JPH0114940Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この考案は半導体装置の外部導出リードに測定
子を弾圧接触させて特性測定する装置で、特にリ
ードを曲げ加工した後特性測定するに有効な半導
体装置の特性測定装置に関する。

(ロ) 従来技術 トランジスタ等の特に小形の半導体装置はその
本体より導出したリードをプリント基板への実装
を便利ならしめるためストレートな状態から実装
面側へ曲げ加工したものが多くなつている。例え
ば樹脂封止型トランジスタは通常第１図及び第２
図に示すように要部を封止する外装樹脂材１から
３本平行なストレートのリード２を導出した形で
製造され、その後用途に応じ第３図及び第４図に
示すようにリード２の曲げ加工が行われて出荷さ
れる。尚、図面の３は放熱板で、３本のリード２
の中央のものは放熱板３と同電位のいわゆるコレ
クタリードであつて、放熱板３をプリント基板等
の外部機器に電気的接続して実装する場合は第３
図の如く中央リード２′はその根元部分で切断さ
れ除去される。このようなリード曲げや切断は同
時に行われる。

ところで、上述トランジスタ４は出荷の前に特
性測定が行われ、特性の不良品は除去され、特性
の良品のみが特性からランク分けされて出荷され
る。この時の特性測定は一般にリード２がストレ
ートの状態の時に例えば第５図に示すようにトラ
ンジスタ４を絶縁支持台５上に位置決めして押圧
体６で押えて固定しておき、ストレートのリード
２上面の２箇所に外部の支持ブロツク７から延び
る２個一対の測定子８，９を弾圧接触（ケルビン
コンタクト）させて行つている。各一対の測定子
８，９は弾性板であつて、その略中央部がエアー
シリンダ１０により上下動制御され、リード２へ
の接触は接触抵抗を小さくするため強い力で押圧
して行われる。この時のリード２は下面が支持台
５で支持されているので測定子８，９の押圧力で
変形することは無くて高精度の特性測定が行え
る。

ところが、上記特性測定後リード２の曲げや切
断加工を行うと、この加工時の機械的シヨツクで
外装樹脂材１のリード封止部分にクラツクが発生
したり、リード曲げや切断時の引張り力にて内部
の配線切れが生じたりして特性不良となり、その
まま出荷されることがある。このような不良品出
荷のトラブルは特性測定をリード２の曲げ加工後
に行えば防止され、一部で実行されている。しか
しリード曲げ加工後の特性測定は第６図に示すよ
うに、トランジスタ４が小形の場合においてはリ
ード２が短いがためにリード２にケルビンコンタ
クトで接触する一対の測定子８，９は曲げ加工さ
れたリード２の根元部分と先端部分の段差のある
２箇所に接触することになり、特に上段のリード
根元部分に接触する測定子８のリード押圧力が過
大になつてリード２の変形を招くことがあり、ま
た測定子８の寿命を短くする。

上記問題の解決策として次のことが考えられ
る。(a)１本のリードに１つの測定子を接触させ
る。しかしこれではリードと測定子との接触抵抗
の影響が大であり、高精度の測定には１本のリー
ドの複数点に複数の測定子をケルビンコンタクト
させることが望まれる。(b)曲げ加工したリードの
下面を支持体で支持してリードの変形を防止す
る。この場合、半導体装置が小形であれば曲げ加
工した短いリードの下に支持体を入れることが非
常に難しくなる。(c)曲げ加工したリードの段差に
応じて長さを相違させた２つの測定子を使用す
る。このようにするとリードの段差のある２箇所
に測定子を同程度の押圧力で接触させることがで
きる。しかし、測定子は特殊材料で形成されるた
め、長さの異なるものを使うことは測定子の製作
上不利であり、また保守が大変で実用的でない。

(ハ) 考案の目的 本考案は上記リード曲げ加工後の特性測定上の
各問題点に鑑み、これを改良・除去した特性測定
装置を提供することを目的とする。

(ニ) 考案の構成 本考案は半導体装置の外部導出リードに複数の
測定子をケルビンコンタクトさせて特性測定する
装置であつて、リードを上下から夫々複数点の接
触でもつて挾持する上下複数の各測定子を支持す
る支持ブロツクを外部の固定部材にバネ材を介し
て可動に弾性保持することを特徴とする。前記支
持ブロツクは１で上下複数の測定子を支持するも
の、或は上下に２分割されて上部支持ブロツクと
下部支持ブロツクで夫々に複数の測定子を支持す
るものが使用される。このように上下可動の支持
ブロツクから延びる測定子でリードを上下から挾
持した場合、リードに上下方向に段差があつても
この段差を吸収する如く支持ブロツクが不定方向
に動き、これによりリードへの各測定子の押圧力
が平均化されて、リード、測定子共に良好な状態
で特性測定が実行される。

(ホ) 実施例 例えば第１図乃至第４図のトランジスタ４の製
造において、本考案はリード曲げ、切断加工後に
行うに有効な特性測定装置で、これの実施例を第
７図乃至第９図から説明する。第７図はトランジ
スタ４のリード加工から特性測定、選別を行う装
置例（平面図）を示し、１１は間欠回転するター
ンテーブル、１２，１２……はターンテーブル１
１の周縁部上に等間隔で配置された複数のヘツ
ド、１３は１つのヘツド１２が部品供給ポジシヨ
ンＰにくるとこのヘツド１２にリード未加工のト
ランジスタ４を１個供給するバーツフイーダで、
ヘツド１２は第８図に示すように１つのトランジ
スタ４をリード２を外に突出させて外装樹脂材１
を上下より挾持して支持する。ターンテーブル１
１の周辺にはターンテーブル１１の回転方向に沿
つて次の１４〜２０が順番に配置される。１４は
ヘツド１２のトランジスタ４を位置決めする位置
決め機、１５はトランジスタ４の未加工リード２
を定方向に揃えるリード位置決め機、１６はトラ
ンジスタ４の中央リード２′を切断するリードカ
ツター、１７はトランジスタ４の残り両側リード
２，２を曲げ加工するリード曲げ機、１８は後述
の本考案による特性測定装置、１９は特性不良品
を排出する不良品排出シユート、２０は特性の良
品を取出すシユートで、このシユート２０の先端
には良品トランジスタ４を特性の同一ランクのも
の毎に選別して収納する選別テーブル２１が配置
される。

特性測定装置１８はリード切断、曲げ加工され
た１つのトランジスタ４の両側リード２，２に対
して段差のある根元部分と先端部分を上下から上
下一対の測定子２２，２２……で適宜挾持し、ま
た必要に応じ切断されて残つた中央リード２′を
上下から２つの測定子２２，２２で適宜挾持して
特性測定を行うもので、２３は各測定子２２，２
２……の末端部を一括して支持する支持ブロツ
ク、２４は支持ブロツク２３を囲む枠状の固定部
材、２５は支持ブロツク２３と固定部材２４間に
挿入された複数のバネ材で、支持ブロツク２３を
可動に弾性保持する。２６と２７は固定部材２４
に固定されて各測定子２２，２２……の上部一群
２２ａと下部一群２２ｂを一括して上下動させる
例えばエアーシリンダである。

全測定子２２，２２……で対応するトランジス
タ４の両側リード２，２と中央リード２′を一括
して挾持した場合、特に両側リード２，２は曲げ
加工されて段差があるため、これに当接測定子２
２，２２……に加わる抗力にバラツキが生じる。
一方この力のバラツキにより支持ブロツク２３に
片寄つた力が加わり、支持ブロツク２３は可動の
ため加わる力の方向に変位して力のバランスのと
れたところで安定する。つまり支持ブロツク２３
はリード２の形状に応じた倣い動作をなし、これ
により各測定子２２，２２……のリード２，２へ
の押圧力が均一化して、常に良好な状態での特性
測定が行われる。

第１０図は本考案の他の実施例を示すもので、
これの特徴は上記支持ブロツク２３を上下に２分
割した形状の２つの支持ブロツク２３ａ，２３ｂ
を用い、上部支持ブロツク２３ａで測定子２２，
２２……の上部一群２２ａを支持し、下部支持ブ
ロツク２３ｂで下部一群２２ｂを支持したことで
ある。この場合は上下部の各支持ブロツク２３
ａ，２３ｂ間にバネ材２５′を介在させて、各々
の倣い動作をより広範囲で行わせるようにする。

尚、本考案はトランジスタに限らず、他の半導
体装置の特性測定にも十分に適用し得る。

(ヘ) 考案の効果 以上説明したように、本考案によれば半導体装
置のリードが曲げ加工等で段差があつても測定子
は可動支持ブロツクの倣い動作にて無理無くリー
ドに均一化された力で弾接し、従つてリードが変
形すること無く良好な状態にて特性測定が実行さ
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は半導体装置の二例を示す平
面図と側面図、第５図及び第６図は従来の特性測
定装置の二例を示す要部側面図、第７図は本考案
を含む半導体製造装置の平面略図、第８図及び第
９図は本考案の一実施例を示す側面図及び背面
図、第１０図は本考案の他の実施例を示す側面図
である。 ２……リード、４……半導体装置（トランジス
タ）、２２……測定子、２３，２３ａ，２３ｂ…
…支持ブロツク、２４……固定部材、２５，２
５′……バネ材。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体装置の外部導出リードを当該リードの上
   下の複数点に外部の支持ブロツクから延びる複数
   の測定子を弾圧接触させて上下より挾持した状態
   で特性測定する装置であつて、前記測定子の支持
   ブロツクを外部の固定部材にバネ材を介して可動
   に弾性保持したことを特徴とする半導体装置の特
   性測定装置。