JPH01144077A

JPH01144077A - 現像装置

Info

Publication number: JPH01144077A
Application number: JP30374587A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Asada; 浅田　智幸
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-12-01
Filing date: 1987-12-01
Publication date: 1989-06-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的コ（産業上の利用分野）この発明は、電子複写装置等の画像形成装置に装備され
る現像装置に関し、特に、非磁性１成分現像剤を使用す
る現像装置に関する。

（従来の技術）電子複写装置等の画像形成装置に用いられる現像装置と
しては、一般に、像担持体としての感光体上に形成され
た静電潜像を可視化するために、二成分の現像剤、又は
、磁性−成分の現像剤を用いるものが知られている。

しかしながら、二成分の現像剤を用いる場合には、現像
剤を構成するトナー及びキャリの濃度比を正確にコント
ロールしなければならないという欠点があり、一方、磁
性−成分の現像剤を用いる場合には、現像剤としてのト
ナーが磁性体を含んでいることから、カラー複写化が困
難であるという不都合がある。また、いずれの現像剤を
用いる場合であっても、現像剤保持部材である現像ロー
ラとしてマグネットローラを使用せざるを得ず、現像装
置のコストが非常に高くなってしまう。

このような不具合を解消するものとして、近時、非磁性
の一成分現像剤を用いた現像装置が提案されている。こ
のような現像装置は、非磁性トナーを収容するホッパと
、感光体に近接対峙して設けられたトナー保持用の現像
ローラと、ホッパ内のトナーを現像ローラに供給するト
ナー供給ローラと、現像ローラの外周に当接され現像ロ
ーラ上にトナーの薄層を形成するコーティングブレード
とを備えている。このような現像装置においては、トナ
ー供給ローラによりホッパ内のトナーを現像ローラに供
給し、コーティングブレードの押付は力により、トナー
を現像ローラに付着させると共に、付着したトナーの厚
みを例えば約３０μｍの薄層にし、この現像ローラに付
着したトナーを感光体に供給して感光体上の静電潜像を
現像する。

このような現像装置を用いる場合には、感光体として負
極性のものを使用し、このため、トナーとしては薄層形
成後に帯電量が約＋１２μＣ／　ｇとなるような正帯電
性のものを用いる。また、このトナーとしては高電気抵
抗のものを用いており、トナーの帯電はトナーと現像ロ
ーラ及びコーティングブレードとの間の摩擦帯電により
なされる。

更に、トナーはトナーと現像ローラとの静電引力により
現像ローラに引付けられており、現像ローラの回転に従
って感光体′に搬送される。このように、このような現
像装置は、二成分及び磁性−成分現像剤を用いる場合の
ような磁気による現像剤の搬送を必要としないので、極
めて簡易な構造の装置により現像することができ、コス
ト面においても極めて有利であり、画像形成装置のカラ
ー化に最も適したものである。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上述のような非磁性−成分現像剤を用い
る現像装置の場合には、長時間の使用により、現像ロー
ラ及びコーティングブレードがトナーとの摩擦により激
しく摩耗してしまい、画像濃度の低下及び文字のかすれ
等が著しくなるという不具合がある。

また、コーティングブレードとしては、金属製のもの又
はゴム製のもの等を使用しているが、このような材質の
場合にはコーティングブレードとトナーとの間の摩擦に
より現像装置のトルクが増大してしまう。

更に、一般によく使用されている負極性のＯＰＣ等を用
いたシステムの場合には、トナーとしては、正極性のも
のが要求されるが、トナーを構成する樹脂、カーボン及
びシリカ等は、−数的に金属に対して正極性に帯電する
ことが困難である。そのため、二成分現像剤の場合には
、キャリヤにテフロンコートを施す等の手段によりトナ
ーの正帯電を補助する場合もあるが、非磁性−成分現像
剤を使用する現像装置の場合には、トナーの帯電に用い
られるのが現像ローラ及びコーティングブレードのみで
あり、これらを金属にした場合に、均一に正帯電したト
ナー薄層を現像ローラ状に形成することが極めて困難で
ある。このため、画像に地かぶり、画像濃度の不拘−及
び文字のがずれが生じたり、未帯電トナーが現像ローラ
のスリーブから飛散して画像形成装置内を汚染するとい
うような問題点がある。

この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
良好な画像を得ることができ、装置に加わるトルクを小
さくすることができる非磁性−成分現像剤を使用した現
像装置を提供することを目的とする。

［発明の構成〕（問題点を解決するための手段）この発明に係る現像装置は、像担持体に形成された静電
潜像を現像するために像担持体に搬送されるトナーを保
持するトナー保持体と、トナー保持体に保持されたトナ
ーを薄層化する薄層形成部材とを有する現像装置であっ
て、前記薄層形成部材は、その表面にセラミックコーテ
ィング層を有することを特徴とする。

（作用）この発明においては、上述のように、薄層形成部材の表
面をセラミックコーティング層としたので、薄層形成部
材の摩耗を抑制することができ、また、トナーを所望の
極性に均一に帯電させることができる。このため、良好
な画像を得ることができる。また、セラミックコーティ
ングにより薄層形成部材表面の摩擦係数を小さくするこ
とができるので、現像装置のトルクを低減することがで
きる。

（実施例）以下、添付図面を参照してこの発明の実施例について具
体的に説明する。第３図はこの実施例に係る現像装置を
使用した電子複写機を示す概略構成図である。図中参照
符号１は複写機本体であり、この本体１内の中央部には
像担持体としての感光体２が矢印Ａ方向に回転可能に設
けられている。この感光体２の周囲は、その回転方向に
沿って帯電器３、結像レンズアレイ４、現像装置５、転
写帯電器６、クリーナ７及び除電器８が順次配設されて
いる。また、本体１の上部には、原稿を露光する光学系
９が設けられており、本体１の下部には給紙カセット１
０が装着されている。この給紙カセット１０からは複写
用紙が供給され、この用紙は搬送路１１に沿って搬送さ
れるようになっている。この搬送路１１には用紙の搬送
方向に沿ってレジストローラ１２、定着器１３及び排紙
ローラ１４が配設されている。更に、本体１外側の排紙
ローラ１４近傍には排紙トレイ１５が設けられており、
本体１上には原稿台１６が設けられている。

このような電子複写機により画像を形成する際には、光
学系９により原稿台１６上の原稿に光が照射され、その
反射光は結像レンズアレイ４を介して帯電器３により一
様に帯電された感光体２に結像され、静電潜像が形成さ
れる。この静電潜像には現像装置５によりトナーが供給
され、静電潜像が顕像化される。

一方、この際に、給紙カセット１０から複写用紙が感光
体２と転写帯電器６との間に搬送され、感光体２上の顕
像が用紙に転写される。その後、用紙は搬送路１１に沿
って定着器１３へ搬送され、この定着器１３により画像
が定着された後、排紙ローラ１４を介して排紙トレイ１
５上に排出される。顕像が転写された後、感光体２表面
に残存したトナーはクリーナ７によって除去され、次い
で、感光体２の表面が除電器８により除電され、その後
、再び帯電器３により一様に帯電される。

次に、上述した現像装置５について詳細に説明する。第
１図は現像装置の概略構成を示す側断面図、第２図はそ
の平面図である。この第１図及び第２図に示すように、
現像装置５はホッパ２１を備えており、このホッパ２１
内には現像剤として一成分の非磁性トナー２２が収容さ
れており、更に、ミキサ２３、トナー供給ローラ２４及
び現像剤保持体としての現像ローラ２５が配設されてい
る。現像ローラ２５は、前述した感光体２に近接対峙し
て設けられており、図示しない駆動手段により、感光体
２の周速の１乃至３倍の周速で変速可能に回転されるよ
うになっている。

現像ローラ２５の上方には、現像ローラ２５にトナー薄
層を形成するためのコーティングブレード２７が設けら
れている。このコーティングブレード２７は、その上端
部がホルダ２６により導通状態でホッパ２１に保持され
、その下端部が現像ローラ２５に当接されている。また
、現像ローラ２５の下部に、トナー回収ブレード２８が
当接されている。

コーティングブレード２７の表面には、後述するような
方法によりセラミックコーティング層３０が形成されて
いる。このセラミックコーティング層３０により、コー
ティングブレード２７の耐摩耗性が向上すると共に、現
像ローラ２５との間の摩擦係数が低減する。なお、この
セラミックコーティング層３０の層厚は、０．１乃至５
μｍであることが好ましい。層厚が５μｍを超えると、
コーティングしたセラミックスが高抵抗のため、現像ロ
ーラ２５の表面に現像バイアスを印加する際に電圧降下
が生じ易く、また、セラミックコーティング層がトナー
に対して逆極性の電荷を保持し、トナーの帯電量を低下
させ易い。このように、トナーの帯電量が低下すると画
像の地かぶりが増加する等の不都合が生じる虞がある。

一方、セラミックコーティング層が０．１μ灰よりも薄
い場合には、上述した効果が不十分になる虞がある。

このような現像装置においては、ホッパ２１内に収容さ
れたトナー２２をミキサー２３で撹拌しつつ、トナー２
２をトナー供給ローラ２４により現像ローラ２５に供給
する。現像ローラ２５に供給されたトナー２２は、現像
ローラ２５の回転に伴い、コーティングブレード２７に
より現像ローラ２５の表面に付着されると共に薄層化し
、感光体２に供給されて感光体２の静電潜像を現像する
。

次に、この実施例に係る現像装置に用いたセラミックコ
ーティング層を有するコーティングブレードの製造方法
について説明する。このセラミックコーティング層は、
例えばＳｉ＊　Ｇ　ｅ　＊　Ｔ　ｉ＊Ｂ、Ａｌ、Ｗ、Ｃ
，Ｎ、Ｏ及びハロゲン元素から選択された少なくとも１
種の元素を含んでいる。

そして、このコーティング層はスパッタリング、イオン
ブレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ５ＥＣＲブ
ラズ７ＣＶＤ、熱ＣｖＤ及び光ＣＶＤ等がある。これら
の方法の中で、膜の密着性が良いこと、比較的低温で処
理することができ、基板の特性が損われないこと、並び
に、膜の電気的特性及び光学的特性を容易にコントロー
ルすることができること等の点からプラズマＣＶＤが最
適である。また、スパッタリングによってもこれらの利
点を保持しつつコーディングすることができる。

先ず、プラズマＣＶＤによりセラミックコーティング層
を形成する場合について具体的に説明する。第４図は平
行平板型の容量結合型プラズマＣＶＤ装置を示す概略構
成図である。真空チャンバ４１内には、平板状の接地電
極４２と高周波電極４３が対向して設置されており、基
板４４は接地電極４２上に載置される。そして、図示し
ない真空ポンプによりチャンバ４１内を１Ｏ−３Ｔ　ｏ
ｒｒ程度に排気した後、接地電極４２に取付けたヒータ
４５により基板４４を１５０乃至４５０℃程度に加熱す
る。次いで、ガス導入口４６からＳｉＨ４、Ｎ２、ＣＨ
３等の原料ガスをチャンバ４１内に供給しつつ、チャン
バ４１内が０．０５乃至１．０Ｔｏｒｒに保持されるよ
うにチャンバ４１を排気しながら、マツチングボックス
４７を介して高周波電源４８から高周波電極４３に電力
を投入する。そうすると電極間にグロー放電が生じ、原
料ガスがプラズマ化し、セラミックスの薄膜が基板上に
形成される。

この方法によれば、原料ガスの混合比を適当にコントロ
ールすることで、種々の物性を有するセラミックコーテ
ィング層を得ることができる。例えば、ＳｉＨ４のみを
供給す、れば、非晶質水素化シリコンを得ることができ
、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有するガ
ス、例えばＢ２Ｈ６、ＰＨ３等を混合すれば価電子制御
が可能である。また、ＳｉＨ４にＮ２又はＮＨ３を混合
すると非晶質窒化シリコンを得ることができ、ＣＨ４、
Ｃ２Ｈｂ　、Ｃ２Ｈ２等の炭化水素を混合すると非晶質
炭化シリコンを得ることができ、０２又はＮ２０を混合
すると非晶質酸化シリコンが得られる。更に、これらの
ガスを複数混合することも可能であり、５ＩＨ４にＣＨ
４及びＮ２を混合して、窒素を含む非晶質炭化シリコン
を形成することもできる。これらの材料の中では、非晶
質シリコンが最も光学的バンドギャップ及び比抵抗が小
さく、炭化物、窒化物、酸化物の順にこれらの値が大き
くなる。一方、機械的強度についても夫々異なり、ビッ
カース硬度で比較すると、非晶質シリコンが１０００、
炭化シリコンが２５００、窒化シリコンが２０００、酸
化シリコンが１５００程度であり、これらのうちから所
望の硬度のものを選択することができる。また、上述し
たように、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を含
有させることにより価電子制御が可能であり、これによ
りセラミックコーティング層の電気抵抗を１０３乃至１
０１３Ωｅｌｌｌ程度の間で変化させることができ、現
像剤の特性及び帯電極性に応じて電気抵抗及び導電型を
適宜選択することができる。

また、原料ガスとしてＧｅＨ４を使用する場合には非晶
質ゲルマニウムを形成することができ、混合する原料ガ
スの種類を適宜調整することにより、Ｓｉの場合と同様
に、窒化物、炭化物又は酸化物を得ることもでき、また
、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を含有させる
ことにより価値電子制御することもできる。このように
Ｇｅを使用した場合には、Ｓｉを使用した場合と比較し
て機械的強度が若干劣り、光学的バンドギャップ及び比
抵抗は小さ（なる。

更に、セラミックコーティング層をＴｉ系セラミックス
で形成することもできる。Ｔｉ系セラミックスは電気伝
導度が高く、導電性である。従・つて、帯電しやすいト
ナーを用いる場合に適している。Ｔｉ系セラミックスと
しては、ＴｉＮ又はＴｉＣ等があるが、これらをコーテ
ィングするためには、原料ガスとしてＴｉＣ１いＮ２、
Ｎ　Ｈ３、ＣＨ４、Ｃ２Ｈｂ又はＣ２Ｈ２等を用いる。

また、ＴｉＣｌ４は蒸気圧があまり高くないので、チャ
ンバ内にＨ２を吹込んで、ＴｉＣ１４をチャンバから強
制的に追出すことが必要である。

従ってチャンバ内には上述の原料ガスの他にＨ２ガスも
導入する。

その他、Ａｌ、Ｂ又はＣ系のセラミックスを適用するこ
ともできる。これらは非常に硬く、ビッカース硬度は３
０００乃至１００００にまで及び、摩耗しに（＜、更に
熱伝導性が良好なので、コーティングブレードと現像ロ
ーラとの間に生じた摩擦熱を容易に放出することができ
る。このようなセラミックスはトナーへの外添剤が多い
場合等、特に、コーティングブレードが摩耗しやすい場
合に効果が大きい。

ＡＩ系セラミックスとしてはＡｌ２Ｏ３及びＡＩＮ等が
あるが、これらをコーティングする場合には、原料ガス
としてＡｌ　　（ＣＨ３）３、ＡＩ（Ｃ２Ｈ５）３．０
２　、Ｎ２又はＮＨ３等を用いる。Ａ　１　（ＣＨ３）
　３及びＡ　Ｉ　（Ｃ２Ｈｓ　）　３は蒸気圧が低いの
でチャンバ内にＨ２を吹込んで、ＴｉＣｌ４の場合と同
様に、これらをチャンバから強制的に追出すことが必要
である。従ってチャンバ内には上述の原料ガスの他にＨ
２ガスも導入する。

Ｃ系のセラミックスとしては、ダイヤモンド、グラファ
イト及び非晶質炭素等があり、炭素重合膜をコーティン
グすることもできる。これらをコーティングする場合に
は、原料ガスとしてＣＨ４、Ｃ２Ｈ６又はＣ２Ｈ２等の
炭化水素とＨ２とを用いる。ダイヤモンド及びグラファ
イトをコーティングする場合には特に基板温度を高くす
る必要があり、ダイヤモンドの場合には基板温度を約８
００℃、グラファイトの場合には基板温度を約５００℃
にする。

Ｂ系のセラミックスとしてはＢＮ及びＢＣがある。これ
らをコーティングする場合には、原料ガスとしてＢ２　
Ｈ６、Ｂ　Ｆ　３又はＢＣＩ、等のガスと、Ｎ２、ＮＨ
３、ＣＨ４又はＣ２Ｈ６等のガスとの混合ガスを用いる
。

次に、スパッタリングによりセラミックコーティング層
を形成する場合について具体的に説明する。第５図はス
パッタリング装置を示す概略構成図である。このスパッ
タリング装置はターゲットを設けた以外は前述のＣＶＤ
装置に類似している。

真空チャンバ５１内には、平板状の接地電極５２と高周
波電極５３が対向して設置されており、高周波電極５３
には形成しようとするセラミックコーティング層の主体
となる材料で形成されたターゲット５９が配設されてい
て、基板５４は接地電極５２上に載置される。そして、
図示しない真空ポンプによりチャンパラ１内を１０””
　Ｔｏｒｒ程度に排気した後、必要に応じて接地電極５
２に取付けたヒータ５５により基板５４を加熱する。次
いで、ガス導入口５６からＡ「ガス及び必要に応じて反
応ガスをチャンバ５１内に供給しつつ、チャンバ５１内
が約１Ｏ−３Ｔｏｒｒに保持されるようにチャンバ５１
を排気しながら、マツチングボックス５７を介して高周
波電源５８から高周波電極４３に電力を投入する。そう
するとＡｒガス及び反応ガスがプラズマ化し、Ａｒイオ
ンによりターゲット５９からたたき出された原子又は分
子が、反応ガスが存在する場合には反応ガスと反応して
、所定の組成を有するセラミックスを形成し、このよう
にして形成されたセラミックスが基板に付着する。この
ようなスパッタリングの場合には、基板５４を必ずしも
加熱しなくても良いが、加熱したほうがセラミックコー
ティング層の密着性が向上する。なお、スパッタリング
によってセラミックスコーティング層を形成する場合に
も、ターゲット５９の材質及び反応ガスを適宜調節する
ことにより、プラズマＣＶＤの場合と同様に、種々のセ
ラミックスをコーティングすることができる。

試験例以下、この実施例に係る現像装置を製造して実際に試験
した試験例について具体的に説明する。

第２図に示したような現像装置において、コーティング
ブレードとして、板厚１５０μｍの５ＵＳ３０４薄板に
前述のプラズマＣＶＤにより１．５μｍの非晶質シリコ
ンのセラミックコーティング層を形成したものを用いた
。この場合に、原料ガスとしてＳｉＨ４を用い、その流
量を１１００８ＣＣとし、真空チャンバ内の圧力が１．
０ＴＯｒｒＸ高周波電力が１００Ｗという条件で成膜し
・た。また、価電子制御するために原料ガスとしてＢ２
Ｈ６又はＰＨ３を含有させてコーティングしたものも作
成した。Ｂ２Ｈ６を使用したものは、流量比Ｂ２Ｈ６／
ＳｉＨ４をｌＸｌ０−５及びＩ　Ｘ　１０−２とし、Ｐ
Ｈ，を使用したものは、流量比ＰＨ３／ＳｉＨ４を同じ
く１×１０−５及びｌＸｌ０−２として、チャンバ内の
圧力及び電力を価電子制御しないものと同様に、夫々１
．０Ｔｏｒｒ及び１００Ｗとして成膜した。

このような現像装置を第１図に示した複写装置に使用し
、５００００枚連続してコピーした。その結果、５００
００枚連続コピー後も、コーティングブレードは摩耗さ
れなかった。また、このように連続コピーしても、コー
ティングブレード表面に対するトナーと逆極性の電荷の
残留が存在せ、ず、連続コピーによる画像濃度の低下や
文字のかすれが生じなかった。

次に、セラミックコーティング層の厚みを種々変化させ
て作成したコーティングブレードを用いて同様な試験を
行った。セラミックコーティング層の厚みが０．１μｍ
よりも薄い場合いは、コーティング層に傷が生じた際に
下地のＳＵＳ粗面が現われ、その部分から摩耗が生じた
。また、コーティング層が５μｍより厚い場合には、ト
ナーと逆極性の電荷がコーティングブレード表面に残留
し、現像むらが生じたり地・かぶりが増加したりする場
合があった。

なお、セラミックコーティング層として他の材質を用い
た場合についても同様に試験した。その結果、いずれも
上述の非晶質シリコンと同様に良好な結果を得ることが
できた。その際の各材質における製造条件を以下に列挙
する。

（１）非晶質炭化シリコン（２）非晶質窒化シリコン（３）非晶質酸化シリコン（４）非晶質ゲルマニウム（５）非晶質炭化ゲルマニウム（６）非晶質窒化ゲルマニウム（７）非晶質酸化ゲルマニウム（８）窒化チタン（Ｔ　ｉ　Ｎ）（９）炭化チタン（Ｔ　ｉ　Ｃ）（１０）炭窒化チタン（Ｔ　ｉ　ＣＮ）（１１）炭化タ
ングステン（ＷＣ）（１４うダイヤモンドまた、コーティングブレードのセラミックコーティング
層をスパッタリングによって形成した。

この場合においてもプラズマＣＶＤでコーティング層を
形成した場合と同様に良好な結果を得ることができた。

次に、各材質龜ついてのスパッタリング条件を列挙する
。

（１）非晶質シリコンターゲット；単結晶シリコン又は多結晶シリコン圧力、ｌＸ１０−３電力、５００Ｗ反応ガス及び流量；（ａ）Ａｒ　　　ＩＯ８ＣＣＭＨ２
１００ＳＣＣ１００５ＣＣＩＯＳＣＣＭＨ２１００ＳＣ１００５ＣＣ１ＳＣＣＭ（ｃ）Ａｒ　　　ＩＯＳＣＣＭＨ２１００１００５ＣＣ，ＩＳＣＣＭ（２）炭化シリコン（Ｓ　ｉ　Ｃ）圧力、ｌＸ１０−３電力、５００Ｗ（ａ）ターゲット；焼結炭化シリコン反応ガス及び流量ＨＡｒ　　　１０ＳＣ１０５ＣＣター
ゲット；単結晶シリコン反応ガス及び流量；Ａｒ　　　ｌＯ５ＣＣＭＣＨ４５０
ＳＣＣＭ（３）窒化シリコン（ＳＬＮ）圧力、ｌＸ１０−３電力；５００Ｗ（ａ）ターゲット；焼結窒化シリコン反応ガス及び流量；Ａｒ　　　ＩＯＳＣＣＭ（ｂ）ター
ゲット；単結晶シリコン反応ガス及び流量；Ａｒ　　　ＩＯ３ＣＣＭＣＨ４５０
ＳＣＣＭ（４）酸化シリコン（Ｓｉｎ）ターゲット；酸化シリコン圧力、ｌＸ１０−３電力；５００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　ＩＯＳＣＣＭ（５）窒
化チタン（Ｔ　Ｌ　Ｎ）ターゲット；金属チタン圧力；ｌＸｌ０−３電力；８００Ｗ反応ガス及び流１１　；　Ａ　ｒ　　　　１０　Ｓ　Ｃ
ＣＭＮ２　　５０ＳＣＣＭ（６）炭化チタン（Ｔ　ｉ　Ｃ）ターゲット；金属チタン圧力、ｌＸ１０−３電力；８００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　ＩＯ３ＣＣＭＣＨ４５
０ＳＣＣＭ（７）酸化フルミニ’Ｆム（Ａ　１２０３　）ターゲッ
ト；焼結酸化アルミニウム圧力、ｌＸ１０−３電力、８００Ｗ反応ガス、及び流量；Ａｒ　　　　ＩＯＳＣＣＭ（８）
窒化ボロン（ＢＮ）ターゲット；焼結窒化ボロン圧力、ｌＸ１０−３電力；８００Ｗ反応ガス及び流量；Ａｒ　　　　ＩＯ８ＣＣＭ［発明の
効果］この発明によれば、薄層形成部材の表面にセラミックコ
ーティング層を設けたから、薄層形成部材の摩耗を低減
することができ、また、トナーを所望の極性に均一に帯
電させることができる。このため、極めて良好な画質を
得ることができる。

また、セラミックコーティング層により薄層形成部材と
トナー保持体との間の摩擦係数を少なくすることができ
るので、現像装置のトルクを低減することができる。

【図面の簡単な説明】第１図はこの発明の実施例に係る現像装置の概略構成を
示す側断面図、第２図はその平面図、第３図はこの現像
装置を用いた電子複写装置を示す概略構成図、第４図は
コーティングブレードにセラミックコーティング層を形
成するためのプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図、第
５図はコーティングブレードにセラミックコーティング
層を形成するためのスパッタリング装置を示す概略構成
図である。２・・・感光体（像担持体）、５・・・現像装置、２５
・・・現像ローラ（トナー保持体）、２７・・・コーテ
ィングブレード、（薄層形成部材）、３０・・・セラミ
ックコーティング層。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦２λ 第２図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）像担持体に形成された静電潜像を現像するために
像担持体に搬送されるトナーを保持するトナー保持体と
、トナー保持体に保持されたトナーを薄層化する薄層形
成部材とを有する現像装置において、前記薄層形成部材
は、その表面にセラミックコーティング層を有すること
を特徴とする現像装置。
（２）前記セラミックコーティング層は、その層厚が０
．１乃至５μｍであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の現像装置。
（３）前記セラミックコーティング層は、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｗ、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びハロゲン元素から
選択された少なくとも１種の元素を含んでいることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の現像
装置。
（４）前記セラミックコーティング層は、プラズマを形
成してコーティングされることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第３項いずれか１項に記載の現像装置。