JPH01149094A - 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPH01149094A JPH01149094A JP30754687A JP30754687A JPH01149094A JP H01149094 A JPH01149094 A JP H01149094A JP 30754687 A JP30754687 A JP 30754687A JP 30754687 A JP30754687 A JP 30754687A JP H01149094 A JPH01149094 A JP H01149094A
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- Japan
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- driving
- voltage
- pulse
- time
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- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜ＥＬ素子の駆動方法に係わり、特に高輝度
化に好適な駆動波形に関する。
化に好適な駆動波形に関する。
従来薄膜ＥＬデイスプレィを駆動する方法として例えば
、特公昭６２−４７１７号に記載のようにＥＬ素子は交
流パルス電圧によって駆動されていた。
、特公昭６２−４７１７号に記載のようにＥＬ素子は交
流パルス電圧によって駆動されていた。
上記従来技術は交流駆動パルス電圧波形の立ち上がり部
の形状には何ら言及されておらず１例えばＣａＳ：Ｅｕ
を発光層とするＥＬ素子をパルス電圧で駆動する場合、
パルス電圧波形の立ち上がり部の形状によって輝度が著
しく変化し、該立ち上がり部の形状を変化させることに
よって得られる最低輝度が最高輝度の半分以下になって
しまうという問題があった１本発明の目的は、従来の交
流パルス電圧による駆動に較べ数倍の輝度を得ることが
可能な駆動波形による駆動方法を提供することにある。
の形状には何ら言及されておらず１例えばＣａＳ：Ｅｕ
を発光層とするＥＬ素子をパルス電圧で駆動する場合、
パルス電圧波形の立ち上がり部の形状によって輝度が著
しく変化し、該立ち上がり部の形状を変化させることに
よって得られる最低輝度が最高輝度の半分以下になって
しまうという問題があった１本発明の目的は、従来の交
流パルス電圧による駆動に較べ数倍の輝度を得ることが
可能な駆動波形による駆動方法を提供することにある。
上記目的は、駆動交流パルス電圧波形の立ち上がり部の
形状を高輝度が得られるように最適化することによって
達成される。
形状を高輝度が得られるように最適化することによって
達成される。
駆動交流波形の立ち上がり部の形状を最適化することに
よって、従来の駆動波形に比較して輝度を数倍向上させ
ることができる。
よって、従来の駆動波形に比較して輝度を数倍向上させ
ることができる。
第２図は薄膜ＥＬ素子の構造を示す図である。
ガラス基板１上にＩＴＯ等の透明電極２が設けられこの
透明電極２上に第１絶縁層３が設けられる。
透明電極２上に第１絶縁層３が設けられる。
第１絶縁層３はＳ ｉ ０２． Ｔ ａ ｇｏｓ、 Ｓ
ｒ Ｔ ｉ Ｏ８等の酸化物系絶縁膜の単層膜または
複層膜で構成される。この第１絶縁層上に例えばＥｕを
０．３ｒｓｏＱ％含んだＣａＳ：Ｅｕからなる発光層４
が形成される。発光層４の上に第１絶縁層３と同様の材
料からなる第２絶縁層５が積層され、発光層４を酸化膜
からなる絶縁層で被覆した二重絶縁構造が構成される。
ｒ Ｔ ｉ Ｏ８等の酸化物系絶縁膜の単層膜または
複層膜で構成される。この第１絶縁層上に例えばＥｕを
０．３ｒｓｏＱ％含んだＣａＳ：Ｅｕからなる発光層４
が形成される。発光層４の上に第１絶縁層３と同様の材
料からなる第２絶縁層５が積層され、発光層４を酸化膜
からなる絶縁層で被覆した二重絶縁構造が構成される。
その上にＡＱ等からなる背面電極６が蒸着形成される。
透明電極２と背面電極６は交流駆動パルス電圧電源に接
続されＥＬ素子は駆動される。第３図はＥＬ素子の発光
に係わる各パラメータのタイムチャートであり、（イ）
は素子に印加される交流駆動パルス電圧Ｖ、（ロ）は素
子発光中に第１絶縁層／発光層界面から第２絶縁層／発
光層界面の向きまたはその逆の向きに発光層内を流れる
伝導電流工、（ハ）は発光層／絶縁層界面にトラップさ
れる電荷量Ｑ１ここで（ハ）中に示されたＡＱは発光層
内を移動する電荷量、（ニ）は伝導電流（ロ）に伴うＥ
Ｌ素子の発光波形である。
続されＥＬ素子は駆動される。第３図はＥＬ素子の発光
に係わる各パラメータのタイムチャートであり、（イ）
は素子に印加される交流駆動パルス電圧Ｖ、（ロ）は素
子発光中に第１絶縁層／発光層界面から第２絶縁層／発
光層界面の向きまたはその逆の向きに発光層内を流れる
伝導電流工、（ハ）は発光層／絶縁層界面にトラップさ
れる電荷量Ｑ１ここで（ハ）中に示されたＡＱは発光層
内を移動する電荷量、（ニ）は伝導電流（ロ）に伴うＥ
Ｌ素子の発光波形である。
ＥＬ素子の発光機構は発光しきい値電圧Ｖｔ＋＋（１０
０〜２５０Ｖ）以上の電圧が素子に印加されると一方の
発光層／絶縁層界面から電子が放出され高電界のもとて
電子雪崩を起こしつつ加速され、該電子が発光層中に分
布するＥｎなとの孤立発光中心を衝突励起し、励起され
た発光中心が再び基底状態に戻るとき、発光中心特有の
発光スペクトルで発光し、該電子は他方の絶縁層／発光
層界面にトラップされ分極電荷を形成する。次に逆極性
の電圧が印加されると界面にトラップされた該電子が自
身の作る分極電場と外部電場の重畳された電場の力を受
は界面から放出され上記に示した機構により発光する。
０〜２５０Ｖ）以上の電圧が素子に印加されると一方の
発光層／絶縁層界面から電子が放出され高電界のもとて
電子雪崩を起こしつつ加速され、該電子が発光層中に分
布するＥｎなとの孤立発光中心を衝突励起し、励起され
た発光中心が再び基底状態に戻るとき、発光中心特有の
発光スペクトルで発光し、該電子は他方の絶縁層／発光
層界面にトラップされ分極電荷を形成する。次に逆極性
の電圧が印加されると界面にトラップされた該電子が自
身の作る分極電場と外部電場の重畳された電場の力を受
は界面から放出され上記に示した機構により発光する。
以後極性が逆のパルスが印加される毎にＥＬ素子は発光
するとされている。
するとされている。
第４図にＥＬ素子の輝度り及び移動電荷密度ΔＱの駆動
電圧Ｖ依存性を示す。駆動電圧が増加すると、発光層内
を移動する電子数が増加し、電子と発光中心の衝突回数
が増加するため輝度が大きくなると考えられる。
電圧Ｖ依存性を示す。駆動電圧が増加すると、発光層内
を移動する電子数が増加し、電子と発光中心の衝突回数
が増加するため輝度が大きくなると考えられる。
第５図は駆動パルス波形ｖ１とＥＬ素子の発光層内を流
れる伝導電流波彫工の時間的相関を示したタイムチャー
ト図を示す。時刻ｔｏから素子に一定のスルーレートｄ
Ｖ／ｄｔで素子に電圧が印加され始め印加電圧Ｖｉが発
光しきい値電圧■ｔｈに等しくなる時刻ｔ１前後から発
光層内に伝導電流工が流れ始め、印加電圧Ｖｉが波高値
Ｖに等しくなるまで工は増加し続ける。ｖｌがＶに等し
くなりｄＶ／ｄｔ＝ｏとなる時刻ｔ２直後から工は減衰
し始め時刻ｔ８でＩ＝Ｏとなる。時刻ｔ４でＶは零とな
る。
れる伝導電流波彫工の時間的相関を示したタイムチャー
ト図を示す。時刻ｔｏから素子に一定のスルーレートｄ
Ｖ／ｄｔで素子に電圧が印加され始め印加電圧Ｖｉが発
光しきい値電圧■ｔｈに等しくなる時刻ｔ１前後から発
光層内に伝導電流工が流れ始め、印加電圧Ｖｉが波高値
Ｖに等しくなるまで工は増加し続ける。ｖｌがＶに等し
くなりｄＶ／ｄｔ＝ｏとなる時刻ｔ２直後から工は減衰
し始め時刻ｔ８でＩ＝Ｏとなる。時刻ｔ４でＶは零とな
る。
第６図は本発明の端緒となったＥＬ素子の輝度と伝導電
流波形の関係を示した図である。移動電荷密度が等しい
場合波形ａのように比較的単時間のうちに電流が流れ終
わってしまう波形よりも、波形すのように比較的長時間
電流が流れ続ける波形の方が輝度は約３倍も高くなるこ
とがわかった。
流波形の関係を示した図である。移動電荷密度が等しい
場合波形ａのように比較的単時間のうちに電流が流れ終
わってしまう波形よりも、波形すのように比較的長時間
電流が流れ続ける波形の方が輝度は約３倍も高くなるこ
とがわかった。
従って移動電荷密度が一定の場合、ＥＬ素子の発光層内
を電流が流れる時間が長い程高輝度が得られることがわ
かった。
を電流が流れる時間が長い程高輝度が得られることがわ
かった。
実施例１
第１図は本発明の１番目の実施例を示す交流駆動パルス
電圧波形■１及び該波形を構成する１つのパルス波形の
拡大図である。駆動波形はクレーム周期ＴＦで繰り返さ
れ１つのパルス電圧波形はパルス幅ｔｐ、波高値Ｖであ
りｔ ＝ｔ １に発光しきい値電圧Ｖｔｈ以下の初期印
加電圧ｖ１まで急峻に立ち上がった後比較的小さな一定
のスルーレートｄＶ／ｄｔで増加しｔ：ｔｚで波高値Ｖ
に達した後ｔ＝ｔａまでの保持時間ｔ＋＋ ：ｔｐ−ｔ
２の開披高値Ｖを維持しｔ＝ｔ８でＶｌ＝Ｏまで急峻に
立ち下がる波形である。
電圧波形■１及び該波形を構成する１つのパルス波形の
拡大図である。駆動波形はクレーム周期ＴＦで繰り返さ
れ１つのパルス電圧波形はパルス幅ｔｐ、波高値Ｖであ
りｔ ＝ｔ １に発光しきい値電圧Ｖｔｈ以下の初期印
加電圧ｖ１まで急峻に立ち上がった後比較的小さな一定
のスルーレートｄＶ／ｄｔで増加しｔ：ｔｚで波高値Ｖ
に達した後ｔ＝ｔａまでの保持時間ｔ＋＋ ：ｔｐ−ｔ
２の開披高値Ｖを維持しｔ＝ｔ８でＶｌ＝Ｏまで急峻に
立ち下がる波形である。
第７図はＴｐ、ｔｐ及び■が一定テＶｔ ＝ Ｏ”Ｑあ
る波形でＥＬ素子を駆動した場合の伝導電流波形のスル
ーレートｄＶ／ｄｔ依存性を示す。第８図に該駆動波形
でＥＬ素子を駆動した場合の輝度及び移動電荷密度のス
ルーレートｄＶ／ｄｔ依存性を示す。高スルーレートな
駆動波形よりも低スルーレートな駆動波形の方が長時間
電流が流れ続ける結果輝度が高くなっている。スルーレ
ートを小さくし過ぎると第５図においてｔａ＞ｔ４とな
ってしまい電流波形が減衰し終わる前に駆動電圧が波高
値Ｖから零Ｖまで降下してしまうため移動電荷密度が減
少してしまうため輝度は低下してしまう。
る波形でＥＬ素子を駆動した場合の伝導電流波形のスル
ーレートｄＶ／ｄｔ依存性を示す。第８図に該駆動波形
でＥＬ素子を駆動した場合の輝度及び移動電荷密度のス
ルーレートｄＶ／ｄｔ依存性を示す。高スルーレートな
駆動波形よりも低スルーレートな駆動波形の方が長時間
電流が流れ続ける結果輝度が高くなっている。スルーレ
ートを小さくし過ぎると第５図においてｔａ＞ｔ４とな
ってしまい電流波形が減衰し終わる前に駆動電圧が波高
値Ｖから零Ｖまで降下してしまうため移動電荷密度が減
少してしまうため輝度は低下してしまう。
従って与えられたＴＦ、Ｖ及びｔｐのもとて移動電荷密
度が減少しない範囲内で保持時間ｔｈを短かくしてスル
ーレートｄＶ／ｄｔを従来の駆動波形よりも小さくする
ことで輝度を向上させることができる。
度が減少しない範囲内で保持時間ｔｈを短かくしてスル
ーレートｄＶ／ｄｔを従来の駆動波形よりも小さくする
ことで輝度を向上させることができる。
移動電荷が一定に保たれる最短の保持時間をｔｃとする
。第９図にｔｈ：ｔｅのときの輝度及び移動電荷密度の
Ｖｔ依存性を示す。■、を大きくしていくとＶｉ＝Ｏｐ
ｔ ｈ ＝ ｔ ｃの場合よりもさらにスルーレート
を小さくすることができる結果輝度はさらに上昇する。
。第９図にｔｈ：ｔｅのときの輝度及び移動電荷密度の
Ｖｔ依存性を示す。■、を大きくしていくとＶｉ＝Ｏｐ
ｔ ｈ ＝ ｔ ｃの場合よりもさらにスルーレート
を小さくすることができる結果輝度はさらに上昇する。
しかしｖｉがＶｔｈを越える前後から輝度は低下し始め
る。従って第１図において設定されたフレーム周期ＴＦ
、波高値Ｖ。
る。従って第１図において設定されたフレーム周期ＴＦ
、波高値Ｖ。
パルス幅ｔｐのもとで、初期印加電圧ｖｉを発光しきい
値電圧Ｖｔｈにほぼ等しい値とし、保持時間ｔｐ を移
動電荷密度が減少しない範囲内で短くした波形でＥＬ素
子を駆動すれば、設定されたＴＦ 。
値電圧Ｖｔｈにほぼ等しい値とし、保持時間ｔｐ を移
動電荷密度が減少しない範囲内で短くした波形でＥＬ素
子を駆動すれば、設定されたＴＦ 。
Ｖ、ｔｐのもとて最高輝度を得ることができる。
この駆動波形が本発明の一番目の実施例である。
実施例２
第１０図に本発明における２番目の実施例である駆動波
形を示す。本波形は第１図に示した１番目の実施例であ
る駆動波形において特に初期印加電圧ｖ１ を零とした
波形である。しかしあらかじめ設定されたフレーム周期
ＴＦ 、波高値■、パルス幅ｔｐのもとで、保持時間ｔ
ｈを移動電荷密度が減少しない範囲内で短くすることで
スルーレートｄＶ／ｄｔを従来の駆動波形よりも小さく
すれば、第８図に示したように輝度を向上させることが
できる。
形を示す。本波形は第１図に示した１番目の実施例であ
る駆動波形において特に初期印加電圧ｖ１ を零とした
波形である。しかしあらかじめ設定されたフレーム周期
ＴＦ 、波高値■、パルス幅ｔｐのもとで、保持時間ｔ
ｈを移動電荷密度が減少しない範囲内で短くすることで
スルーレートｄＶ／ｄｔを従来の駆動波形よりも小さく
すれば、第８図に示したように輝度を向上させることが
できる。
実施例３
第１１図に本発明における３番目の実施例である駆動波
形を示す。本波形は第１図に示した１番目の実施例であ
る駆動波形において特に保持時間ｔｈを移動電荷密度が
減少しない範囲内のある一定の値に設定する。あらかじ
め設定されたフレーム周期ＴＦ 、波高値Ｖ、パルス幅
ｔ、のもとで初期印加電圧ｖｉをほぼ発、：Ｉ、５ シ
きい値電圧Ｖｔｈに等しくすることで初期印加電圧印加
後のスルーレートｄＶ／ｄｔを従来の駆動波形よりも小
さくすることで第９図に示すように輝度を向上させるこ
とができる。
形を示す。本波形は第１図に示した１番目の実施例であ
る駆動波形において特に保持時間ｔｈを移動電荷密度が
減少しない範囲内のある一定の値に設定する。あらかじ
め設定されたフレーム周期ＴＦ 、波高値Ｖ、パルス幅
ｔ、のもとで初期印加電圧ｖｉをほぼ発、：Ｉ、５ シ
きい値電圧Ｖｔｈに等しくすることで初期印加電圧印加
後のスルーレートｄＶ／ｄｔを従来の駆動波形よりも小
さくすることで第９図に示すように輝度を向上させるこ
とができる。
実施例４
本発明の４番目の実施例は第１０図に示した駆動波形に
よる輝度変調方法に関するものである。
よる輝度変調方法に関するものである。
第８図かられかるように該駆動波形において保持時間ｔ
ｈを変化させスルーレートｄＶ／ｄｔを変化させること
によって駆動波形のフレーム周期。
ｈを変化させスルーレートｄＶ／ｄｔを変化させること
によって駆動波形のフレーム周期。
波高値、パルス幅を変えることなく輝度変調させること
が可能となる。
が可能となる。
実施例５
本発明の５番目の実施例は第１１図に示した駆動波形に
よる輝度変調方法に関するものである。
よる輝度変調方法に関するものである。
第９図かられかるように該駆動波形において初期印加電
圧ｖｌを変化させＶ、印加後のスルーレートｄＶ／ｄｔ
を変化させることによって駆動波形のフレーム周期、波
高値、パルス幅を変えることなく輝度変調させることが
可能となる。
圧ｖｌを変化させＶ、印加後のスルーレートｄＶ／ｄｔ
を変化させることによって駆動波形のフレーム周期、波
高値、パルス幅を変えることなく輝度変調させることが
可能となる。
実施例６
第１２図は本発明の６番目の実施例であり、本発明の駆
動波形によって駆動されるＥＬマトリクスパネルを示し
た図である。マトリクスパネルは信号側ドライバから出
るＹｚ 、Ｙｚ・・・・・・ＹＮから成るＹ電極（デ゛
−タ電極）群と走査側ドライバから出るＸｌ 、Ｘ２・
・・・・・ＸＭから成るＸ電極（走査電極）群とを相交
差するように配列し以って電極に入力される信号に応じ
て電極の交点に於いて発光させるように成されている。
動波形によって駆動されるＥＬマトリクスパネルを示し
た図である。マトリクスパネルは信号側ドライバから出
るＹｚ 、Ｙｚ・・・・・・ＹＮから成るＹ電極（デ゛
−タ電極）群と走査側ドライバから出るＸｌ 、Ｘ２・
・・・・・ＸＭから成るＸ電極（走査電極）群とを相交
差するように配列し以って電極に入力される信号に応じ
て電極の交点に於いて発光させるように成されている。
このマトリクスパネルにおける輝度変調方法を以下に示
す。ＶＸＩ、Ｖ）ｌは走査電極ｘｉ 、Ｘ２に入力され
る走査電圧であり、その波高値は発光しきい値電圧にほ
ぼ等しくこの走査電圧だけではＥＬ発光しない値に設定
する＊ Ｖｙｘｔ Ｖｖｚは信号電極Ｙｚ 、Ｙｚに入
力される信号電圧であり、画素（Ｘｌ、 Ｙｔ） ｅ
（Ｙｚ＊ Ｙｚ）には走査電圧と信号電圧の差電圧Ｖ
ｘｚ −Ｖｖｘｔ Ｖｘｚ−ＶＹ２が印加される。各画
素の輝度は該差電圧波形の発光しきい値電圧以上の電圧
のスルーレートを決める信号電圧のスルーレートによっ
て制御される。信号電圧のスルーレートは走査側ドライ
バによって１６段階に切り換えられる。各信号電圧のス
ルーレートは表示信号発生器から発せられる４ｂｉｔ信
号により１６段階に切り換えられる結果、本ＥＬマトリ
クスパネルでは１６階調表示が可能である。例えばＶＹ
ＩとＶｙｚのスルーレートを比較すると、図からＶｖｎ
のスルーレートの方が小さいので画素（Ｘ １． Ｙ
ｔ）の方が画素（Ｘｚｙ Ｙ２）よりも高輝度で発光す
る。
す。ＶＸＩ、Ｖ）ｌは走査電極ｘｉ 、Ｘ２に入力され
る走査電圧であり、その波高値は発光しきい値電圧にほ
ぼ等しくこの走査電圧だけではＥＬ発光しない値に設定
する＊ Ｖｙｘｔ Ｖｖｚは信号電極Ｙｚ 、Ｙｚに入
力される信号電圧であり、画素（Ｘｌ、 Ｙｔ） ｅ
（Ｙｚ＊ Ｙｚ）には走査電圧と信号電圧の差電圧Ｖ
ｘｚ −Ｖｖｘｔ Ｖｘｚ−ＶＹ２が印加される。各画
素の輝度は該差電圧波形の発光しきい値電圧以上の電圧
のスルーレートを決める信号電圧のスルーレートによっ
て制御される。信号電圧のスルーレートは走査側ドライ
バによって１６段階に切り換えられる。各信号電圧のス
ルーレートは表示信号発生器から発せられる４ｂｉｔ信
号により１６段階に切り換えられる結果、本ＥＬマトリ
クスパネルでは１６階調表示が可能である。例えばＶＹ
ＩとＶｙｚのスルーレートを比較すると、図からＶｖｎ
のスルーレートの方が小さいので画素（Ｘ １． Ｙ
ｔ）の方が画素（Ｘｚｙ Ｙ２）よりも高輝度で発光す
る。
本発明によれば、交流駆動パルス電圧の波高値。
周波数、パルス幅を変えることなくＥＬ素子の輝度を従
来の駆動波形に較べて数倍大きくすることができる。
来の駆動波形に較べて数倍大きくすることができる。
第１図は本発明の１つ目の実施例の電圧波形図、第２図
はＥＬ素子の路線図、第３図はＥＬ素子の各パラメータ
のタイムチャート、第４図はＥＬ素子の輝度及び移動電
荷密度の電圧依存性を示す図、第５図は駆動波形と伝導
電流波形のタイムチャート、第６図は伝導電流波形と輝
度の相関図、第７図は伝導電流波形の駆動波形のスルー
レート依存性を示す図、第８図は輝度及び移動電荷密度
のスルーレート（ａｖ／ｄｔ）依存性を示す図、第９図
は輝度及び移動電荷密度の初期印加電圧（ｖｌ）依存性
を示す図、第１０図ば２つ目の実施例の駆動波形図、第
１１図は３つ目の実施例の駆動波形図、第１２図はＥＬ
マトリクスパネルの概略図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・駆動波形発生機。
はＥＬ素子の路線図、第３図はＥＬ素子の各パラメータ
のタイムチャート、第４図はＥＬ素子の輝度及び移動電
荷密度の電圧依存性を示す図、第５図は駆動波形と伝導
電流波形のタイムチャート、第６図は伝導電流波形と輝
度の相関図、第７図は伝導電流波形の駆動波形のスルー
レート依存性を示す図、第８図は輝度及び移動電荷密度
のスルーレート（ａｖ／ｄｔ）依存性を示す図、第９図
は輝度及び移動電荷密度の初期印加電圧（ｖｌ）依存性
を示す図、第１０図ば２つ目の実施例の駆動波形図、第
１１図は３つ目の実施例の駆動波形図、第１２図はＥＬ
マトリクスパネルの概略図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・駆動波形発生機。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光層を絶縁層で挾み、該絶縁層の表面に設けた電
極を通して発光層に交流パルス電圧を印加することによ
り発光するＥＬ素子の駆動法において、初期印加電圧Ｖ
＿ｉが発生しきい値電圧Ｖ＿ｔ＿ｈにほぼ等しく、保持
時間ｔ＿ｈが発光層内を流れる移動電荷密度を減少させ
ない範囲でなるべく短いことを特徴とする薄膜ＥＬ素子
の駆動方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、特に初期印加電圧
を零としたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の駆動方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、特に保持時間ｔ＿
ｈを発光層内を流れる移動電荷密度が減少しないある一
定値としたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の駆動方法。 ４、特許請求の範囲第２項において、保持時間ｔ＿ｈを
変化させて輝度変調させることを特徴とする薄膜ＥＬ素
子の駆動方法。 ５、特許請求の範囲第３項において、初期印加電圧Ｖ＿
ｉを変化させて輝度変調させることを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30754687A JPH01149094A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30754687A JPH01149094A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149094A true JPH01149094A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17970394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30754687A Pending JPH01149094A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149094A (ja) |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP30754687A patent/JPH01149094A/ja active Pending
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