JPH0114039B2 - - Google Patents
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- JPH0114039B2 JPH0114039B2 JP56045174A JP4517481A JPH0114039B2 JP H0114039 B2 JPH0114039 B2 JP H0114039B2 JP 56045174 A JP56045174 A JP 56045174A JP 4517481 A JP4517481 A JP 4517481A JP H0114039 B2 JPH0114039 B2 JP H0114039B2
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- Japan
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- layer
- recording
- reflectance
- writing
- light
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/24—Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
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-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学式の反射型或いは透過型ビデオデ
イスク、デジタルオーデイオデイスク等に適用し
て好適な情報記録媒体に係わる。
イスク、デジタルオーデイオデイスク等に適用し
て好適な情報記録媒体に係わる。
光学式の反射型或いは透過型ビデオデイスク、
デジタルオーデイオタイマー等はすでに実用化さ
れるに至つているが、通常のこの種のデイスクに
おいては、一般ユーザーはそのデイスクに記録さ
れた情報を読み出すのみの使用態様をとつてい
る。
デジタルオーデイオタイマー等はすでに実用化さ
れるに至つているが、通常のこの種のデイスクに
おいては、一般ユーザーはそのデイスクに記録さ
れた情報を読み出すのみの使用態様をとつてい
る。
すなわち、一般ユーザーにおいて、その媒体、
例えばデイスクに任意の情報を書き込むことので
きる記録可能な情報記録媒体も種々提案されては
いるものの未だ実用化されるに至つていない。
例えばデイスクに任意の情報を書き込むことので
きる記録可能な情報記録媒体も種々提案されては
いるものの未だ実用化されるに至つていない。
従来提案されている記録可能な情報記録媒体と
しては、例えばその記録材料層として厚さの薄い
低融点金属膜例えばビスマスBi、テルルTeによ
つて構成し、これにレーザー光を情報信号に応じ
て照射してこれを溶融させ、その溶融部において
透孔すなわち記録ピツトを形成してその記録を行
うものがある。ところがこのように記録ピツトを
形成する記録態様をとるものにおいては、その書
き込みに大きなパワーを必要とし、また例えば溶
融によつて生じた記録ピツトの形状制御がしにく
いためノイズレベルが高くなり、また解像度が低
いすなわち高密度記録がなしにくいという欠点を
有する。
しては、例えばその記録材料層として厚さの薄い
低融点金属膜例えばビスマスBi、テルルTeによ
つて構成し、これにレーザー光を情報信号に応じ
て照射してこれを溶融させ、その溶融部において
透孔すなわち記録ピツトを形成してその記録を行
うものがある。ところがこのように記録ピツトを
形成する記録態様をとるものにおいては、その書
き込みに大きなパワーを必要とし、また例えば溶
融によつて生じた記録ピツトの形状制御がしにく
いためノイズレベルが高くなり、また解像度が低
いすなわち高密度記録がなしにくいという欠点を
有する。
本発明においては書き込みパワーの低減化をは
かり、また高密度記録を可能にした情報記録媒体
を提供するものである。
かり、また高密度記録を可能にした情報記録媒体
を提供するものである。
すなわち本発明においては、情報記録を溶融或
いは蒸着飛散等によつて記録ピツトとして形成す
るを回避し、情報記録を光学的特性例えば反射
率、透過率、屈折率等の変化として記録するよう
にして低い記録パワーでの記録を可能にし、更に
記録部の解像度を上げ高密度記録を可能にするも
のである。
いは蒸着飛散等によつて記録ピツトとして形成す
るを回避し、情報記録を光学的特性例えば反射
率、透過率、屈折率等の変化として記録するよう
にして低い記録パワーでの記録を可能にし、更に
記録部の解像度を上げ高密度記録を可能にするも
のである。
第１図を参照して本発明を詳細に説明しよう。
本発明による情報記録媒体は、基板、例えば光
透過性のガラス基板或いはアクリル樹脂等の樹脂
基板Ｓを設け、これの上に書き込み例えば半導体
レーザー光例えば8000Åの波長光に対してその光
吸収率が大なる第１の層１を被着し、これの上に
主として熱によつてその光学的特性例えば反射
率、透過率、屈折率等が変化し、後述するよう
に、この情報記録媒体の光学的特性に10％以上の
変化を与える第２の層２を被着して成る。
透過性のガラス基板或いはアクリル樹脂等の樹脂
基板Ｓを設け、これの上に書き込み例えば半導体
レーザー光例えば8000Åの波長光に対してその光
吸収率が大なる第１の層１を被着し、これの上に
主として熱によつてその光学的特性例えば反射
率、透過率、屈折率等が変化し、後述するよう
に、この情報記録媒体の光学的特性に10％以上の
変化を与える第２の層２を被着して成る。
第１の層１としては前述したように書き込み光
例えば半導体レーザー光の吸収率が高くその吸収
によつてその光を熱に変換する効果を有し、また
その熱伝導率が比較的低いことが望まれ、またそ
の第２の層２の光学的特性を変化させ得る熱例え
ば200℃において、この第１の層１が溶融ないし
は軟化などの望ましくない形状変化を伴うことは
ない、すなわち物理的、化学的変化が生じること
のない例えばビスマスBi、或いはテルルTe、或
いはこれらの合金等によつて形成し得る。この第
１の層１の厚さは、例えば50Å〜1500Åに選定さ
れる。
例えば半導体レーザー光の吸収率が高くその吸収
によつてその光を熱に変換する効果を有し、また
その熱伝導率が比較的低いことが望まれ、またそ
の第２の層２の光学的特性を変化させ得る熱例え
ば200℃において、この第１の層１が溶融ないし
は軟化などの望ましくない形状変化を伴うことは
ない、すなわち物理的、化学的変化が生じること
のない例えばビスマスBi、或いはテルルTe、或
いはこれらの合金等によつて形成し得る。この第
１の層１の厚さは、例えば50Å〜1500Åに選定さ
れる。
第２の層２は、上述した書き込み光に対しての
吸収率が高いことが要求されず、その透過率が大
であるもよいが、主として加熱によつて、或る場
合は、熱と共に光の照射によつて前述した光学的
特性が変化する材料例えばセレンSe、或いはSe
を含む合金例えばSeと共にTe、In、Sb、Cdの一
種またはこれらを含む化合物例えば前述した、
Se、TeSe2、Sb2Se3、InSe、In2Se3、CdTeSe3、
CdSe、Sb2TeSe5、As2Se3等を使用し得る。そし
てこの第２の層２の厚さは、例えばSeによつて
構成する場合その厚さを1600Å以下に選定し得
る。
吸収率が高いことが要求されず、その透過率が大
であるもよいが、主として加熱によつて、或る場
合は、熱と共に光の照射によつて前述した光学的
特性が変化する材料例えばセレンSe、或いはSe
を含む合金例えばSeと共にTe、In、Sb、Cdの一
種またはこれらを含む化合物例えば前述した、
Se、TeSe2、Sb2Se3、InSe、In2Se3、CdTeSe3、
CdSe、Sb2TeSe5、As2Se3等を使用し得る。そし
てこの第２の層２の厚さは、例えばSeによつて
構成する場合その厚さを1600Å以下に選定し得
る。
このような本発明による情報記録媒体に対して
その情報の書き込みを行うには、第２の層２を有
する側より、例えば出力10ｍＷの半導体レーザー
（波長8000Å）光をその記録パターンに応じて相
対的に走査する。このときレーザー光は、殆んど
第１の層２を透過して第１の層１に到達するが、
ここにおける吸収率が大であるためにここで光が
吸収されて熱に変換し、このレーザー光の照射部
において第１の層が温度上昇し、これが例えば
200℃に上昇し、この部分上の第２の層２を局部
的に加熱する。加熱された第２の層２は、その光
学的特性例えばその反射率が変化するのでレーザ
ー光が照射された部分とされない部分すなわち光
学的パターンが生じ、光学的情報記録がなされ
る。
その情報の書き込みを行うには、第２の層２を有
する側より、例えば出力10ｍＷの半導体レーザー
（波長8000Å）光をその記録パターンに応じて相
対的に走査する。このときレーザー光は、殆んど
第１の層２を透過して第１の層１に到達するが、
ここにおける吸収率が大であるためにここで光が
吸収されて熱に変換し、このレーザー光の照射部
において第１の層が温度上昇し、これが例えば
200℃に上昇し、この部分上の第２の層２を局部
的に加熱する。加熱された第２の層２は、その光
学的特性例えばその反射率が変化するのでレーザ
ー光が照射された部分とされない部分すなわち光
学的パターンが生じ、光学的情報記録がなされ
る。
このように光学的パターンが形成された情報記
録媒体に対する読み出しは、第２の層２における
反射率の差、透過率の差或いは屈折率の差による
情報を読み出すことによつて行うが、この読み出
しは、同様に半導体レーザーによる読み出しによ
つて行い得る。この場合読み出しのパワーは、書
き込み時のパワーに比し十分小さいパワー例えば
３ｍＷによつて行い得るものであり、またこの低
いパワーによる読み出しによれば、この読み出し
に際して再び書き込みがなされるようなことがな
い。
録媒体に対する読み出しは、第２の層２における
反射率の差、透過率の差或いは屈折率の差による
情報を読み出すことによつて行うが、この読み出
しは、同様に半導体レーザーによる読み出しによ
つて行い得る。この場合読み出しのパワーは、書
き込み時のパワーに比し十分小さいパワー例えば
３ｍＷによつて行い得るものであり、またこの低
いパワーによる読み出しによれば、この読み出し
に際して再び書き込みがなされるようなことがな
い。
尚、上述した第１の層においてその厚さを50Å
〜1500Åに選定することが望まれるのは50Å未満
では、一般の材料の場合単分子層となつて光吸収
が低下して光透過性が大となつてくることによ
り、また1500Å以上では、発熱が有効にこれに隣
接する第２の層に伝わらない部分が生じてきてパ
ワーの損失となるような現象が生じて来ることに
よる。
〜1500Åに選定することが望まれるのは50Å未満
では、一般の材料の場合単分子層となつて光吸収
が低下して光透過性が大となつてくることによ
り、また1500Å以上では、発熱が有効にこれに隣
接する第２の層に伝わらない部分が生じてきてパ
ワーの損失となるような現象が生じて来ることに
よる。
また、第２の層をセレンにおいて1600Å以下に
選定するのは、これがあまり厚いとこれに隣接す
る第１の層からの熱が十分に伝達されない部分が
生じてきて書き込みレーザーの照射によつても光
学的特性が変化しない厚み部分が生じこれがSN
比の低下を招来することによる。
選定するのは、これがあまり厚いとこれに隣接す
る第１の層からの熱が十分に伝達されない部分が
生じてきて書き込みレーザーの照射によつても光
学的特性が変化しない厚み部分が生じこれがSN
比の低下を招来することによる。
また上述した例においては、第１の層１上に第
２の層２を形成した場合であるが基板Ｓ上に第２
の層２を形成し、これの上に第１の層１を形成す
るようになすこともできる。また、光吸収を行い
熱に交換する第１の層１を、第２の層２の下層に
なす場合において、第１の層１からの熱が基板Ｓ
側に逃げて無効熱が生じるを回避するために、第
２図に示すように基板Ｓ上に熱伝導度の低い断熱
層例えばSe層３を被着しこれの上に第１の層１
を被着するようにすることもできる。
２の層２を形成した場合であるが基板Ｓ上に第２
の層２を形成し、これの上に第１の層１を形成す
るようになすこともできる。また、光吸収を行い
熱に交換する第１の層１を、第２の層２の下層に
なす場合において、第１の層１からの熱が基板Ｓ
側に逃げて無効熱が生じるを回避するために、第
２図に示すように基板Ｓ上に熱伝導度の低い断熱
層例えばSe層３を被着しこれの上に第１の層１
を被着するようにすることもできる。
第３図は、ガラス基板Ｓ上に400Åの厚さのTe
膜よりなる第１の層１を被着し、これの上にSe
よりなる第２の層２を被着した場合において、第
２の層２の膜厚を変化させた場合の、第１の層１
側から半導体レーザー光（波長8000Å）を照射し
た場合の、その反射率を測定した結果を示すもの
である。尚、第３図中１１は第２の層２の熱処理
前の反射率を示し、曲線１２は、第２の層２に
200℃の熱処理を行つた場合、すなわち半導体レ
ーザー光による書き込みを行つた後の反射率を測
定したものである。これにより200℃の熱処理、
すなわち書き込みによつてその反射率すなわち透
過率が変化しているのがわかる。この場合、Se
の膜厚すなわち第２の層２の膜厚により反射率が
変化しているのは、膜の干渉効果によるもので第
２の層２の膜厚、すなわちSeの膜厚が700Åの
時、いわゆる反射コーテイングの効果に近くなつ
ている。このように熱処理前と熱処理後すなわち
レーザーの書き込み前と書き込み後における光学
的特性、すなわち反射率の変化を利用し、例えば
第２の層２をセレン400Åの膜厚に選定するとき
は、第３図から明らかなように記録前の反射率35
％が記録後において15％に変化しているのでこれ
ら反射率の差によりその記録情報の読み出しを行
うことができることがわかる。
膜よりなる第１の層１を被着し、これの上にSe
よりなる第２の層２を被着した場合において、第
２の層２の膜厚を変化させた場合の、第１の層１
側から半導体レーザー光（波長8000Å）を照射し
た場合の、その反射率を測定した結果を示すもの
である。尚、第３図中１１は第２の層２の熱処理
前の反射率を示し、曲線１２は、第２の層２に
200℃の熱処理を行つた場合、すなわち半導体レ
ーザー光による書き込みを行つた後の反射率を測
定したものである。これにより200℃の熱処理、
すなわち書き込みによつてその反射率すなわち透
過率が変化しているのがわかる。この場合、Se
の膜厚すなわち第２の層２の膜厚により反射率が
変化しているのは、膜の干渉効果によるもので第
２の層２の膜厚、すなわちSeの膜厚が700Åの
時、いわゆる反射コーテイングの効果に近くなつ
ている。このように熱処理前と熱処理後すなわち
レーザーの書き込み前と書き込み後における光学
的特性、すなわち反射率の変化を利用し、例えば
第２の層２をセレン400Åの膜厚に選定するとき
は、第３図から明らかなように記録前の反射率35
％が記録後において15％に変化しているのでこれ
ら反射率の差によりその記録情報の読み出しを行
うことができることがわかる。
第４図は第２の層２としてTeSe2を用いた場合
のその情報記録前及び記録後の情報記録媒体の反
射率、すなわち熱処理前と熱処理後の反射率の測
定結果を示すもので、この例では第２図で説明し
た構造をとつて、ガラス基板Ｓ上に断熱層３とし
て400Åの厚さのSe膜を被着し、これの上に670
ÅのTe膜よりなる第１の層１を被着し、更にこ
れの上にTeSe2よりなる第２の層２を被着した構
造とした場合で、そのTeSe2膜２の厚さを変化し
て夫々の半導体レーザー光（8000Åの波長）に対
する反射率を測定した場合である。尚第４図にお
いて曲線２１は加熱前すなわち書き込み前、曲線
２２は200℃の熱処理後すなわち書き込み後の
夫々の反射率を測定したものであり、この場合例
えば600Åにおいて記録前と後において大きな反
射率の差が見られるので、第２の層２としてこの
厚さに選定するときは、その書き込み読み出しを
高感度をもつて行うことができる。
のその情報記録前及び記録後の情報記録媒体の反
射率、すなわち熱処理前と熱処理後の反射率の測
定結果を示すもので、この例では第２図で説明し
た構造をとつて、ガラス基板Ｓ上に断熱層３とし
て400Åの厚さのSe膜を被着し、これの上に670
ÅのTe膜よりなる第１の層１を被着し、更にこ
れの上にTeSe2よりなる第２の層２を被着した構
造とした場合で、そのTeSe2膜２の厚さを変化し
て夫々の半導体レーザー光（8000Åの波長）に対
する反射率を測定した場合である。尚第４図にお
いて曲線２１は加熱前すなわち書き込み前、曲線
２２は200℃の熱処理後すなわち書き込み後の
夫々の反射率を測定したものであり、この場合例
えば600Åにおいて記録前と後において大きな反
射率の差が見られるので、第２の層２としてこの
厚さに選定するときは、その書き込み読み出しを
高感度をもつて行うことができる。
尚、上述した本発明による情報記録媒体例えば
デイスクは、前述したように例えば出力10ｍＷの
半導体レーザーによる記録の場合、デイスクの回
転数を1800rpm程度でその記録を行うことができ
た。またその読み出しはその記録時のパワーより
十分低い例えば３ｍＷで行つて、再度の記録を生
じさせることなくその読み出しのみを行うことが
できた。
デイスクは、前述したように例えば出力10ｍＷの
半導体レーザーによる記録の場合、デイスクの回
転数を1800rpm程度でその記録を行うことができ
た。またその読み出しはその記録時のパワーより
十分低い例えば３ｍＷで行つて、再度の記録を生
じさせることなくその読み出しのみを行うことが
できた。
またこの情報記録媒体よりの光学的読み出しは
透過型或いは反射型のいずれの方式によつて行う
こともでき、記録後の媒体が記録前の媒体に比
し、その記録部において光学的特性の例えば透過
率（吸収率）が10％以上の変化が得られる第２の
層２の材料を選定することによつてSN比の高い
読み出しを行い得た。
透過型或いは反射型のいずれの方式によつて行う
こともでき、記録後の媒体が記録前の媒体に比
し、その記録部において光学的特性の例えば透過
率（吸収率）が10％以上の変化が得られる第２の
層２の材料を選定することによつてSN比の高い
読み出しを行い得た。
上述したように本発明による情報記録媒体によ
れば、主として書き込み光を吸収しこれを熱に変
換する第１の層１とこの熱によつて光学的特性が
変化する第２層２とによつて構成したことによ
り、この光学的特性を変化させる第２の層２とし
てはその光透過率の考慮が不要によつて材料の選
定の自由度が増し、またこの第２の層２を光透過
率の高いものによつて構成するにもかかわらず、
低いパワーでその記録を行うことができ、更にま
た、その情報の記録を透孔等の穿設によるピツト
として形成するものではなく、光学的な変化によ
る記録によつて行うものであるのでその記録パワ
ーをより小さくでき、更にこのような低パワー化
と、ピツトによらざること、つまり形状変化を伴
わないことが相俟つてより解像度の向上をはかる
ことができ、高密度記録が可能になるものであ
る。
れば、主として書き込み光を吸収しこれを熱に変
換する第１の層１とこの熱によつて光学的特性が
変化する第２層２とによつて構成したことによ
り、この光学的特性を変化させる第２の層２とし
てはその光透過率の考慮が不要によつて材料の選
定の自由度が増し、またこの第２の層２を光透過
率の高いものによつて構成するにもかかわらず、
低いパワーでその記録を行うことができ、更にま
た、その情報の記録を透孔等の穿設によるピツト
として形成するものではなく、光学的な変化によ
る記録によつて行うものであるのでその記録パワ
ーをより小さくでき、更にこのような低パワー化
と、ピツトによらざること、つまり形状変化を伴
わないことが相俟つてより解像度の向上をはかる
ことができ、高密度記録が可能になるものであ
る。
またこのような低パワーでの書き込みが可能に
なつたことによつて、一般ユーザーにおいてその
情報の書き込みが可能となり、またその書き込み
光と読み出し光とは同じ波長のレーザー光源すな
わち低パワーの半導体光源を用いることができ、
何等情報記録後において媒体に対しての現像処理
等の特別な処理を必要としないので書き込み後た
だちにそれを読み出すことができ、例えば書き込
みのモニターを行いつつその書き込みを行い得る
など実用に供して大きな利益を有する。
なつたことによつて、一般ユーザーにおいてその
情報の書き込みが可能となり、またその書き込み
光と読み出し光とは同じ波長のレーザー光源すな
わち低パワーの半導体光源を用いることができ、
何等情報記録後において媒体に対しての現像処理
等の特別な処理を必要としないので書き込み後た
だちにそれを読み出すことができ、例えば書き込
みのモニターを行いつつその書き込みを行い得る
など実用に供して大きな利益を有する。
第１図及び第２図は本発明による情報記録媒体
の各例の拡大断面図、第３図及び第４図はこれら
各例の反射率の測定曲線図である。 Ｓは基板、１及び２は第１及び第２の層であ
る。
の各例の拡大断面図、第３図及び第４図はこれら
各例の反射率の測定曲線図である。 Ｓは基板、１及び２は第１及び第２の層であ
る。
Claims (1)
- １ 基板上に第１及び第２の層が積層して設けら
れ、上記第１の層は書き込み光に対して光吸収性
を有する材料よりなり、上記第２の層は主として
上記第１の層の発熱により光学的特性が変化する
材料より構成されて書き込み光照射部と非光照射
部の上記光学的特性が10％以上変化する非形状変
化による情報記録を行う情報記録媒体。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56045174A JPS57159692A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Information recording medium |
| US06/361,384 US4460636A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-24 | Optical information record member |
| CA000399388A CA1180445A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-25 | Optical information record member |
| FR8205197A FR2502825B1 (fr) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Element d'enregistrement d'une information optique |
| GB8208955A GB2097142B (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Optical information record members |
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| NL8201298A NL8201298A (nl) | 1981-03-27 | 1982-03-29 | Drager voor optische registratie van informatie. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56045174A JPS57159692A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Information recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57159692A JPS57159692A (en) | 1982-10-01 |
| JPH0114039B2 true JPH0114039B2 (ja) | 1989-03-09 |
Family
ID=12711897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56045174A Granted JPS57159692A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Information recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57159692A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331108A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-24 | Hitachi Ltd | Information recording member |
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| JPS6027593B2 (ja) * | 1977-12-15 | 1985-06-29 | キヤノン株式会社 | ヒ−トモ−ド記録方法 |
-
1981
- 1981-03-27 JP JP56045174A patent/JPS57159692A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57159692A (en) | 1982-10-01 |
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