JPH01140486A - ブロッホラインメモリ駆動回路 - Google Patents
ブロッホラインメモリ駆動回路Info
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- JPH01140486A JPH01140486A JP62297750A JP29775087A JPH01140486A JP H01140486 A JPH01140486 A JP H01140486A JP 62297750 A JP62297750 A JP 62297750A JP 29775087 A JP29775087 A JP 29775087A JP H01140486 A JPH01140486 A JP H01140486A
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- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/94—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having trapezoidal shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ブロッホラインメモリに係り、特にブロッホ
ラインメモリ素子の駆動に必要なバイアス磁界パルスを
低消費電力で供給する駆動回路に関する。
ラインメモリ素子の駆動に必要なバイアス磁界パルスを
低消費電力で供給する駆動回路に関する。
ブロッホラインメモリ素子における、磁壁内のプロッホ
ラインをバイアス磁界パルスにより駆動する方法につい
ては、たとえば第８回、日本応用磁気学会学術講演概要
集、（１９８４年１１月）第９４頁において論じられて
いる。プロッホラインを駆動するには、立上り５０〜１
００ｎｓ、立下り３００ｎｓ〜２μＳ程度、振幅５〜１
００ｅ程度のバイアス磁界パルスを必要とする。バイア
ス磁界パルスは、第３図に示すような断面形状を有する
磁気回路を用いて発生させる。すなわち、同図において
、ブロッホラインメモリ素子１３の上下に角形磁性板１
１−１゜２を置き、その周囲をシールドケース１０で取
り囲む。角形磁性板１１−１．２の側面周囲にバイアス
磁界コイル５−１．２をそれぞれ巻く。バイアス磁界コ
イル５−１．２に、第２図に示した波形７の電流パルス
（振幅０．２〜２Ａ程度、立上り５０〜１００ｎｓ、立
下り３００ｎｓ〜２ μｓ）を流すことにより、上記の
バイアス磁界パルスを発生させる。
ラインをバイアス磁界パルスにより駆動する方法につい
ては、たとえば第８回、日本応用磁気学会学術講演概要
集、（１９８４年１１月）第９４頁において論じられて
いる。プロッホラインを駆動するには、立上り５０〜１
００ｎｓ、立下り３００ｎｓ〜２μＳ程度、振幅５〜１
００ｅ程度のバイアス磁界パルスを必要とする。バイア
ス磁界パルスは、第３図に示すような断面形状を有する
磁気回路を用いて発生させる。すなわち、同図において
、ブロッホラインメモリ素子１３の上下に角形磁性板１
１−１゜２を置き、その周囲をシールドケース１０で取
り囲む。角形磁性板１１−１．２の側面周囲にバイアス
磁界コイル５−１．２をそれぞれ巻く。バイアス磁界コ
イル５−１．２に、第２図に示した波形７の電流パルス
（振幅０．２〜２Ａ程度、立上り５０〜１００ｎｓ、立
下り３００ｎｓ〜２ μｓ）を流すことにより、上記の
バイアス磁界パルスを発生させる。
このようなメモリモジュールのバイアス磁界パルスの駆
動回路については、特開昭５９−２０７０１１号公報に
示されている。第４図に示すように、第１のスイッチン
グ素子１をオンにすることにより、直流定電圧電源６−
１からバイアス磁界コイル５を通るパルス電流を流す。
動回路については、特開昭５９−２０７０１１号公報に
示されている。第４図に示すように、第１のスイッチン
グ素子１をオンにすることにより、直流定電圧電源６−
１からバイアス磁界コイル５を通るパルス電流を流す。
このパルス電流振幅１Ｌ（ｔ）は直流定電圧電源６−１
の電源電圧をＥＳ□とし、スイッチング素子１のオン電
圧をＥＴとすると、式（１）で与えられる。
の電源電圧をＥＳ□とし、スイッチング素子１のオン電
圧をＥＴとすると、式（１）で与えられる。
Ｓｔ ＥＴ
ｉＬ（ｔ） ＝□・ｔ ・・・・・・・・・・・
・・・・（１）ついでｔ＝で□において第１のスイッチ
ング素子をオフにし、第２のスイッチング素子をオンに
すると、直流定電圧電源６−１からコイル５．第２のス
イッチング素子２．抵抗１１を通って直流定電圧電源６
−２にパルス電流が流れる。直流定電圧電源６−２の電
圧をＥＳ２、スイッチング素子２のオン電圧をＥＴとす
ると、τ１≦ｔ≦τ２におけるパルス電流振幅は式（２
）で与えられる。
・・・・（１）ついでｔ＝で□において第１のスイッチ
ング素子をオフにし、第２のスイッチング素子をオンに
すると、直流定電圧電源６−１からコイル５．第２のス
イッチング素子２．抵抗１１を通って直流定電圧電源６
−２にパルス電流が流れる。直流定電圧電源６−２の電
圧をＥＳ２、スイッチング素子２のオン電圧をＥＴとす
ると、τ１≦ｔ≦τ２におけるパルス電流振幅は式（２
）で与えられる。
・・・（２）
ただし、τ２は式（３）で与えられる
したがってこの駆動回路によるパルス電流波形は第５図
に示すようになる。この駆動回路では、スイッチング素
子を用いてパルス電流を駆動しているため、スイッチン
グ素子の消費電力が小さい利点がある。ところが、この
回路では２個の直流定電圧電源６−１．６−２に問題が
ある。直流定電圧電源６−１からはＯ≦ｔ≦τ、の間に
コイル５にパルス電流を流す。一方、τ１≦ｔ≦τ２に
おいては直流定電圧電源６−１からコイル５．スイッチ
ング素子２および抵抗１１を通って直流定電圧電源６−
２にパルス電流を流す。したがって直流定電圧電源６−
１からは電流の供給を行い、直流定電圧電源６−２は電
流の吸収を行う。駆動するメモリ素子の形状を１５ｍｍ
角とすると、第３図のメモリモジュールでは磁界を印加
する部分の体積は２０ｍｎ＋ Ｘ ２０ｍｍ Ｘ ３ｍ
ｍ ＝ １ 、２ Ｘ １０−’ ｍ’となる。この部
分に１０００の振幅のバイアス磁界パルスを振幅ＩＡで
与える場合にコイルのインダクタンスは約１μＨとなる
。電流パルスの振幅をＬＡ、立上り５０ｎｓ、立下り５
００ｎｓ、 （り返し周期ＩＭＨｚの場合について、必
要な電源電圧および電源の消費電力を求めた。電源６−
１の電圧は２０Ｖ、電源６−２の電圧は２２Ｖとなる。
に示すようになる。この駆動回路では、スイッチング素
子を用いてパルス電流を駆動しているため、スイッチン
グ素子の消費電力が小さい利点がある。ところが、この
回路では２個の直流定電圧電源６−１．６−２に問題が
ある。直流定電圧電源６−１からはＯ≦ｔ≦τ、の間に
コイル５にパルス電流を流す。一方、τ１≦ｔ≦τ２に
おいては直流定電圧電源６−１からコイル５．スイッチ
ング素子２および抵抗１１を通って直流定電圧電源６−
２にパルス電流を流す。したがって直流定電圧電源６−
１からは電流の供給を行い、直流定電圧電源６−２は電
流の吸収を行う。駆動するメモリ素子の形状を１５ｍｍ
角とすると、第３図のメモリモジュールでは磁界を印加
する部分の体積は２０ｍｎ＋ Ｘ ２０ｍｍ Ｘ ３ｍ
ｍ ＝ １ 、２ Ｘ １０−’ ｍ’となる。この部
分に１０００の振幅のバイアス磁界パルスを振幅ＩＡで
与える場合にコイルのインダクタンスは約１μＨとなる
。電流パルスの振幅をＬＡ、立上り５０ｎｓ、立下り５
００ｎｓ、 （り返し周期ＩＭＨｚの場合について、必
要な電源電圧および電源の消費電力を求めた。電源６−
１の電圧は２０Ｖ、電源６−２の電圧は２２Ｖとなる。
このとき、電源６−１の消費電力は５．５Ｗ、電源６−
２の消費電力は５．５Ｗとなる。この消費電力を減じる
には、電源６−２で吸収した電流を電源６−１に戻す回
路１０を付加すればよいが、回路が増加する欠点がある
。
２の消費電力は５．５Ｗとなる。この消費電力を減じる
には、電源６−２で吸収した電流を電源６−１に戻す回
路１０を付加すればよいが、回路が増加する欠点がある
。
本発明の目的は、電源を含めた消費電力を考慮しても十
分に低消費電力でバイアス磁界パルスの駆動ができる簡
単な構成の駆動回路を提供することにある。
分に低消費電力でバイアス磁界パルスの駆動ができる簡
単な構成の駆動回路を提供することにある。
上記目的は、バイアス磁界コイルに直流定電圧電源から
パルス電流を第１の期間だけ流す第１のスイッチング素
子を含む第１の電流通路と、前記バイアス磁界コイルか
らパルストランスの第１次巻線にパルス電流を第２の期
間だけ流す第２のスイッチング素子を含む第２の電流通
路と、前記パルストランスの第２次巻線から前記直流定
電圧電源にパルス電流を流す前記第２の期間だけ流す第
３のスイッチング素子を含む第３の電流通路とを含む駆
動回路により達成される。
パルス電流を第１の期間だけ流す第１のスイッチング素
子を含む第１の電流通路と、前記バイアス磁界コイルか
らパルストランスの第１次巻線にパルス電流を第２の期
間だけ流す第２のスイッチング素子を含む第２の電流通
路と、前記パルストランスの第２次巻線から前記直流定
電圧電源にパルス電流を流す前記第２の期間だけ流す第
３のスイッチング素子を含む第３の電流通路とを含む駆
動回路により達成される。
第１のスイッチング素子がオンになると、バイアス磁界
コイルの両端に、バイアス磁界コイルの第１の端子が正
となる電圧が加わる。この電圧は直流定電圧源の電圧Ｅ
ｓから第１のスイッチング素子のオン電圧ＥＴを減じた
値ＥＳ−ＥＴとなる。
コイルの両端に、バイアス磁界コイルの第１の端子が正
となる電圧が加わる。この電圧は直流定電圧源の電圧Ｅ
ｓから第１のスイッチング素子のオン電圧ＥＴを減じた
値ＥＳ−ＥＴとなる。
バイアス磁界コイルの電流を１Ｌ（ｔ）とする。ただし
、ｔは第１のスイッチング素子がオンになる時にＯとす
る。このとき、１ｃ（ｔ）は式（４）で与えられる。
、ｔは第１のスイッチング素子がオンになる時にＯとす
る。このとき、１ｃ（ｔ）は式（４）で与えられる。
５−ＥＴ
ｉＬ（ｔ） ＝□・ｔ ・・・・・・・・・・・
・・・・（４）ここで、Ｌはバイアス磁界コイルのイン
ダクタンスである。
・・・・（４）ここで、Ｌはバイアス磁界コイルのイン
ダクタンスである。
１＝１□において第１のスイッチング素子をオフにする
と、このときコイル電流振幅ｉＬｐは式％式％ １）１工においては、コイル電流は第２の電流通路を通
って流れる。すなわち、バイアス磁界コイルから第２の
スイッチング素子とトランスの第１次巻線を通って流れ
る。この電流が流れるためには、トランスの第２次巻線
と第３のスイッチング素子を通って直流定電圧電源に、
トランスの２次巻線電流が流れる必要がある。したがっ
て、トランスの１次巻線に対する２次巻線の比を１：β
とし、第２のスイッチング素子および第３のスイッチン
グ素子のオン電圧をＥ′Ｔとすると、コイル両端に発生
する電圧ＥＬは式（６）で与えられる。
と、このときコイル電流振幅ｉＬｐは式％式％ １）１工においては、コイル電流は第２の電流通路を通
って流れる。すなわち、バイアス磁界コイルから第２の
スイッチング素子とトランスの第１次巻線を通って流れ
る。この電流が流れるためには、トランスの第２次巻線
と第３のスイッチング素子を通って直流定電圧電源に、
トランスの２次巻線電流が流れる必要がある。したがっ
て、トランスの１次巻線に対する２次巻線の比を１：β
とし、第２のスイッチング素子および第３のスイッチン
グ素子のオン電圧をＥ′Ｔとすると、コイル両端に発生
する電圧ＥＬは式（６）で与えられる。
ＥＬ＝Ｅ’Ｔ＋−（ＥＳ＋Ｅ’？） ・−−−
・・（６）β したがって、コイル電流１Ｌ（ｔ）はｔ＞ｔｌでは式（
７）となる。
・・（６）β したがって、コイル電流１Ｌ（ｔ）はｔ＞ｔｌでは式（
７）となる。
したがって、１）１工における１ｔ−（ｔ）の時間変化
は、Ｅ ｓ ＞ Ｅ ７とすれば、−Ｅｓ／βＬで与え
られる。これに対して、Ｏ＜ｔ＜ｔ□における１Ｌ（ｔ
）の時間変化は、Ｅｓ＞Ｅ７とすれば、式（４）より。
は、Ｅ ｓ ＞ Ｅ ７とすれば、−Ｅｓ／βＬで与え
られる。これに対して、Ｏ＜ｔ＜ｔ□における１Ｌ（ｔ
）の時間変化は、Ｅｓ＞Ｅ７とすれば、式（４）より。
Ｅｓ／Ｌで与えられる。
以上の結果、コイル電流の立下り時の時間変化の絶対値
は、立上り時の時間変化のほぼ１／βとすることができ
る。すなわち、コイル電流の立下り時間は、立上り時間
のβ倍にできる。すなわち、トランスの１次と２次の巻
線比を選択することにより、立下り時間を任意に選択す
ことが可能となる。
は、立上り時の時間変化のほぼ１／βとすることができ
る。すなわち、コイル電流の立下り時間は、立上り時間
のβ倍にできる。すなわち、トランスの１次と２次の巻
線比を選択することにより、立下り時間を任意に選択す
ことが可能となる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 １
本発明の第１の実施例を第１図に示す。本実施例におい
ては、第１のスイッチ１はスイッチングトランジスタ、
第２および第３のスイッチ２，３はそれぞれダイオード
により構成する。本実施例における動作を第２図を併用
して以下に説明する。
ては、第１のスイッチ１はスイッチングトランジスタ、
第２および第３のスイッチ２，３はそれぞれダイオード
により構成する。本実施例における動作を第２図を併用
して以下に説明する。
第１のスイッチ１をオンにすることにより、電源６とバ
イアス磁界コイル５とを接続する。第１のスイッチ１が
オンとなる１＝０〜ｔ□の間では、式（４）にしたがっ
てコイル電流が増加する。この期間においては、電源６
からコイル５に電気的なエネルギーが送られる。１＝１
０において第１のスイッチ１がオフになると、バイアス
磁界コイル５に流れている電流は、第２のスイッチ２お
よびトランス４の１次巻線４−１を通って流れる。
イアス磁界コイル５とを接続する。第１のスイッチ１が
オンとなる１＝０〜ｔ□の間では、式（４）にしたがっ
てコイル電流が増加する。この期間においては、電源６
からコイル５に電気的なエネルギーが送られる。１＝１
０において第１のスイッチ１がオフになると、バイアス
磁界コイル５に流れている電流は、第２のスイッチ２お
よびトランス４の１次巻線４−１を通って流れる。
これによってトランス４の２次巻線４−２に誘導された
電流は第３のスイッチ３を通って電源６に流れる。この
期間においては、コイル５のエネルギーがトランス４を
通して電源６に戻ることになる。したがって、コイル電
流は、第２図の７に示すように、また式（７）に示すよ
うに、時間とともに減少する。１＝１．においてコイル
５のエネルギーがＯとなった時にコイル電流も０となる
。
電流は第３のスイッチ３を通って電源６に流れる。この
期間においては、コイル５のエネルギーがトランス４を
通して電源６に戻ることになる。したがって、コイル電
流は、第２図の７に示すように、また式（７）に示すよ
うに、時間とともに減少する。１＝１．においてコイル
５のエネルギーがＯとなった時にコイル電流も０となる
。
以上の動作において、電流が流れる通路を形成するスイ
ッチ１〜３を構成する半導体素子は飽和動作点にあるた
め、消費電力はきわめて小さい。
ッチ１〜３を構成する半導体素子は飽和動作点にあるた
め、消費電力はきわめて小さい。
前述したコイル５を前述と同様に立上り５０ｎｓ、立下
り５００ｎｓで駆動する場合には、コイル電流振幅が０
．５Ａであり、スイッチ１のオン電圧は０．５Ｖ。
り５００ｎｓで駆動する場合には、コイル電流振幅が０
．５Ａであり、スイッチ１のオン電圧は０．５Ｖ。
スイッチ２，３のオン電圧は０．８ｖである。ただし、
トランス４の巻線比βは１０とする。この条件でトラン
ス５における消費電力が十分水さいとすると、電源を含
む駆動回路の消費電力は、平均０．１８６Ｗとなる。た
だし、コイルのＱは１０とした。
トランス４の巻線比βは１０とする。この条件でトラン
ス５における消費電力が十分水さいとすると、電源を含
む駆動回路の消費電力は、平均０．１８６Ｗとなる。た
だし、コイルのＱは１０とした。
この値は前述した従来の駆動回路（第４図）と比較する
と約１７３０に低減できたことになる。
と約１７３０に低減できたことになる。
実施例 ２
本発明の第２の実施例を第６図に示す。第２の実施例に
おいては、第１のスイッチ１がバイアス磁界コイル５の
接地側に接続され、バイアス磁界コイル５の他端は電源
６に接続される。第２のスイッチ２とトランス４の１次
巻線４−１の直列回路は実施例１の場合と同様にコイル
５と並列に接続される。トランス４の２次巻線４−２も
実施例１と同様に第３のスイッチ３を通して電源６に接
続される。
おいては、第１のスイッチ１がバイアス磁界コイル５の
接地側に接続され、バイアス磁界コイル５の他端は電源
６に接続される。第２のスイッチ２とトランス４の１次
巻線４−１の直列回路は実施例１の場合と同様にコイル
５と並列に接続される。トランス４の２次巻線４−２も
実施例１と同様に第３のスイッチ３を通して電源６に接
続される。
本実施例は、実施例１と比較すると、消費電力はほぼ同
じである上、第１のスイッチ１の一端が接地できるため
、第１のスイッチの制御が容易にできる利点がある。
じである上、第１のスイッチ１の一端が接地できるため
、第１のスイッチの制御が容易にできる利点がある。
実施例 ３
本発明の第３の実施例を第７図に示す。本実施例におい
ては、第１のスイッチ１を１−１および１−２の２個に
分け、いずれもスイッチングトランジスタにより構成す
る。また、第２のスイッチ２もスイッチ２−１およびス
イッチ２−２の２個のダイオードから構成する。トラン
ス４および第３のスイッチ３は実施例１と同様である。
ては、第１のスイッチ１を１−１および１−２の２個に
分け、いずれもスイッチングトランジスタにより構成す
る。また、第２のスイッチ２もスイッチ２−１およびス
イッチ２−２の２個のダイオードから構成する。トラン
ス４および第３のスイッチ３は実施例１と同様である。
本実施例の第１の動作は第１の実施例と同様で、第２図
に示すとおりである。スイッチ１−１と１−２およびス
イッチ２−１と２−２はそれぞれ同時にオンあるいはオ
フとなる。この動作では、スイッチ１，２を構成するス
イッチング素子数が増加するため、駆動回路の消費電力
は、第１および第２の実施例の場合よりも約５０％程度
大きい。
に示すとおりである。スイッチ１−１と１−２およびス
イッチ２−１と２−２はそれぞれ同時にオンあるいはオ
フとなる。この動作では、スイッチ１，２を構成するス
イッチング素子数が増加するため、駆動回路の消費電力
は、第１および第２の実施例の場合よりも約５０％程度
大きい。
ただし、本実施例においては、第８図に示す動作が可能
である。すなわち、１＝０においてスイッチ１−１およ
びスイッチ１−２を同時にオンとし、コイル電流を１＝
１０において所定の振幅まで増加させる。１＝１４にお
いてスイッチ１−１だけをオフにする。この時点で、ス
イッチ２−１がオンになるため、スイッチ２−１．バイ
アス磁界コイル５、スイッチ１−２を通る電流通路が形
成される。バイアス磁界コイル５の両端に加わる電圧は
スイッチ２−１とスイッチ１−２のオン電圧の和で、１
．３Ｖ程度と小さいため、数十〜数百ｎｓである１２−
１工の期間においてバイアス磁界コイル５の電流はほぼ
一定値となる。１＝１２において、スイッチ１−２をオ
フにすると、スイッチ２−１．バイアス磁界コイル５、
スイッチ２−２゜トランス４の１次巻線４−１の電流通
路が形成され、実施例１，２の場合と同様にバイアス磁
界コイル５のエネルギーは直流定電圧源６に戻る。
である。すなわち、１＝０においてスイッチ１−１およ
びスイッチ１−２を同時にオンとし、コイル電流を１＝
１０において所定の振幅まで増加させる。１＝１４にお
いてスイッチ１−１だけをオフにする。この時点で、ス
イッチ２−１がオンになるため、スイッチ２−１．バイ
アス磁界コイル５、スイッチ１−２を通る電流通路が形
成される。バイアス磁界コイル５の両端に加わる電圧は
スイッチ２−１とスイッチ１−２のオン電圧の和で、１
．３Ｖ程度と小さいため、数十〜数百ｎｓである１２−
１工の期間においてバイアス磁界コイル５の電流はほぼ
一定値となる。１＝１２において、スイッチ１−２をオ
フにすると、スイッチ２−１．バイアス磁界コイル５、
スイッチ２−２゜トランス４の１次巻線４−１の電流通
路が形成され、実施例１，２の場合と同様にバイアス磁
界コイル５のエネルギーは直流定電圧源６に戻る。
ｔ ｚ ＜ ｔ ＜ ｔ ｓにおいてバイアス磁界コイ
ル５の電流は減少し、０となる。
ル５の電流は減少し、０となる。
本実施例の回路構成を用いることにより、バイアス磁界
パルスの波形を三角波から台形波とすることが可能とな
る。この波形を用いることにより。
パルスの波形を三角波から台形波とすることが可能とな
る。この波形を用いることにより。
プロッホラインの駆動特性を向上できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、１つの直流定電圧源と、飽和スイッチ
およびトランスを用いることにより、低消費電力でブロ
ッホラインメモリ素子のバイアス磁界コイルを駆動する
ことが可能となる。定電流駆動回路を用いる場合と比較
すると、駆動回路の消費電力を１／２０〜１／３０と大
幅に低減できる。
およびトランスを用いることにより、低消費電力でブロ
ッホラインメモリ素子のバイアス磁界コイルを駆動する
ことが可能となる。定電流駆動回路を用いる場合と比較
すると、駆動回路の消費電力を１／２０〜１／３０と大
幅に低減できる。
第１図は本発明の第１の実施例の説明図、第２図は第１
および第２の実施例の動作を示す図、第３図はブロッホ
ラインメモリモジュールを示す図、第４図は従来の駆動
回路を示す図、第５図は従来の駆動回路のパルス電流波
形を示す図、第６図、第７図は本発明の第２、第３の実
施例の説明図、第８図は本発明の第３の実施例の動作を
示す図である。 図において。 １〜３・・・第１〜第３のスイッチ ４・・トランス ５・・・バイアス磁界コイル ６・・・直流定電圧電源 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 第２図 第３図 １〜３−−−ス不・７チｌ〜３ ６−遁献電ｒ雪琢 第４図 第５図 ｔ″θ ｔゞ７ｔ ｔｌｌＴ２
第６図
および第２の実施例の動作を示す図、第３図はブロッホ
ラインメモリモジュールを示す図、第４図は従来の駆動
回路を示す図、第５図は従来の駆動回路のパルス電流波
形を示す図、第６図、第７図は本発明の第２、第３の実
施例の説明図、第８図は本発明の第３の実施例の動作を
示す図である。 図において。 １〜３・・・第１〜第３のスイッチ ４・・トランス ５・・・バイアス磁界コイル ６・・・直流定電圧電源 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 第２図 第３図 １〜３−−−ス不・７チｌ〜３ ６−遁献電ｒ雪琢 第４図 第５図 ｔ″θ ｔゞ７ｔ ｔｌｌＴ２
第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、バイアス磁界コイルと直流定電圧電源とパルストラ
ンスと３個のスイッチング素子とを含むバイアス磁界パ
ルス駆動回路であって、前記バイアス磁界コイルに前記
直流定電圧電源からパルス電流を第１の期間だけ流す第
１のスイッチング素子を含む第１の電流通路と、前記バ
イアス磁界コイルから前記パルストランスの第１次巻線
にパルス電流を第２の期間だけ流す第２のスイッチング
素子を含む第２の電流通路と、前記パルストランスの第
２次巻線から前記直流定電圧電源にパルス電流を前記第
２の期間だけ流す第３のスイッチング素子を含む第３の
電流通路とを含むことを特徴とするブロッホラインメモ
リ駆動回路。 ２、バイアス磁界コイルと直流定電圧電源とパルストラ
ンスと５個のスイッチング素子とを含むバイアス磁界パ
ルス駆動回路であって、前記バイアス磁界コイルに前記
直流定電圧電源からパルス電流を第１の期間だけ流す第
１と第２のスイッチング素子を含む第１の電流通路と、
前記バイアス磁界コイルから前記パルストランスの第１
次巻線にパルス電流を第２の期間だけ流す第３のスイッ
チング素子と第４のスイッチング素子とを含む第２の電
流通路と、前記パルストランスの第２次巻線から電源に
パルス電流を前記第２の期間だけ流す第５のスイッチン
グ素子を含む第３の電流通路とを含むことを特徴とする
ブロッホラインメモリ駆動回路。 ３、バイアス磁界コイルと直流定電圧電源とパルストラ
ンスと５個のスイッチング素子とを含むバイアス磁界パ
ルス駆動回路であって、前記バイアス磁界コイルに前記
直流定電圧電源からパルス電流を第１の期間だけ流す第
１と第２のスイッチング素子を含む第１の電流通路と、
前記バイアス磁界コイルの両端に接続され、第２の期間
だけ前記バイアス磁界コイルの両端を短絡してパルス電
流を流す前記第２のスイッチング素子と第３のスイッチ
ング素子を含む第２の電流通路と、前記バイアス磁界コ
イルから前記パルストランスの第１次巻線にパルス電流
を第３の期間だけ流す前記第３のスイッチング素子と第
４のスイッチング素子を含む第３の電流通路と、前記パ
ルストランスの第２次巻線から電源にパルス電流を前記
第３の期間だけ流す第５のスイッチング素子を含む第４
の電流通路とを含むことを特徴とするブロッホラインメ
モリ駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297750A JPH01140486A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | ブロッホラインメモリ駆動回路 |
| US07/593,375 US5023473A (en) | 1987-11-22 | 1990-10-01 | Drive circuit for Bloch line memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297750A JPH01140486A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | ブロッホラインメモリ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140486A true JPH01140486A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17850693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297750A Pending JPH01140486A (ja) | 1987-11-22 | 1987-11-27 | ブロッホラインメモリ駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5023473A (ja) |
| JP (1) | JPH01140486A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2012127896A1 (ja) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | 日本碍子株式会社 | パルス発生装置及びパルス発生装置の設置方法 |
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|---|---|---|---|---|
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1987
- 1987-11-27 JP JP62297750A patent/JPH01140486A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-01 US US07/593,375 patent/US5023473A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5023473A (en) | 1991-06-11 |
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