JPH01780A - 接続体装置およびその製造方法 - Google Patents
接続体装置およびその製造方法Info
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- JPH01780A JPH01780A JP62-155823A JP15582387A JPH01780A JP H01780 A JPH01780 A JP H01780A JP 15582387 A JP15582387 A JP 15582387A JP H01780 A JPH01780 A JP H01780A
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- ribbon
- groove
- wiring
- superconducting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、超伝導体く以下、超電導と記す。）等を用い
た接続体装置に関するもので、特に化合物等の超電導体
薄膜を組入れた接続体装置の構造ならびにその製造方法
に係るものである。
た接続体装置に関するもので、特に化合物等の超電導体
薄膜を組入れた接続体装置の構造ならびにその製造方法
に係るものである。
従来の技術
゛ 従来、比較的高温の臨界転移温度を有する超電導体
として、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（
Ｎ ｂ ｓ Ｇ ｅ ）などが知られていたが。
として、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（
Ｎ ｂ ｓ Ｇ ｅ ）などが知られていたが。
これらの素材の超電導転移温度はたかだか２４゛にであ
った。さらに高い転移温度が期待されるものとして、ペ
ロブスカイト系３元化合物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系、
などが提案されていた。しかしながら、最近の研究によ
れば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系の材料が液体窒素温度を越
える可能性が示唆され（Ｍ、に、Ｗｕ 等、フィジカ
ル レビューレターズ（Ｐｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ）ｖｏｆ、 ５８、Ｎ００９、Ｐ
Ｐ、 ９０８９１０（１９８７）） 、現実に、９０°
に以上の転移温度を有する超電導化合物が報告されてき
ている。
った。さらに高い転移温度が期待されるものとして、ペ
ロブスカイト系３元化合物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系、
などが提案されていた。しかしながら、最近の研究によ
れば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系の材料が液体窒素温度を越
える可能性が示唆され（Ｍ、に、Ｗｕ 等、フィジカ
ル レビューレターズ（Ｐｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ）ｖｏｆ、 ５８、Ｎ００９、Ｐ
Ｐ、 ９０８９１０（１９８７）） 、現実に、９０°
に以上の転移温度を有する超電導化合物が報告されてき
ている。
発明が解決しようとする問題点
単結晶性の超電導薄膜は、多結晶性の超電導薄膜に比べ
て、その配線等の臨界電流密度が太き（取れること、さ
らに、配線等の受動素子ではな（能動素子の活性領域と
しても使用され、その実用化が急がれていた。Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系の化合物の薄膜は、焼結法あるいはスパッ
タリング法で形成しても、超電導性を示すセラミックの
粉体、塊状体などが比較的得られやすいが、臨界電流の
大きい結晶軸のそろった単結晶性の強い薄膜が得られに
くかった。しかしながら、本発明人等の知りえたところ
では、スパッタリング法においても、結晶を堆積させる
基体として、高温に加熱されたサファイア（α−Ａ１２
０３＞、酸化マグネシウム、スピネル、シリコン、ガリ
ウムひ素等の単結晶を用いることが、単結晶性の良い超
電導薄膜を形成するために、非常に有効であることを見
いだした。さらに、このように形成された薄膜は基体の
平面に対して、その結晶のＣ軸が垂直に立ちやす（、し
かも、この平面方向（Ｃ軸に垂直な方向）に流れる超電
導電流のキャリア密度が、Ｃ軸に沿った方向（Ｃ軸に平
行な方向）に流れる超電導電流のキャリア密度よりも数
倍大きいことが見いだされた。すなわち、Ｃ軸に垂直な
方向に超電導電流を流しやすく、Ｃ軸に平行な方向には
、超電導電流を取り出しにくかった。さらには、超電導
のコヒーレンス長もＣ軸に垂直な方向には、数十ナノ・
メータ、Ｃ軸に平行な方向には、数ナノ・メータ程度で
、同じく、数倍の差があることが知られた。このように
、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等の化合物の薄膜超電導体を、
例えば、集積回路接続体装置の配線等の用途に用いたと
き、基体の水平面方向に流れやすい超電導電流の異方性
がみられやすく、平面に垂直な方向に電流を取り出しに
くいという問題が有った。
て、その配線等の臨界電流密度が太き（取れること、さ
らに、配線等の受動素子ではな（能動素子の活性領域と
しても使用され、その実用化が急がれていた。Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系の化合物の薄膜は、焼結法あるいはスパッ
タリング法で形成しても、超電導性を示すセラミックの
粉体、塊状体などが比較的得られやすいが、臨界電流の
大きい結晶軸のそろった単結晶性の強い薄膜が得られに
くかった。しかしながら、本発明人等の知りえたところ
では、スパッタリング法においても、結晶を堆積させる
基体として、高温に加熱されたサファイア（α−Ａ１２
０３＞、酸化マグネシウム、スピネル、シリコン、ガリ
ウムひ素等の単結晶を用いることが、単結晶性の良い超
電導薄膜を形成するために、非常に有効であることを見
いだした。さらに、このように形成された薄膜は基体の
平面に対して、その結晶のＣ軸が垂直に立ちやす（、し
かも、この平面方向（Ｃ軸に垂直な方向）に流れる超電
導電流のキャリア密度が、Ｃ軸に沿った方向（Ｃ軸に平
行な方向）に流れる超電導電流のキャリア密度よりも数
倍大きいことが見いだされた。すなわち、Ｃ軸に垂直な
方向に超電導電流を流しやすく、Ｃ軸に平行な方向には
、超電導電流を取り出しにくかった。さらには、超電導
のコヒーレンス長もＣ軸に垂直な方向には、数十ナノ・
メータ、Ｃ軸に平行な方向には、数ナノ・メータ程度で
、同じく、数倍の差があることが知られた。このように
、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等の化合物の薄膜超電導体を、
例えば、集積回路接続体装置の配線等の用途に用いたと
き、基体の水平面方向に流れやすい超電導電流の異方性
がみられやすく、平面に垂直な方向に電流を取り出しに
くいという問題が有った。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、基体上に形成さ
れ、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性
がみられる第１のリボン状薄膜と、前記第１のリボン状
薄膜の表面から形成された溝部と、前記溝部に接続して
形成された、導電性の異方性がみられない等方性の第２
のリボン状薄膜とから構成され、第１のリボン状薄膜の
溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すこ
とを特徴とする接続体装置と、基体上に、基体に対して
平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性がみられる
第１のリボン状薄膜を形成する工程と、前記第１のリボ
ン状薄膜の表面から溝部を形成する工程と、前記溝部に
接続した、導電性の異方性がみられない等方性の第２の
リボン状薄膜を形成する工程とからなり、第１のリボン
状薄膜の溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取
り出すことを特徴とする接続体装置の製造方法を提供す
る。
れ、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性
がみられる第１のリボン状薄膜と、前記第１のリボン状
薄膜の表面から形成された溝部と、前記溝部に接続して
形成された、導電性の異方性がみられない等方性の第２
のリボン状薄膜とから構成され、第１のリボン状薄膜の
溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すこ
とを特徴とする接続体装置と、基体上に、基体に対して
平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性がみられる
第１のリボン状薄膜を形成する工程と、前記第１のリボ
ン状薄膜の表面から溝部を形成する工程と、前記溝部に
接続した、導電性の異方性がみられない等方性の第２の
リボン状薄膜を形成する工程とからなり、第１のリボン
状薄膜の溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取
り出すことを特徴とする接続体装置の製造方法を提供す
る。
作用
本発明の方法により、例えば、基体に平行な平面方向に
流れやすい導電性の異方性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状薄膜において、この異方性のリボ
ン状薄膜の表面から溝部を形成することにより、この溝
部の側面から、基体に平行な平面方向に流れる電流を取
り出すことが容易になる。したがって、この溝部の側面
に接して異方性のないリボン状薄膜の導電膜を形成すれ
ば良いことになる。この時、これら２つのリボン状３膜
が超電導性を示せば、電気抵抗のない多層配線が実現で
きる。さらには、溝部が深い場合、異方性のないリボン
状薄膜を溝部に均質に埋め込むことが困難となるので、
溝部の側面を、少し、先細りのテーパー状にしておくこ
とが好ましい。
流れやすい導電性の異方性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状薄膜において、この異方性のリボ
ン状薄膜の表面から溝部を形成することにより、この溝
部の側面から、基体に平行な平面方向に流れる電流を取
り出すことが容易になる。したがって、この溝部の側面
に接して異方性のないリボン状薄膜の導電膜を形成すれ
ば良いことになる。この時、これら２つのリボン状３膜
が超電導性を示せば、電気抵抗のない多層配線が実現で
きる。さらには、溝部が深い場合、異方性のないリボン
状薄膜を溝部に均質に埋め込むことが困難となるので、
溝部の側面を、少し、先細りのテーパー状にしておくこ
とが好ましい。
また、溝部の側面から最大限に電流を取り出すためには
、異方性のリボン状薄膜の底面まで溝部をエツチングし
て側面の面積を最大にしておくことが好ましい。一方、
異方性の薄膜の平面に対して垂直な方向の薄膜のコヒー
レンス長が、薄膜の厚みに対して比較的大きい場合、必
ずしも、薄膜の底面に達するまで溝部をエツチングする
必要はない。すなわち、溝部の下に、コヒーレンス長程
度あるいはそれ以下の薄膜が残っていても溝部の底部か
ら超電導電流を取り出すことが可能なためである。さら
には、溝部をテーパー状に形成した場合、薄膜の縦方向
のコヒーレンス長と、溝部の側面をテーパー状にしてお
くことによる溝部の増大した実効側面積との積から決ま
る電流引出し領域の体積を大きく取ることができるので
、これにより、電流引出しの効率の改善が達成される。
、異方性のリボン状薄膜の底面まで溝部をエツチングし
て側面の面積を最大にしておくことが好ましい。一方、
異方性の薄膜の平面に対して垂直な方向の薄膜のコヒー
レンス長が、薄膜の厚みに対して比較的大きい場合、必
ずしも、薄膜の底面に達するまで溝部をエツチングする
必要はない。すなわち、溝部の下に、コヒーレンス長程
度あるいはそれ以下の薄膜が残っていても溝部の底部か
ら超電導電流を取り出すことが可能なためである。さら
には、溝部をテーパー状に形成した場合、薄膜の縦方向
のコヒーレンス長と、溝部の側面をテーパー状にしてお
くことによる溝部の増大した実効側面積との積から決ま
る電流引出し領域の体積を大きく取ることができるので
、これにより、電流引出しの効率の改善が達成される。
この点から考えても、溝部をテーパー状に形成すること
が好ましい。
が好ましい。
実施例
以下、本発明の方式による超電導配線を用いた接続体装
置の構造を、第１の実施例として、第１図を参照して詳
細に説明する。
置の構造を、第１の実施例として、第１図を参照して詳
細に説明する。
結晶性のサファイア（α−Ａ １２０３）の基体１００
上に、７００−１０００″Ｃの基体温度で形成されたＣ
軸がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列されたＹ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１０００ナノ・メータのリボ
ン状の超電導性の薄膜配線１１０と、この薄膜の表面を
被覆するシリコン酸化膜１２０の表面から開口された溝
部１４０Ａ、１４０Ｂと、この溝部１４０に接続された
多結晶状（基体温度２００−５００“Ｃで形成）のＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１５００ナノ・メータ超
電導薄膜配線１６０Ａ、１６０Ｂが形成されている。こ
こに、超電導配線１６０Ｃは、超電導配線１１０上を通
過する配線である。本発明の構造によれば、等方的に電
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された溝部１４０Ａの側面１５０Ａから一様
に流れ込み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６
０Ｂに、良好に、取り出された。もし、この様な配置に
おいて配線１６０Ｃの下の酸化膜１２０に開口を設け、
配線１１０に溝部を形成せずに、配線１１０と配線１６
０Ｃとを接続したとしても、配線１６０Ａから流れ込ん
だ電流は、配線１６０Ｃには流れ込まずに、大部分の電
流が溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに取
り出される。
上に、７００−１０００″Ｃの基体温度で形成されたＣ
軸がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列されたＹ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１０００ナノ・メータのリボ
ン状の超電導性の薄膜配線１１０と、この薄膜の表面を
被覆するシリコン酸化膜１２０の表面から開口された溝
部１４０Ａ、１４０Ｂと、この溝部１４０に接続された
多結晶状（基体温度２００−５００“Ｃで形成）のＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１５００ナノ・メータ超
電導薄膜配線１６０Ａ、１６０Ｂが形成されている。こ
こに、超電導配線１６０Ｃは、超電導配線１１０上を通
過する配線である。本発明の構造によれば、等方的に電
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された溝部１４０Ａの側面１５０Ａから一様
に流れ込み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６
０Ｂに、良好に、取り出された。もし、この様な配置に
おいて配線１６０Ｃの下の酸化膜１２０に開口を設け、
配線１１０に溝部を形成せずに、配線１１０と配線１６
０Ｃとを接続したとしても、配線１６０Ａから流れ込ん
だ電流は、配線１６０Ｃには流れ込まずに、大部分の電
流が溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに取
り出される。
本発明の方式による超電導配線を用いた接続体装置の構
造を、第２の実施例として、第２図を参照して詳細に説
明する。
造を、第２の実施例として、第２図を参照して詳細に説
明する。
第２図に示されているように、第１図の第１の実施例と
ばば同じ構成であるが、配線１１０に形成された溝部の
側面１５０Ａ、１５０Ｂの形が、深さ方向に先細りのテ
ーパー状となっている。このテーパ状の溝部により、次
のような効果が得られた。はぼ、垂直な側面を有する溝
部が深い場合、リボン状薄膜配線１６０Ａ、１６０Ｂを
溝部に均質に埋め込むことが困難となるが、溝部の側面
を、先細りのテーパー状にしてお（ことにより、薄膜配
線１６０Ａ、１６０Ｂを溝部に均質に埋め込むことが容
易となる。さらには、溝部をテーパー状に形成した場合
、薄膜配線１１０の縦方向のコヒーレンス長と、溝部の
側面をテーパー状にしておくことによる溝部の増大した
実効側面積との積から決まる電流引出し領域の体積が大
きい。これにより、電流引出しの効率の改善が達成され
る。
ばば同じ構成であるが、配線１１０に形成された溝部の
側面１５０Ａ、１５０Ｂの形が、深さ方向に先細りのテ
ーパー状となっている。このテーパ状の溝部により、次
のような効果が得られた。はぼ、垂直な側面を有する溝
部が深い場合、リボン状薄膜配線１６０Ａ、１６０Ｂを
溝部に均質に埋め込むことが困難となるが、溝部の側面
を、先細りのテーパー状にしてお（ことにより、薄膜配
線１６０Ａ、１６０Ｂを溝部に均質に埋め込むことが容
易となる。さらには、溝部をテーパー状に形成した場合
、薄膜配線１１０の縦方向のコヒーレンス長と、溝部の
側面をテーパー状にしておくことによる溝部の増大した
実効側面積との積から決まる電流引出し領域の体積が大
きい。これにより、電流引出しの効率の改善が達成され
る。
本発明の方式による超電導配線を用いた接続体装置の製
造方法を、第３の実施例として、第３図（ａ）−（ｃ）
を参照して詳細に説明する。
造方法を、第３の実施例として、第３図（ａ）−（ｃ）
を参照して詳細に説明する。
第３図（ａ）のどと（、結晶性のサファイア（α−Ａ
Ｉ ２０ ａ ）の基体１００上に、７００−１０００
″Ｃの基体温度で、Ｃ軸がほぼ基体の平面に垂直な方向
に配列されるようにＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約
１０００ナノ・メータのリボン状の超電導性の薄膜を形
成し、通常のホトエツチング工程とアルゴン等を用いた
物理的エツチングにより、リボン状の配線１１０を形成
し、さらに、全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２０
を形成した。
Ｉ ２０ ａ ）の基体１００上に、７００−１０００
″Ｃの基体温度で、Ｃ軸がほぼ基体の平面に垂直な方向
に配列されるようにＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約
１０００ナノ・メータのリボン状の超電導性の薄膜を形
成し、通常のホトエツチング工程とアルゴン等を用いた
物理的エツチングにより、リボン状の配線１１０を形成
し、さらに、全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２０
を形成した。
第３図（ｂ）のごと（、通常のホトエツチング工程にア
ルゴン等を用いた物理的エツチングにより、深さ約８０
０ナノ・メータのほぼ垂直な側面を有する溝部１’４０
Ａ、１４０Ｂを形成し、全面に、多結晶状（基体温度２
００−５００°Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶
の厚さ約１５００ナノ・メータ超電導薄膜１６０を堆積
させ、さらに、通常のホトエツチング工程により、レジ
スト・パターン１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃを形成し
た。
ルゴン等を用いた物理的エツチングにより、深さ約８０
０ナノ・メータのほぼ垂直な側面を有する溝部１’４０
Ａ、１４０Ｂを形成し、全面に、多結晶状（基体温度２
００−５００°Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶
の厚さ約１５００ナノ・メータ超電導薄膜１６０を堆積
させ、さらに、通常のホトエツチング工程により、レジ
スト・パターン１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃを形成し
た。
第３図（Ｃ）のごとく、レジスト・パターン１８０Ａ、
１８０Ｂ、１８０Ｇをマスクとして、超電導薄膜１６０
をアルゴン等を用いた物理的エツチングにより、リボン
状の超電導配線１６０Ａ。
１８０Ｂ、１８０Ｇをマスクとして、超電導薄膜１６０
をアルゴン等を用いた物理的エツチングにより、リボン
状の超電導配線１６０Ａ。
１６０’Ｂ、１６０’Ｃを形成し、レジスト１８０Ａ等
を除去した。ここに、超電導配線１６０Ｃは、超電導配
線１１０上を通過する配線である。
を除去した。ここに、超電導配線１６０Ｃは、超電導配
線１１０上を通過する配線である。
以上のように、本発明の製造方法によれば、等方的に電
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された溝部１４０Ａの側面から一様に流れ込
み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに、
良好に、取り出された。
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された溝部１４０Ａの側面から一様に流れ込
み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに、
良好に、取り出された。
本発明の方式による超電導配線を用いた接続体装置の製
造方法を、第４の実施例として、第４図（ａ）−（Ｃ）
を参照して詳細に説明する。
造方法を、第４の実施例として、第４図（ａ）−（Ｃ）
を参照して詳細に説明する。
第４図（ａ）のどと（、結晶性のサファイア基体１００
上に、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方
性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の厚さ約１０００ナ
ノ・メータのリボン状超電導薄・膜の第１層目の配線１
１０を形成し、２層配線の眉間の絶縁膜となるシリコン
酸化膜１２０を堆積した後、基体に平行な平面方向に流
れやすい導電性の異方性がみられるＹ−！３ａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状超電導薄膜の第２層目の配線２０
０Ａ、２００Ｂ、２００Ｃを形成し、ココテ、全面に、
絶縁膜となるシリコン酸化膜２２０を堆積した。
上に、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方
性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の厚さ約１０００ナ
ノ・メータのリボン状超電導薄・膜の第１層目の配線１
１０を形成し、２層配線の眉間の絶縁膜となるシリコン
酸化膜１２０を堆積した後、基体に平行な平面方向に流
れやすい導電性の異方性がみられるＹ−！３ａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状超電導薄膜の第２層目の配線２０
０Ａ、２００Ｂ、２００Ｃを形成し、ココテ、全面に、
絶縁膜となるシリコン酸化膜２２０を堆積した。
第４図（ｂ）のどと（、シリコン酸化膜の表面から、通
常のホトエツチング工程と反応性ガスあるいはアルゴン
等を組み合わせたエツチングにより、第２の配線２００
Ａ、２００Ｂを貫通し、さらに第１の配線１１０内に溝
部を有する開口を形成した後、全面に、比較的低温の基
体温度（温度２００−５００°Ｃで形成）にて、厚さ約
１０００ナノ・メータの多結晶状のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の超電導薄膜１６０を堆積した。
常のホトエツチング工程と反応性ガスあるいはアルゴン
等を組み合わせたエツチングにより、第２の配線２００
Ａ、２００Ｂを貫通し、さらに第１の配線１１０内に溝
部を有する開口を形成した後、全面に、比較的低温の基
体温度（温度２００−５００°Ｃで形成）にて、厚さ約
１０００ナノ・メータの多結晶状のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の超電導薄膜１６０を堆積した。
第４図（ｃ）のどと（、超電導薄膜１６０の表面からア
ルゴン等のエツチングにより平坦にバック・エツチング
し、溝部の中に超電導薄膜１６０Ａ、１６０Ｂを残置さ
せた。
ルゴン等のエツチングにより平坦にバック・エツチング
し、溝部の中に超電導薄膜１６０Ａ、１６０Ｂを残置さ
せた。
以上のように、本発明の製造方法によれば、電流の異方
性のある配線２０ＯＡから流れ込んだ電流は、溝部１４
０Ａ内に形成された異方性のない配線１６０Ａに一様に
流れ込み、さらに、電流の異方性のある第１層目の配線
１１０を通り、溝部１４０Ｂの側面から異方性のない配
線１６０Ｂに良好に取り出され、最後に、第２層目の配
線２００Ｂに電流が到達した。このようにして、第２層
目の配線２００Ｃを避けて、配線２０ＯＡ、２００Ｂ間
の超電導電流路を形成することができた。
性のある配線２０ＯＡから流れ込んだ電流は、溝部１４
０Ａ内に形成された異方性のない配線１６０Ａに一様に
流れ込み、さらに、電流の異方性のある第１層目の配線
１１０を通り、溝部１４０Ｂの側面から異方性のない配
線１６０Ｂに良好に取り出され、最後に、第２層目の配
線２００Ｂに電流が到達した。このようにして、第２層
目の配線２００Ｃを避けて、配線２０ＯＡ、２００Ｂ間
の超電導電流路を形成することができた。
なお、本発明の実施例としては、おもに、配線の形成法
について述べたが、結晶性に優れた第１層目の配線１１
０等の結晶部を直接にジョセフソン、バイポーラ等の種
々の能動素子の領域として使えることは当然であり、し
たがって、さらに高度な超電導電子回路が形成されつる
。また、本発明の実施例として、超電導電流を用いた例
について述べたが、本発明の主旨にそったリボン状薄膜
の導電性の異方性がみられるならば、必ずしも、超電導
電流である必要はなく、常電導の電流を用いた場合にも
、本発明の方法は適用可能である。
について述べたが、結晶性に優れた第１層目の配線１１
０等の結晶部を直接にジョセフソン、バイポーラ等の種
々の能動素子の領域として使えることは当然であり、し
たがって、さらに高度な超電導電子回路が形成されつる
。また、本発明の実施例として、超電導電流を用いた例
について述べたが、本発明の主旨にそったリボン状薄膜
の導電性の異方性がみられるならば、必ずしも、超電導
電流である必要はなく、常電導の電流を用いた場合にも
、本発明の方法は適用可能である。
発明の効果
本発明による構造と製造方法によれば、特に、電流の異
方性のある超電導体薄膜どうしを良好に接続しながら配
線、素子等を形成し、集積化された接続体装置の提供が
可能となった。
方性のある超電導体薄膜どうしを良好に接続しながら配
線、素子等を形成し、集積化された接続体装置の提供が
可能となった。
第１図は本発明による構造の第１の実施例を示す断面図
、第２図は本発明による構造の第２の実施例を示す断面
図、第３図（ａ）−（ｃ）は本発明による製造方法の第
３の実施例を示す一連の工程断面図、第４図（ａ）−（
ｃ）は本発明による製造方法の第４の実施例を示す一連
の工程断面図である。 １００・・・基体、１１０．２００・・・異方性超電導
膜、１２０．２２０・・・絶縁膜、１４０・・・溝部、
１５０・・・溝部の側面、１６０・・・等方性超電導膜
、１８０・・・レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 １ 図 第 ２ 図 ！ＴｅｌのＲ電鷹頑第３図 第４図 ７７０Ｔｔｌの超電１１ｆｆ
、第２図は本発明による構造の第２の実施例を示す断面
図、第３図（ａ）−（ｃ）は本発明による製造方法の第
３の実施例を示す一連の工程断面図、第４図（ａ）−（
ｃ）は本発明による製造方法の第４の実施例を示す一連
の工程断面図である。 １００・・・基体、１１０．２００・・・異方性超電導
膜、１２０．２２０・・・絶縁膜、１４０・・・溝部、
１５０・・・溝部の側面、１６０・・・等方性超電導膜
、１８０・・・レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第 １ 図 第 ２ 図 ！ＴｅｌのＲ電鷹頑第３図 第４図 ７７０Ｔｔｌの超電１１ｆｆ
Claims (7)
- （１）基体上に形成され、基体に平行な平面方向に流れ
やすい導電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜と
、前記第１のリボン状薄膜の表面から形成された溝部と
、前記溝部に接続して形成された、導電性の異方性がみ
られない等方性の第２のリボン状薄膜とから構成され、
第１のリボン状薄膜の溝部の側面から第２のリボン状薄
膜へ電流を取り出すことを特徴とする接続体装置。 - （２）溝部の側面がテーパー状になっていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の接続体装置。 - （３）溝部の底面が第１のリボン状薄膜を、少なくとも
、突き抜けていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項に記載の接続体装置。 - （４）リボン状薄膜が超伝導膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の接
続体装置。 - （５）溝部の底面と第１のリボン状薄膜の底部との間に
残された薄膜の厚みが、少なくとも、基体に垂直な方向
のコヒーレンス長と同程度以下であることをを特徴とす
る特許請求の範囲第４項記載の接続体装置。 - （６）基体上に、基体に対して平行な平面方向に流れや
すい導電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜を形
成する工程と、前記第１のリボン状薄膜の表面から溝部
を形成する工程と、前記溝部に接続した、導電性の異方
性がみられない等方性の第２のリボン状薄膜を形成する
工程とからなり、第１のリボン状薄膜の溝部の側面から
第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すことを特徴とする
接続体装置の製造方法。 - （７）リボン状薄膜が超伝導膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載の接続体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-155823A JPH01780A (ja) | 1987-06-23 | 接続体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-155823A JPH01780A (ja) | 1987-06-23 | 接続体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS64780A JPS64780A (en) | 1989-01-05 |
| JPH01780A true JPH01780A (ja) | 1989-01-05 |
Family
ID=
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