JPS6027593B2 - ヒ−トモ−ド記録方法 - Google Patents
ヒ−トモ−ド記録方法Info
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- JPS6027593B2 JPS6027593B2 JP52150989A JP15098977A JPS6027593B2 JP S6027593 B2 JPS6027593 B2 JP S6027593B2 JP 52150989 A JP52150989 A JP 52150989A JP 15098977 A JP15098977 A JP 15098977A JP S6027593 B2 JPS6027593 B2 JP S6027593B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- heat mode
- information recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ヒートモードの記録媒体および記録方法に関
する。
する。
従来から高周波信号等例えばビデオ信号を記録媒体上に
記録する際、光学的に高密度の記録を行なう種々の方法
が知られている。
記録する際、光学的に高密度の記録を行なう種々の方法
が知られている。
例えば支持体上に記録層を設け、該記録層にエネルギー
ビーム(レーザービーム、電子ビーム等)を照射し、こ
れにより発生する熱で凹部を形成し(これをヒートモー
ド記録という)、これをそのまま記録滋として用いる方
法がある。
ビーム(レーザービーム、電子ビーム等)を照射し、こ
れにより発生する熱で凹部を形成し(これをヒートモー
ド記録という)、これをそのまま記録滋として用いる方
法がある。
この方法は、記録速度も大であり、現像処理等が不要で
あるが、ビームにより形成される凹部(記録ビット)の
周辺部が不規則に盛り上がったり、あるいは凹部を形成
するべく蒸発あるいは融解除去された記録層の一部が飛
散して記録届表面に付着するという現象を伴っていた。
従って再生方法の種類にかかわらず、得られた信号自体
のSN比が良くないこと、又再生方法として電気容量式
、圧電式等を用いた場合、再生素子に極めて大きな機械
力が働き、再生素子の寿命を著しく低下させるなどの欠
点を有していた。本発明は上記の欠点をすべて解決する
ことを目的とし、新規で且つ優れたヒートモード記録媒
体及び記録方法を与えるものである。
あるが、ビームにより形成される凹部(記録ビット)の
周辺部が不規則に盛り上がったり、あるいは凹部を形成
するべく蒸発あるいは融解除去された記録層の一部が飛
散して記録届表面に付着するという現象を伴っていた。
従って再生方法の種類にかかわらず、得られた信号自体
のSN比が良くないこと、又再生方法として電気容量式
、圧電式等を用いた場合、再生素子に極めて大きな機械
力が働き、再生素子の寿命を著しく低下させるなどの欠
点を有していた。本発明は上記の欠点をすべて解決する
ことを目的とし、新規で且つ優れたヒートモード記録媒
体及び記録方法を与えるものである。
上記の目的を達成する本発明とは、ヒートモードの情報
記録方法において、ヒートモード層および情報記録層を
有する記録媒体上に、エネルギービームを選択的に照射
しエネルギービームにより発生する熱でヒートモード層
と情報記録層とを選択除去する工程、および残留するヒ
ートモード層を除去する工程を有することを特徴とする
記録方法である。又その方法に好適な記録媒体として、
エネルギービームによって発生する熱で選択除去され、
且つ層全体が除去可能なヒートモード層と、情報記録肩
とを有する記録媒体を与えるものであり、更に又上記の
方法で得られた記録盤をマスターとして多数の後刻盤を
作成する記録方法を与えるものである。以下本発明の記
録媒体及び記録方法を詳細に説明する。
記録方法において、ヒートモード層および情報記録層を
有する記録媒体上に、エネルギービームを選択的に照射
しエネルギービームにより発生する熱でヒートモード層
と情報記録層とを選択除去する工程、および残留するヒ
ートモード層を除去する工程を有することを特徴とする
記録方法である。又その方法に好適な記録媒体として、
エネルギービームによって発生する熱で選択除去され、
且つ層全体が除去可能なヒートモード層と、情報記録肩
とを有する記録媒体を与えるものであり、更に又上記の
方法で得られた記録盤をマスターとして多数の後刻盤を
作成する記録方法を与えるものである。以下本発明の記
録媒体及び記録方法を詳細に説明する。
本発明において、記録媒体の基本構成は、ヒートモード
層、情報記録層および基板から成っている。但し、ヒー
トモード層とは、ビームによる蒸発あるいは融解等の熱
的作用により除去される層であり、情報記録層とは、ヒ
ートモード層と同機にビームによる熱的作用でその厚み
のすべて(或し・は一部分)が選択除去されて、且つ残
留ヒートモード層除去時には変化を受けず最終的な情報
記録が行なわれる層を表わす。基板としては、ガラス、
セラミック、有機高分子、金属等が挙げられ、又その性
状としてはシート状、フィルム状あるいは硬質板状のも
のが用途に応じて選択される。
層、情報記録層および基板から成っている。但し、ヒー
トモード層とは、ビームによる蒸発あるいは融解等の熱
的作用により除去される層であり、情報記録層とは、ヒ
ートモード層と同機にビームによる熱的作用でその厚み
のすべて(或し・は一部分)が選択除去されて、且つ残
留ヒートモード層除去時には変化を受けず最終的な情報
記録が行なわれる層を表わす。基板としては、ガラス、
セラミック、有機高分子、金属等が挙げられ、又その性
状としてはシート状、フィルム状あるいは硬質板状のも
のが用途に応じて選択される。
またヒートモード層及び情報記録層の代表的な材料とし
ては、カルコゲン又はカルコゲナイド、金属、金属酸化
物或いは有機高分子等が挙げられる。本発明に用いるカ
ルコゲン又はカルコゲナィドとは、化学量論的な割合の
ものに限らず任意の比率でィオウ族元素(S,Se,T
e)を少なくとも一種主成分として含む物質である。
ては、カルコゲン又はカルコゲナイド、金属、金属酸化
物或いは有機高分子等が挙げられる。本発明に用いるカ
ルコゲン又はカルコゲナィドとは、化学量論的な割合の
ものに限らず任意の比率でィオウ族元素(S,Se,T
e)を少なくとも一種主成分として含む物質である。
本発明において有効な代表例は、S,Se,Teなどの
単体、或いは戊‐S系、戊‐Se系、戊‐Te系、As
‐S系、As−Se系、As−Te系、S−Se系、S
e一Te系、Te−S系、Sb−S系、Sb−Se系、
Sb−Te系、Bi−S系、Bi−Se系、Bi−Te
系等の二九系、或いはAs−S−Te系、As−Se−
Te系、Sb−As−S系等の三元系である。具体的に
いくつかのものを挙げると、蛇S,蛇2S3,WS2,
偽2S3,SQS3,Bi2S3,Bi2Se3,Bi
Je3等である。更に又、前記カルコゲン又はカルコゲ
ナィド物質の各種混合系、或いはTそ(タリウム)、ハ
ロゲン、Cu,Ag,Cd,Pb等、又はNa,K等の
アルカリ金属、Ca,Sr等のアルカリ士類金属、Si
,Q等周期律表第Nb族元素、E山 Sm等のランタン
系希土類、U等のアクチニド系希土類等を単独で或いは
各種組合せて添加せしめたカルコゲン又はカルコゲナイ
ドも用いられる。
単体、或いは戊‐S系、戊‐Se系、戊‐Te系、As
‐S系、As−Se系、As−Te系、S−Se系、S
e一Te系、Te−S系、Sb−S系、Sb−Se系、
Sb−Te系、Bi−S系、Bi−Se系、Bi−Te
系等の二九系、或いはAs−S−Te系、As−Se−
Te系、Sb−As−S系等の三元系である。具体的に
いくつかのものを挙げると、蛇S,蛇2S3,WS2,
偽2S3,SQS3,Bi2S3,Bi2Se3,Bi
Je3等である。更に又、前記カルコゲン又はカルコゲ
ナィド物質の各種混合系、或いはTそ(タリウム)、ハ
ロゲン、Cu,Ag,Cd,Pb等、又はNa,K等の
アルカリ金属、Ca,Sr等のアルカリ士類金属、Si
,Q等周期律表第Nb族元素、E山 Sm等のランタン
系希土類、U等のアクチニド系希土類等を単独で或いは
各種組合せて添加せしめたカルコゲン又はカルコゲナイ
ドも用いられる。
なおこれらの物質の多くは、アルカリ性の溶液には容易
に溶けるが、酸に対して強い耐性を示す。本発明に用い
る金属としては、Cr,Ni,Fe,C〇,Cu,Ag
,Au,Zn,A夕,Cd,M○,Rh,Pd,Pt,
lr,Bi,Sn,Pb,ln等の金属およびこれらの
金属を含む合金である。
に溶けるが、酸に対して強い耐性を示す。本発明に用い
る金属としては、Cr,Ni,Fe,C〇,Cu,Ag
,Au,Zn,A夕,Cd,M○,Rh,Pd,Pt,
lr,Bi,Sn,Pb,ln等の金属およびこれらの
金属を含む合金である。
又、半導体であるQ,Sj等も用いられる。有機高分子
物質としては、例えばポリメタクリル酸メチル、ポリィ
ソブチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、スチレンアクリロ
ニトリル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合
体、ポリビニルブチラール、酢酸セルロース、ポリカー
ボネート等の通常の有機高分子が使用される。
物質としては、例えばポリメタクリル酸メチル、ポリィ
ソブチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、スチレンアクリロ
ニトリル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合
体、ポリビニルブチラール、酢酸セルロース、ポリカー
ボネート等の通常の有機高分子が使用される。
金属酸化物としては具体的にいくつかのものを挙げると
CrQ,ln203,Ni○,MOO3,Mg0,Mh
02,SnQ,Ti02,W03,V205,ZN0,
Zの2等である。又本発明の記録方法において、残留す
るヒートモード層全体の除去方法としては、酸或いは酸
化,性溶液、アルカリ性溶液、通常の有機溶媒等を格と
して除去する方法が最も一般的である。
CrQ,ln203,Ni○,MOO3,Mg0,Mh
02,SnQ,Ti02,W03,V205,ZN0,
Zの2等である。又本発明の記録方法において、残留す
るヒートモード層全体の除去方法としては、酸或いは酸
化,性溶液、アルカリ性溶液、通常の有機溶媒等を格と
して除去する方法が最も一般的である。
或いは上記の様な液を贋霧する等の各種湿式方法も用い
られる。更に別の方法としては、記録部分に変化を生ぜ
しめない様に残留ヒートモード層を蒸発或いは融解除去
する方法も用いてよい。残留ヒートモード層の除去用の
液としては、ヒートモード層および情報記録層として用
いた物質の性質に応じて適宜選択される。
られる。更に別の方法としては、記録部分に変化を生ぜ
しめない様に残留ヒートモード層を蒸発或いは融解除去
する方法も用いてよい。残留ヒートモード層の除去用の
液としては、ヒートモード層および情報記録層として用
いた物質の性質に応じて適宜選択される。
具体的にいくつかのものを示すならば、酸、あるいは酸
化性溶液として代表的には、硝酸、硫酸、(希硫酸、熱
濃硫酸等も含む)、クロム酸混液(K2Cr207−比
S04)、王水、硝酸アンモニウム溶液、硝酸第2鉄溶
液等、アルカリ性溶液として、Li,NbおよびK等の
アルカリ金属、或いはBa,Ca等のアルカリ士類の水
酸化物の水溶液若しくはアルコール溶液或いはアルカリ
性化合物の水溶液等、および通常の有機溶剤としては、
脂肪族及び芳香族系炭化水素、塩素化炭化水素、アルコ
ール類、ケトン類等である。以下図面に従って本発明の
構成、あるいは記録方法を述べる。
化性溶液として代表的には、硝酸、硫酸、(希硫酸、熱
濃硫酸等も含む)、クロム酸混液(K2Cr207−比
S04)、王水、硝酸アンモニウム溶液、硝酸第2鉄溶
液等、アルカリ性溶液として、Li,NbおよびK等の
アルカリ金属、或いはBa,Ca等のアルカリ士類の水
酸化物の水溶液若しくはアルコール溶液或いはアルカリ
性化合物の水溶液等、および通常の有機溶剤としては、
脂肪族及び芳香族系炭化水素、塩素化炭化水素、アルコ
ール類、ケトン類等である。以下図面に従って本発明の
構成、あるいは記録方法を述べる。
第1図は、本発明の基本的構成を示す。
即ち適当な基板1上に情報記録層2を形成する。その方
法として、蒸着、スパッタリング等、或いは特に有機高
分子層の場合には塗布、紫外線、電子ビーム重合法等材
料によって種々の方法が用いられる。更にその上にヒー
トモード層3を同様の方法で形成し、記録媒体とする。
第2図a,bおよびcは、ヒートモード層として前記の
一連の物質から選択されたカルコゲン又はカルコゲナィ
ド層を情報記録層として金属層を用いた例を示す。
法として、蒸着、スパッタリング等、或いは特に有機高
分子層の場合には塗布、紫外線、電子ビーム重合法等材
料によって種々の方法が用いられる。更にその上にヒー
トモード層3を同様の方法で形成し、記録媒体とする。
第2図a,bおよびcは、ヒートモード層として前記の
一連の物質から選択されたカルコゲン又はカルコゲナィ
ド層を情報記録層として金属層を用いた例を示す。
但しこれらの図において、1,2および3の番号は第1
図と同様に、それぞれ基板、情報記録層およびヒートモ
ード層を示す。第2図aにおいて示す如く、情報に応じ
たエネルギービーム6を選択的に照射しその熱により上
部のカルコゲン又はカルコゲナイド層3と情報記録層2
とを除去する。このときヒートモード層上に、カルコゲ
ン又はカルコゲナィドの飛散物4あるいは除去される部
分の周辺の盛り上がり部5を生じ、このままでは良好な
記録盤にならない。次いで第2図bの如く残ったカルコ
ゲン又はカルコゲナィド層3、飛散物4および盛り上が
り部5等をアルカリ性溶液によってすべて溶解除去する
と、従来の方法では得られない表面状態の良好な記録が
行なえる。なお上記の例では情報記録層の厚みに関して
すべてをヒートモードで除去する方法を示したが、第2
図cの如く情報記録層の厚みに関して一部分のみをヒー
トモードで除去し、後に残留ヒートモード層をすべて除
去する方法も本発明の一実施態様である。なお、情報記
録層の厚み分のすべてを除去するか或いは一部を除去す
るかは、材料の種々の物性値(反射率、熱伝導率、比熱
等)、ビームのエネルギーの大きさ或いは集中度等に依
存する為、ヒートモード層或いは情報記録層の厚みを一
義的に決めることは非常に困難である。
図と同様に、それぞれ基板、情報記録層およびヒートモ
ード層を示す。第2図aにおいて示す如く、情報に応じ
たエネルギービーム6を選択的に照射しその熱により上
部のカルコゲン又はカルコゲナイド層3と情報記録層2
とを除去する。このときヒートモード層上に、カルコゲ
ン又はカルコゲナィドの飛散物4あるいは除去される部
分の周辺の盛り上がり部5を生じ、このままでは良好な
記録盤にならない。次いで第2図bの如く残ったカルコ
ゲン又はカルコゲナィド層3、飛散物4および盛り上が
り部5等をアルカリ性溶液によってすべて溶解除去する
と、従来の方法では得られない表面状態の良好な記録が
行なえる。なお上記の例では情報記録層の厚みに関して
すべてをヒートモードで除去する方法を示したが、第2
図cの如く情報記録層の厚みに関して一部分のみをヒー
トモードで除去し、後に残留ヒートモード層をすべて除
去する方法も本発明の一実施態様である。なお、情報記
録層の厚み分のすべてを除去するか或いは一部を除去す
るかは、材料の種々の物性値(反射率、熱伝導率、比熱
等)、ビームのエネルギーの大きさ或いは集中度等に依
存する為、ヒートモード層或いは情報記録層の厚みを一
義的に決めることは非常に困難である。
しかし本発明者等が検討した結果、ヒートモード層に対
しては、エネルギービームによって除去されやすいこと
、エネルギービームに対応した部分以外の融解,蒸発等
の熱的変化が起こらないこと、或いは基板がビームによ
り著しい変化を受けないこと等を考慮すると、おおむね
0.03〜0.5山の範囲、特に好ましくは0.05〜
0.3ムの範囲とするのが良い。一方情報記録層の厚み
に対しては、ヒートモード層に比べて厳密な条件付けは
不用であるが、凹部(記録ビット)の機械的強度、再生
時のS/N比を大きくとること等を考慮すると0.1〜
1ムの範囲、特に好ましくは0.2〜0.4りの範囲で
ある。この変化例として、情報記録層と基板との機能を
兼ねた充分研磨された金属坂上に、カルコゲン又はカル
コゲナィド層をヒートモード層として形成してもよい。
この例を第3図に示す。第3図aにおいて、情報記録層
と基板とを兼ねた金属板8上にヒートモード層としてカ
ルコゲン又はカルコゲナィド層9を形成し、この記録媒
体にビーム6を選択的に照射し、ビームにより発生する
熱でヒートモード層9と情報記録層8との選択除去を行
なう。こうして凹部12(記録ビット)が形成される。
この時ビーム6の照射により、第2図aと同様に飛散物
10あるいは周辺の盛り上がり部11を生じる。次に第
3図bの如く、残留するカルコゲン又はカルコゲナィド
層9をアルカリ性溶液で溶解除去すれば、表面状態も良
好であって解像度の高い優れた記録盤となる。なお、上
記の例で金属板の代わりに硬質の有機高分子板(例えば
アクリル板)を用いたものも好ましい例である。本発明
の記録方法に用いる記録媒体としては数多〈の構成が挙
げられる。それらのうち代表的な例のうちのいくつかを
表−1に示す。表−I なお、上記の表には情報記録層と基板とを兼ねた変化例
、即ち金属板或いは有機高分子の硬質板を情報記録層と
して用いた例も挙げてある。
しては、エネルギービームによって除去されやすいこと
、エネルギービームに対応した部分以外の融解,蒸発等
の熱的変化が起こらないこと、或いは基板がビームによ
り著しい変化を受けないこと等を考慮すると、おおむね
0.03〜0.5山の範囲、特に好ましくは0.05〜
0.3ムの範囲とするのが良い。一方情報記録層の厚み
に対しては、ヒートモード層に比べて厳密な条件付けは
不用であるが、凹部(記録ビット)の機械的強度、再生
時のS/N比を大きくとること等を考慮すると0.1〜
1ムの範囲、特に好ましくは0.2〜0.4りの範囲で
ある。この変化例として、情報記録層と基板との機能を
兼ねた充分研磨された金属坂上に、カルコゲン又はカル
コゲナィド層をヒートモード層として形成してもよい。
この例を第3図に示す。第3図aにおいて、情報記録層
と基板とを兼ねた金属板8上にヒートモード層としてカ
ルコゲン又はカルコゲナィド層9を形成し、この記録媒
体にビーム6を選択的に照射し、ビームにより発生する
熱でヒートモード層9と情報記録層8との選択除去を行
なう。こうして凹部12(記録ビット)が形成される。
この時ビーム6の照射により、第2図aと同様に飛散物
10あるいは周辺の盛り上がり部11を生じる。次に第
3図bの如く、残留するカルコゲン又はカルコゲナィド
層9をアルカリ性溶液で溶解除去すれば、表面状態も良
好であって解像度の高い優れた記録盤となる。なお、上
記の例で金属板の代わりに硬質の有機高分子板(例えば
アクリル板)を用いたものも好ましい例である。本発明
の記録方法に用いる記録媒体としては数多〈の構成が挙
げられる。それらのうち代表的な例のうちのいくつかを
表−1に示す。表−I なお、上記の表には情報記録層と基板とを兼ねた変化例
、即ち金属板或いは有機高分子の硬質板を情報記録層と
して用いた例も挙げてある。
又ビーム照射によりヒートモード届が除去されやすいこ
と、基板が著しく変化しないこと或いは、情報記録層の
機械的な強度等を考慮すると、上記の票−1に挙げられ
たもののうち、好ましくはA,B,0,E,G,日,J
,K及びLのタイプのものであり、特に好ましくはA,
B,D及び日のタイプのものである。いずれのタイプの
記録媒体においても、ヒートモード層及び情報記録層の
材料に要求される条件としては、{1’層の形成が容易
であること、【21ヒートモードの記録が効率良く且つ
高解像で行なえること、又特に【3にれらの2層の材料
は、互いに化学的性質(例えば酸、アルカリ、或いは有
機溶媒等に対する溶解性)が異なっていることなどが挙
げられる。従って{3}の条件を満たしておればヒート
モード層及び情報記録層の材料として同じ種類の材料同
志を組み合わせたものであってもよい。本発明の記録方
法及び記録媒体は、種々の情報記録媒体に好適に用いら
れる。
と、基板が著しく変化しないこと或いは、情報記録層の
機械的な強度等を考慮すると、上記の票−1に挙げられ
たもののうち、好ましくはA,B,0,E,G,日,J
,K及びLのタイプのものであり、特に好ましくはA,
B,D及び日のタイプのものである。いずれのタイプの
記録媒体においても、ヒートモード層及び情報記録層の
材料に要求される条件としては、{1’層の形成が容易
であること、【21ヒートモードの記録が効率良く且つ
高解像で行なえること、又特に【3にれらの2層の材料
は、互いに化学的性質(例えば酸、アルカリ、或いは有
機溶媒等に対する溶解性)が異なっていることなどが挙
げられる。従って{3}の条件を満たしておればヒート
モード層及び情報記録層の材料として同じ種類の材料同
志を組み合わせたものであってもよい。本発明の記録方
法及び記録媒体は、種々の情報記録媒体に好適に用いら
れる。
例えば、マイクロ画像、超マイクロ画像、COM、マイ
クロフアクシミル、ビデオ信号記録等に中広く応用され
る。中でもビデオ信号記録用のシートあるいはディスク
に対しての応用は非常に好ましい。即ち、本発明をビデ
オ信号用の記録媒体に用いた場合には、リアルタイムで
、高解像の記録が可能であり且つ構成が単独で処理も簡
単である。又、情報が記録された記録盤表面が極めて平
滑で、記録ビットの形状も良好となる為、再生信号のS
N比が向上し、又再生素子を傷めることがなく記録盤或
いは再生素子の寿命も必然的に長くなるという利点を有
している。更に又、本発明の記録媒体は記録後に多数の
後刻盤を得る為のマスターとして用いた場合、上記の理
由から極めて好ましい。
クロフアクシミル、ビデオ信号記録等に中広く応用され
る。中でもビデオ信号記録用のシートあるいはディスク
に対しての応用は非常に好ましい。即ち、本発明をビデ
オ信号用の記録媒体に用いた場合には、リアルタイムで
、高解像の記録が可能であり且つ構成が単独で処理も簡
単である。又、情報が記録された記録盤表面が極めて平
滑で、記録ビットの形状も良好となる為、再生信号のS
N比が向上し、又再生素子を傷めることがなく記録盤或
いは再生素子の寿命も必然的に長くなるという利点を有
している。更に又、本発明の記録媒体は記録後に多数の
後刻盤を得る為のマスターとして用いた場合、上記の理
由から極めて好ましい。
本発明の記録方法の筋録媒体としては種々の態様が好ま
しく用いられる。
しく用いられる。
例えば、基板が熱変形を受けやすい有機高分子層で構成
されている場合、ビームによって不要に変形することを
防ぐ為に基板と情報記録層との間に反射層(一般には反
射率の大きな金属層)を設けたもの、或いはヒートモー
ド層上に反射防止層を設けてエネルギー効率を上げたも
の等であってもよい。以下実施例により本発明を更に具
体的に説明する。
されている場合、ビームによって不要に変形することを
防ぐ為に基板と情報記録層との間に反射層(一般には反
射率の大きな金属層)を設けたもの、或いはヒートモー
ド層上に反射防止層を設けてエネルギー効率を上げたも
の等であってもよい。以下実施例により本発明を更に具
体的に説明する。
実施例 1
a) 厚さ約1功、直径約3比1のガラス円板上にAそ
を厚さ約0.2仏に真空黍着した。
を厚さ約0.2仏に真空黍着した。
蒸着条件は、タングステンボード、真空度8×10‐や
orr、蒸着源温度約1000℃であった。
orr、蒸着源温度約1000℃であった。
次いでこのAそ層上にWSを厚み約0.05ムで真空蒸
着した。蒸着条件は、タングステンボード、真空度1×
10‐5■n、蒸発源温度約70000であつた。以上
の様にして記録媒体を得た。又、記録に用いた装置は、
第4図に図示した基本構成であった。
着した。蒸着条件は、タングステンボード、真空度1×
10‐5■n、蒸発源温度約70000であつた。以上
の様にして記録媒体を得た。又、記録に用いた装置は、
第4図に図示した基本構成であった。
即ち出力約2Wのアルゴンイオンレーザー13、ビデオ
信号14によって駆動される光変調器15、反射鏡16
、集光用の10の音頭微鏡対物レンズ17等からなる光
学系と、この光学系から射出される光ビーム18の光軸
に対し垂直な平面内で回転するターンテーブル19及び
その駆動用モーター20、更にターンテーブルの回転に
対応して反射鏡16及び集光レンズ17を一体的に水平
方向に移動する機構を含む駆動系から成っている。この
装置に対して前記記録媒体21をその表面が集光ビーム
(スポットサイズは走査方向の中約lr、それに対して
直角な方向の長さ約3仏の長方形に近い形状をしている
。)の焦点に一致するように取り付けた。ターンテーブ
ルを毎分180の副転とし、まずヒートモード層(QS
層)及び情報記録層(Aそ層)をヒートモードにより除
去してビットをガラス面に蓬せしめた。次いで残留する
ヒートモード層(QS)をNaOH・エタノール飽和溶
液で、6秒間溶解除去した。以上の如くして記録が行な
われた記録媒体を500針音の走査型電子顕微鏡により
観察したところ、記録盤の表面には、全く飛散物あるい
は盛り上がりが見られず、又凹部(記録ビット)の形状
も極めて良好であった。
信号14によって駆動される光変調器15、反射鏡16
、集光用の10の音頭微鏡対物レンズ17等からなる光
学系と、この光学系から射出される光ビーム18の光軸
に対し垂直な平面内で回転するターンテーブル19及び
その駆動用モーター20、更にターンテーブルの回転に
対応して反射鏡16及び集光レンズ17を一体的に水平
方向に移動する機構を含む駆動系から成っている。この
装置に対して前記記録媒体21をその表面が集光ビーム
(スポットサイズは走査方向の中約lr、それに対して
直角な方向の長さ約3仏の長方形に近い形状をしている
。)の焦点に一致するように取り付けた。ターンテーブ
ルを毎分180の副転とし、まずヒートモード層(QS
層)及び情報記録層(Aそ層)をヒートモードにより除
去してビットをガラス面に蓬せしめた。次いで残留する
ヒートモード層(QS)をNaOH・エタノール飽和溶
液で、6秒間溶解除去した。以上の如くして記録が行な
われた記録媒体を500針音の走査型電子顕微鏡により
観察したところ、記録盤の表面には、全く飛散物あるい
は盛り上がりが見られず、又凹部(記録ビット)の形状
も極めて良好であった。
解像度は2000本以上/豚であった。なおレーザーの
出力をIWに減少させ他の条件は同様にして記録を行な
ったところ、凹部(記録ビット)は深さ約0.1仏とな
りガラス面まで蓬せず第2図cの如くの記録が行なわれ
た。この記録盤も、表面は充分平滑で且つ凹部の形状も
極めて良好であった。更に下記の表の如くヒートモード
層及び情報記録層を変えて記録を行ない、次いで残留ヒ
ートモード層の溶解除去を行なった。
出力をIWに減少させ他の条件は同様にして記録を行な
ったところ、凹部(記録ビット)は深さ約0.1仏とな
りガラス面まで蓬せず第2図cの如くの記録が行なわれ
た。この記録盤も、表面は充分平滑で且つ凹部の形状も
極めて良好であった。更に下記の表の如くヒートモード
層及び情報記録層を変えて記録を行ない、次いで残留ヒ
ートモード層の溶解除去を行なった。
下記の表−2にはヒートモード層、情報記録層、層の形
成方法及びヒートモード層の除去方法等をまとめて示し
てある。但し以下においてヒートモード層及び情報記録
層の形成方法の瓶中で「温度」とあるのは蒸着源温度を
示し、又ヒートモード層除去方法の瓶中の時間は溶解除
去に要した時間を示すものとする。表一2 実施例 2 実施例1において、ヒートモード層−情報記録層の組み
合わせを次の様に代えて実施例1と同様に記録を行なっ
たが、ほぼ同様の結果を得た。
成方法及びヒートモード層の除去方法等をまとめて示し
てある。但し以下においてヒートモード層及び情報記録
層の形成方法の瓶中で「温度」とあるのは蒸着源温度を
示し、又ヒートモード層除去方法の瓶中の時間は溶解除
去に要した時間を示すものとする。表一2 実施例 2 実施例1において、ヒートモード層−情報記録層の組み
合わせを次の様に代えて実施例1と同様に記録を行なっ
たが、ほぼ同様の結果を得た。
実施例 3充分に平面研磨された厚さ約数側直径30肌
のAそ円板上に実施例1と同様の条件で夏空蒸着により
WS層(厚さ約o.2A)を形成し記録媒体とした。
のAそ円板上に実施例1と同様の条件で夏空蒸着により
WS層(厚さ約o.2A)を形成し記録媒体とした。
次いで実施例1で用いた記録装置によりヒートモード層
に記録を行ないその後希Na2C03溶液を用いてQS
を短時間溶解除去し記録盤を得た。記録盤の表面および
記録ビットの状態はかなり良好であり、実用上充分な解
像度(2000本以上/収)を有していた。実施例 4 厚さ約1伽、直径約30肌のアクリル樹脂製円板上にW
Sを厚さ約0.07〃で真空蒸着し記録媒体とした。
に記録を行ないその後希Na2C03溶液を用いてQS
を短時間溶解除去し記録盤を得た。記録盤の表面および
記録ビットの状態はかなり良好であり、実用上充分な解
像度(2000本以上/収)を有していた。実施例 4 厚さ約1伽、直径約30肌のアクリル樹脂製円板上にW
Sを厚さ約0.07〃で真空蒸着し記録媒体とした。
蒸着条件は実施例1とほぼ同様であった。ふレーザー出
力を約3Wとして実施例1と同様に記録を行ない、残留
するWS層をNaOH・エタノール飽和溶液で約7秒間
溶解除去した。得られた記録盤には、アクリル板に深さ
約0.1Aの凹部(記録ビット)が形成されていた。記
録盤表面は平滑であり解像度も実用上充分な程度(約1
500本/肌)であった。なお情報記録層としてBiよ
3及びWS2を用いて同様に記録を行なったが、同様の
結果を得た。
力を約3Wとして実施例1と同様に記録を行ない、残留
するWS層をNaOH・エタノール飽和溶液で約7秒間
溶解除去した。得られた記録盤には、アクリル板に深さ
約0.1Aの凹部(記録ビット)が形成されていた。記
録盤表面は平滑であり解像度も実用上充分な程度(約1
500本/肌)であった。なお情報記録層としてBiよ
3及びWS2を用いて同様に記録を行なったが、同様の
結果を得た。
実施例 5実施例1と同様の基板上に心2Se3層を厚
み約0.3山で真空黍着した。
み約0.3山で真空黍着した。
更にその上にCrを約0.1山の厚みで真空蒸着した。
これらの層形成の蒸着条件は、実施例1とほぼ同様であ
った。この記録媒体に、実施例1に用いた装置によりヒ
ートモード層及び情報記録層に記録を行なった。
これらの層形成の蒸着条件は、実施例1とほぼ同様であ
った。この記録媒体に、実施例1に用いた装置によりヒ
ートモード層及び情報記録層に記録を行なった。
なおレーザービームの出力は約2Wであった。その後残
ったCr層を希Hぶ04格により溶解除去した。
ったCr層を希Hぶ04格により溶解除去した。
この様にして得られた記録盤の表面および記録トラック
の状態は実施例1,2および3と同様に極めて良好で解
像度は2000本以上/肋であつた。更にヒートモード
層、情報記録層及びヒートモード層の除去液等を下記の
表−3の如く変えて記録を行なったが、ほぼ同様の結果
を得た。
の状態は実施例1,2および3と同様に極めて良好で解
像度は2000本以上/肋であつた。更にヒートモード
層、情報記録層及びヒートモード層の除去液等を下記の
表−3の如く変えて記録を行なったが、ほぼ同様の結果
を得た。
表−3
実施例 6
実施例1の基板上に、実施例1と同様にして、QS層を
厚み約0.5山で形成しその上にln203層を厚み約
0.1〃で形成して記録媒体とした。
厚み約0.5山で形成しその上にln203層を厚み約
0.1〃で形成して記録媒体とした。
実施例1と同じ装置により記録を行なった。次いで残留
するln203層を希HCそで除去したところ、良好な
記録盤を得た。又、ヒートモード層、及び情報記録層を
下記の表−4の如く変えて記録を行なったところ、非常
に良好な結果を得た。
するln203層を希HCそで除去したところ、良好な
記録盤を得た。又、ヒートモード層、及び情報記録層を
下記の表−4の如く変えて記録を行なったところ、非常
に良好な結果を得た。
表− 4
実施例 7
実施例1と同様の基板上にW03を厚さ約0.5仏で電
子ビーム蒸着(真空度1×10‐5ton)した。
子ビーム蒸着(真空度1×10‐5ton)した。
次いで実施例1の表−2の例と同様の方法で厚さ約0.
1ムのポリエチレンを真空蒸着して記録媒体とした。こ
の記録媒体に実施例1の装置を用いてレーザ出力約2W
で、記録を行ない、残留するポリエチレン層をベンゼン
の温浴によって溶解除去した。得られた記録盤には深さ
約0.4一の凹部が形成されていた。凹部の周辺には盛
り上がりもなく、良好な記録が行なわれていた。又、ヒ
ートモード層、情報記録層及びヒートモード除去液等を
下記の表−5の如く変えて記録を行なったが、上記の例
と同様に良好な結果を得た。
1ムのポリエチレンを真空蒸着して記録媒体とした。こ
の記録媒体に実施例1の装置を用いてレーザ出力約2W
で、記録を行ない、残留するポリエチレン層をベンゼン
の温浴によって溶解除去した。得られた記録盤には深さ
約0.4一の凹部が形成されていた。凹部の周辺には盛
り上がりもなく、良好な記録が行なわれていた。又、ヒ
ートモード層、情報記録層及びヒートモード除去液等を
下記の表−5の如く変えて記録を行なったが、上記の例
と同様に良好な結果を得た。
表−5
実施例 8
実施例1のWS‐lnの記録媒体に記録を行なって得ら
れた記録盤を用いて信号再生を行なよた。
れた記録盤を用いて信号再生を行なよた。
再生方式は光学方式であった。即ち読取り用の半導体レ
ーザービー‐ムを記録盤の表面から照射し、Siフオト
ディテクターからなる再生素子で受けた光信号をディモ
ジュレーターで復調し、画像信号に変換した。得られた
画像は鮮明であった。なお実施例1におけるWS−Sn
,ふ2S3‐Moo3,実施例5におけるBi−QS,
Bi−W03,実施例7におけるポリエチレン−Cr0
2等の記録媒体に対しても同様に記録・再生を行なった
が、良好な再生画像が得られた。実施例 9 実施例3で得られた記録盤に厚さ約500Aのスチレン
層を実施例7と同様の方法で形成し、容量再生方式によ
って信号再生を行なった。
ーザービー‐ムを記録盤の表面から照射し、Siフオト
ディテクターからなる再生素子で受けた光信号をディモ
ジュレーターで復調し、画像信号に変換した。得られた
画像は鮮明であった。なお実施例1におけるWS−Sn
,ふ2S3‐Moo3,実施例5におけるBi−QS,
Bi−W03,実施例7におけるポリエチレン−Cr0
2等の記録媒体に対しても同様に記録・再生を行なった
が、良好な再生画像が得られた。実施例 9 実施例3で得られた記録盤に厚さ約500Aのスチレン
層を実施例7と同様の方法で形成し、容量再生方式によ
って信号再生を行なった。
即ち、スタィラス電極を再生ヘッドとし、該電極と導電
層(A〆基板)との間の静電容量を検出し、この信号を
デイモジュレータにより復調して画像を得た。再生画像
は極めて鮮明であった。
層(A〆基板)との間の静電容量を検出し、この信号を
デイモジュレータにより復調して画像を得た。再生画像
は極めて鮮明であった。
実施例 10
実施例1のQS−lnの記録媒体に記録を行なって得ら
れた記録盤にNiメッキを行ない、該メッキ層をはがし
て多数の複刻盤を製作する為のマスターとなした。
れた記録盤にNiメッキを行ない、該メッキ層をはがし
て多数の複刻盤を製作する為のマスターとなした。
次に該マスターり塩化ビニル板を加熱圧着し、その後冷
却して透明な塩化ビニルディスクを得た。
却して透明な塩化ビニルディスクを得た。
その表面に300A厚のAそ層を真空蒸着(真空度5〜
6×lo‐キon、蒸着源温度1000qo、タングス
テンボード)し、更にその上にボリメチルメタアクリレ
ート層を約1〃厚に塗布し保護層となして、ディスクを
完成させた。
6×lo‐キon、蒸着源温度1000qo、タングス
テンボード)し、更にその上にボリメチルメタアクリレ
ート層を約1〃厚に塗布し保護層となして、ディスクを
完成させた。
ディスクの表面は極めて平滑であった。実施例9と同様
の方法により信号再生を行なったところ良好な画像が得
られた。
の方法により信号再生を行なったところ良好な画像が得
られた。
又実施例1のWS‐1比03,実施例2のBi2S3−
Mn02,実施例5のCr−Asぶ3,Bi−蛇Sのタ
イプの記録媒体に対しても同様に記録・再生を行なった
が、良好な結果を得た。
Mn02,実施例5のCr−Asぶ3,Bi−蛇Sのタ
イプの記録媒体に対しても同様に記録・再生を行なった
が、良好な結果を得た。
第1図は本発明の記録媒体の基本的構成を示す断面図、
第2図および第3図は本発明の記録方法の一態様を示す
断面図、第4図は記録に用いた装置を示す説明図である
。 図面において、1は基板、2は情報記録層、3はヒート
モード層、4はヒートモード層の飛散物、5は除去部の
周辺の盛り上がり部、6はしーザービーム、7は情報の
記録ビット、8は基板をも兼ねた情報記録層、9はヒー
トモード層、10はヒートモードによる飛散物、11は
除去部の周辺の盛り上がり部、12は記録ビット、13
はアルゴンイオンレーザー、14はビデオ信号、15は
光変調器、16は反射鏡、17は集光レンズ、18はビ
ーム、19はターンテーブル、20は駆動用モーター、
21は記録媒体を各々示す。 弟l図尭ろ図 菊2図 弟4図
第2図および第3図は本発明の記録方法の一態様を示す
断面図、第4図は記録に用いた装置を示す説明図である
。 図面において、1は基板、2は情報記録層、3はヒート
モード層、4はヒートモード層の飛散物、5は除去部の
周辺の盛り上がり部、6はしーザービーム、7は情報の
記録ビット、8は基板をも兼ねた情報記録層、9はヒー
トモード層、10はヒートモードによる飛散物、11は
除去部の周辺の盛り上がり部、12は記録ビット、13
はアルゴンイオンレーザー、14はビデオ信号、15は
光変調器、16は反射鏡、17は集光レンズ、18はビ
ーム、19はターンテーブル、20は駆動用モーター、
21は記録媒体を各々示す。 弟l図尭ろ図 菊2図 弟4図
Claims (1)
- 1 ヒートモード層及び記録層を有する記録媒体上にエ
ネルギービームを選択的に照射し、エネルギービームに
より発生する熱でヒートモード層と記録層とを選択除去
する工程、及び残留するヒートモード層を除去する工程
を有するヒートモード記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52150989A JPS6027593B2 (ja) | 1977-12-15 | 1977-12-15 | ヒ−トモ−ド記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52150989A JPS6027593B2 (ja) | 1977-12-15 | 1977-12-15 | ヒ−トモ−ド記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5483430A JPS5483430A (en) | 1979-07-03 |
| JPS6027593B2 true JPS6027593B2 (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=15508843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52150989A Expired JPS6027593B2 (ja) | 1977-12-15 | 1977-12-15 | ヒ−トモ−ド記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027593B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159692A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-01 | Sony Corp | Information recording medium |
| JP2918894B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1999-07-12 | 明 田崎 | 光記録媒体及びその製造方法 |
-
1977
- 1977-12-15 JP JP52150989A patent/JPS6027593B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5483430A (en) | 1979-07-03 |
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