JPH01149492A - ジョセフソン素子とその製造方法 - Google Patents
ジョセフソン素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH01149492A JPH01149492A JP62308226A JP30822687A JPH01149492A JP H01149492 A JPH01149492 A JP H01149492A JP 62308226 A JP62308226 A JP 62308226A JP 30822687 A JP30822687 A JP 30822687A JP H01149492 A JPH01149492 A JP H01149492A
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- Japan
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- weak coupling
- weak
- superconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えば高速スイッチング素子、５ＱＵＩＤ、
ミリ波検出等への応用が可能なジョセフソン素子とその
製造方法に関し、更に詳しくは、２つの超電導体間を超
電導材で形成された弱結合部で接続したタイ°プのジョ
セフソン素子とその製造方法に関する。
ミリ波検出等への応用が可能なジョセフソン素子とその
製造方法に関し、更に詳しくは、２つの超電導体間を超
電導材で形成された弱結合部で接続したタイ°プのジョ
セフソン素子とその製造方法に関する。
〈従来の技術〉
ジョセフソン素子の一般的な構造は、第５図〜第９図に
示す通りで、いずれも２つの超電導体１および２間を弱
結合部３で接続してなっている。
示す通りで、いずれも２つの超電導体１および２間を弱
結合部３で接続してなっている。
第５図に示すものは超電導マイクロブリッジと称される
タイプで、超電導体１．２および弱結合部３を同一の超
電導材によって一体形成している。第６図に示すものは
平面型ジョセフソン接合と称されるタイプで、２つの超
電導体１．２間に超電導材製の弱結合部３を差しわたし
ている。第７図に示すものは薄膜トンネル接合と称され
、一方の超電導体１の表面に弱結合部３となる薄い絶縁
膜を形成したものである。また、第８図に示すものはサ
ンドインチ型ジョセフソン接合と称され、同じ（絶縁体
によって弱結合部３を形成している。更に、第９図に示
すものは準平面型ジョセフソン接合と称されるタイプで
、一方の超電導体１の表面に絶縁体１０を介して他方の
超電導体２を重ね、これらを超電導材製の弱結合部３で
接続している。
タイプで、超電導体１．２および弱結合部３を同一の超
電導材によって一体形成している。第６図に示すものは
平面型ジョセフソン接合と称されるタイプで、２つの超
電導体１．２間に超電導材製の弱結合部３を差しわたし
ている。第７図に示すものは薄膜トンネル接合と称され
、一方の超電導体１の表面に弱結合部３となる薄い絶縁
膜を形成したものである。また、第８図に示すものはサ
ンドインチ型ジョセフソン接合と称され、同じ（絶縁体
によって弱結合部３を形成している。更に、第９図に示
すものは準平面型ジョセフソン接合と称されるタイプで
、一方の超電導体１の表面に絶縁体１０を介して他方の
超電導体２を重ね、これらを超電導材製の弱結合部３で
接続している。
〈発明が解決しようとする問題点〉
以上のような各構造のジョセフソン素子の、超電導体１
，２間に電流を流すと、そのＩ−Ｖ特性は第１０図に示
す通りとなる。ここで、ジョセフソン素子の特性を揃え
るためには、第１０図の臨界電流値１ｃを一定値にする
必要がある。このＩＣの値は、例えば第６図のタイプに
おいて弱結合部３の断面積ＷＸｔで決まるが、このＩ、
の値を適度の範囲内に収めるためには、Ｗおよびｔの寸
法をサブミクロンオーダーの精度で加工する必要があり
、従来の加工法では■、のバラツキを所望の範囲内に抑
えこめず、素子の歩留まりを大きく低下させる要因とな
っている。
，２間に電流を流すと、そのＩ−Ｖ特性は第１０図に示
す通りとなる。ここで、ジョセフソン素子の特性を揃え
るためには、第１０図の臨界電流値１ｃを一定値にする
必要がある。このＩＣの値は、例えば第６図のタイプに
おいて弱結合部３の断面積ＷＸｔで決まるが、このＩ、
の値を適度の範囲内に収めるためには、Ｗおよびｔの寸
法をサブミクロンオーダーの精度で加工する必要があり
、従来の加工法では■、のバラツキを所望の範囲内に抑
えこめず、素子の歩留まりを大きく低下させる要因とな
っている。
ところで、最近発見されたセラミックス高温超電導体は
、液体窒素温度で動作するジョセフソン素子を作成する
ことができることから注目されているが、セラミックス
であるが故に加工性が悪く、上記の問題が更に深刻なも
のとなっている。
、液体窒素温度で動作するジョセフソン素子を作成する
ことができることから注目されているが、セラミックス
であるが故に加工性が悪く、上記の問題が更に深刻なも
のとなっている。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、臨界電流値■。
を必要に応じて変化させることのできるジョセフソン素
子、および、高精度の加工を施すことなく臨界電流値Ｉ
ｃを所望の値とすることのできる、ジョセフソン素子の
製造方法の提供を目的としている。
子、および、高精度の加工を施すことなく臨界電流値Ｉ
ｃを所望の値とすることのできる、ジョセフソン素子の
製造方法の提供を目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の各目的を達成するため、第１の発明は、実施例に
対応する第１図に示すように、２つの超電導体１，２間
を、超電導材で形成された弱結合部３により接続してな
る素子において、弱結合部３に、加熱によりこの弱結合
部３内に拡散してその臨界電流値■、を下げる物質（例
えばＡＩＺＯｆｆ膜）４を接触配置し、かつ、上記の加
熱のためのヒータ（例えばＴａ膜）５を熱的に接触した
ことによって、特徴づけられる。
対応する第１図に示すように、２つの超電導体１，２間
を、超電導材で形成された弱結合部３により接続してな
る素子において、弱結合部３に、加熱によりこの弱結合
部３内に拡散してその臨界電流値■、を下げる物質（例
えばＡＩＺＯｆｆ膜）４を接触配置し、かつ、上記の加
熱のためのヒータ（例えばＴａ膜）５を熱的に接触した
ことによって、特徴づけられる。
また、第２の発明は、ジョセフソン素子の製造方法であ
って、同じ〈実施例に対応する第１図を参照しつつ説明
すると、２つの超電導体１，２間を、超電導材によって
接続して弱結合部３を形成し、次に、その弱結合部３に
、加熱によりこの弱結合部３内に拡散してその拡散領域
の超電導性を破壊する物質（例えばＡ１□Ｏ１膜）４を
接触させた状態で、２つの超電導体１．２間に電流を流
してそのＩ−Ｖ特性を測定しつつ、弱結合部３を局所的
に加熱して上記の物質４の拡散領域を順次増大せしめる
ことにより、上記のＩ−Ｖ特性における臨界電流値ＩＣ
が所望の値となるよう調整することによって、特徴づけ
られる。
って、同じ〈実施例に対応する第１図を参照しつつ説明
すると、２つの超電導体１，２間を、超電導材によって
接続して弱結合部３を形成し、次に、その弱結合部３に
、加熱によりこの弱結合部３内に拡散してその拡散領域
の超電導性を破壊する物質（例えばＡ１□Ｏ１膜）４を
接触させた状態で、２つの超電導体１．２間に電流を流
してそのＩ−Ｖ特性を測定しつつ、弱結合部３を局所的
に加熱して上記の物質４の拡散領域を順次増大せしめる
ことにより、上記のＩ−Ｖ特性における臨界電流値ＩＣ
が所望の値となるよう調整することによって、特徴づけ
られる。
く作用〉
Ｙ−Ｂ−Ｃ−０系やＬ−３−Ｃ−０系セラミックス超電
導体等においては、Ａ Ｉ、Ａ １ｚ０３．Ｓ ｉ。
導体等においては、Ａ Ｉ、Ａ １ｚ０３．Ｓ ｉ。
５ｉ０２等を拡散させることによってその超電導性が破
壊されることが知られている。
壊されることが知られている。
第１の発明の構造を有するジョセフソン素子によると、
ヒータ５による加熱により、ＡＩＺＯｆｆ等の物質が弱
結合部３内に拡散してその超電導性破壊領域を増大させ
、弱結合部３の超電導性を有する断面積を縮少させるこ
とができ、必要に応じて適宜に素子のＩｃを低下させる
ことができる。
ヒータ５による加熱により、ＡＩＺＯｆｆ等の物質が弱
結合部３内に拡散してその超電導性破壊領域を増大させ
、弱結合部３の超電導性を有する断面積を縮少させるこ
とができ、必要に応じて適宜に素子のＩｃを低下させる
ことができる。
第２の発明による製造方法によれば、適当な断面積の超
電導材による弱結合部３に、超電導性破壊物質を拡散さ
せつつ、素子のＩ−Ｖ特性を測定し、■、値が所望値と
なった時点で拡散を停止することで、一定の１．値を有
するジョセフソン素子が得られる。
電導材による弱結合部３に、超電導性破壊物質を拡散さ
せつつ、素子のＩ−Ｖ特性を測定し、■、値が所望値と
なった時点で拡散を停止することで、一定の１．値を有
するジョセフソン素子が得られる。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第１図は本発明実施例の構造を示す斜視図である。
超電導体１，２および弱結合部３が同一の超電導材によ
って一体形成されてなる超電導マイクロブリッジ構造の
、弱結合部３の上面に、ＡｌｚＯ＋膜４が形成されてお
り、更にその上面にＴａ膜５が形成されている。このＴ
ａ膜５の両端には、それぞれ電極（図示せず）を介して
リード線６，７が接続されている。
って一体形成されてなる超電導マイクロブリッジ構造の
、弱結合部３の上面に、ＡｌｚＯ＋膜４が形成されてお
り、更にその上面にＴａ膜５が形成されている。このＴ
ａ膜５の両端には、それぞれ電極（図示せず）を介して
リード線６，７が接続されている。
以上の構造は、次の方法によって製造することができる
。
。
ＹＳＺ（イツトリア安定化ジルコニア）基板上に、ｒｆ
スパッタによりＹ−Ｂ−Ｃ−０薄膜を作成し、フォトリ
ソグラフ・ウェットエツチングにより、超電導体１．２
および弱結合部３からなる超電導マイクロブリッジ構造
を形成した。ここで、弱結合部３の大きさは１０μｍ×
１０μｍ、厚さは２μｍとした。なお、このパターン成
形はイオン注入法等によって行ってもよい。
スパッタによりＹ−Ｂ−Ｃ−０薄膜を作成し、フォトリ
ソグラフ・ウェットエツチングにより、超電導体１．２
および弱結合部３からなる超電導マイクロブリッジ構造
を形成した。ここで、弱結合部３の大きさは１０μｍ×
１０μｍ、厚さは２μｍとした。なお、このパターン成
形はイオン注入法等によって行ってもよい。
次に、同じ（ｒｆスパッタにより、弱結合部３の上にＡ
１□０３膜４を、更にその上にＴａ膜５を積層した。そ
してＴａ膜５の両端に電極とリード線６．７を接続した
。
１□０３膜４を、更にその上にＴａ膜５を積層した。そ
してＴａ膜５の両端に電極とリード線６．７を接続した
。
さて、以上の構造を有する素子を、液体窒素中に浸し、
超電導体１．２間に電流を流してそのＩ−Ｖ特性を測定
すると、例えば第２図実線の通りであった。次に、その
状態でリード線６，７間に電流を数秒間流してＴａ膜５
を発熱させると、Ａｌ２Ｏ。
超電導体１．２間に電流を流してそのＩ−Ｖ特性を測定
すると、例えば第２図実線の通りであった。次に、その
状態でリード線６，７間に電流を数秒間流してＴａ膜５
を発熱させると、Ａｌ２Ｏ。
か弱結合部３のＹ−Ｂ−Ｃ−０膜に所定深さだけ拡散し
てその超電導性を破壊する結果、実質的に弱結合部３の
厚さｔが小さくなって断面積が小さくなり、第２図破線
で示すようなＩ−Ｖ特性が得られ、臨界電流値が低下し
た。更にＴａ膜５に通電すると、同図−点鎖線で示すよ
うに臨界電流値は更に低下した。このように、Ｔａ膜５
への通電時間により、臨界電流値の大きさを制御するこ
とができ、所望の臨界電流値が得られた時点で通電を停
止することによって、所望の特性を有するジョセフソン
素子が得られる。
てその超電導性を破壊する結果、実質的に弱結合部３の
厚さｔが小さくなって断面積が小さくなり、第２図破線
で示すようなＩ−Ｖ特性が得られ、臨界電流値が低下し
た。更にＴａ膜５に通電すると、同図−点鎖線で示すよ
うに臨界電流値は更に低下した。このように、Ｔａ膜５
への通電時間により、臨界電流値の大きさを制御するこ
とができ、所望の臨界電流値が得られた時点で通電を停
止することによって、所望の特性を有するジョセフソン
素子が得られる。
なお、■−■特性の測定と加熱のための通電は並行して
行ってもよいし、交互に行ってもよい。
行ってもよいし、交互に行ってもよい。
測定と加熱通電を並行に行なう場合、第１図の構造の素
子を窒素ガスが充填された容器内に入れ、その容器ごと
液体窒素内に浸すことで、加熱による液体窒素の急激な
沸騰を防止できる。
子を窒素ガスが充填された容器内に入れ、その容器ごと
液体窒素内に浸すことで、加熱による液体窒素の急激な
沸騰を防止できる。
また、素子の構造としては、第１図に示した超電導マイ
クロブリッジ構造のほか、第６図および第９図に示した
平面型ジョセフソン接合および準平面型ジョセフソン接
合のタイプにも適用可能であり、いずれも超電導材製弱
結合部３に超電導性破壊物質を接触配置し、この接触部
分を加熱するためのヒータを熱的に接続すればよい。
クロブリッジ構造のほか、第６図および第９図に示した
平面型ジョセフソン接合および準平面型ジョセフソン接
合のタイプにも適用可能であり、いずれも超電導材製弱
結合部３に超電導性破壊物質を接触配置し、この接触部
分を加熱するためのヒータを熱的に接続すればよい。
弱結合部３の超電導材料としては、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０系セ
ラミツクスのほか、Ｌ−５−Ｃ−０系セラミツクスでも
同様の結果を得ることができた。
ラミツクスのほか、Ｌ−５−Ｃ−０系セラミツクスでも
同様の結果を得ることができた。
また、超電導性破壊物質としては、上述のＡｌｔＯｓの
ほか、ＳｉＯ２，ＡＩおよびＳｉがほぼ同様の結果を示
し、更にＳｒ、Ｔｉ、Ｆｅおよびその酸化物等でも効率
的ではないものの使用することができる。
ほか、ＳｉＯ２，ＡＩおよびＳｉがほぼ同様の結果を示
し、更にＳｒ、Ｔｉ、Ｆｅおよびその酸化物等でも効率
的ではないものの使用することができる。
次に、超電導マイクロブリッジ構造を有するジョセフソ
ン素子と、その製造方法の他の例を述べる。第３図はそ
の説明図である。この例では、まず、ｙｓｚ基板等の上
に−様なＹ−Ｂ−Ｃ−０膜１１を形成する。次に、その
Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜１１上に第３図に示すようにＡｌ２Ｏ
３膜４，４または他の超電導性破壊物質の膜を形成する
。そして、このＡ１．０３膜４，４を加熱することによ
り、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜１１の膜厚方向に拡散させてＡ
Ｉ 、Ｏ。
ン素子と、その製造方法の他の例を述べる。第３図はそ
の説明図である。この例では、まず、ｙｓｚ基板等の上
に−様なＹ−Ｂ−Ｃ−０膜１１を形成する。次に、その
Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜１１上に第３図に示すようにＡｌ２Ｏ
３膜４，４または他の超電導性破壊物質の膜を形成する
。そして、このＡ１．０３膜４，４を加熱することによ
り、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜１１の膜厚方向に拡散させてＡ
Ｉ 、Ｏ。
膜４，４の下方のＹ−Ｂ−Ｃ−０膜１１を絶縁化し、超
電導マイクロブリッジ構造を得る。次いで、ＡＩｔｏ、
膜４，４を更に加熱することによりＡ１□０３を膜面方
向に拡散させ、弱結合部３の実質的な幅Ｗを小さくさせ
て断面積を小さくし、所望のＩ−■特性が得られた時点
で加熱を停止する。
電導マイクロブリッジ構造を得る。次いで、ＡＩｔｏ、
膜４，４を更に加熱することによりＡ１□０３を膜面方
向に拡散させ、弱結合部３の実質的な幅Ｗを小さくさせ
て断面積を小さくし、所望のＩ−■特性が得られた時点
で加熱を停止する。
この方法は第６図および第９図に示した平面型および準
平面型ジョセフソン接合のタイプに適用できる。準平面
型ジョセフソン接合を存する素子への適用例を第４図に
示す。この例では、超電導体１と、その上に絶縁体１０
を介して重ねられた超電導体２の上に、−様なＹ−Ｂ−
Ｃ−０膜１１を形成し、そのＹ−Ｂ−Ｃ−０膜１１の上
方には、中心部分を除いてＡｌ２Ｏ３膜４およびＴａ膜
５を積層し、更にＴａ膜５の両端に加熱用電流を流すた
めのリード線６．７を接続している。この構造において
リード線６，７を介して電流を流してＴａ膜５を発熱さ
せることにより、ＡＩ、＋０．ｌがＹ−Ｂ−Ｃ−〇膜１
１の膜厚方向に拡散し、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜１１の中心部
を除く部分が絶縁化される。つまり、超電導性が残る中
心部が弱結合部３を形成することになる。そして、同様
に更に通電して加熱することにより、ＡｌｚＯｓがＹ−
Ｂ−Ｃ−０膜１１の膜面方向に拡散し、弱結合部３の実
質的な幅Ｗを適宜に狭めることができる。
平面型ジョセフソン接合のタイプに適用できる。準平面
型ジョセフソン接合を存する素子への適用例を第４図に
示す。この例では、超電導体１と、その上に絶縁体１０
を介して重ねられた超電導体２の上に、−様なＹ−Ｂ−
Ｃ−０膜１１を形成し、そのＹ−Ｂ−Ｃ−０膜１１の上
方には、中心部分を除いてＡｌ２Ｏ３膜４およびＴａ膜
５を積層し、更にＴａ膜５の両端に加熱用電流を流すた
めのリード線６．７を接続している。この構造において
リード線６，７を介して電流を流してＴａ膜５を発熱さ
せることにより、ＡＩ、＋０．ｌがＹ−Ｂ−Ｃ−〇膜１
１の膜厚方向に拡散し、Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜１１の中心部
を除く部分が絶縁化される。つまり、超電導性が残る中
心部が弱結合部３を形成することになる。そして、同様
に更に通電して加熱することにより、ＡｌｚＯｓがＹ−
Ｂ−Ｃ−０膜１１の膜面方向に拡散し、弱結合部３の実
質的な幅Ｗを適宜に狭めることができる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明のジョセフソン素子によれ
ば、超電導材製の弱結合部に、加熱によりその超電導性
を破壊し、弱結合部の実質的な断面積を小さくしてその
超電導臨界電流を低下させる物質が接触配置され、かつ
、加熱用のヒータが熱的に接続されているから、必要に
応じてその■−Ｖ特性を適宜に変化させることができ、
使用上の汎用性が増大する。
ば、超電導材製の弱結合部に、加熱によりその超電導性
を破壊し、弱結合部の実質的な断面積を小さくしてその
超電導臨界電流を低下させる物質が接触配置され、かつ
、加熱用のヒータが熱的に接続されているから、必要に
応じてその■−Ｖ特性を適宜に変化させることができ、
使用上の汎用性が増大する。
また、本発明の製造方法によると、弱結合部の、加工精
度を高度化することなく、Ｉ−Ｖ特性を所望の状態に調
整することができるので、歩留まりが向上し、ひいては
製造コストを低減させることができる。
度を高度化することなく、Ｉ−Ｖ特性を所望の状態に調
整することができるので、歩留まりが向上し、ひいては
製造コストを低減させることができる。
第１図は本発明実施例の構造を示す斜視図、第２図はそ
の作用説明図、 第３図および第４図は本発明の他の実施例の説明図、 第５図乃至第９図は従来のジョセフソン素子の構造例を
示す斜視図、 第１０図はそのＩ−Ｖ特性を示すグラフである。 １．２・・・超電導体 ３・・・弱接合部 ４・・・Ａ１□Ｏ８膜 ５・・・Ｔａ膜 ６．７・・・リード線 １０・・・絶縁体 １１・・・Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜 特許出願人 株式会社島津製作所代 理 人
弁理士 西１）新 築１図 第２図 ■ 第３図 第４図 第５図 第７図 第９図
の作用説明図、 第３図および第４図は本発明の他の実施例の説明図、 第５図乃至第９図は従来のジョセフソン素子の構造例を
示す斜視図、 第１０図はそのＩ−Ｖ特性を示すグラフである。 １．２・・・超電導体 ３・・・弱接合部 ４・・・Ａ１□Ｏ８膜 ５・・・Ｔａ膜 ６．７・・・リード線 １０・・・絶縁体 １１・・・Ｙ−Ｂ−Ｃ−０膜 特許出願人 株式会社島津製作所代 理 人
弁理士 西１）新 築１図 第２図 ■ 第３図 第４図 第５図 第７図 第９図
Claims (4)
- （１）２つの超電導体間を、超電導材で形成された弱結
合部により接続してなる素子において、上記弱結合部に
、加熱により当該弱結合部内に拡散してその超電導臨界
電流値を下げる物質を接触配置し、かつ、上記加熱のた
めのヒータを熱的に接触したことを特徴とする、ジョセ
フソン素子。 - （２）上記弱結合部の超電導材がセラミックス超電導材
で、その弱結合部に接触配置される上記物質がＡｌ、Ａ
ｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉまたはＳｉＯ＿２であることを特徴
とする、特許請求の範囲第１項記載のジョセフソン素子
。 - （３）２つの超電導体間を、超電導材により接続して弱
結合部を形成し、次に、その弱結合部に、加熱により当
該弱結合部内に拡散してその拡散領域における超電導性
を破壊する物質を接触させた状態で、上記２つの超電導
体間に電流を流してその I −Ｖ特性を測定しつつ、上
記弱結合部を局所的に加熱して上記物質の拡散領域を順
次増大せしめることにより、上記 I −Ｖ特性における
臨界電流値が所望の値となるよう調整することを特徴と
する、ジョセフソン素子の製造方法。 - （４）上記弱結合部をセラミックス超電導体で形成する
とともに、その弱結合部に接触させる上記物質をＡｌ、
Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉまたはＳｉＯ＿２とすることを特
徴とする、特許請求の範囲第３項記載のジョセフソン素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308226A JPH084157B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ジョセフソン素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62308226A JPH084157B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ジョセフソン素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149492A true JPH01149492A (ja) | 1989-06-12 |
| JPH084157B2 JPH084157B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=17978445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62308226A Expired - Lifetime JPH084157B2 (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | ジョセフソン素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084157B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112098910A (zh) * | 2020-10-10 | 2020-12-18 | 邵阳学院 | 一种六点法卷对卷传动式高温超导长带临界电流测试装置及方法 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62308226A patent/JPH084157B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112098910A (zh) * | 2020-10-10 | 2020-12-18 | 邵阳学院 | 一种六点法卷对卷传动式高温超导长带临界电流测试装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH084157B2 (ja) | 1996-01-17 |
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