JPH01154576A - 超電導放射線検出器 - Google Patents
超電導放射線検出器Info
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- JPH01154576A JPH01154576A JP62311950A JP31195087A JPH01154576A JP H01154576 A JPH01154576 A JP H01154576A JP 62311950 A JP62311950 A JP 62311950A JP 31195087 A JP31195087 A JP 31195087A JP H01154576 A JPH01154576 A JP H01154576A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
する。
従来、超電導体を利用した放射線検出器としては、ジャ
ーナル・オブ・アプライド・ブイジス９６１巻（１９８
７年）１頁から７頁（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ｖｏｌ、６１（１９８７）ｐ
ｐｌ−７）において論じられている。
ーナル・オブ・アプライド・ブイジス９６１巻（１９８
７年）１頁から７頁（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ｖｏｌ、６１（１９８７）ｐ
ｐｌ−７）において論じられている。
上記従来技術においては、検出器は２つの超電導体によ
って構成されており、このためエネルギ分解能が超電導
エネルギギャップの２倍に制限され、しかも準粒子の拡
散長が大きいＳｎが使用されていたので検出器の集積化
や感度、あるいは効率については配慮されておらず、さ
らに検出器の形状、寸法と上記の準粒子の拡散長につい
ての配慮も無かったので十分な検出効率が得られないと
いう問題があった。
って構成されており、このためエネルギ分解能が超電導
エネルギギャップの２倍に制限され、しかも準粒子の拡
散長が大きいＳｎが使用されていたので検出器の集積化
や感度、あるいは効率については配慮されておらず、さ
らに検出器の形状、寸法と上記の準粒子の拡散長につい
ての配慮も無かったので十分な検出効率が得られないと
いう問題があった。
本発明の目的は、検出効率が高く、集積化に適した構造
の超電導放射線検出器を提供することにある。
の超電導放射線検出器を提供することにある。
上記目的は、放射線の検出部分に超電導体と半導体又は
常電導体との間に形成されたトンネル接合を利用するこ
とにより、達成される。
常電導体との間に形成されたトンネル接合を利用するこ
とにより、達成される。
記超電導体と半導体とが直接に、あるいはトンネル障壁
を介して接した接触部分の超電導体直下の半導体中より
も不純物濃度の高い高不純物濃度部分が設けられ、また
前記の半導体又は常電導体と超電導体との接触部分の外
周と前記超電導体の外周上の各点からの最短の距離は、
前記超電導体中の準粒子の拡散長さよりも短くなるよう
に選ばれている。
を介して接した接触部分の超電導体直下の半導体中より
も不純物濃度の高い高不純物濃度部分が設けられ、また
前記の半導体又は常電導体と超電導体との接触部分の外
周と前記超電導体の外周上の各点からの最短の距離は、
前記超電導体中の準粒子の拡散長さよりも短くなるよう
に選ばれている。
超電導体と半導体又は常電導体との間に形成されたトン
ネル接合は、極低温においては接合に加えた電圧が超電
導体のギャップ・エネルギーΔに相当する値までは、超
電導体中のキャリアの状態密度を反映して、抵抗が高く
なり、小さな準粒子電流しか流れない。このために、こ
の部分の準粒子電流の値は、超電導体中の準粒子数を強
く反映する。従って超電導体と半導体の間に形成された
トンネル接合を、超電導体同士のトンネル接合と同様に
放射線検出器として使用できる。超電導体と半導体又常
電導体との間に形成されたトンネル接合を用いることに
よって、一方の超電導体における放射線による超電導状
態の変化を検出することになるので、信号の時間変化が
シャープになりエネルギー分解能が従来の半分以下まで
向上する。
ネル接合は、極低温においては接合に加えた電圧が超電
導体のギャップ・エネルギーΔに相当する値までは、超
電導体中のキャリアの状態密度を反映して、抵抗が高く
なり、小さな準粒子電流しか流れない。このために、こ
の部分の準粒子電流の値は、超電導体中の準粒子数を強
く反映する。従って超電導体と半導体の間に形成された
トンネル接合を、超電導体同士のトンネル接合と同様に
放射線検出器として使用できる。超電導体と半導体又常
電導体との間に形成されたトンネル接合を用いることに
よって、一方の超電導体における放射線による超電導状
態の変化を検出することになるので、信号の時間変化が
シャープになりエネルギー分解能が従来の半分以下まで
向上する。
さらに半導体として板状の材料を使用することにより集
積化が容易となる。これは半導体デバイス分野のプロセ
ス技術を容易に転用することができるためである。
積化が容易となる。これは半導体デバイス分野のプロセ
ス技術を容易に転用することができるためである。
半導体をトンネル接合を構成する材料に使用する場合に
は、半導体内を電流が流れることに依る抵抗が接合と直
列に存在することである。この直列抵抗の値は接合の抵
抗値に比べて十分に小さいことが必要で、その比は少な
くとも１０−２以下であることが望ましい。この要求を
満足するためには接合の面積を小さくして接合の抵抗値
を大きくするか、もしくは半導体中の不純物濃度を高く
して抵抗率を小さくする方法が使用できる。
は、半導体内を電流が流れることに依る抵抗が接合と直
列に存在することである。この直列抵抗の値は接合の抵
抗値に比べて十分に小さいことが必要で、その比は少な
くとも１０−２以下であることが望ましい。この要求を
満足するためには接合の面積を小さくして接合の抵抗値
を大きくするか、もしくは半導体中の不純物濃度を高く
して抵抗率を小さくする方法が使用できる。
接合面積を小さくしたときには、これとともに超電導体
の寸法を小さくしたのでは、放射線が入射する部分の面
積を大きくとれないために検出効率が低下する。このた
め、接合面積を小さくした場合には、接合の外周と、超
電導体の外周上の各点との距離が、超電導体中の準粒子
の拡散長以下とすることによって、検出効率を低下させ
ることなしに、接合の抵抗を大きくすることができるの
で、放射線の検出感度を高くすることができる。
の寸法を小さくしたのでは、放射線が入射する部分の面
積を大きくとれないために検出効率が低下する。このた
め、接合面積を小さくした場合には、接合の外周と、超
電導体の外周上の各点との距離が、超電導体中の準粒子
の拡散長以下とすることによって、検出効率を低下させ
ることなしに、接合の抵抗を大きくすることができるの
で、放射線の検出感度を高くすることができる。
半導体中の不純物濃度を高くして、抵抗を小さくする場
合には、接合下部の半導体中にも不純物を導入すると、
接合のトンネル抵抗も同時に低下してしまうので、この
場合には絶縁物のトンネル障壁を設けることによって接
合のトンネル抵抗が低下することを避けることができる
。別の方法としては不純物を導入した半導体中の高不純
物濃度部分が接触部分を除いた超電導体の下部に絶縁物
を介して設けられていれば、半導体部分の抵抗を下げる
ことができる。従って本発明によれば、従来技術の問題
点を解決して、効率が良く高感度の超電導放射線検出器
を実現できる。
合には、接合下部の半導体中にも不純物を導入すると、
接合のトンネル抵抗も同時に低下してしまうので、この
場合には絶縁物のトンネル障壁を設けることによって接
合のトンネル抵抗が低下することを避けることができる
。別の方法としては不純物を導入した半導体中の高不純
物濃度部分が接触部分を除いた超電導体の下部に絶縁物
を介して設けられていれば、半導体部分の抵抗を下げる
ことができる。従って本発明によれば、従来技術の問題
点を解決して、効率が良く高感度の超電導放射線検出器
を実現できる。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第１図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。
Ｐ型（１００）方位のＳｉ単結晶基板１にまず表面濃度
５Ｘ１０１ｇになるようにリンイオンを注入し、不純物
注入領域２０を形成する。次に、イオン注入法により表
面濃度ｌＸ１０１９ｃｍ″３になるようにリンを注入し
高不純物濃度部分１０を形成する。その際の加速電圧は
５０ｋＶとする。その後９００℃でａ素雰囲気中の３０
分間の熱処理を行なう。次に厚さ約２００ｎｍのＳｉＯ
２より成る絶縁膜２を形成し、これに化学エツチング法
によって開口部３を設ける。この際、絶縁膜２の開口部
３の寸法は直径１０μｍの円形状とする。次に開口部３
に露出した′Ｓｉ半導体の表面を水で１００倍に希釈し
た弗酸によって洗浄したのちに。
５Ｘ１０１ｇになるようにリンイオンを注入し、不純物
注入領域２０を形成する。次に、イオン注入法により表
面濃度ｌＸ１０１９ｃｍ″３になるようにリンを注入し
高不純物濃度部分１０を形成する。その際の加速電圧は
５０ｋＶとする。その後９００℃でａ素雰囲気中の３０
分間の熱処理を行なう。次に厚さ約２００ｎｍのＳｉＯ
２より成る絶縁膜２を形成し、これに化学エツチング法
によって開口部３を設ける。この際、絶縁膜２の開口部
３の寸法は直径１０μｍの円形状とする。次に開口部３
に露出した′Ｓｉ半導体の表面を水で１００倍に希釈し
た弗酸によって洗浄したのちに。
厚さ約２００ｎｍのＮｂをｄｃマグネトロン・スパッタ
リング法によって形成し、次にホトレジストをマスクと
してＣＦ、ガスによる反応性イオン・エツチング法によ
ってこれを加工して超電導体４回 を形成する。第２＠に第１図の超電導デバイスの上面図
を示す。第１図はこの第２図のＡ−Ａ’断面に相当する
。Ｍ縁膜２が存在するため、第２図では本来、不純物注
入領域２０．高不純物濃度領域１０等は見えないはずで
ある。しかしここでは理解を容易にするために図示しで
ある。従って、本図では絶縁膜２は省いている。超電導
体４の外周４ａと、開口部３の外周３ａとの距離は５μ
ｍとする。開口部３は、半導体１と超電導体４とが接す
る部分に対応している。以上によって本発明の超電導放
射線検出器を作製することができる。
リング法によって形成し、次にホトレジストをマスクと
してＣＦ、ガスによる反応性イオン・エツチング法によ
ってこれを加工して超電導体４回 を形成する。第２＠に第１図の超電導デバイスの上面図
を示す。第１図はこの第２図のＡ−Ａ’断面に相当する
。Ｍ縁膜２が存在するため、第２図では本来、不純物注
入領域２０．高不純物濃度領域１０等は見えないはずで
ある。しかしここでは理解を容易にするために図示しで
ある。従って、本図では絶縁膜２は省いている。超電導
体４の外周４ａと、開口部３の外周３ａとの距離は５μ
ｍとする。開口部３は、半導体１と超電導体４とが接す
る部分に対応している。以上によって本発明の超電導放
射線検出器を作製することができる。
この場合、超電導体−半導体接合に放射線が入射すると
準粒子が超電導体中に生じるので、超電導体のエネルギ
ギャップΔ以下の電圧において、この接合の電気抵抗が
変化する。エネルギ分解能はΔ程度であり、従来技術に
比べて２倍以上向上する。さらに、超電導体４の外周４
ａと接合の開口部３の外周３ａとの距離は超電導体中の
準粒子の拡散長さよりも短く選ばれているので、超電導
体の端部に放射線が入射した場合であっても、これによ
って生じた準粒子が接合特性を変化させることができる
ので、検出効率を低下させることがない。
準粒子が超電導体中に生じるので、超電導体のエネルギ
ギャップΔ以下の電圧において、この接合の電気抵抗が
変化する。エネルギ分解能はΔ程度であり、従来技術に
比べて２倍以上向上する。さらに、超電導体４の外周４
ａと接合の開口部３の外周３ａとの距離は超電導体中の
準粒子の拡散長さよりも短く選ばれているので、超電導
体の端部に放射線が入射した場合であっても、これによ
って生じた準粒子が接合特性を変化させることができる
ので、検出効率を低下させることがない。
第３図を用いて、本発明の第２の実施例を説明する。第
３図は第２の実施例による超電導放射線検出器の一部分
を示す上面図である。ただし、理解を容易にするために
、以下に述べるτ絶縁膜２０を省いて図示し、本来上面
からは直接には見えない不純物注入領域２０高不純物濃
度領域１０等の形状が示されている。本実施例において
は、作製工程は基本的には本発明の第１の実施例と同様
にして超電導放射線検出器を得ることができる。
３図は第２の実施例による超電導放射線検出器の一部分
を示す上面図である。ただし、理解を容易にするために
、以下に述べるτ絶縁膜２０を省いて図示し、本来上面
からは直接には見えない不純物注入領域２０高不純物濃
度領域１０等の形状が示されている。本実施例において
は、作製工程は基本的には本発明の第１の実施例と同様
にして超電導放射線検出器を得ることができる。
ただし、本実施例においては、高不純物濃度部１０が、
開口部３を取り囲むようにして配置されている点が特徴
である。このようにして半導体部分に存在する直列抵抗
を小さくすることができるので、放射線の検出感度を高
くすることができる。
開口部３を取り囲むようにして配置されている点が特徴
である。このようにして半導体部分に存在する直列抵抗
を小さくすることができるので、放射線の検出感度を高
くすることができる。
また超電導体４の引き出し電極のつけ根を他の部分に比
べて細くしである。これは放射線の入射によって超電導
体４の中に生じた準粒子の拡散を制限するためのもので
、これによって放射線の検出効率を一層高めることがで
きる。
べて細くしである。これは放射線の入射によって超電導
体４の中に生じた準粒子の拡散を制限するためのもので
、これによって放射線の検出効率を一層高めることがで
きる。
次に第４図を用いて本発明の第３の実施例を説明する。
ｐ型（１００）方位のＳｉ単結晶基板１にまず表面濃度
５Ｘ１０”になるようにリンイオンを注入し、不純物注
入領域２０を形成する。次に、イオン注入法により表面
濃度Ｉ Ｘ １０”Ｑｍ−’になるようにリンを注入し
高不純物濃度部分１０を形成する。その際の加速電圧は
５０ｋＶとする。その後９００℃で酸素雰囲気中の３０
分間の熱処理を行なう。次に厚さ約２００ｎｍのＳ ｉ
Ｏ，より成る絶縁膜２を形成し、これに化学エツチン
グ法によって開口部３を設ける。この際、絶縁膜２の開
口部３の寸法は直径１０μｍの円形状とする。次に開口
部３に露出したＳｉ半導体の表面を水で１００倍に希釈
した弗酸によって洗浄したのちに、７００℃の酸素中に
おいて開口部３に露出したＳｉの表面を酸化して厚さ約
２．５ｏｍのトンネル障壁／１３０を形成し、続いて厚
さ約２００ｎｍのＮｂをｄａマグネトロン・スパッタリ
ング法によって形成し、次にホトレジストをマスクとし
てＣＦ４ガスによる反応性イオン・エツチング法によっ
てこれを加工して超電導体４を形成する。本実施例にお
いては、トンネル障壁層３０を用いているので、不純物
注入領域２０の不純物濃度を高不純物濃度部分１０と同
程度まで高くすることができる。このため半導体部分の
直列抵抗の値を小さくできるとともに、トンネル障壁層
を用いたために超電導体と半導体の接合のトンネル抵抗
を十分に高くすることができるので、検出の感度を高く
することができる。
５Ｘ１０”になるようにリンイオンを注入し、不純物注
入領域２０を形成する。次に、イオン注入法により表面
濃度Ｉ Ｘ １０”Ｑｍ−’になるようにリンを注入し
高不純物濃度部分１０を形成する。その際の加速電圧は
５０ｋＶとする。その後９００℃で酸素雰囲気中の３０
分間の熱処理を行なう。次に厚さ約２００ｎｍのＳ ｉ
Ｏ，より成る絶縁膜２を形成し、これに化学エツチン
グ法によって開口部３を設ける。この際、絶縁膜２の開
口部３の寸法は直径１０μｍの円形状とする。次に開口
部３に露出したＳｉ半導体の表面を水で１００倍に希釈
した弗酸によって洗浄したのちに、７００℃の酸素中に
おいて開口部３に露出したＳｉの表面を酸化して厚さ約
２．５ｏｍのトンネル障壁／１３０を形成し、続いて厚
さ約２００ｎｍのＮｂをｄａマグネトロン・スパッタリ
ング法によって形成し、次にホトレジストをマスクとし
てＣＦ４ガスによる反応性イオン・エツチング法によっ
てこれを加工して超電導体４を形成する。本実施例にお
いては、トンネル障壁層３０を用いているので、不純物
注入領域２０の不純物濃度を高不純物濃度部分１０と同
程度まで高くすることができる。このため半導体部分の
直列抵抗の値を小さくできるとともに、トンネル障壁層
を用いたために超電導体と半導体の接合のトンネル抵抗
を十分に高くすることができるので、検出の感度を高く
することができる。
次に第５図を用いて本発明の第４の実施例を説明する。
ｐ型（１００）方位のＳｉ単結晶基板１にまず表面濃度
５Ｘ１０１８になるようにリンイオンを注入し、不純物
注入領域２０を形成する。次に、イオン注入法により表
面濃度Ｉ Ｘ １０”Ｃｍ−”になるようにリンを注入
し高不純物濃度部分１０を形成する。その際の加速電圧
は５０ｋＶとする。その後９００℃で酸素雰囲気中の３
０分間の熱処理を行なう。次に厚さ約２００ｎｍのＳｉ
Ｏ２より成る絶縁膜２を形成し、これに化学エツチング
法によって開口部３を設ける。この際、絶縁膜２の開口
部３の寸法は直径１０μｍの円形状とする。次に酸素雰
囲気中での酸化によって、厚さ約２０ｎｍのＳｉＯ２よ
りなる酸化膜５０を形成する。次に開口部３に露出した
Ｓｉ半導体の表面を水で１００倍に希釈した弗酸によっ
て洗浄したのちに、７００℃の酸素中において開口部３
に露出したＳｉの表面を酸化して厚さ約２．５ｏｍのト
ンネル障壁層３０を形成し、続いて厚さ約２００ｎｍの
Ｎｂをｄｃマグネトロン・スパッタリング法によって形
成し、次にホトレジストをマスクとしてＣＦ、ガスによ
る反応性イオン・エツチング法によってこれを加工して
超電導体４を形成する。超電導体４の外周と、開口部３
の外周との距離は５μｍとした。開口部３は、半導体と
超電導体４とが接する部分に対応している。以上によっ
て本発明の超電導放射線検出器を作製できる０本実施例
において、放射線検出用の超電導体と半導体の接合と、
信号増幅用のＭｏＳトランジスタを同一の半導体基板上
に集積化されている点に特徴がある。このＮＭＯＳトラ
ンジスタ４ｏは極低温においても半導体デバイスとして
使用できる。このため放射線検出の感度を向上させるこ
とができる。
５Ｘ１０１８になるようにリンイオンを注入し、不純物
注入領域２０を形成する。次に、イオン注入法により表
面濃度Ｉ Ｘ １０”Ｃｍ−”になるようにリンを注入
し高不純物濃度部分１０を形成する。その際の加速電圧
は５０ｋＶとする。その後９００℃で酸素雰囲気中の３
０分間の熱処理を行なう。次に厚さ約２００ｎｍのＳｉ
Ｏ２より成る絶縁膜２を形成し、これに化学エツチング
法によって開口部３を設ける。この際、絶縁膜２の開口
部３の寸法は直径１０μｍの円形状とする。次に酸素雰
囲気中での酸化によって、厚さ約２０ｎｍのＳｉＯ２よ
りなる酸化膜５０を形成する。次に開口部３に露出した
Ｓｉ半導体の表面を水で１００倍に希釈した弗酸によっ
て洗浄したのちに、７００℃の酸素中において開口部３
に露出したＳｉの表面を酸化して厚さ約２．５ｏｍのト
ンネル障壁層３０を形成し、続いて厚さ約２００ｎｍの
Ｎｂをｄｃマグネトロン・スパッタリング法によって形
成し、次にホトレジストをマスクとしてＣＦ、ガスによ
る反応性イオン・エツチング法によってこれを加工して
超電導体４を形成する。超電導体４の外周と、開口部３
の外周との距離は５μｍとした。開口部３は、半導体と
超電導体４とが接する部分に対応している。以上によっ
て本発明の超電導放射線検出器を作製できる０本実施例
において、放射線検出用の超電導体と半導体の接合と、
信号増幅用のＭｏＳトランジスタを同一の半導体基板上
に集積化されている点に特徴がある。このＮＭＯＳトラ
ンジスタ４ｏは極低温においても半導体デバイスとして
使用できる。このため放射線検出の感度を向上させるこ
とができる。
以上の実施例においては、半導体の材料としてＳｉを用
いたが、ＳｉにかえてＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＡｓ、ＧａＳｂ、Ｇｅ等の材料を用いても良いことは
言うまでもなく１本発明の目的を達することができる。
いたが、ＳｉにかえてＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＡｓ、ＧａＳｂ、Ｇｅ等の材料を用いても良いことは
言うまでもなく１本発明の目的を達することができる。
また、各実施例において示した放射線検出器を、同一の
半導体基板上に複数集積化して使用しても良い。この場
合には、エネルギーの分解能、空間的な位置の分解能、
時間の分解能などの感度を向上させることができる。
半導体基板上に複数集積化して使用しても良い。この場
合には、エネルギーの分解能、空間的な位置の分解能、
時間の分解能などの感度を向上させることができる。
次に第６図を用いて本発明の第５の実施例を説明する。
半導体基板１に厚さ１１００ｎのＡｌ１より成る薄膜を
抵抗加熱蒸着法によって形成し、化学エツチングによっ
て加工して幅１５μｍの常電導体６ｏを形成する。次に
その表面に直径２μｍの開口を有する厚さ約１５０ｎｍ
の５ｉｎ２より成る絶縁膜２を形成する。その後純酸素
中で１００℃の加熱により厚さ約４ｎｍのＡＱ２０．よ
り成るトンネル障壁層を設け、続いて電子ビーム蒸着法
によって厚さ約２００ｎｍのＮｂを堆積させ、ＣＦ４ガ
スによる反応性イオンエツチング法を用いてこれを加工
して超電導体４を形成する。
抵抗加熱蒸着法によって形成し、化学エツチングによっ
て加工して幅１５μｍの常電導体６ｏを形成する。次に
その表面に直径２μｍの開口を有する厚さ約１５０ｎｍ
の５ｉｎ２より成る絶縁膜２を形成する。その後純酸素
中で１００℃の加熱により厚さ約４ｎｍのＡＱ２０．よ
り成るトンネル障壁層を設け、続いて電子ビーム蒸着法
によって厚さ約２００ｎｍのＮｂを堆積させ、ＣＦ４ガ
スによる反応性イオンエツチング法を用いてこれを加工
して超電導体４を形成する。
本実施例においては超電導体４と常電導体６ｏとの間の
トンネル接合を利用しているが、本発明の第１あるいは
第２の実施例と同様の効果を得ることができる。
トンネル接合を利用しているが、本発明の第１あるいは
第２の実施例と同様の効果を得ることができる。
以上述べたごとく、本発明によれば、超電導体を用いた
放射線検出器において、超電導体と半導体又は常電導体
との間の接合における抵抗の値を、半導体中においても
生じる直列抵抗に比べて十分に大きくできるので、検出
の効率を低下させることなしに感度を高くすることがで
きる効果がある。
放射線検出器において、超電導体と半導体又は常電導体
との間の接合における抵抗の値を、半導体中においても
生じる直列抵抗に比べて十分に大きくできるので、検出
の効率を低下させることなしに感度を高くすることがで
きる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例による超電導放射線検出
器の一部分を示す断面図、第２図は本発明の第１の実施
例による超電導放射線検出器の一部分を示す上面図、第
３図は本発明の第２の実施例による超電導放射線検出器
の一部分を示す上面図、第４図は本発明の第３の実施例
による超電導放射線検出器の一部分を示す断面図、第５
図は本発明の第４の実施例による超電導放射線検出器の
一部分を示す断面図、第６図は本発明の第５の実符号の
説明 １・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・開口部、４・
・・超電導体、１０・・・高不純物濃度部分、２０・・
・不純物注入領域、３０・・・トンネル障壁層、４０・
・Ｍｏｓ＋−ランジスタ２，５０・・・酸化膜、６０・
・常電導体。
器の一部分を示す断面図、第２図は本発明の第１の実施
例による超電導放射線検出器の一部分を示す上面図、第
３図は本発明の第２の実施例による超電導放射線検出器
の一部分を示す上面図、第４図は本発明の第３の実施例
による超電導放射線検出器の一部分を示す断面図、第５
図は本発明の第４の実施例による超電導放射線検出器の
一部分を示す断面図、第６図は本発明の第５の実符号の
説明 １・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・開口部、４・
・・超電導体、１０・・・高不純物濃度部分、２０・・
・不純物注入領域、３０・・・トンネル障壁層、４０・
・Ｍｏｓ＋−ランジスタ２，５０・・・酸化膜、６０・
・常電導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄膜状の超電導体と、これに接して設けられた半導
体、もしくはトンネル障壁層を介して上記超電導体に接
して設けられた常電導体とを含んで構成される超電導放
射線検出器。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記半導体中には
前記超電導体と半導体とが直接に、あるいはトンネル障
壁を介して接した接触部分の超電導体直下の半導体中よ
りも不純物濃度の高い高不純物濃度部分が設けられてい
ることを特徴とする超電導放射線検出器。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記超電導体と半
導体、もしくは前記超電導体と常電導体の接触部分の外
周と前記超電導体の外周上の各点から最短の距離は、前
記超電導体中の準粒子の拡散長さよりも短くなるように
選ばれていることを特徴とする超電導放射線検出器。 ４、特許請求の範囲第２項において、前記高不純物濃度
部分は、その少なくとも一部分が絶縁物を介して前記超
電導体真下部に設けられたることを特徴とする超電導放
射線検出器。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項又は第４項
において、前記半導体の形状は板状であって、かつ信号
の増幅器として働く半導体デバイスが前記半導体中に設
けられていることを特徴とする超電導放射線検出器。 ６、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項又
は第５項において、前記半導体の材料はシリコン、ガリ
ウム砒素、ガリウムリン、インジウムアンチモン、イン
ジウム砒素、ガリウムアンチモン、もしくはゲルマニウ
ムであることを特徴とする超電導放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311950A JPH01154576A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超電導放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311950A JPH01154576A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超電導放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154576A true JPH01154576A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18023386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311950A Pending JPH01154576A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 超電導放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01154576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593103A (en) * | 1993-05-18 | 1997-01-14 | Tdk Corporation | Reel spring for tape cassette and method for preparing it |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281564A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Masahiko Kurakado | 超伝導体−トンネル障壁−金属・型トンネル接合放射線検出器 |
| JPS6370581A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導トンネル接合光検出器及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62311950A patent/JPH01154576A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281564A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Masahiko Kurakado | 超伝導体−トンネル障壁−金属・型トンネル接合放射線検出器 |
| JPS6370581A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導トンネル接合光検出器及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593103A (en) * | 1993-05-18 | 1997-01-14 | Tdk Corporation | Reel spring for tape cassette and method for preparing it |
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