JPH01143342A - 超伝導接続装置およびその製造方法 - Google Patents
超伝導接続装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01143342A JPH01143342A JP62302248A JP30224887A JPH01143342A JP H01143342 A JPH01143342 A JP H01143342A JP 62302248 A JP62302248 A JP 62302248A JP 30224887 A JP30224887 A JP 30224887A JP H01143342 A JPH01143342 A JP H01143342A
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- Japan
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- thin film
- ribbon
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- superconducting
- wiring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、超伝導体等を用いた超伝導接続体装置に関す
るもので、特に化合物等の超伝導体薄膜を組入れた超伝
導接続体装置の構造ならびにその製造方法に係るもので
ある。
るもので、特に化合物等の超伝導体薄膜を組入れた超伝
導接続体装置の構造ならびにその製造方法に係るもので
ある。
従来の技術
従来、比較的高温の臨界転移温度を有する超伝導体とし
て、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ
：１Ｇｅ）などが知られていたが、これらの素材の超伝
導転移温度はたかだか２４０にであった。さらに高い転
移温度が期待されるものとして、ペロブスカイト系３元
化合物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−〇系などが提案されていた
。しかしながら、最近の研究によれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系の材料が液体窒素温度を越える可能性が示唆され
（Ｍ、に、Ｗｕ 等、フィジカル レビュー レター
ズ（Ｐｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ） Ｖｏｌ、 ５８、Ｎｏ、 ９、ＰＰ、 ９０８−
９１０（１９８７）） 、現実に、９０°に以上の転移
温度を有する超伝導化合物が報告されてきている。
て、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ
：１Ｇｅ）などが知られていたが、これらの素材の超伝
導転移温度はたかだか２４０にであった。さらに高い転
移温度が期待されるものとして、ペロブスカイト系３元
化合物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−〇系などが提案されていた
。しかしながら、最近の研究によれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系の材料が液体窒素温度を越える可能性が示唆され
（Ｍ、に、Ｗｕ 等、フィジカル レビュー レター
ズ（Ｐｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ） Ｖｏｌ、 ５８、Ｎｏ、 ９、ＰＰ、 ９０８−
９１０（１９８７）） 、現実に、９０°に以上の転移
温度を有する超伝導化合物が報告されてきている。
発明が解決しようとする問題点
単結晶性の超伝導薄膜は、多結晶性の超伝導薄膜に比べ
て、その配線等の臨界電流密度が大きく取れること、さ
らに、配線等の受動素子ではなく能動素子の活性領域と
しても使用され、その実用化が急がれていた。Ｙ −Ｂ
ａ −Ｃｕ −０系の化合物の薄膜は、焼結法あるい
はスパッタリング法で形成しても、超伝導性を示すセラ
ミックの粉体、塊状体などが比較的得られやすいが、臨
界電流の大きい結晶軸のそろった単結晶性の強い薄膜が
得られにくかった。しかしながら、本発明者等の知りえ
たところでは、スパッタリング法においても、結晶を堆
積させる基体として、高温に加熱されたサファイア（α
−ＡＩ２０３）、酸化マグネシウム、スピネル、シリコ
ン、ガリウムひ素等の単結晶を用いることが、単結晶性
の良い超伝導薄膜を形成するために、非常に有効である
ことを見いだした。
て、その配線等の臨界電流密度が大きく取れること、さ
らに、配線等の受動素子ではなく能動素子の活性領域と
しても使用され、その実用化が急がれていた。Ｙ −Ｂ
ａ −Ｃｕ −０系の化合物の薄膜は、焼結法あるい
はスパッタリング法で形成しても、超伝導性を示すセラ
ミックの粉体、塊状体などが比較的得られやすいが、臨
界電流の大きい結晶軸のそろった単結晶性の強い薄膜が
得られにくかった。しかしながら、本発明者等の知りえ
たところでは、スパッタリング法においても、結晶を堆
積させる基体として、高温に加熱されたサファイア（α
−ＡＩ２０３）、酸化マグネシウム、スピネル、シリコ
ン、ガリウムひ素等の単結晶を用いることが、単結晶性
の良い超伝導薄膜を形成するために、非常に有効である
ことを見いだした。
さらに、このように形成された薄膜は基体の平面に対し
て、その結晶のＣ軸が垂直に立ちやすく、しかも、この
平面方向くＣ軸に垂直な方向）に流れる超伝導電流のキ
ャリア密度が、Ｃ軸に沿った方向（Ｃ軸に平行な方向）
に流れる超伝導電流のキャリア密度よりも数倍大きいこ
とが見いだされた。すなわち、Ｃ軸に垂直な方向に超伝
導電流を流しやすく、Ｃ軸に平行な方向には、超伝導電
流を取り出しにくかった。さらには、超伝導のコヒーレ
ンス長もＣ軸に垂直な方向には、数十ナノ・メータ、Ｃ
軸に平行な方向には、数ナノ・メータ程度で、同じく、
数倍の差があることが知られた。
て、その結晶のＣ軸が垂直に立ちやすく、しかも、この
平面方向くＣ軸に垂直な方向）に流れる超伝導電流のキ
ャリア密度が、Ｃ軸に沿った方向（Ｃ軸に平行な方向）
に流れる超伝導電流のキャリア密度よりも数倍大きいこ
とが見いだされた。すなわち、Ｃ軸に垂直な方向に超伝
導電流を流しやすく、Ｃ軸に平行な方向には、超伝導電
流を取り出しにくかった。さらには、超伝導のコヒーレ
ンス長もＣ軸に垂直な方向には、数十ナノ・メータ、Ｃ
軸に平行な方向には、数ナノ・メータ程度で、同じく、
数倍の差があることが知られた。
このように、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等の化合物の薄膜超
伝導体を、例えば、集積回路超伝導接続体装置の配線等
の用途に用いたとき、基体の水平面方向に流れやすい超
伝導電流の異方性がみられやすく、平面に垂直な方向に
電流を取り出しにくいという問題が有った。
伝導体を、例えば、集積回路超伝導接続体装置の配線等
の用途に用いたとき、基体の水平面方向に流れやすい超
伝導電流の異方性がみられやすく、平面に垂直な方向に
電流を取り出しにくいという問題が有った。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、基体上に形成さ
れ、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性
がみられる第１のリボン状薄膜と、前記第１のりホン状
薄膜に局所的に形成した島状の等方的導電性を示す部分
と、前記島状部分の上−４＝ 部に接続して形成された、導電性の異方性がみられない
等方性の第２のリボン状薄膜とから構成され、第１のリ
ボン状薄膜の島状部分の側面から第２のリボン状薄膜へ
電流を取り出すことを特徴とする超伝導接続体装置と、
基体上に、基体に対して平行な平面方向に流れやすい導
電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜を形成する
工程と、前記第１のリボン状薄膜の表面から島状部分を
形成する工程と、前記島状部分の上部に接続した、導電
性の異方性がみられない等方性の第２のリボン状薄膜を
形成する工程とからなり、第１のリボン状薄膜の島状部
分の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すこと
を特徴とする超伝導接続体装置の製造方法を提供する。
れ、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性
がみられる第１のリボン状薄膜と、前記第１のりホン状
薄膜に局所的に形成した島状の等方的導電性を示す部分
と、前記島状部分の上−４＝ 部に接続して形成された、導電性の異方性がみられない
等方性の第２のリボン状薄膜とから構成され、第１のリ
ボン状薄膜の島状部分の側面から第２のリボン状薄膜へ
電流を取り出すことを特徴とする超伝導接続体装置と、
基体上に、基体に対して平行な平面方向に流れやすい導
電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜を形成する
工程と、前記第１のリボン状薄膜の表面から島状部分を
形成する工程と、前記島状部分の上部に接続した、導電
性の異方性がみられない等方性の第２のリボン状薄膜を
形成する工程とからなり、第１のリボン状薄膜の島状部
分の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すこと
を特徴とする超伝導接続体装置の製造方法を提供する。
作用
本発明の方法により、例えば、基体に平行な平面方向に
流れやすい導電性の異方性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状薄膜において、この異方性のリボ
ン状薄膜に局所的に形成した島状の等方的導電性を示す
部分を形成することにより、この島状部分の側面から、
基体に平行な平面方向に流れる電流を取り出すことが容
易になる。したがって、この島状部分上部に接して異方
性のないリボン状薄膜の導電膜を形成すれば良いことに
なる。この時、これら２つのリボン状薄膜が超伝導性を
示せば、電気抵抗のない多層配線が実現できる。さらに
は、空の溝ではなく島状部分を形成するので、異方性の
ないリボン状薄膜を溝部に均質に埋め込む困難を避ける
ことが出来る。
流れやすい導電性の異方性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状薄膜において、この異方性のリボ
ン状薄膜に局所的に形成した島状の等方的導電性を示す
部分を形成することにより、この島状部分の側面から、
基体に平行な平面方向に流れる電流を取り出すことが容
易になる。したがって、この島状部分上部に接して異方
性のないリボン状薄膜の導電膜を形成すれば良いことに
なる。この時、これら２つのリボン状薄膜が超伝導性を
示せば、電気抵抗のない多層配線が実現できる。さらに
は、空の溝ではなく島状部分を形成するので、異方性の
ないリボン状薄膜を溝部に均質に埋め込む困難を避ける
ことが出来る。
また、島状部分の側面から最大限に電流を取り出すため
には、異方性のリボン状薄膜の底面まで島状部分を形成
し側面の面積を最大にしておくことが好ましい。一方、
異方性の薄膜の平面に対して垂直な方向の薄膜のコヒー
レンス長が、薄膜の厚みに対して比較的大きい場合、必
ずしも、薄膜の底面に達するまで島状部分を形成する必
要はない。
には、異方性のリボン状薄膜の底面まで島状部分を形成
し側面の面積を最大にしておくことが好ましい。一方、
異方性の薄膜の平面に対して垂直な方向の薄膜のコヒー
レンス長が、薄膜の厚みに対して比較的大きい場合、必
ずしも、薄膜の底面に達するまで島状部分を形成する必
要はない。
すなわち、島状部分の下に、コヒーレンス長程度あるい
はそれ以下の薄膜が残っていても島状部分の底部から超
伝導電流を取り出すことが可能なためである。
はそれ以下の薄膜が残っていても島状部分の底部から超
伝導電流を取り出すことが可能なためである。
実施例
以下、本発明の方式による超伝導配線を用いた超伝導接
続体装置の構造を、第１の実施例として、第１図を参照
して詳細に説明する。
続体装置の構造を、第１の実施例として、第１図を参照
して詳細に説明する。
結晶性のサファイア（α−Ａ１２０３）の基体１００上
に、７００−１００００Ｃの基体温度で形成されたＣ軸
がほぼ基体−の平面に垂直な方向に配列されたＹ−Ｂａ
−Ｃｕ−〇系結晶の厚さ約１０００ナノ・メータのリボ
ン状の超伝導性の第１の薄膜配線１１０と、この薄膜の
表面を被覆するシリコン酸化膜１２０に開口されたアル
ゴンイオン注入により結晶性を乱され等方向に電流が流
れるように変質された島状部分１４０Ａ、１４０Ｂと、
この島状部分１４０の上部に接続された多結晶状（基体
温度２００−５００°Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系結晶の厚さ約１５００ナノ・メータの第２の超伝導薄
膜配線１６０Ａ、１６０Ｂが形成されている。ここに、
超伝導配線１６０Ｃは、超伝導配線１１０上を通過する
配線である。本発明の構造によれば、等方向に電流を流
せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１１０に
形成された島状部分１４ＯＡの側面１５０Ａから一様に
流れ込み、島状部分１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１
６０Ｂに、良好に、取り出された。もし、この様な配置
において配線１６０Ｃの下の酸化膜１２０に開口を設け
、配線１１０に島状部分を形成せずに、配線１１０と配
線１６０Ｃとを接続したとしても、配線１６０Ａから流
れ込んだ電流は、配線１６０（ｊこは流れ込まずに、大
部分の電流が島状部分１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線
１６０Ｂに取り出される。なお、配線１１０の低面に達
するまで島状部分１４０Ａ、１４０Ｂを形成する必要は
なく、島状部分１４０Ａ、、１４０Ｂの下に、配線１１
０の膜に垂直な方向のコヒーレンス長以下の厚さ１部分
１９０Ａ、１９０Ｂが残っていても良い。なお、厚さ１
はコヒーレンス長以上でもよいが、以下であると島状部
分１４０Ａ、１４０Ｂの低部から有効に電流が取り出さ
れる。
に、７００−１００００Ｃの基体温度で形成されたＣ軸
がほぼ基体−の平面に垂直な方向に配列されたＹ−Ｂａ
−Ｃｕ−〇系結晶の厚さ約１０００ナノ・メータのリボ
ン状の超伝導性の第１の薄膜配線１１０と、この薄膜の
表面を被覆するシリコン酸化膜１２０に開口されたアル
ゴンイオン注入により結晶性を乱され等方向に電流が流
れるように変質された島状部分１４０Ａ、１４０Ｂと、
この島状部分１４０の上部に接続された多結晶状（基体
温度２００−５００°Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系結晶の厚さ約１５００ナノ・メータの第２の超伝導薄
膜配線１６０Ａ、１６０Ｂが形成されている。ここに、
超伝導配線１６０Ｃは、超伝導配線１１０上を通過する
配線である。本発明の構造によれば、等方向に電流を流
せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１１０に
形成された島状部分１４ＯＡの側面１５０Ａから一様に
流れ込み、島状部分１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１
６０Ｂに、良好に、取り出された。もし、この様な配置
において配線１６０Ｃの下の酸化膜１２０に開口を設け
、配線１１０に島状部分を形成せずに、配線１１０と配
線１６０Ｃとを接続したとしても、配線１６０Ａから流
れ込んだ電流は、配線１６０（ｊこは流れ込まずに、大
部分の電流が島状部分１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線
１６０Ｂに取り出される。なお、配線１１０の低面に達
するまで島状部分１４０Ａ、１４０Ｂを形成する必要は
なく、島状部分１４０Ａ、、１４０Ｂの下に、配線１１
０の膜に垂直な方向のコヒーレンス長以下の厚さ１部分
１９０Ａ、１９０Ｂが残っていても良い。なお、厚さ１
はコヒーレンス長以上でもよいが、以下であると島状部
分１４０Ａ、１４０Ｂの低部から有効に電流が取り出さ
れる。
なお、基体１００としては、シリコン単結晶などの他の
基体を用いることも可能である。
基体を用いることも可能である。
本発明の方式による超伝導配線を用いた超伝導接続体装
置の製造方法を、第２の実施例として、第２図（ａ）〜
（ｃ）を参照して詳細に説明する。
置の製造方法を、第２の実施例として、第２図（ａ）〜
（ｃ）を参照して詳細に説明する。
第２図（ａ）のごとく、結晶性のサファイア（α−Ａ１
２０３）の基体１００上に、７００−１００００Ｃの基
体温度で、Ｃ軸がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列さ
れるようにＹ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系結晶の厚さ約１０００
ナノ・メータのリボン状の超伝導性の薄膜を形成し、通
常のホトエツチング工程とアルゴン等を用いた物理的エ
ツチングにより、リボン状の配線１１０を形成し、さら
に、全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２０を形成し
た。さらに、通常のホトエツチング工程により絶縁膜１
２０に開口部を設け、アルゴンイオン１３０を絶縁膜１
２０をマスクとして、リボン状の配線１１０に注入し深
さ約８００ナノ・メータのほぼ垂直な側面の結晶性を乱
し等方向導電性を示す島状部分１４０Ａ、１４０Ｂを形
成する。
２０３）の基体１００上に、７００−１００００Ｃの基
体温度で、Ｃ軸がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列さ
れるようにＹ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系結晶の厚さ約１０００
ナノ・メータのリボン状の超伝導性の薄膜を形成し、通
常のホトエツチング工程とアルゴン等を用いた物理的エ
ツチングにより、リボン状の配線１１０を形成し、さら
に、全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２０を形成し
た。さらに、通常のホトエツチング工程により絶縁膜１
２０に開口部を設け、アルゴンイオン１３０を絶縁膜１
２０をマスクとして、リボン状の配線１１０に注入し深
さ約８００ナノ・メータのほぼ垂直な側面の結晶性を乱
し等方向導電性を示す島状部分１４０Ａ、１４０Ｂを形
成する。
第２図（ｂ）のごとく、全面に、多結晶状（基体温度２
００−５００°Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系結晶
の厚さ約１５００ナノ・メータ超伝導薄膜１６０を堆積
させ、さらに、通常のホトエツチング工程により、レジ
スト・パターン１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃを形成し
た。
００−５００°Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系結晶
の厚さ約１５００ナノ・メータ超伝導薄膜１６０を堆積
させ、さらに、通常のホトエツチング工程により、レジ
スト・パターン１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃを形成し
た。
第２図（Ｃ）のごとく、レジスト・パターン１８０Ａ、
１８０Ｂ、１８０Ｃをマスクとして、超伝導薄膜１６０
をアルゴン等を用いた物理的エツチングにより、リボン
状の超伝導配線１６０Ａ。
１８０Ｂ、１８０Ｃをマスクとして、超伝導薄膜１６０
をアルゴン等を用いた物理的エツチングにより、リボン
状の超伝導配線１６０Ａ。
１６０Ｂ、１６０Ｃを形成し、レジスト１８０Ａ等を除
去した。ここに、超伝導配線１６０Ｃは、超伝導配線１
１０上を通過する配線である。
去した。ここに、超伝導配線１６０Ｃは、超伝導配線１
１０上を通過する配線である。
以上のように、本発明の製造方法によれば、等方向に電
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された島状部分１４０Ａの側面から一様に流
れ込み、島状部分１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６
０Ｂに、良好に、取り出された。なお、本発明の実施例
としては、おもに、配線の形成法について述べたが、結
晶性に優れた第１層目の配線１１０等の結晶部を直接に
ジョセフソン、バイポーラ等の種々の能動素子の領域と
して使えることは当然であり、したがって、さらに高度
な超伝導電子回路が形成されうる。
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された島状部分１４０Ａの側面から一様に流
れ込み、島状部分１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６
０Ｂに、良好に、取り出された。なお、本発明の実施例
としては、おもに、配線の形成法について述べたが、結
晶性に優れた第１層目の配線１１０等の結晶部を直接に
ジョセフソン、バイポーラ等の種々の能動素子の領域と
して使えることは当然であり、したがって、さらに高度
な超伝導電子回路が形成されうる。
発明の効果
本発明による構造と製造方法によれば、特に、電流の異
方性のある超伝導体薄膜どうしを良好に接続しながら配
線、素子等を形成し、集積化された超伝導接続体装置の
提供が可能となった。
方性のある超伝導体薄膜どうしを良好に接続しながら配
線、素子等を形成し、集積化された超伝導接続体装置の
提供が可能となった。
第１図は本発明による構造の第１の実施例を示す断面図
、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明による製造方法の第２
の実施例を示す一連の工程断面図である。 １００・・・基体、１１０・・・異方性超伝導膜、１２
０・・・絶縁膜、１３０・・・アルゴンイオン、１４０
・・・島状部分、１５０・・・島状部分の側面、１６０
・・・等方性超伝導膜、１８０・・・レジスト、１９０
・・・島状部分の下部。
、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明による製造方法の第２
の実施例を示す一連の工程断面図である。 １００・・・基体、１１０・・・異方性超伝導膜、１２
０・・・絶縁膜、１３０・・・アルゴンイオン、１４０
・・・島状部分、１５０・・・島状部分の側面、１６０
・・・等方性超伝導膜、１８０・・・レジスト、１９０
・・・島状部分の下部。
Claims (6)
- （１）基体上に形成され、基体に平行な平面方向に流れ
やすい導電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜と
、前記第１のリボン状薄膜に局所的に形成した島状の等
方的導電性を示す部分と、前記島状部分の上部に接続し
て形成された導電性の異方性がみられない等方性の第２
のリボン状薄膜とから構成され、第１のリボン状薄膜の
島状部分の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出
すことを特徴とする超伝導接続体装置。 - （２）島状部分をイオン注入法により形成することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の超伝導接続体装置
。 - （３）島状部分の底面が第１のリボン状薄膜を、少なく
とも突き抜けていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第２項いずれか記載の超伝導接続体装置。 - （４）島状部分の底面と第１のリボン状薄膜の底部との
間に残された薄膜の厚みが、少なくとも、基体に垂直な
方向のコヒーレンス長と同程度以下であることをを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の超伝導接続体装置。 - （５）基体上に、基体に対して平行な平面方向に流れや
すい導電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜を形
成する工程と、前記第１のリボン状薄膜の表面から伝導
性の異方性を示さない島状部分を形成する工程と、前記
島状部分の上部に接続した、導電性の異方性がみられな
い等方性の第２のリボン状薄膜を形成する工程とからな
り、第１のリボン状薄膜の島状部分の側面から第２のリ
ボン状薄膜へ電流を取り出すことを特徴とする超伝導接
続体装置の製造方法。 - （６）リボン状薄膜が超伝導膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第５項記載の超伝導接続体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302248A JPH01143342A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 超伝導接続装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302248A JPH01143342A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 超伝導接続装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143342A true JPH01143342A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17906732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62302248A Pending JPH01143342A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 超伝導接続装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143342A (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62302248A patent/JPH01143342A/ja active Pending
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