JPH01146553U - - Google Patents

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JPH01146553U
JPH01146553U JP4426188U JP4426188U JPH01146553U JP H01146553 U JPH01146553 U JP H01146553U JP 4426188 U JP4426188 U JP 4426188U JP 4426188 U JP4426188 U JP 4426188U JP H01146553 U JPH01146553 U JP H01146553U
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conductive
substrate
electrode
epitaxial growth
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JP4426188U
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  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、この考案の一実施例を示すダイオー
ド素子アレイの断面図、第２図〜第６図は、その
素子アレイを製作する工程を示す基板あるいはダ
イオード素子の断面図、第７図は、半導体素子（
ダイオード）アレイの等価回路シンボル図、第８
図は従来のダイオード素子アレイの断面図である
。 ３０…基板、３２，３２ａ，３２ｂ…エピタキ
シヤル成長層、３１，３３…絶縁分離層、３８…
接続パターン（Ａ膜）、３９…接続端子、４０
…一方のダイオード、４１…他方のダイオード、
４２…カソード端子、４４…カソード電極、４５
…アノード端子、４６…アノード電極、４８…素
子分離部、Ａ…一方の領域、Ｂ…他方の領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一方の領域と残部の他方領域に分割設定される
    一導電性基板表面全面に形成された一導電性エピ
    タキシヤル成長層に、各々島状の一方他導電性層
    、他方他導電性層を形成して素子を形成するとと
    もに、上記基板の一方の領域全域、及びエピタキ
    シヤル成長層の一方の領域と他方領域との境界部
    に、他導電性の素子分離部を形成し、上記素子を
    基板表面側で順方向直列接続配線パターン化して
    接続電極並びに一方の電極を設け、基板裏面側に
    他方電極を設けたことを特徴とする半導体素子ア
    レイ。
JP4426188U 1988-03-31 1988-03-31 Pending JPH01146553U (ja)

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JP4426188U JPH01146553U (ja) 1988-03-31 1988-03-31

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JPH01146553U true JPH01146553U (ja) 1989-10-09

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ID=31270629

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