発明の方法を実施することが重要であること
を再度例示するものでおり、このことは、圧縮金属粉末
よりむしろ良好に接着した銅層を達成するためには必須
である。
ると銅の重量（ま０．３ｇとなり、次いで、２８０℃、
５ ｔｐｓｉ（６９ＭＰａ）にて１２分間成形を行った
。冷却後に観察すると、樹脂流動が生じ、表面抵抗が１
０３〜１０６オーム／平方の良好に接着した銅層が形成
されていた。成形前にその銅被覆リンプルにＮ、Ｎ−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンの溶液を噴霧
して銅：展開剤比を２：１〜３：１とし、この実験を繰
り返すと、ポリマー流動がわずかに高く、良好に接着し
、より光沢があり、表面抵抗が０、００２オーム／平方
の銅層が得られた。２７０℃及び２６０℃ではＰＰＳの
流動はほとんど生じず、金属コーティングは一緒に圧縮
された。そのような圧縮の伝導率は展開剤の不存在下で
２〜３オーム／平方になり得るが接着性が不十分でおり
、そのような温度で展開剤を使用すると表面抵抗は更に
減少する（０．０２オーム／平方まで減少する）。この
データは、有意なポリマー流動をもたらすための十分高
い温度で本発明の方法を実施することが重要であること
を再度例示するものでおり、このことは、圧縮金属粉末
よりむしろ良好に接着した銅層を達成するためには必須
である。
Ｅ、変性ポリフェニレンオキサイドポリマー（Ｎｏｒｙ
ｌ （商標）Ｎ２２５、ジェネラルエレクトリック社製
）から４インチ×３インチｘ Ｏ，０３インヂ（１０２
ｘ ７６Ｘ Ｏ，７６ＩＭＩ）のブリフΔ−ムを作った
。ジクロルメタンに懸濁した銅粉末をそのプリフォーム
に噴霧して溶媒蒸発後に０．２ｇの装填物を得、１７５
〜１８０℃、５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）にて１０分
間そのプリフォームを圧縮成形した。その結果、ポリマ
ー流動による良好に接着した銅層が得られた。表面伝導
率は１０６オーム／平方より大きかった。
ｌ （商標）Ｎ２２５、ジェネラルエレクトリック社製
）から４インチ×３インチｘ Ｏ，０３インヂ（１０２
ｘ ７６Ｘ Ｏ，７６ＩＭＩ）のブリフΔ−ムを作った
。ジクロルメタンに懸濁した銅粉末をそのプリフォーム
に噴霧して溶媒蒸発後に０．２ｇの装填物を得、１７５
〜１８０℃、５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）にて１０分
間そのプリフォームを圧縮成形した。その結果、ポリマ
ー流動による良好に接着した銅層が得られた。表面伝導
率は１０６オーム／平方より大きかった。
次いで、銅：展開剤比が２．５：１となるようにリンプ
ルの半分にＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ
−アミンのジクロルメタン溶液を噴霧し、それから１８
０℃で１０分間再成形した。冷Ｆ！Ｉ後、その銅コーテ
イングの抵抗は１オーム／平方より小さいことがわかっ
た。
ルの半分にＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ
−アミンのジクロルメタン溶液を噴霧し、それから１８
０℃で１０分間再成形した。冷Ｆ！Ｉ後、その銅コーテ
イングの抵抗は１オーム／平方より小さいことがわかっ
た。
Ｆ、ガラス繊維強化剤を含む変性ポリフェニレンオキシ
イド（Ｎｏｒｙｌ （商標＞ＮＦＮ−２＞の４インチ×
４インチｘ ０．０３インチ（１０２ｘ １０２ｘＯ，
７６＃ ）プリフォームに、ジクロルメタンに懸濁した
銅粉末を噴霧して、０．３ｇの金属装填を得、次いで、
銅：アミン重量比が２：１となるようにＮ、Ｎ −ビス
（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミン溶液を噴霧した
。そのプリフォームを１８０℃、５ ｔｐｓｉ （６９
ＭＰａ）にて１０分間圧縮成形した。冷却すると光沢が
あり、良好に接着した銅層が認められ、表面抵抗は１オ
ーム／平方より小さかった。このように、ガラス繊維強
化剤の存在は、本発明に係る展開剤の作用を妨げるもの
ではない。
イド（Ｎｏｒｙｌ （商標＞ＮＦＮ−２＞の４インチ×
４インチｘ ０．０３インチ（１０２ｘ １０２ｘＯ，
７６＃ ）プリフォームに、ジクロルメタンに懸濁した
銅粉末を噴霧して、０．３ｇの金属装填を得、次いで、
銅：アミン重量比が２：１となるようにＮ、Ｎ −ビス
（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミン溶液を噴霧した
。そのプリフォームを１８０℃、５ ｔｐｓｉ （６９
ＭＰａ）にて１０分間圧縮成形した。冷却すると光沢が
あり、良好に接着した銅層が認められ、表面抵抗は１オ
ーム／平方より小さかった。このように、ガラス繊維強
化剤の存在は、本発明に係る展開剤の作用を妨げるもの
ではない。
Ｇ、Ｅに記載したポリマーを使用し、独立キャビティ金
型中で銅粉末とＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミン展開剤を用いて金属被覆を行つ゛た。用い
た成形サイクルは、１８０℃、５ｔｐｓｉ （６９ＭＰ
ａ）にて１０分間（金型が１８０℃に達してからの時間
）だった。１つの実験では、アミンをジクロルメタン：
アセトン＝６５：３５の溶液として銅被覆プリフォーム
に適用した。得られたコーティングは、５インチ×５イ
ンチｘ Ｏ，０８インチ（１２７ｘ１２７ Ｘ ２．０
＃）プリフォーム上に０．３〜０．４３ｇの銅装填を有
し、銅：展開剤比は１．３：１〜４．６：１であり、表
面抵抗はｏ、 ｏｉオーム／平方より小さかった。別の
実験では、２重量％のＮ、Ｎ −ビス（２−ヒドロキシ
エチル）ココアミンを配合したプリフォームを使用した
。同様の成形サイクルを用いると、高伝導性の銅層（０
，０１オーム／平方より小さい）が再度認められた。ポ
リマー中の展開剤と共に独立キャビティ金型を使用する
と良好な表面状態が得られることがわかった。本発明方
法によって１ｏｒｙ＋型ポリマー上に得られる光沢は非
常に良好であり、このようなコーティングは装飾的応用
に使用しくｑることを示唆するものでおる。
型中で銅粉末とＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミン展開剤を用いて金属被覆を行つ゛た。用い
た成形サイクルは、１８０℃、５ｔｐｓｉ （６９ＭＰ
ａ）にて１０分間（金型が１８０℃に達してからの時間
）だった。１つの実験では、アミンをジクロルメタン：
アセトン＝６５：３５の溶液として銅被覆プリフォーム
に適用した。得られたコーティングは、５インチ×５イ
ンチｘ Ｏ，０８インチ（１２７ｘ１２７ Ｘ ２．０
＃）プリフォーム上に０．３〜０．４３ｇの銅装填を有
し、銅：展開剤比は１．３：１〜４．６：１であり、表
面抵抗はｏ、 ｏｉオーム／平方より小さかった。別の
実験では、２重量％のＮ、Ｎ −ビス（２−ヒドロキシ
エチル）ココアミンを配合したプリフォームを使用した
。同様の成形サイクルを用いると、高伝導性の銅層（０
，０１オーム／平方より小さい）が再度認められた。ポ
リマー中の展開剤と共に独立キャビティ金型を使用する
と良好な表面状態が得られることがわかった。本発明方
法によって１ｏｒｙ＋型ポリマー上に得られる光沢は非
常に良好であり、このようなコーティングは装飾的応用
に使用しくｑることを示唆するものでおる。
Ｈ６単軸押出機を用いてポリカーボネートポリマー（Ｌ
ｅｘａｎ （Ｉ録商標）１４７．ジェネラルエレクトリ
ック社製）中にＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミンを混合することを試みた。得られた配合物
は、圧縮成形条件下で極めてもろいことがわかった。ポ
リカーボネートに対する銅コーテイング用噴霧展間剤と
してのＮ、Ｎ−ビス（２−ドロキシエチル）タロ−アミ
ン及び１４．Ｎ −ビス（２−ヒドロキシエチル）ココ
アミンを用いて同様に試みたところ、ちょうど１７５°
Ｃでポリマーの広範囲にわたってピットと劣化を生じた
。
ｅｘａｎ （Ｉ録商標）１４７．ジェネラルエレクトリ
ック社製）中にＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
タロ−アミンを混合することを試みた。得られた配合物
は、圧縮成形条件下で極めてもろいことがわかった。ポ
リカーボネートに対する銅コーテイング用噴霧展間剤と
してのＮ、Ｎ−ビス（２−ドロキシエチル）タロ−アミ
ン及び１４．Ｎ −ビス（２−ヒドロキシエチル）ココ
アミンを用いて同様に試みたところ、ちょうど１７５°
Ｃでポリマーの広範囲にわたってピットと劣化を生じた
。
独立キャビティ金型を用いて、ポリカーボネートプリフ
ォームに、ジクロルメタン：アセトン（６５；３５）に
懸濁した銅粉末（Ａｌｃａｎ ４００）を噴霧して約０
．４〜０．５ｇの銅装填（５インチ×５インチ（１２７
ｘ１２７ｍ）プリフォーム上）を得、次いで銅ニドリブ
デルホスファイト比が３．６：１〜３５：１になるよう
にトリブチルホスファイト溶液を噴霧し、そ（７） サ
ンプルを１７５〜１８０ ’Ｃ，５ｔｐｓｉ（６９ＭＰ
ａ）にて１０分間圧縮成形した。展開剤が無い場合、銅
層は１０３〜１０４オーム／平方の抵抗を示した。トリ
ブチルホスファイトが５：１より大ぎい比で存在する場
合、銅層は１オーム／平方より小さい抵抗を示し、ピッ
トのない良好な表面状態が達成でさた。このように、展
開剤としてアミンの代わりにトリブチルホスファイトを
用いても、本発明方法により効果的にポリマー流動−１
〜を金属被覆できる。
ォームに、ジクロルメタン：アセトン（６５；３５）に
懸濁した銅粉末（Ａｌｃａｎ ４００）を噴霧して約０
．４〜０．５ｇの銅装填（５インチ×５インチ（１２７
ｘ１２７ｍ）プリフォーム上）を得、次いで銅ニドリブ
デルホスファイト比が３．６：１〜３５：１になるよう
にトリブチルホスファイト溶液を噴霧し、そ（７） サ
ンプルを１７５〜１８０ ’Ｃ，５ｔｐｓｉ（６９ＭＰ
ａ）にて１０分間圧縮成形した。展開剤が無い場合、銅
層は１０３〜１０４オーム／平方の抵抗を示した。トリ
ブチルホスファイトが５：１より大ぎい比で存在する場
合、銅層は１オーム／平方より小さい抵抗を示し、ピッ
トのない良好な表面状態が達成でさた。このように、展
開剤としてアミンの代わりにトリブチルホスファイトを
用いても、本発明方法により効果的にポリマー流動−１
〜を金属被覆できる。
■、単軸押出機を用いてナイロン６ポリマー（ＺＶｔｅ
ｌ （、登録商標）２１７．デュポン社製）中にＮ、Ｎ
−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンを２重量
％混合した。これからプリフォームを作り、銅粉末を噴
霧し、２１５〜２２０’ｃ．５ｔｐｓｉ（６９ＭＰａ）
にて１２分間成形した。この結果、かなり伝導性を帯び
（０，１オーム／平方以下）、光沢のある銅コーテイン
グが得られた。しかし、そのコーティングの接着性は悪
く、ナイロン表面から銅をはがすことができた。銅粉末
を被覆する前にナイロン表面をＬＩＣＡ３８（ケンリッ
ヒ社から販売されたネオアルコキシチタネートカップリ
ングＡ！Ｊ ）で前処理し、続いて同様の成形サイクル
にかけると、接着性は良くなったがコーティングは不伝
導性だった。ナイロン６は、温度によって溶融粘度がか
なり急激に変化するため圧縮成形が困難であり、２１５
℃での銅コーテイングの接着性の欠除は、該温度での不
十分なポリマー流動に起因する。より多くの流動を生じ
せしめるような別の成形技術を用いれば、ナイロン６上
に金属−ポリマー接着のより良好な高伝導性鋼コーティ
ングが形成されることが期待できるだろう。
ｌ （、登録商標）２１７．デュポン社製）中にＮ、Ｎ
−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンを２重量
％混合した。これからプリフォームを作り、銅粉末を噴
霧し、２１５〜２２０’ｃ．５ｔｐｓｉ（６９ＭＰａ）
にて１２分間成形した。この結果、かなり伝導性を帯び
（０，１オーム／平方以下）、光沢のある銅コーテイン
グが得られた。しかし、そのコーティングの接着性は悪
く、ナイロン表面から銅をはがすことができた。銅粉末
を被覆する前にナイロン表面をＬＩＣＡ３８（ケンリッ
ヒ社から販売されたネオアルコキシチタネートカップリ
ングＡ！Ｊ ）で前処理し、続いて同様の成形サイクル
にかけると、接着性は良くなったがコーティングは不伝
導性だった。ナイロン６は、温度によって溶融粘度がか
なり急激に変化するため圧縮成形が困難であり、２１５
℃での銅コーテイングの接着性の欠除は、該温度での不
十分なポリマー流動に起因する。より多くの流動を生じ
せしめるような別の成形技術を用いれば、ナイロン６上
に金属−ポリマー接着のより良好な高伝導性鋼コーティ
ングが形成されることが期待できるだろう。
Ｊ、押出しによりポリブチレンテレフタレート（Ｖａｌ
ＯＸ （商標）３２５、ジェネラルエレクトリック社製
）及びポリエチレンテレフタレート（Ｒｙｎｉｔｅ５３
０、デュポン社製）中に２重量％のＮ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）ココアミンを混合すると、幾分分解
が生じ、またもろいプリフォームが得られた。にもかか
わらず、これらのプリフォーム上に銅粉末を噴霧するこ
とができ、また２３０〜２４０℃の温度範囲での圧縮成
形後、高伝導性の層を達成することができた。
ＯＸ （商標）３２５、ジェネラルエレクトリック社製
）及びポリエチレンテレフタレート（Ｒｙｎｉｔｅ５３
０、デュポン社製）中に２重量％のＮ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）ココアミンを混合すると、幾分分解
が生じ、またもろいプリフォームが得られた。にもかか
わらず、これらのプリフォーム上に銅粉末を噴霧するこ
とができ、また２３０〜２４０℃の温度範囲での圧縮成
形後、高伝導性の層を達成することができた。
更に、ＰＢＴポリマーを用いた実験を、圧縮成形前に銅
粉末コーティング上に噴霧される展開剤の使用に集中し
て行った。４インチ×４インチ×０、０３インチ（１０
２ｘ １０２ ｘ Ｏ，７６Ｉｎ！ｒ＆） Ｐ Ｂ Ｔ
プリフォームに対して０．３ｇの銅粉末装填及び銅：ア
ミン比が３：１のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル
）タロ−アミンを使用する場合、アミンを使用しなイテ
２２０℃、５ ｔｐｓ ｉ （６９ＭＰａ）にて１０分
間成形すると銅層は１０オーム／平方の抵抗を示したが
、アミンを使用し、２２０℃で更に１０分間再成形する
と１オーム／平方より小さな抵抗に変化した。しかし、
２２０℃では、成形中のポリマー流動不足により、ＰＢ
Ｔに対する銅の表面層の接着性が悪かった。成形温度を
２４０〜２５０℃に上げると、ポリマー樹脂は成形圧下
で流動し、ＰＢＴ表面に対して、接着良好な銅層が達成
できた。Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−
アミン処理をしないで銅の装填量を約３＃ｌ’ｊ／ａｉ
表面積にすると、２４０〜２５０°Ｃでの成形により得
られた接着良好な銅コーテイングは伝導率が低い（１０
４オーム／平方より大きい）ことがわかり、Ｎ、Ｎ−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンで処理し、２
５０°Ｃで１０分間再成形すれば、銅層は伝導性を帯び
（１オーム／平方より小さい）、接着良好になることが
わかった。ＰＢＴポリマーに対して更に行った実験では
、銅粉末の装＠量を過剰にするとく４〜５ ｍ’ｊ ／
ｃｍより多い）、展開剤が無くても粒子の単なる圧縮
により伝導性のある銅層が形成され得ることがわかった
（接着テープにより、銅の幾分かはそのようなコーティ
ングからはがれるだろう。）。
粉末コーティング上に噴霧される展開剤の使用に集中し
て行った。４インチ×４インチ×０、０３インチ（１０
２ｘ １０２ ｘ Ｏ，７６Ｉｎ！ｒ＆） Ｐ Ｂ Ｔ
プリフォームに対して０．３ｇの銅粉末装填及び銅：ア
ミン比が３：１のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル
）タロ−アミンを使用する場合、アミンを使用しなイテ
２２０℃、５ ｔｐｓ ｉ （６９ＭＰａ）にて１０分
間成形すると銅層は１０オーム／平方の抵抗を示したが
、アミンを使用し、２２０℃で更に１０分間再成形する
と１オーム／平方より小さな抵抗に変化した。しかし、
２２０℃では、成形中のポリマー流動不足により、ＰＢ
Ｔに対する銅の表面層の接着性が悪かった。成形温度を
２４０〜２５０℃に上げると、ポリマー樹脂は成形圧下
で流動し、ＰＢＴ表面に対して、接着良好な銅層が達成
できた。Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−
アミン処理をしないで銅の装填量を約３＃ｌ’ｊ／ａｉ
表面積にすると、２４０〜２５０°Ｃでの成形により得
られた接着良好な銅コーテイングは伝導率が低い（１０
４オーム／平方より大きい）ことがわかり、Ｎ、Ｎ−ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンで処理し、２
５０°Ｃで１０分間再成形すれば、銅層は伝導性を帯び
（１オーム／平方より小さい）、接着良好になることが
わかった。ＰＢＴポリマーに対して更に行った実験では
、銅粉末の装＠量を過剰にするとく４〜５ ｍ’ｊ ／
ｃｍより多い）、展開剤が無くても粒子の単なる圧縮
により伝導性のある銅層が形成され得ることがわかった
（接着テープにより、銅の幾分かはそのようなコーティ
ングからはがれるだろう。）。
ある実験で、０．３１ （ｊの銅を３インチ×４インチ
Ｘ０．０３インチ（１０２ｘ１０２ ｘ Ｏ，７６＃）
ＰＢＴプリフォーム上に噴霧し、これを２７０’Ｃ，
１ｔｐｓｉ（１４ＭＰａ）にて３分間成形してオレンジ
色で良好に接着した層を得た。１０６オーム／平方以上
の抵抗を有するこのサンプルから切り取った一片にＮ、
Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンのジク
ロルメタン溶液を噴霧して銅：アミン比を３：１とし、
次いで２００℃、５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）にて１
２分間再成形した。その表面抵抗は１オーム／平方より
小さい抵抗に減少し、表面はピンク色になった。この結
果は、本発明がポリマー接着に適する金属を（７るのに
必要とする温度と高伝導率を引き出ずのに必要とする温
度とは必ずしも同じでないことを示す。
Ｘ０．０３インチ（１０２ｘ１０２ ｘ Ｏ，７６＃）
ＰＢＴプリフォーム上に噴霧し、これを２７０’Ｃ，
１ｔｐｓｉ（１４ＭＰａ）にて３分間成形してオレンジ
色で良好に接着した層を得た。１０６オーム／平方以上
の抵抗を有するこのサンプルから切り取った一片にＮ、
Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンのジク
ロルメタン溶液を噴霧して銅：アミン比を３：１とし、
次いで２００℃、５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）にて１
２分間再成形した。その表面抵抗は１オーム／平方より
小さい抵抗に減少し、表面はピンク色になった。この結
果は、本発明がポリマー接着に適する金属を（７るのに
必要とする温度と高伝導率を引き出ずのに必要とする温
度とは必ずしも同じでないことを示す。
上記実験では、展開剤としてＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）タロ−アミンを使用したことによりＰＢＴ
基質が幾分軟化したことが認められた。更に行った実験
では、テトラヒドロフランに懸濁した銅粉末をＰＢＴプ
リフォームに噴霧して溶媒蒸発後に０．２５ ｇの装填
を１ワた。次いでその銅コーテイングにトリブチルホス
ファイト溶液を噴霧して溶媒蒸発後に０．０７５９の重
量増加を得た。それからそのプリフォームを２４０℃、
５ｔＤＳｉ（６９ＭＰａ）にて１２分間圧縮成形した。
キシエチル）タロ−アミンを使用したことによりＰＢＴ
基質が幾分軟化したことが認められた。更に行った実験
では、テトラヒドロフランに懸濁した銅粉末をＰＢＴプ
リフォームに噴霧して溶媒蒸発後に０．２５ ｇの装填
を１ワた。次いでその銅コーテイングにトリブチルホス
ファイト溶液を噴霧して溶媒蒸発後に０．０７５９の重
量増加を得た。それからそのプリフォームを２４０℃、
５ｔＤＳｉ（６９ＭＰａ）にて１２分間圧縮成形した。
冷却すると、そのＰＢＴは良好に接着したピンク色の銅
層を有し、表面抵抗は０．２オーム／平方だった。展開
剤としてトリブチルホスファイトを使用するとＰＢＨの
軟化は全く生じなかった。
層を有し、表面抵抗は０．２オーム／平方だった。展開
剤としてトリブチルホスファイトを使用するとＰＢＨの
軟化は全く生じなかった。
Ｋ、ポリエーテルスルホン（ＶｉＣｔｒｅＸ （商標）
４１００Ｐ、 Ｉ ＣＩ社製）を２４０℃で成形してプ
リフォームを作った。押出しによりＰＥＳ中にＮ、Ｎ−
ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンを混合する
と、不均一で幾分もろいサンプルが１ｑられた。
４１００Ｐ、 Ｉ ＣＩ社製）を２４０℃で成形してプ
リフォームを作った。押出しによりＰＥＳ中にＮ、Ｎ−
ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンを混合する
と、不均一で幾分もろいサンプルが１ｑられた。
４インチ×４インチｘ Ｏ，０３インチの一連のＰＥＳ
プリフォームに銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧す
ると、溶媒蒸発後に約０．２５ ｇの銅の重量増加がみ
られた。そのプリフォームを５ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ
）の圧力で１０分間、１５０℃と２５０’Ｃとの間の種
々の温度において圧縮成形した。冷却後、その銅層の伝
導率について４１０−ブ法（ｆｏｕｒ−ｐｒｏｂｅ ｍ
ｅｔｈｏｄ）により、また接着力について金属表面には
り付けたテープによって測定した。これに続いてそのｔ
７ンプルを半分に切り、その一方にＮ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）タロ−アミンのジクロルメタン溶液
を噴霧して銅：アミン比を約２：１〜４：１にし、次い
で更に１０分間成形した。冷却後、伝導率及び接着性を
再評価した。
プリフォームに銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧す
ると、溶媒蒸発後に約０．２５ ｇの銅の重量増加がみ
られた。そのプリフォームを５ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ
）の圧力で１０分間、１５０℃と２５０’Ｃとの間の種
々の温度において圧縮成形した。冷却後、その銅層の伝
導率について４１０−ブ法（ｆｏｕｒ−ｐｒｏｂｅ ｍ
ｅｔｈｏｄ）により、また接着力について金属表面には
り付けたテープによって測定した。これに続いてそのｔ
７ンプルを半分に切り、その一方にＮ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）タロ−アミンのジクロルメタン溶液
を噴霧して銅：アミン比を約２：１〜４：１にし、次い
で更に１０分間成形した。冷却後、伝導率及び接着性を
再評価した。
２２０℃以下では、銅層の接着性はＰＥＳが流動しない
ため一般に悪く、銅は容易にこすり取ることができた。
ため一般に悪く、銅は容易にこすり取ることができた。
２００〜２２０’Ｃでは、アミン処理により銅の接着性
が向上したことを示す何らかの事実があった。２２０℃
以上では、銅コーテイングの接着性は、ＰＥＳの良好な
流動によりかなり向上し、とりわけ展開剤の存在下で向
上した。２２０℃以下で成形したサンプルにアミンを使
用すると銅層の伝導率は増大したが（０，１オーム／平
方より小さい）、接着性は不十分だった。しかし、特に
興味深かったことは、２００℃以下の温度でＰＥＳポリ
マーに噴霧した銅粉末が展開剤の存在なしに高伝導率の
銅層を与えることが認められたことであった。
が向上したことを示す何らかの事実があった。２２０℃
以上では、銅コーテイングの接着性は、ＰＥＳの良好な
流動によりかなり向上し、とりわけ展開剤の存在下で向
上した。２２０℃以下で成形したサンプルにアミンを使
用すると銅層の伝導率は増大したが（０，１オーム／平
方より小さい）、接着性は不十分だった。しかし、特に
興味深かったことは、２００℃以下の温度でＰＥＳポリ
マーに噴霧した銅粉末が展開剤の存在なしに高伝導率の
銅層を与えることが認められたことであった。
このようにして２５０℃で１０分間、アミンを使用しな
いで成形した上記サンプルの１つは、表面抵抗が０．０
３オーム／平方で良好に接着した銅層を有し、同温度で
アミンを使用すると幾分くぼみを生じた。噴霧溶媒とし
てジクロルメタンの代わりにアセトンを用いて一連の実
験を行った。再び２２０’Ｃで、高伝導性の銅層が、展
開剤の存在なしで達成された。
いで成形した上記サンプルの１つは、表面抵抗が０．０
３オーム／平方で良好に接着した銅層を有し、同温度で
アミンを使用すると幾分くぼみを生じた。噴霧溶媒とし
てジクロルメタンの代わりにアセトンを用いて一連の実
験を行った。再び２２０’Ｃで、高伝導性の銅層が、展
開剤の存在なしで達成された。
Ｌ、キシレンとクロロホルム（９０：１０）との混合物
を使用して、ＰＥＳペレットをツクスレー装置で７日間
溶媒抽出にかけ、次いで圧縮してプリフォームにした。
を使用して、ＰＥＳペレットをツクスレー装置で７日間
溶媒抽出にかけ、次いで圧縮してプリフォームにした。
これらに銅粉末を噴霧し、いくつかはＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミンも噴霧して２２０℃
で圧縮成形した。アミンがあっても無くても銅層の伝導
率に違いは認められなかった（０．０１オーム／平方）
が、展開剤を使用するとＰ、ＥＳに対する銅の接着性が
高まった。これらの結果は、ＰＥＳに銅粉末を噴霧して
圧縮成形すると高伝導性の銅層が１ｑられる理由がたぶ
／ν重合触媒残留物や抗酸化剤含有リンの存在によるも
のではないことを示している。
−ヒドロキシエチル）タロ−アミンも噴霧して２２０℃
で圧縮成形した。アミンがあっても無くても銅層の伝導
率に違いは認められなかった（０．０１オーム／平方）
が、展開剤を使用するとＰ、ＥＳに対する銅の接着性が
高まった。これらの結果は、ＰＥＳに銅粉末を噴霧して
圧縮成形すると高伝導性の銅層が１ｑられる理由がたぶ
／ν重合触媒残留物や抗酸化剤含有リンの存在によるも
のではないことを示している。
Ｍ、ポリエーテルイミド（Ｕｌｔｅｍ （登録商標）ｉ
ｏｏｏ、ジェネラルエレクトリック社製）を２９０℃で
成形してプリフォームを作った。ＰＥＩにＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンなどの展開剤を
混入すると必ず脆性が生じた。
ｏｏｏ、ジェネラルエレクトリック社製）を２９０℃で
成形してプリフォームを作った。ＰＥＩにＮ、Ｎ−ビス
（２−ヒドロキシエチル）タロ−アミンなどの展開剤を
混入すると必ず脆性が生じた。
ＰＥＩプリフォームに銅粉末の懸濁液を噴霧し、５ ｔ
ｐｓｉ （６９ＨＩ’ａ）の圧力下、種々の温度で１０
分間圧縮成形した。層の伝導率を評価した後、半分のサ
ンプルにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−
アミン溶液を噴霧して１０分間再成形し、銅層の伝導率
を再評価した。２００℃以下の温度では、アミンを使用
すると抵抗が１０６オーム／平方から１オーム／平方よ
り小さい抵抗に減少したが、金属の接着性は、アミンが
あっても無くても共に悪かった。ＰＥＩの場合、２３０
〜２４０℃より低い温度では有意な樹脂流動が生じない
。従って、ＰＥＩに対して接着性の良好な銅コーテイン
グを達成するためには、２３０’Ｃ以上で圧縮成形を行
わなければならない。展開剤が悪いと、ＰＥＩ上に形成
される銅層はオレンジ色で、光沢に欠ける傾向がある。
ｐｓｉ （６９ＨＩ’ａ）の圧力下、種々の温度で１０
分間圧縮成形した。層の伝導率を評価した後、半分のサ
ンプルにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−
アミン溶液を噴霧して１０分間再成形し、銅層の伝導率
を再評価した。２００℃以下の温度では、アミンを使用
すると抵抗が１０６オーム／平方から１オーム／平方よ
り小さい抵抗に減少したが、金属の接着性は、アミンが
あっても無くても共に悪かった。ＰＥＩの場合、２３０
〜２４０℃より低い温度では有意な樹脂流動が生じない
。従って、ＰＥＩに対して接着性の良好な銅コーテイン
グを達成するためには、２３０’Ｃ以上で圧縮成形を行
わなければならない。展開剤が悪いと、ＰＥＩ上に形成
される銅層はオレンジ色で、光沢に欠ける傾向がある。
アミンを使用すると銅層の色も光沢も共に改善され、ま
た伝導率も向上させることができる（実施例４．２参照
）。
た伝導率も向上させることができる（実施例４．２参照
）。
Ｎ、ＰＥｉペレットを［と同様に溶媒抽出してプリフォ
ームに成形し、（銅粉末を噴霧して）Ｎ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミンが存在しない場合と
存在する場合の再評価を行った。溶媒抽出すると、ＰＥ
Ｉに銅粉末を噴霧して２２０′Ｃで成形した場合、展開
剤が無くても伝導性のある銅層が得られることが認めら
れた。２２０’Ｃ以上でアミンを使用すると銅層の接着
性が向上したことは注目に値づる。
ームに成形し、（銅粉末を噴霧して）Ｎ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミンが存在しない場合と
存在する場合の再評価を行った。溶媒抽出すると、ＰＥ
Ｉに銅粉末を噴霧して２２０′Ｃで成形した場合、展開
剤が無くても伝導性のある銅層が得られることが認めら
れた。２２０’Ｃ以上でアミンを使用すると銅層の接着
性が向上したことは注目に値づる。
０、ＰＥＩプリフォームにニッケル粉末（Ａｌｃａ０７
５６）のテトラヒドロフラン懸濁液を噴霧して乾燥した
。５ ｔｐｓ ｉ （６９ＭＰａ）の圧力下２３０℃で
１０分間圧縮成形した後冷却すると、そのプリフォーム
が多くの部分で高伝導率を示す灰色のニッケル層を有す
ることがわかった。成形前にＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）タロ−アミンをニッケル粉末被覆ブリフ４
−ム上に噴霧した他は同様にしてこの実験を繰り返した
。冷却後、そのプリフォームが、光沢のある接着性良好
な高伝導率のニッケル層を有することがわかった。同様
の実験を１８０’Ｃで行うと、ＰＥＩに対するニッケル
の接着性（よ不十分だった。これらの結果は、高伝導性
ニッケルコーティングの達成には必ずしも展開剤の使用
を必要としないことを示す。
５６）のテトラヒドロフラン懸濁液を噴霧して乾燥した
。５ ｔｐｓ ｉ （６９ＭＰａ）の圧力下２３０℃で
１０分間圧縮成形した後冷却すると、そのプリフォーム
が多くの部分で高伝導率を示す灰色のニッケル層を有す
ることがわかった。成形前にＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロ
キシエチル）タロ−アミンをニッケル粉末被覆ブリフ４
−ム上に噴霧した他は同様にしてこの実験を繰り返した
。冷却後、そのプリフォームが、光沢のある接着性良好
な高伝導率のニッケル層を有することがわかった。同様
の実験を１８０’Ｃで行うと、ＰＥＩに対するニッケル
の接着性（よ不十分だった。これらの結果は、高伝導性
ニッケルコーティングの達成には必ずしも展開剤の使用
を必要としないことを示す。
Ｐ、厚さ０．０３インチ（１０２ｘ７６ｘ Ｏ，７６Ｍ
＞の低密度ポリエチレン（ＤＦＤ４１４０、ユニオンカ
ーバイド社製）プリフォームを作った。ジクロルメタン
に懸濁した銅粉末をプリフォームに噴霧して、溶媒蒸発
後に０．２ｇの銅を得た。これを５ｔｐｓｉ（６９ＭＰ
ａ）の圧力下、１８０〜１８５°Ｃで１０分間圧縮した
。冷却すると金属層の表面抵抗は１０６オーム／平方以
上だった。成形前に同様のサンプルにＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミン溶液を噴霧すると、
金属層の表面抵抗は１９〜３５０オーム／平方であるこ
とがわかった。しかし、これらの実験では、適度のポリ
マー流動が生じでいたにもかかわらず、ＬＤＰＥに対す
る銅層の接着性が悪いことがわかった。これは、ＬＤＰ
Ｅ表面が極めて無極性の性質を有することによる。火炎
処理又はクロム酸処理などの通常の表面前処理をＬＤＰ
Ｅ表面に施せば、より良好な接着性を得ることが期待で
きるだろう。
＞の低密度ポリエチレン（ＤＦＤ４１４０、ユニオンカ
ーバイド社製）プリフォームを作った。ジクロルメタン
に懸濁した銅粉末をプリフォームに噴霧して、溶媒蒸発
後に０．２ｇの銅を得た。これを５ｔｐｓｉ（６９ＭＰ
ａ）の圧力下、１８０〜１８５°Ｃで１０分間圧縮した
。冷却すると金属層の表面抵抗は１０６オーム／平方以
上だった。成形前に同様のサンプルにＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミン溶液を噴霧すると、
金属層の表面抵抗は１９〜３５０オーム／平方であるこ
とがわかった。しかし、これらの実験では、適度のポリ
マー流動が生じでいたにもかかわらず、ＬＤＰＥに対す
る銅層の接着性が悪いことがわかった。これは、ＬＤＰ
Ｅ表面が極めて無極性の性質を有することによる。火炎
処理又はクロム酸処理などの通常の表面前処理をＬＤＰ
Ｅ表面に施せば、より良好な接着性を得ることが期待で
きるだろう。
別の実験では、１または２重量％のＮ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）タロ−アミンを混合したｌ ＤＰＥ
に銅粉末を噴霧した。圧縮成形後その表面に銅層の接着
を（７るのは困難であることがわかった。この問題は、
市販のポリマー用エツチング試薬であるＥｃｃｏｐｒｉ
ｍｅ ＰＰ （エマーンン アンド クミンゲス社製）
でＬＤＰＥプリフォームを処理覆ることにより解決でき
た。２３°Ｃで１時間浸漬した後ワイピング乾燥するこ
とによってこのエツチング試薬処理を行った後、１重量
％のＮ、Ｎ −ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−ア
ミンを含有するＬＤＰＥプリフォームに噴霧して銅被覆
ナンプルを得た。５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力
下、１８０°Ｃで１０分間の圧縮成形後、その金属層は
２０〜１３１オーム／平方の表面抵抗をイ１し、接着性
がより良好であることがわかった。
ヒドロキシエチル）タロ−アミンを混合したｌ ＤＰＥ
に銅粉末を噴霧した。圧縮成形後その表面に銅層の接着
を（７るのは困難であることがわかった。この問題は、
市販のポリマー用エツチング試薬であるＥｃｃｏｐｒｉ
ｍｅ ＰＰ （エマーンン アンド クミンゲス社製）
でＬＤＰＥプリフォームを処理覆ることにより解決でき
た。２３°Ｃで１時間浸漬した後ワイピング乾燥するこ
とによってこのエツチング試薬処理を行った後、１重量
％のＮ、Ｎ −ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−ア
ミンを含有するＬＤＰＥプリフォームに噴霧して銅被覆
ナンプルを得た。５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）の圧力
下、１８０°Ｃで１０分間の圧縮成形後、その金属層は
２０〜１３１オーム／平方の表面抵抗をイ１し、接着性
がより良好であることがわかった。
０、２０一ルミル上１５０℃で、１重量％のＰｅｒｋａ
ｄｏｘ １４／１４をエチレンプロピレンジエンモノマ
ー（ＥＰＤＭ）ポリマーに混合し、次いで１８０℃で６
分間圧縮成形して架橋軟質ポリマーを得た。
ｄｏｘ １４／１４をエチレンプロピレンジエンモノマ
ー（ＥＰＤＭ）ポリマーに混合し、次いで１８０℃で６
分間圧縮成形して架橋軟質ポリマーを得た。
そのシートからブラックを切り取り、銅粉末のジクロル
メタン、エタノール、アセトン又はトルエン懸濁液を噴
霧した。次いでその銅コーテイングにＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミン溶液を噴霧し、それ
から１８０’Ｃで８分間圧縮成形した。冷却後、その銅
コーテイングはＥＰＤＭ表面から容易に拭きとることが
できることがわかった。接着性が得られないのは、この
ポリマーが（その架橋性のために）流動できないことに
よる。
メタン、エタノール、アセトン又はトルエン懸濁液を噴
霧した。次いでその銅コーテイングにＮ、Ｎ−ビス（２
−ヒドロキシエチル）タロ−アミン溶液を噴霧し、それ
から１８０’Ｃで８分間圧縮成形した。冷却後、その銅
コーテイングはＥＰＤＭ表面から容易に拭きとることが
できることがわかった。接着性が得られないのは、この
ポリマーが（その架橋性のために）流動できないことに
よる。
実施例 １１
以下の実施例は、適切な改良によって、本発明に係る展
開剤が熱硬化性ポリマー化合物上の銅層の伝導率向上に
有用であることを示すものでおる。
開剤が熱硬化性ポリマー化合物上の銅層の伝導率向上に
有用であることを示すものでおる。
Ａ、市販のエポキシ樹脂（ＣＯＮＡＰ ＥＡＳＹＰＯＸ
Ｙ （商標）Ｋ−２０）の厚層をポリエーテルイミド
の支持シート（３／４Ｘ３インチ）上に広げ、そのサン
プルを５５℃のオーブン中に６〜７分入れた。６〜７分
後、そのサンプルをオーブンから取り出し、良好な被覆
が認められるまで銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧
した。その後その金属被覆゛リーンプルを５５℃のオー
ブン中に３０分間、次いで２００℃のオーブン中に３０
分間再回した。サンプルを取り出すと、エポキシ樹脂は
完全に硬化しており、銅は金色に変わって十分接着して
いたが、伝導性はほとんど示さなかった。（１０７オー
ム／平方より大きい）。そのサンプルを、５滴のＮ、Ｎ
−ビス（β−ヒドロキシエチル）ドデカンアミドを含む
ガラス管に入れ、その管を排気し、窒素で２回パージし
て、１ｍｍ１１ｇまで減圧した。次いでその管を２１５
°Ｃのオーブン中に４５分間入れた。サンプルを管から
取り出して冷却すると、銅層はピンク／オレンジ色で高
伝導性（２プローブオームメータを用い、距離１インチ
（２５，４Ｍ）に対して１０オームより小さい）になっ
ていた。
Ｙ （商標）Ｋ−２０）の厚層をポリエーテルイミド
の支持シート（３／４Ｘ３インチ）上に広げ、そのサン
プルを５５℃のオーブン中に６〜７分入れた。６〜７分
後、そのサンプルをオーブンから取り出し、良好な被覆
が認められるまで銅粉末のジクロルメタン懸濁液を噴霧
した。その後その金属被覆゛リーンプルを５５℃のオー
ブン中に３０分間、次いで２００℃のオーブン中に３０
分間再回した。サンプルを取り出すと、エポキシ樹脂は
完全に硬化しており、銅は金色に変わって十分接着して
いたが、伝導性はほとんど示さなかった。（１０７オー
ム／平方より大きい）。そのサンプルを、５滴のＮ、Ｎ
−ビス（β−ヒドロキシエチル）ドデカンアミドを含む
ガラス管に入れ、その管を排気し、窒素で２回パージし
て、１ｍｍ１１ｇまで減圧した。次いでその管を２１５
°Ｃのオーブン中に４５分間入れた。サンプルを管から
取り出して冷却すると、銅層はピンク／オレンジ色で高
伝導性（２プローブオームメータを用い、距離１インチ
（２５，４Ｍ）に対して１０オームより小さい）になっ
ていた。
Ｂ、アミドの代わりに７滴のＮ、Ｎ−ビス−（２−ヒド
ロキシエチル）ココアミンを真空管中に用いた他はＡと
同様の実験を行い、２００℃で１時間展開を行った。銅
表面は再びピンク色で高伝導性になった。アミドの代わ
りにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン
を用いると、エポキシ樹脂の表面が幾分軟化したように
見えた。
ロキシエチル）ココアミンを真空管中に用いた他はＡと
同様の実験を行い、２００℃で１時間展開を行った。銅
表面は再びピンク色で高伝導性になった。アミドの代わ
りにＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン
を用いると、エポキシ樹脂の表面が幾分軟化したように
見えた。
Ｃ０銅を噴霧する前にエポキシ樹脂を５５℃のオーブン
中に入れる時間を３分〜２０分の範囲で変化させてＡの
実験を繰り返した。銅の噴霧を３〜７分後に行うと、高
伝導性の銅層は一様には１ｑられないことがわかった。
中に入れる時間を３分〜２０分の範囲で変化させてＡの
実験を繰り返した。銅の噴霧を３〜７分後に行うと、高
伝導性の銅層は一様には１ｑられないことがわかった。
反対に、銅の噴霧を、５５℃で２０分間エポキシを硬化
させた後に行うと、接着性が十分な銅層を達成すること
はできなかった（ここで使用される特定のエポキシ樹脂
に対して）５５℃での最適硬化時間は１０分であること
がわかった。この場合、十分に接着した高伝導率の銅層
が確実に達成できた。
させた後に行うと、接着性が十分な銅層を達成すること
はできなかった（ここで使用される特定のエポキシ樹脂
に対して）５５℃での最適硬化時間は１０分であること
がわかった。この場合、十分に接着した高伝導率の銅層
が確実に達成できた。
Ｄ、銅被覆エポキシ樹脂のあと硬化サイクルの温度を１
４０℃〜１３０℃の範囲で変化させ、時間を３０分とし
た他は（Ｃ）と同様にサイクルを作った。
４０℃〜１３０℃の範囲で変化させ、時間を３０分とし
た他は（Ｃ）と同様にサイクルを作った。
全ての温度に対して、ピンク色で高伝導性の銅層が達成
された。
された。
Ｅ、噴霧用に用いる銅のジクロルメタン懸濁液に２％（
重量／体積）のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
ココアミンを含有させた他は（Ｃ）と同様にサンプルを
処理した。（Ｃ）よりも支持層のたわみ（バックリング
）が幾分少ない伝導性の銅層が達成された。別の実験で
銅のスプレーアップ中に少量のアミンを使用すると、追
加の展開剤を含まない真空管中でサンプルを加熱したと
き、銅層の色の変化や伝導率の向上が不十分であること
が示された。
重量／体積）のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
ココアミンを含有させた他は（Ｃ）と同様にサンプルを
処理した。（Ｃ）よりも支持層のたわみ（バックリング
）が幾分少ない伝導性の銅層が達成された。別の実験で
銅のスプレーアップ中に少量のアミンを使用すると、追
加の展開剤を含まない真空管中でサンプルを加熱したと
き、銅層の色の変化や伝導率の向上が不十分であること
が示された。
Ｆ、０．１％（重層）のナフテン酸コバルト及び０、０
２５％のジメチルアニリンを添加した市販の不飽和ポリ
エステル樹脂（ＯＣＦ −２７０１）５０ｇを市販の過
酸化物（Ｃａｄｏｘ ）１５０） ０．５ｇと混合し、
約４インチ×４インチ（１０２ｘ １０２ ａｍ ）の
金型に注入し、２３℃で１５分間硬化させた。１５分後
、その樹脂はゲル化したが、表面上の粘着性は幾らか保
持していた。銅粉をジクロルメタンの懸濁液としてその
ポリマーの表面上に噴霧した。次いでその被覆ポリマー
を２３℃で１時間硬化させると、十分接着したオレンジ
色の非伝導性表面層が得られた。このポリマー試料から
切り取ったサンプル細片を真空管中、２００℃で３０分
間Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン蒸
気にさらした。銅層は伝導性を帯びなかった。残りのコ
ーティングされた試料を２００℃のオーブン中に３０分
間置くことによって硬化させた。取り出すと、銅層は非
伝導性のままで、色は金色に変化していた。そのサンプ
ルを真空管中、２００℃で３０分間Ｎ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）ココアミン蒸気にさらすと、銅層は
ピンク色に変わり、伝導性になった（約１オーム／平方
）。
２５％のジメチルアニリンを添加した市販の不飽和ポリ
エステル樹脂（ＯＣＦ −２７０１）５０ｇを市販の過
酸化物（Ｃａｄｏｘ ）１５０） ０．５ｇと混合し、
約４インチ×４インチ（１０２ｘ １０２ ａｍ ）の
金型に注入し、２３℃で１５分間硬化させた。１５分後
、その樹脂はゲル化したが、表面上の粘着性は幾らか保
持していた。銅粉をジクロルメタンの懸濁液としてその
ポリマーの表面上に噴霧した。次いでその被覆ポリマー
を２３℃で１時間硬化させると、十分接着したオレンジ
色の非伝導性表面層が得られた。このポリマー試料から
切り取ったサンプル細片を真空管中、２００℃で３０分
間Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミン蒸
気にさらした。銅層は伝導性を帯びなかった。残りのコ
ーティングされた試料を２００℃のオーブン中に３０分
間置くことによって硬化させた。取り出すと、銅層は非
伝導性のままで、色は金色に変化していた。そのサンプ
ルを真空管中、２００℃で３０分間Ｎ、Ｎ−ビス（２−
ヒドロキシエチル）ココアミン蒸気にさらすと、銅層は
ピンク色に変わり、伝導性になった（約１オーム／平方
）。
上記データから、本発明に係る展開剤を使用すると、熱
硬化性ポリマーに塗布した銅粉末層の伝導率を高めるこ
とができるということがわかる。
硬化性ポリマーに塗布した銅粉末層の伝導率を高めるこ
とができるということがわかる。
熱硬化性プラスチックへの金属粉末の接着は、樹脂を半
硬化状態にし、粘着性の表面又は噴霧溶媒によってなお
膨潤しやすい表面を保持しながら粉末を噴霧することに
よって達成される（本発明方法による熱可塑性プラスチ
ックの金属被覆では、特定のポリマーが接着性を達成す
るための流動を示す温度以上で圧力をかける）。ある所
定の熱硬化性プラスチック配合物に対しては、金属粉末
を適用するための最適なポイント及び最適な後硬化サイ
クル／展開サイクルがあるだろうということが明らかで
ある。
硬化状態にし、粘着性の表面又は噴霧溶媒によってなお
膨潤しやすい表面を保持しながら粉末を噴霧することに
よって達成される（本発明方法による熱可塑性プラスチ
ックの金属被覆では、特定のポリマーが接着性を達成す
るための流動を示す温度以上で圧力をかける）。ある所
定の熱硬化性プラスチック配合物に対しては、金属粉末
を適用するための最適なポイント及び最適な後硬化サイ
クル／展開サイクルがあるだろうということが明らかで
ある。
実施例 １２
これらの実験では、本発明方法が、市販のハロゲン化難
燃剤を含むポリマーに対して実施できることを示す。
燃剤を含むポリマーに対して実施できることを示す。
Ａ、２％または４％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）ココアミン、１０．３％のデカブロモジフェニル
オキサイド及び３．４％の酸化アンチモンを含むよう配
合した変性ポリフェニレンオキサイドポリマーから０．
０３インチ（０，７６ｍ＞厚さのプリフォームを作った
。そのプリフォーム上に銅粉末をジクロルメタン懸濁液
として噴霧し、確実に溶媒を蒸発させるために乾燥した
後、そのプリフォームを５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）
の圧力下、２１５°Ｃで１２分間圧縮成形した。冷却後
、表面抵抗を４プローブ法（ｆｏｕｒ −ｐｒｏｂｅ
ｍｅｔｈｏｄ ）で測定した。アミンを２％存在させ、
銅：展開剤比を３：１にすると、表面抵抗は４４オーム
／平方であり、アミンの装填量を４％にすると、１オー
ム／平方以下に減少した。
チル）ココアミン、１０．３％のデカブロモジフェニル
オキサイド及び３．４％の酸化アンチモンを含むよう配
合した変性ポリフェニレンオキサイドポリマーから０．
０３インチ（０，７６ｍ＞厚さのプリフォームを作った
。そのプリフォーム上に銅粉末をジクロルメタン懸濁液
として噴霧し、確実に溶媒を蒸発させるために乾燥した
後、そのプリフォームを５ ｔｐｓｉ （６９ＭＰａ）
の圧力下、２１５°Ｃで１２分間圧縮成形した。冷却後
、表面抵抗を４プローブ法（ｆｏｕｒ −ｐｒｏｂｅ
ｍｅｔｈｏｄ ）で測定した。アミンを２％存在させ、
銅：展開剤比を３：１にすると、表面抵抗は４４オーム
／平方であり、アミンの装填量を４％にすると、１オー
ム／平方以下に減少した。
Ｂ、同様の方法で、３％の５ａｙｔｅｃｈ’Ｓ ＢＮ４
５１ブロム化難燃剤エチレンビス（ジブロモノルボルナ
ンジカルボキシイミド）、１％の三酸化アンチモン及び
２％又は４％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
ココアミンを含むポリプロピレンプレフｔ−ムを作った
。銅粉末のテトラヒドロフラン懸濁液を噴霧して銅：展
開剤め重量比を１．６：１〜３．１：１とした侵、その
サンプルを圧縮成形した。２％のアミンを含むサンプル
は、２２５℃で成形すると表面抵抗が３０オーム／平方
から上向きに変化することがわかった。４％のアミンを
含むサンプルは、２１５〜２２５℃で成形すると一般に
１オーム／平方以下の表面抵抗を有した。
５１ブロム化難燃剤エチレンビス（ジブロモノルボルナ
ンジカルボキシイミド）、１％の三酸化アンチモン及び
２％又は４％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）
ココアミンを含むポリプロピレンプレフｔ−ムを作った
。銅粉末のテトラヒドロフラン懸濁液を噴霧して銅：展
開剤め重量比を１．６：１〜３．１：１とした侵、その
サンプルを圧縮成形した。２％のアミンを含むサンプル
は、２２５℃で成形すると表面抵抗が３０オーム／平方
から上向きに変化することがわかった。４％のアミンを
含むサンプルは、２１５〜２２５℃で成形すると一般に
１オーム／平方以下の表面抵抗を有した。
Ｃ，Ａと同様の方法で０．５％のステアリン酸カルシウ
ム及び２％又は４％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）ココアミンと共に１０．３％のデカブロモジフェ
ニルオキサイド及び／又は３．４％の酸化アンチモンを
含む０．０３インチ（０，７６、）厚さのＩ−ＩＩＰｓ
プリフォームを作った。銅粉末のジクロルメタン懸濁液
を噴霧後、そのプリフォームを５ ｔｐｓｉ （６９Ｍ
Ｐａ）の圧力下、２１５℃で１２．５分間圧縮成形した
。以下のデータを測定した。
ム及び２％又は４％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）ココアミンと共に１０．３％のデカブロモジフェ
ニルオキサイド及び／又は３．４％の酸化アンチモンを
含む０．０３インチ（０，７６、）厚さのＩ−ＩＩＰｓ
プリフォームを作った。銅粉末のジクロルメタン懸濁液
を噴霧後、そのプリフォームを５ ｔｐｓｉ （６９Ｍ
Ｐａ）の圧力下、２１５℃で１２．５分間圧縮成形した
。以下のデータを測定した。
ＤＢＢＰＯＳ ｂ２０３ アミン 表面抵抗−３，４
２０，１以下 −３，４４０，１以下 １０．３ ３．４ ２ １４６〜１０６１０．３
３．４ ４ １０〜３０［）、
１０．３％のデカブロモジフェニルオキサイド、３．
４％の酸化アンチモン及び２％、４％、６％又は１０％
のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミンを
含むＡＢＳプリフォームを作った。銅粉末のジクロルメ
タン懸濁液を噴霧後、そのプリフォームを５ ｔｐｓｉ
（６９ＭＰａ）の圧力下、２３５°Ｃで１２．４分間圧
縮成形した。約０．３５９の銅重母と共に次のデータが
得られた。
２０，１以下 −３，４４０，１以下 １０．３ ３．４ ２ １４６〜１０６１０．３
３．４ ４ １０〜３０［）、
１０．３％のデカブロモジフェニルオキサイド、３．
４％の酸化アンチモン及び２％、４％、６％又は１０％
のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）ココアミンを
含むＡＢＳプリフォームを作った。銅粉末のジクロルメ
タン懸濁液を噴霧後、そのプリフォームを５ ｔｐｓｉ
（６９ＭＰａ）の圧力下、２３５°Ｃで１２．４分間圧
縮成形した。約０．３５９の銅重母と共に次のデータが
得られた。
アミン 表面抵抗
％ （オーム／平方）
４１．５
６０．６
そのデータは、金属被覆工程を市販の難燃剤の存在下に
行うと、伝導性のある銅層を効果的に得ることができる
が、展開剤装填量の増加及び／又は若干の成形温度の上
昇により有利になり得ることを示す。
行うと、伝導性のある銅層を効果的に得ることができる
が、展開剤装填量の増加及び／又は若干の成形温度の上
昇により有利になり得ることを示す。
実施例 １３
この実施例は、本発明方法を使用して得た伝導性金属表
面層が電磁干渉（ＥＭＩ）に対する遮蔽物として作用し
くｑることを示すものである。
面層が電磁干渉（ＥＭＩ）に対する遮蔽物として作用し
くｑることを示すものである。
Ａ、高衝撃性ポリスチレンを２０−ルミル上でＮ、Ｎ−
ビス（２〜ヒドロキシエチル）ココアミン（ポリスチレ
ン中の５０％濃縮物）と混合して２重量％のアミンを含
む組成を得、０．０１２インチ（０，３０ｍ ）厚さの
シートに圧縮した。これらのシートに銅粉末のジクロル
メタン懸濁液（１０％）を噴霧して銅：アミン重用比を
２：１〜４：１にした。次いでそのサンプルを２１５℃
で１２．５分間圧縮成形した。冷却後、プラスチックの
表面には、明るく、接着性の良好な０．０１オーム／平
方以下の表面伝導率を有する銅層が得られた。これらの
シートから、大きざが３インチ×６インチ（７６Ｘｔ５
２ｍ）のサンプルを切り取った。そのサンプルを、同じ
大きさのＨＩＰＳ片のどちらか一方の面または両面に付
けて３インチ×６インチ×１／８インヂ（７６ｘ１５２
ｘ ３．２Ｍ＞の試験片を得た。
ビス（２〜ヒドロキシエチル）ココアミン（ポリスチレ
ン中の５０％濃縮物）と混合して２重量％のアミンを含
む組成を得、０．０１２インチ（０，３０ｍ ）厚さの
シートに圧縮した。これらのシートに銅粉末のジクロル
メタン懸濁液（１０％）を噴霧して銅：アミン重用比を
２：１〜４：１にした。次いでそのサンプルを２１５℃
で１２．５分間圧縮成形した。冷却後、プラスチックの
表面には、明るく、接着性の良好な０．０１オーム／平
方以下の表面伝導率を有する銅層が得られた。これらの
シートから、大きざが３インチ×６インチ（７６Ｘｔ５
２ｍ）のサンプルを切り取った。そのサンプルを、同じ
大きさのＨＩＰＳ片のどちらか一方の面または両面に付
けて３インチ×６インチ×１／８インヂ（７６ｘ１５２
ｘ ３．２Ｍ＞の試験片を得た。
次いで、伝導性の層によってもたらされたＥＭＩ遮蔽度
を評価するために、シュアルチャンバー（ｄｕａｌ −
ｃｈａｍｂｅｒ） （場の近くで）法により、＾５Ｔ）
ＩＥＳ７−８３に従ってその試験片を測定した。標準と
して、１／８インチ（３，２１ｒｕｒＩ）厚さの固体の
棒状の銅を用いた。結果を次に示す。
を評価するために、シュアルチャンバー（ｄｕａｌ −
ｃｈａｍｂｅｒ） （場の近くで）法により、＾５Ｔ）
ＩＥＳ７−８３に従ってその試験片を測定した。標準と
して、１／８インチ（３，２１ｒｕｒＩ）厚さの固体の
棒状の銅を用いた。結果を次に示す。
ＥＭＩ減衰 （ｄＢ）
サンプル ３０Ｈｔｌｚ １００ＨＩｌｚ ３０
０）１ｔｌｚ １０００）ＩＨｚ１面ＣＬＩ
８１ ４２ ６９ ５３２而ＣＵ ８５
９４ ９７ ９８対 照 ８５
９８ １１０ ９７注： ４０ｄＢ＝
輻射の９９．９９％が通過しない８０ｄＢ＝輻射の９９
．９９９９９９％が通過しない本発明方法によって得ら
れる銅コーテイングは、ＥＭＩに対して非常に効果的な
遮蔽物として作用することがわかる。
０）１ｔｌｚ １０００）ＩＨｚ１面ＣＬＩ
８１ ４２ ６９ ５３２而ＣＵ ８５
９４ ９７ ９８対 照 ８５
９８ １１０ ９７注： ４０ｄＢ＝
輻射の９９．９９％が通過しない８０ｄＢ＝輻射の９９
．９９９９９９％が通過しない本発明方法によって得ら
れる銅コーテイングは、ＥＭＩに対して非常に効果的な
遮蔽物として作用することがわかる。
Ｂ、−面又は両面にニッケル層を有するＨＩＰＳのサン
プルを、Ａと同様の方法でニッケル粉末から作った。そ
の表面の抵抗は０．１〜１．５オーム／平方だった。
プルを、Ａと同様の方法でニッケル粉末から作った。そ
の表面の抵抗は０．１〜１．５オーム／平方だった。
ＥＭＩ測定は次のとおりだった。
ＥＭｒ減哀 （ｄＢ）
１Ｊンプル ３０ＭＨｚ １００ＭＨｚ ３００
８Ｈｚ １０００）ＩＨｚ１面Ｎｉ ４７
３１ ２２ １４２面Ｎｉ ３６ ２５
１７ １３本発明方法によって得たニッケル
コーティングもまた、ＥＭＩに対しである程度遮蔽する
ことがわかる。ニッケルコーティングによって与えられ
る遮蔽度は、銅コーテイングによるよりも小さい。
８Ｈｚ １０００）ＩＨｚ１面Ｎｉ ４７
３１ ２２ １４２面Ｎｉ ３６ ２５
１７ １３本発明方法によって得たニッケル
コーティングもまた、ＥＭＩに対しである程度遮蔽する
ことがわかる。ニッケルコーティングによって与えられ
る遮蔽度は、銅コーテイングによるよりも小さい。
実施例 １４
この実施例では、本発明方法を使って機能的圧力スイッ
チを作った。
チを作った。
１％のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）タロ−ア
ミンを含む１Ｍ厚さのポリプロピレンシートに銅粉末の
ジクロルメタン懸濁液を噴霧し、乾燥、圧縮成形して、
接着性が良好で間断がなく、表面抵抗が１オーム／平方
より小さいの銅コーテイングを得た。この金属被覆シー
トから５インチ×５インチ（１２７ｘ １２７ ｒｒａ
）の正方形のリンプルを２枚切り取った。次いで各サ
ンプルを処理して幅１／１６インチ（１，６ｍ）の銅コ
ーテイング細片を２片除去し、各リンプルを伝導性鋼を
有する約１１７２インチ×５インチ（３８ｘ１２７ｍ）
の３つの部分に分けた。次いで、３／４インチ×３／４
インチ（１９ｘ１９ｍ＞の正方形の“穴゛′が９個切り
取られた５インチ×５インチ×０．５インチ（１２７ｘ
１２７ｘ１．３ｍ＞のＨｙＩａｒ ＜商標）フィルム
片を一方の銅被覆ＰＰサンプル上に置いて、３つの伝導
性部分の各々に３個の穴がくるようにした。次いで、も
う一方の銅被覆サンプルを、その被覆面が）１ｙｌａｒ
と接触し、また、銅を除去しておいた２つの細片が最初
の銅被覆サンプル上にある同様に銅を除去した細片と直
角になるように）ｆｙｌａｒ上に置いた。）ｆｙｌａｒ
は絶縁体としての役目をし、２つの銅被覆サンプル間の
接触を防いだ。しかし、ＰＰは多少柔軟性／弾力性を有
するので、）１ｙ１ａｒの１つの“穴上にある一方のＰ
Ｐザンプルの上部を指で押すだけで一方の伝導性表面は
他方の伝導性表面と十分電気的に接触する（すなわち、
圧力に鋭敏なスイッチが形成される）。上記の配置によ
って３×３の接触マトリックスが作られ、適当な部分を
光、ブザー又はモータ及び電源と接続すれば、ポリプロ
ピレン上に指で触れることによりそのような装置を調節
することができる。
ミンを含む１Ｍ厚さのポリプロピレンシートに銅粉末の
ジクロルメタン懸濁液を噴霧し、乾燥、圧縮成形して、
接着性が良好で間断がなく、表面抵抗が１オーム／平方
より小さいの銅コーテイングを得た。この金属被覆シー
トから５インチ×５インチ（１２７ｘ １２７ ｒｒａ
）の正方形のリンプルを２枚切り取った。次いで各サ
ンプルを処理して幅１／１６インチ（１，６ｍ）の銅コ
ーテイング細片を２片除去し、各リンプルを伝導性鋼を
有する約１１７２インチ×５インチ（３８ｘ１２７ｍ）
の３つの部分に分けた。次いで、３／４インチ×３／４
インチ（１９ｘ１９ｍ＞の正方形の“穴゛′が９個切り
取られた５インチ×５インチ×０．５インチ（１２７ｘ
１２７ｘ１．３ｍ＞のＨｙＩａｒ ＜商標）フィルム
片を一方の銅被覆ＰＰサンプル上に置いて、３つの伝導
性部分の各々に３個の穴がくるようにした。次いで、も
う一方の銅被覆サンプルを、その被覆面が）１ｙｌａｒ
と接触し、また、銅を除去しておいた２つの細片が最初
の銅被覆サンプル上にある同様に銅を除去した細片と直
角になるように）ｆｙｌａｒ上に置いた。）ｆｙｌａｒ
は絶縁体としての役目をし、２つの銅被覆サンプル間の
接触を防いだ。しかし、ＰＰは多少柔軟性／弾力性を有
するので、）１ｙ１ａｒの１つの“穴上にある一方のＰ
Ｐザンプルの上部を指で押すだけで一方の伝導性表面は
他方の伝導性表面と十分電気的に接触する（すなわち、
圧力に鋭敏なスイッチが形成される）。上記の配置によ
って３×３の接触マトリックスが作られ、適当な部分を
光、ブザー又はモータ及び電源と接続すれば、ポリプロ
ピレン上に指で触れることによりそのような装置を調節
することができる。
実施例 １５
効率のよい滑拌器及び還流冷却器を備えた１０００ｄ容
フラスコに５００ｇのＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）タロ−アミン及び１００ｇの銅粉末（Ｐｏｕｄｍ
ｅｔ）を入れた。２１０〜２３０℃で６０分間攪拌を続
けた。この間に、最初オレンジ色だった銅粒子は鮮やか
なピンク色になった。フラスコの内容物を熱いうちに密
閉容器に入れて冷却した。冷えた時、固化したアミン／
金属粉末混合物を抽出し、イソプロパツールで洗浄して
アミンを除去した。
フラスコに５００ｇのＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）タロ−アミン及び１００ｇの銅粉末（Ｐｏｕｄｍ
ｅｔ）を入れた。２１０〜２３０℃で６０分間攪拌を続
けた。この間に、最初オレンジ色だった銅粒子は鮮やか
なピンク色になった。フラスコの内容物を熱いうちに密
閉容器に入れて冷却した。冷えた時、固化したアミン／
金属粉末混合物を抽出し、イソプロパツールで洗浄して
アミンを除去した。
銅粉末をろ過によって回収し、イソプロパツールによる
洗浄を洗液がアミンのないことを検証するまで続け、真
空下で１５分間、次いで５０℃のオーブン中で２０分間
乾燥した。乾燥した銅粉末は、必要なときまで密閉容器
中に保存した。
洗浄を洗液がアミンのないことを検証するまで続け、真
空下で１５分間、次いで５０℃のオーブン中で２０分間
乾燥した。乾燥した銅粉末は、必要なときまで密閉容器
中に保存した。
この銅粉末（１０ｇ）を直径５／８インチ（１５，９順
）の非伝導性管に入れて２本の金属棒により１ｃｍの長
さまで圧縮し、オームメータによって２本の棒の先端の
間の伝導率を算定すると、１．２オームの抵抗が測定さ
れた。本実施例に記載した前処理を行わなかった銅粉末
に対して同様に測定すると、抵抗は１０６オーム以上だ
った。このように、本発明に係る展開剤を用い、記載し
たような銅粉末の処理を行うと伝導率が向上した金属粉
末が１ｑられる。
）の非伝導性管に入れて２本の金属棒により１ｃｍの長
さまで圧縮し、オームメータによって２本の棒の先端の
間の伝導率を算定すると、１．２オームの抵抗が測定さ
れた。本実施例に記載した前処理を行わなかった銅粉末
に対して同様に測定すると、抵抗は１０６オーム以上だ
った。このように、本発明に係る展開剤を用い、記載し
たような銅粉末の処理を行うと伝導率が向上した金属粉
末が１ｑられる。
実施例 １６
実施例１５で作った銅粉末を用いてジクロルメタンの懸
濁液を作った。この懸濁液を３インチ×４インチｘ Ｏ
，０３インチ（７６ｘ１０２ ｘ Ｏ，７６ｍ）厚さの
高衝撃性ポリスチレンプリフォーム板上に噴霧した。５
５℃のオーブン中で乾燥すると、０．２５９の銅コーテ
イングがその板にゆるく接着していた。次いでその板を
５トン／平方（６９ＭＰａ）の圧力下、２００℃で１０
分間圧縮成形にかけた。この結果、十分に接着し、鮮や
かなピンク色で高伝導性（２オーム／平方より小さい）
の銅の表面層が得られた。
濁液を作った。この懸濁液を３インチ×４インチｘ Ｏ
，０３インチ（７６ｘ１０２ ｘ Ｏ，７６ｍ）厚さの
高衝撃性ポリスチレンプリフォーム板上に噴霧した。５
５℃のオーブン中で乾燥すると、０．２５９の銅コーテ
イングがその板にゆるく接着していた。次いでその板を
５トン／平方（６９ＭＰａ）の圧力下、２００℃で１０
分間圧縮成形にかけた。この結果、十分に接着し、鮮や
かなピンク色で高伝導性（２オーム／平方より小さい）
の銅の表面層が得られた。
この結果は、本発明に係る展開剤が、ポリマー基質にｍ
与する前の銅粉末の前処理に使用できることを示す。次
いで、そのような前処理された金属を使用すれば、成形
サイクル中に展開剤を更に追加使用しないで高伝導性表
面層又はポリマーを）ｑることができる。前処理中にア
ミンが金属粒子表面上の酸化層を化学的に還元すると考
えられる。
与する前の銅粉末の前処理に使用できることを示す。次
いで、そのような前処理された金属を使用すれば、成形
サイクル中に展開剤を更に追加使用しないで高伝導性表
面層又はポリマーを）ｑることができる。前処理中にア
ミンが金属粒子表面上の酸化層を化学的に還元すると考
えられる。
実施例 １７
市販のエポキシ樹脂（ＥＡＳＹＰＯＸＹ （商標） Ｋ
−２３０゜ｅｘ Ｃｏｎａｐ社製、樹脂：硬化剤＝ ７
０ ： ３０） ２０ｇを調製し、４インチ×３インチ
（１０２Ｘ ７６ｆＮｒ１）のポリエーテルイミド支持
体上にスクリーン印刷してエポキシ面積を３インチ×２
インチ（７６ｘ５１ｍ＞にした。そのサンプルを１００
℃のオーブン中に１５分間入れ、次いで別のエポキシ樹
脂層を最初のエポキシ層の上にスクリーン印刷した。そ
のサンプルを再び１００℃で１５分間加熱した。次いで
第３のエポキシ樹脂層を第２のエポキシ層の上にスクリ
ーン印刷した。次いでそのサンプルを５５°Ｃで２０分
間加熱してＢ段階にした。この結果、粘着性のある半硬
化した上部エポキシ層を得た。次いで、実施例１５で作
った前処理した銅粉末のジクロルメタン懸濁液をその半
硬化エポキシ上に噴霧した。
−２３０゜ｅｘ Ｃｏｎａｐ社製、樹脂：硬化剤＝ ７
０ ： ３０） ２０ｇを調製し、４インチ×３インチ
（１０２Ｘ ７６ｆＮｒ１）のポリエーテルイミド支持
体上にスクリーン印刷してエポキシ面積を３インチ×２
インチ（７６ｘ５１ｍ＞にした。そのサンプルを１００
℃のオーブン中に１５分間入れ、次いで別のエポキシ樹
脂層を最初のエポキシ層の上にスクリーン印刷した。そ
のサンプルを再び１００℃で１５分間加熱した。次いで
第３のエポキシ樹脂層を第２のエポキシ層の上にスクリ
ーン印刷した。次いでそのサンプルを５５°Ｃで２０分
間加熱してＢ段階にした。この結果、粘着性のある半硬
化した上部エポキシ層を得た。次いで、実施例１５で作
った前処理した銅粉末のジクロルメタン懸濁液をその半
硬化エポキシ上に噴霧した。
そのサンプルを室温にて５分装置ぎ、次いでそのエポキ
シ層を完全に硬化させるために１００℃で１５分間加熱
した。ゆるく接着した銅を除去すると、十分接着した銅
層を有し、表面抵抗率が１０オーム／平方のサンプルが
得られた。本実施例は、本発明に係る展開剤を用いて高
められた温度で前処理した銅粉末を使用すると、ポリマ
ーを高められた温度で展開剤にさらさなくても熱硬化性
樹脂上に伝導性表面層を得ることができることを示す。
シ層を完全に硬化させるために１００℃で１５分間加熱
した。ゆるく接着した銅を除去すると、十分接着した銅
層を有し、表面抵抗率が１０オーム／平方のサンプルが
得られた。本実施例は、本発明に係る展開剤を用いて高
められた温度で前処理した銅粉末を使用すると、ポリマ
ーを高められた温度で展開剤にさらさなくても熱硬化性
樹脂上に伝導性表面層を得ることができることを示す。
実施例 １８
エポキシのスクリーン印刷を基材上に（エポキシの）回
路パターン印刷を得るスクリーンを用いて行い、また、
前処理された銅をジクロルメタンよりむしろメタノール
に懸濁した他は実施例１７に記載した方法に従った。銅
を施与しそしてエポキシ層を完全に硬化した後、接着し
ていない銅は水を用いて基質から洗い流すことができた
。十分接着した伝導性回路トレースはこの方法によって
１ｑられた。
路パターン印刷を得るスクリーンを用いて行い、また、
前処理された銅をジクロルメタンよりむしろメタノール
に懸濁した他は実施例１７に記載した方法に従った。銅
を施与しそしてエポキシ層を完全に硬化した後、接着し
ていない銅は水を用いて基質から洗い流すことができた
。十分接着した伝導性回路トレースはこの方法によって
１ｑられた。
実施例 １９
パートＡ：ＡＢＳ樹脂の２５％アセトン溶液を調製して
、直径２インチ（５１１ｒｕｒ１）のアルミニウム皿に
入れた。サンプルの表面が粘着性を帯びるまで室温でア
セトンを蒸発させた。次いで、銅粉末（ｐｏｕｃｌｍｅ
ｔ）のジクロルメタン懸濁液を粘着性樹脂表面上に噴霧
した。そのサンプルを室温で６０分間放置し、次いで８
５℃で６０分間加熱した。そのサンプルをその皿から取
り出すと、かなり良好に接着しているが非伝導性の銅層
を有することがわかった。そのサンプルから切り取った
試料を２〜３滴のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル
）ラウルアミドを含むガラス管に入れ、その管を排気し
て密閉し、１８０℃のオーブン中で５０分間加熱した。
、直径２インチ（５１１ｒｕｒ１）のアルミニウム皿に
入れた。サンプルの表面が粘着性を帯びるまで室温でア
セトンを蒸発させた。次いで、銅粉末（ｐｏｕｃｌｍｅ
ｔ）のジクロルメタン懸濁液を粘着性樹脂表面上に噴霧
した。そのサンプルを室温で６０分間放置し、次いで８
５℃で６０分間加熱した。そのサンプルをその皿から取
り出すと、かなり良好に接着しているが非伝導性の銅層
を有することがわかった。そのサンプルから切り取った
試料を２〜３滴のＮ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル
）ラウルアミドを含むガラス管に入れ、その管を排気し
て密閉し、１８０℃のオーブン中で５０分間加熱した。
冷却後、その銅層は高伝導率（１オーム／平方）を有し
ていた。
ていた。
バートＢ：ポリエーテルイミドのジクロルメタン溶液を
調製した。これをアルミニウムの皿に入れ、溶媒を２０
℃で１０分間蒸発させた。前処理した銅粉末（実施例１
５で記載したように作る）のジクロルメタン懸濁液を粘
着性樹脂表面上に噴霧した。過剰の銅粉末をぬぐい取る
と、高伝導性の接着した銅層が、本発明に係る展開剤に
更にさらす必要もなくｉｐられた。
調製した。これをアルミニウムの皿に入れ、溶媒を２０
℃で１０分間蒸発させた。前処理した銅粉末（実施例１
５で記載したように作る）のジクロルメタン懸濁液を粘
着性樹脂表面上に噴霧した。過剰の銅粉末をぬぐい取る
と、高伝導性の接着した銅層が、本発明に係る展開剤に
更にさらす必要もなくｉｐられた。
本実施例は、銅粉末（前処理してもしなくてもよい）を
金属粒子の接着に十分な粘着性を有する“溶媒キャスト
″フィルムに使用することにより、伝導性銅層が熱可塑
性プラスチック上に得られることを示す。フィルムは、
当業者に公知の他の方法で“キャスト″シてもよい。
金属粒子の接着に十分な粘着性を有する“溶媒キャスト
″フィルムに使用することにより、伝導性銅層が熱可塑
性プラスチック上に得られることを示す。フィルムは、
当業者に公知の他の方法で“キャスト″シてもよい。
実施例 ２０
パートＡ：３インチ×４インチＸ １／１６インチ（７
６ｘ１０２ Ｘｌ、６ ｇ＞の射出成形したポリエーテ
ルイミドプリフｔ−ムをジクロルメタン中に１０分間、
深さ２インチ（３１１ｒＩＩｒ１）まで浸した。この結
果、ポリマー表面の膨潤及び軟化が生じた。次いで、銅
粉末（実施例１５と同様に前処理）のジクロルメタン懸
濁液をポリマー表面に噴霧した。サンプルを２０℃で３
時間乾燥させ、過剰の銅を除去した。
６ｘ１０２ Ｘｌ、６ ｇ＞の射出成形したポリエーテ
ルイミドプリフｔ−ムをジクロルメタン中に１０分間、
深さ２インチ（３１１ｒＩＩｒ１）まで浸した。この結
果、ポリマー表面の膨潤及び軟化が生じた。次いで、銅
粉末（実施例１５と同様に前処理）のジクロルメタン懸
濁液をポリマー表面に噴霧した。サンプルを２０℃で３
時間乾燥させ、過剰の銅を除去した。
そのサンプルは、十分接着したピンク色の銅層を有し、
表面の抵抗率は０．３５オーム／平方だった。
表面の抵抗率は０．３５オーム／平方だった。
パートＢ：パートＡの記載に従って調製したサンプルを
ポリエーテルイミドのジクロルメタン溶液中に数回浸し
、浸す毎に溶媒を蒸発させた。
ポリエーテルイミドのジクロルメタン溶液中に数回浸し
、浸す毎に溶媒を蒸発させた。
６回行った後、伝導性銅層にポリエーテルイミド層を被
覆した。次いで、この浸漬−被覆ポリマー層を粘着性を
帯びるまでジクロルメタン中に浸し、前処理した銅を噴
霧すると、溶媒蒸発後に第２の伝導性銅層が１ｑられた
。
覆した。次いで、この浸漬−被覆ポリマー層を粘着性を
帯びるまでジクロルメタン中に浸し、前処理した銅を噴
霧すると、溶媒蒸発後に第２の伝導性銅層が１ｑられた
。
Claims (21)
- １．基材に伝導性金属層を形成する方法において、ａ．
銅又はニッケル金属粒子の層を一時的に変形しうる基材
に析出させる析出工程； ｂ．ｉ）第三級アミン；ｉｉ）第三級リン（III）化合
物；又はｉｉｉ）（１）３価の窒素原子又は２価のイオ
ウ原子である第１の原子及び（２）窒素又は酸素原子で
ある少くとも１つの第２の原子を有する二官能価化合物
であって、該第１及び第２の原子が少くとも２つの他の
原子によって分離されかつ銅又はニッケルと配位錯体を
形成することができる化合物と金属粒子とを接触させる
接触工程；及び ｃ．金属粒子及び展開剤を、実質的に酸素の不存在にお
いて金属層の伝導率を改良するために十分な時間及び温
度で加熱する加熱工程 を含む方法。 - ２．前記析出工程が、流体沈澱防止剤を用いて基材に金
属粒子をスプレーすることを含む請求項第１項の方法。 - ３．前記金属粒子が約３０μｍより小さな数平均粒子サ
イズを有する請求項第１項の方法。 - ４．前記金属粒子がフレークの形である請求項第１項の
方法。 - ５．前記加熱工程を１５０〜４００℃で行う請求項第１
項の方法。 - ６．前記加熱工程が析出された金属粒子へ圧力をかける
ことによって行われる請求項第１項の方法。 - ７．前記圧力が５〜１００ＭＰａである請求項第６項の
方法。 - ８．前記接触工程が、析出された金属粒子に液状の展開
剤をスプレーすることを含む請求項第１項乃至第７項の
いずれか１項の方法。 - ９．前記接触工程が、展開剤を基材へ練り込むことを含
む請求項第１項乃至第７項のいずれか１項の方法。 - １０．前記接触工程が、金属粒子を展開剤の蒸気にさら
すことを含む請求項第１項乃至第７項のいずれか１項の
方法。 - １１．前記析出工程が、金属粒子をトランスファー表面
へ施与すること及びトランスファー表面を基材に対して
プレスすることを含む請求項第１項乃至第７項のいずれ
か１項の方法。 - １２．前記接触工程及び前記加熱工程を前記析出工程の
前に行う請求項第１項乃至第７項のいずれか１項の方法
。 - １３．前記展開剤が少くとも１つの８〜３０個の炭素原
子を含む第三級アミンである請求項第１項の方法。 - １４．前記第三級アミンがヒドロキシアルキル基をも含
む請求項第１３項の方法。 - １５．前記第三級アミンがＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）ココアミン又はＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）タロ−アミンである請求項第１４項の方法。 - １６．前記リン（III）化合物が第三級ホスフィン又は
第三級ホスフイツトである請求項第１項の方法。 - １７．前記二官能価化合物がアルカノールアミン又はジ
アミンである請求項第１項の方法。 - １８．前記二官能価化合物がジ（ヒドロキシアルキル）
第三級アミンである請求項第１項の方法。 - １９．前記ジ（ヒドロキシアルキル）第三級アミンがア
ルキル基の部分に５〜２０個の炭素原子を有するジ（２
−ヒドロキシエチル）アルキルアミンである請求項第１
８項の方法。 - ２０．請求項第１項乃至第１９項のいずれか１項の方法
によつて製造されたところのコーティングされた基材。 - ２１．ＥＭＩ源とシールドされるべきスペースとの間に
、請求項第１項乃至請求項第１９項のいずれか１項の方
法によって製造されたところのコーティングされた基材
を置くことを含むＥＭＩ源からスペースをシールドする
方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US6859387A | 1987-06-30 | 1987-06-30 | |
| US068,593 | 1987-06-30 | ||
| US204,068 | 1988-06-08 | ||
| US07/204,068 US4997674A (en) | 1987-06-30 | 1988-06-08 | Conductive metallization of substrates via developing agents |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01139773A true JPH01139773A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=26749134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164078A Pending JPH01139773A (ja) | 1987-06-30 | 1988-06-30 | 展開剤による基材の伝導性金属被覆 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4997674A (ja) |
| EP (1) | EP0297677B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01139773A (ja) |
| CA (1) | CA1308311C (ja) |
| DE (1) | DE3873197D1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252255A (en) * | 1988-06-08 | 1993-10-12 | Akzo America Inc. | Conductive metal-filled substrates via developing agents |
| US4961879A (en) * | 1988-06-08 | 1990-10-09 | Akzo America Inc. | Conductive metal-filled substrates via developing agents |
| US5175024A (en) * | 1989-10-03 | 1992-12-29 | Akzo N.V. | Processes for preparation of oxidation resistant metal powders |
| US5064469A (en) * | 1989-10-03 | 1991-11-12 | Akzo N.V. | Preparation of oxidation resistant metal powder |
| IL98660A (en) * | 1991-06-28 | 1996-10-16 | Orbotech Ltd | Method of printing an image on a substrate particularly useful for producing printed circuit boards |
| FR2682486B1 (fr) * | 1991-10-15 | 1993-11-12 | Commissariat A Energie Atomique | Miroir dielectrique interferentiel et procede de fabrication d'un tel miroir. |
| US5378508A (en) * | 1992-04-01 | 1995-01-03 | Akzo Nobel N.V. | Laser direct writing |
| US6230963B1 (en) * | 1997-01-28 | 2001-05-15 | Eric L. Hertz | Method and apparatus using colored foils for placing conductive preforms |
| DE19859735B4 (de) * | 1998-12-23 | 2006-04-27 | Erbslöh Ag | Verfahren zur partiellen oder vollständigen Beschichtung der Oberflächen von Bauteilen aus Aluminium und seinen Legierungen mit Lot, Fluß- und Bindemittel zur Hartverlötung |
| AT409612B (de) * | 1999-01-21 | 2002-09-25 | Boehler Bleche Gmbh | Plattenförmiges presswerkzeug und verfahren zu dessen herstellung |
| US6569517B1 (en) | 2000-11-17 | 2003-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Color tailorable pigmented optical bodies with surface metalization |
| US6588099B2 (en) * | 2001-01-22 | 2003-07-08 | Sankyo Kasei Kabushiki Kaisha | Process for manufacturing molded circuit board |
| US6591496B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Method for making embedded electrical traces |
| CN101237952B (zh) * | 2005-04-20 | 2012-08-15 | 法布罗技术有限公司 | 微粒铜粉的制备 |
| DE102006025121A1 (de) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Darstellung von Mikro- und Nanoporen-Massenanordnungen durch Selbstorganisation von Nanopartikeln und Sublimationstechnik |
| CN116120773A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-05-16 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司柳州局 | 防腐导电材料及其制备方法、接地网防腐导电胶泥 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3596842A (en) * | 1969-03-05 | 1971-08-03 | Superior Tea And Coffee Co | Machine for separating a granular substance from a container of paper or the like |
| US4232060A (en) * | 1979-01-22 | 1980-11-04 | Richardson Chemical Company | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby |
| US4064074A (en) * | 1975-07-08 | 1977-12-20 | Delphic Research Laboratories, Inc. | Methods for the manufacture and use of electrically conductive compositions and devices |
| US4382981A (en) * | 1979-07-26 | 1983-05-10 | Acheson Industries, Inc. | Method for shielding electronic equipment by coating with copper containing composition |
| US4305847A (en) * | 1979-07-26 | 1981-12-15 | Acheson Industries, Inc. | Copper coating composition for shielding electronic equipment and the like |
| GB2085340B (en) * | 1980-10-14 | 1985-03-27 | Standard Telephones Cables Ltd | Solderable paint |
| US4508640A (en) * | 1981-11-24 | 1985-04-02 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electromagnetic wave-shielding materials |
| FR2518126B1 (fr) * | 1981-12-14 | 1986-01-17 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de metallisation d'articles electriquement isolants en matiere plastique et les articles intermediaires et finis obtenus selon ce procede |
| US4499152A (en) * | 1982-08-09 | 1985-02-12 | General Electric Company | Metal-clad laminate construction |
| FR2554303B1 (fr) * | 1983-10-28 | 1986-04-18 | Rhone Poulenc Rech | Substrats metallisables pour circuits imprimes et leur procede de preparation |
| JPS60253207A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | 株式会社東芝 | コンデンサの製造方法 |
| DE3564636D1 (en) * | 1984-07-31 | 1988-09-29 | Mitsubishi Petrochemical Co | Copper-type conductive coating composition |
| JPS61111335A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Dainippon Toryo Co Ltd | プラスチツク成形方法 |
| US4663240A (en) * | 1984-11-06 | 1987-05-05 | Enthone, Incorporated | RFI shielded plastic articles and process for making same |
| US4614837A (en) * | 1985-04-03 | 1986-09-30 | Allied Corporation | Method for placing electrically conductive paths on a substrate |
| GB8511905D0 (en) * | 1985-05-10 | 1985-06-19 | Akzo Nv | Metallizing polymeric materials |
| FR2586133B1 (fr) * | 1985-08-06 | 1987-12-18 | Protavic | Compositions conductrices de l'electricite contenant du nickel |
| EP0221434B1 (en) * | 1985-11-04 | 1990-03-14 | General Electric Company | Improving conductivity of plastics containing metallic fillers |
| DE3782522T2 (de) * | 1986-03-31 | 1993-06-03 | Tatsuta Densen Kk | Leitfaehige kupferpastenzusammensetzung. |
| US4786570A (en) * | 1987-04-21 | 1988-11-22 | Xerox Corporation | Layered, flexible electrophotographic imaging member having hole blocking and adhesive layers |
-
1988
- 1988-06-08 US US07/204,068 patent/US4997674A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-06-29 CA CA000570694A patent/CA1308311C/en not_active Expired
- 1988-06-29 DE DE8888201342T patent/DE3873197D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-29 EP EP88201342A patent/EP0297677B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-06-30 JP JP63164078A patent/JPH01139773A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0297677A1 (en) | 1989-01-04 |
| US4997674A (en) | 1991-03-05 |
| CA1308311C (en) | 1992-10-06 |
| DE3873197D1 (de) | 1992-09-03 |
| EP0297677B1 (en) | 1992-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5437916A (en) | Flexible printed circuits | |
| US4795660A (en) | Metallized polymer compositions, processes for their preparation and their uses | |
| EP0297677B1 (en) | Conductive metallization of substrates via developing agents | |
| JP2643099B2 (ja) | 導電金属の基板への付着方法 | |
| JP4528634B2 (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| US8261438B2 (en) | Method for forming metal pattern, metal pattern and printed wiring board | |
| CN1242403A (zh) | 各向异性导电粘合剂、其制法和使用该粘合剂的电子装置 | |
| US20140065411A1 (en) | Uv curable catalyst compositions | |
| JP2009263707A (ja) | 表面金属膜材料の作製方法、表面金属膜材料、金属パターン材料の作製方法、及び金属パターン材料 | |
| JPS61252683A (ja) | 基板に導電路を配置、形成する方法 | |
| US6156385A (en) | Process for partial electroless plating | |
| US5059485A (en) | Conductive metallization of substances without developing agents | |
| JP4903528B2 (ja) | 金属膜付基板の作製方法、金属膜付基板、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料 | |
| JPS61210183A (ja) | 重合体表面に金属被覆を設ける方法 | |
| US5075037A (en) | Selective catalytic activation of polymeric films | |
| CA1298740C (en) | Conductive metallization of substrates without developing agents | |
| JP2006066180A (ja) | 導電膜の製造方法及び導電膜 | |
| US3676285A (en) | Laminates containing stannous compound in bonding resin | |
| JP2006237400A (ja) | 導電性パターンの形成方法 | |
| WO1998029579A1 (en) | Method of depositing a metallic film | |
| JPH04103771A (ja) | 求電子的な極性を有する材料の無電解めっき方法 | |
| JP5085043B2 (ja) | 導電膜の形成方法、及び導電パターン形成方法 | |
| JPS59100584A (ja) | 積層物質類の製造方法 | |
| KR100431248B1 (ko) | 도전성 폴리머 조성물을 이용한 부도체의 도금방법 | |
| JP2008274390A (ja) | 金属膜付基板の作製方法、金属膜付基板、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料 |