JPH0114983Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、複数の磁気ヘツドが隣接して配置
されているとき、磁気ヘツド相互のクロストーク
信号、及び他の記録トラツクから混入するクロス
トーク信号を消去する多チヤンネルヘツドのクロ
ストークキヤンセラに関するものである。

複数の磁気ヘツドが近接して配置されている多
チヤンネルヘツドは、特に高密度の情報を記録再
生する装置に採用され、例えばTV画像信号を三
色に分解したカラー信号Ｒ，Ｇ，Ｂを同時に記録
再生する回転ヘツド、PCM録音再生ヘツド等に
使用されている。

かゝる多チヤンネルヘツドは、通常隣接する磁
気ヘツド間が狭く、そのため磁気ヘツド相互の誘
導結合、又は他の記録トラツクの信号の影響をう
けて所定の再生信号以外に隣接した信号がクロス
トーク信号として混入するという弊害があつた。

従来、このようなクロストーク信号を消去する
ためには、アジマス角を設けたり、隣接する磁気
トラツク間をシールドすることなどが行なわれて
いたが、各磁気ヘツドの間隔が狭い場合は依然と
してクロストーク信号を消去することが困難であ
つた。又、ダミーヘツドを用いてクロストーク信
号をキヤンセルする方法もあるが、ダミーヘツド
によつて磁気ヘツドの録・再生インピーダンスが
増大し、そのため、録・再生周波数帯域が狭くな
り、Ｓ／Ｎも悪化するという欠点があつた。

この考案は、かゝる点にかんがみてなされたも
ので、多チヤンネルヘツドの隣接する各出力信号
線間を結合するトランスの等価インダクタンスを
磁気ヘツドの等価インダクタンスに対して十分に
小さく設定すると共に、トランスの巻線間を十分
密に結合することにより、磁気ヘツドの録・再生
インピーダンスに与えるトランスのインピーダン
スの影響を十分に小さくし、さらに、トランスと
磁気ヘツドの諸定数を所定関係にしてトランスの
周波数特性を磁気ヘツドの周波数特性に等しくす
ることにより、本来の録・再生周波数帯域を損な
うことのないようにして、クロストーク信号を広
い周波数帯域にわたつてキヤンセルするようにし
たものである。

以下、この考案の多チヤンネルヘツドのクロス
トークキヤンセラについて説明する。

第１図は３個の磁気ヘツドを例としたクロスト
ークキヤンセラ回路を示したもので、M₁，M₂，
M₃は近接して配置してある磁気ヘツド、T₁，T₂
は密結合されているトランス、C₁〜C₆は各磁気
ヘツドの出力端子、ＲはＱダンプ用の抵抗であ
る。

次に、このような回路において磁気ヘツドM₁，
M₂間のクロストークキヤンセラ効果について述
べる。

今、磁気ヘツドM₁に誘起されているクロスト
ーク信号、すなわち、磁気ヘツドM₂が再生すべ
き信号S₂がヘツド間の結合、又は隣接トラツクか
らの混入によつて磁気ヘツドM₁に誘起された電
圧をE_H、磁気ヘツドM₂が再生している信号S₂が
トランスT₁を介しその巻線N₁側に出力された電
圧をE_Tとすると、この両者間の電圧関係は第２
図の等価回路で表わすことができる。

ここで、L_H，C_H，R_Hはそれぞれ磁気ヘツドM₁
の等価インダクタンス（L_H）、等価キヤパシタン
ス（C_H）、等価抵抗（R_H）を示し、また、L_T，
C_T，R_TはそれぞれトランスT₁の等価インダクタ
ンス（L_T）、等価キヤパシタンス（C_T）、等価抵
抗（R_T）を示す。なお、このR_TはＱダンプ用抵
抗Ｒも含まれている。

この回路で出力端子C₁−C₂間で前記したクロ
ストーク信号が０になるようにするためには、磁
気ヘツドM₁およびトランスT₁のそれぞれの端子
間の電圧e_H，e_Tについて、 e_H＋e_T＝０ …(1) が成立すればよい。

電圧e_H，e_Tについて第２図の回路から算出する
と、 が得られる。

前記電圧E_H，E_Tの位相を考え、これを複素数
で表わすと、 E_H＝E_HX＋jE_Hy E_T＝E_TX＋jE_Ty …(3) 又、キヤンセルの条件である第(1)式から ｜e_H｜＝｜e_T｜ …(4) であるから、結局、 E_HX＋jE_Hy／１−ω²L_HC_H＋jωC_HR_H ＝E_TX＋jE_Ty／１−ω²L_TC_T＋jωC_TR_T …(5) が成立すればクロストーク信号がキヤンセルでき
る。

第(5)式が成立するためには、実数部と虚数部が
一致すればよいから、 E_HX（１−ω²L_TC_T）−ωC_TR_TE_Hy ＝E_HX（１−ω²L_HC_H）−ωC_HR_HE_Ty …(6) E_Hy（１−ω²L_TC_T）＋ωC_TR_TE_HX ＝E_Ty（１−ω²L_HC_H）＋ωC_HR_HE_TX …(7) となり、 E_HX＝E_TX ω²（L_TC_TE_HX）＝ω²（L_HC_HE_TX） …(8) ω（C_TR_TE_Hy）＝ω（C_HR_HE_Ty） E_Hy＝E_Ty ω²（L_TC_TE_Hy）＝ω²（L_HC_HE_Ty ω（C_TR_TE_HX）＝ω（C_HR_HE_TX） …(9) が第(5)式を満足する条件になる。

磁気ヘツドM₁よつて誘起されれたクロストー
クの電圧E_HとトランスT₁から入力された電圧E_T
は同一の信号源であるから、 E_HX＝E_TX，E_Hy＝E_Tyとすることができる。

したがつて L_TC_T＝L_HC_H …(10) C_TR_T＝C_HR_H …(11) が成立するように設定すれば、 e_H＋e_T＝０、すなわち、出力端子C₁−C₂間から
出力されるクロストーク信号を０とすることがで
きる。

以上は磁気ヘツドM₁，M₂及びトランスT₁につ
いて説明したが、磁気ヘツドM₂，M₃及びトラン
スT₂によるクロストークキヤンセラ効果につい
ても同様である。

磁気ヘツドの巻線インダクタンスL_Hに対し、
トランスの巻線インダクタンスL_Tを、例えば、
10：１に設定すれば、トランスT₁（T₂）の介入に
よつて出力端子C₁〜C₆からみたインピーダンス
が極端に増大することがなく、従つて、記録およ
び再生すべき信号の周波数特性の劣化およびレベ
ル低下は殆んど無視できる程度になる。

又、上述したインピーダンス条件を満足してい
れば全ての周波数にわたるクロストーク信号に対
してキヤンセル効果が発揮されることになる。

なお、ｎ個の磁気ヘツドM₁〜M_oの場合はｎ−
１個のトランスT₁〜T_o-1が使用されることはい
うまでもない。

以上説明したように、この考案の多チヤンネル
ヘツドのクロストークキヤンセラは、磁気ヘツド
に誘起されたクロストーク信号を隣接する磁気ヘ
ツドの信号回線からトランス結合された電圧によ
つてキヤンセルするように構成し、磁気ヘツドの
インピーダンス（L_H，C_H，R_H）とトランスのイ
ンピーダンス（L_T，C_T，R_T）の関係を、 L_HC_H＝L_TC_T C_HR_H＝C_TR_Tとなる条件に設定し
たので、クロストーク信号を広い周波数帯域にわ
たつて有効に排除することができるとともにL_H
≫L_Tとすることによつて再生すべき記録トラツ
クの信号の損失を少なくすることができるという
利点を有するものである。

さらに、L_H≫L_Tとすることにより、トランス
Ｔ自体が小型になるので、磁気ヘツドの極めて近
くにトランスを配置することができ、これによつ
て本発明は高密度多チヤンネル記録の回転磁気ヘ
ツドのクロストークキヤンセルに用いて好適とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案のクロストークキヤンセラを
３個の磁気ヘツドに適用したときの回路図、第２
図は２つの磁気ヘツド間の信号関係を示す等価回
路図である。 図中、M₁，M₂，M₃は磁気ヘツド、T₁，T₂は
トランス、C₁〜C₆は出力端子を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 隣接した複数の磁気ヘツドからなる多チヤンネ
   ルヘツドの隣接する各出力信号線間をトランスに
   よつて結合し、前記トランスから供給される信号
   によつて隣接トラツクからのクロストーク信号を
   打ち消すようにした多チヤンネルヘツドのクロス
   トークキヤンセラにおいて、 前記磁気ヘツドの等価インダクタンスをL_H、
   等価キヤパシタンスをC_H、等価抵抗をR_Hとし、 前記トランスの等価インダクタンスをL_T、等
   価キヤパシタンスをC_T、等価抵抗をR_Tとしたと
   き、 前記L_Tを前記L_Hに対して十分に小さく設定す
   ると共に、前記トランスの巻線間の結合を密に
   し、かつ、前記磁気ヘツドと前記トランスとの関
   係を L_HC_H＝L_TC_T，C_HR_H＝C_TR_T となるようにしたことを特徴とする多チヤンネル
   ヘツドのクロストークキヤンセラ。