JPH01155337A - 感光剤 - Google Patents
感光剤Info
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- JPH01155337A JPH01155337A JP31400287A JP31400287A JPH01155337A JP H01155337 A JPH01155337 A JP H01155337A JP 31400287 A JP31400287 A JP 31400287A JP 31400287 A JP31400287 A JP 31400287A JP H01155337 A JPH01155337 A JP H01155337A
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- JP
- Japan
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- aliphatic
- diazoketone
- group
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- photosensitizer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
- G03F7/0163—Non ionic diazonium compounds, e.g. diazosulphonates; Precursors thereof, e.g. triazenes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感光剤に係り、特に、ポジ形ＫｒＦ エキシマ
レーザレジストに好適な感光剤に関する。本発明の感光
剤は、アルカリ可溶性機首との組成物として、半導体素
子等の製造に必要な微細なパターン形成に利用される。
レーザレジストに好適な感光剤に関する。本発明の感光
剤は、アルカリ可溶性機首との組成物として、半導体素
子等の製造に必要な微細なパターン形成に利用される。
ＬＳＩを製造するためのパターン形成法としては、従来
より、ｙ ｌ＠ （４５６ｎｒｎ ）あるいはｃ巌（３
６５ルア７１）の光を使った縮少投影露光法が採用され
て米た。しかしながら、これらＵＶ元を用いたりソグラ
フイ技術では、その解像度限界は、理論的には、４Ｍｂ
ＤＲＡＭの最少戚幅に対応したα８μｍと予感され、１
６ＭｂＤＲＡＭの製造に必要な最少巌幅０．８μｍを解
像することは、従来のリングラフィ技術を用いては困難
であると考えられている。そこで、０．５μｍを解像す
るための新しいレジスト材料・プロセスあるいはハード
が近年活発に研究されて米だが、敢近、ｆｒＦエキシマ
レーザ（２４９ルアｙ＆）光を用いた縮少投影露光技術
がＣＪ、５１ｕＩＬ以下の＃１幅を解像するための有力
なリングラフィ技術として注目されている。この技術は
ＵＶ元よりもさらに短波長の光を用いて解像度を上げよ
うとするものであるが、使用する元の波長が短波長にな
るとレジスト材料に大きな問題が生じる。
より、ｙ ｌ＠ （４５６ｎｒｎ ）あるいはｃ巌（３
６５ルア７１）の光を使った縮少投影露光法が採用され
て米た。しかしながら、これらＵＶ元を用いたりソグラ
フイ技術では、その解像度限界は、理論的には、４Ｍｂ
ＤＲＡＭの最少戚幅に対応したα８μｍと予感され、１
６ＭｂＤＲＡＭの製造に必要な最少巌幅０．８μｍを解
像することは、従来のリングラフィ技術を用いては困難
であると考えられている。そこで、０．５μｍを解像す
るための新しいレジスト材料・プロセスあるいはハード
が近年活発に研究されて米だが、敢近、ｆｒＦエキシマ
レーザ（２４９ルアｙ＆）光を用いた縮少投影露光技術
がＣＪ、５１ｕＩＬ以下の＃１幅を解像するための有力
なリングラフィ技術として注目されている。この技術は
ＵＶ元よりもさらに短波長の光を用いて解像度を上げよ
うとするものであるが、使用する元の波長が短波長にな
るとレジスト材料に大きな問題が生じる。
例えば、遠藤らの報告（電気通信学会技術研究報告、８
６巻、１３９号、第１貞（１９８７） ）によれば、従
来からＵＶ用として実用に供されている溶解阻害型ノボ
ラックホボジ形レジスト（ノボラック１Ｎ脂とナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルの組成物）はＫｒＦエ
キシマレーザ照射では艮好なパターンを与えない。これ
は、ベースポリマであるノボラック樹脂が２４９ｎｍに
大きな元吸収帯を持っていること、および、感光剤であ
るナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが２４９７
＆７７Ｌにおいてブリーチングしないことが原因で、嬉
元元がレジストの底部にまで到遅しないからである。こ
のように、 ＫｒＦエキシマレーザ用の浴屏阻ｖ型ポジ
形レジストとしては、末だ、特性に優れたものは見い出
されておらず、ベースポリマに関しては、２４９３７Ｋ
ＩＣオケる光透過性のよいポリマが、感光剤に関して
は、２４９ ｎｍにおいてブリーチング作用の大きな材
料の開発が望まれていた。
６巻、１３９号、第１貞（１９８７） ）によれば、従
来からＵＶ用として実用に供されている溶解阻害型ノボ
ラックホボジ形レジスト（ノボラック１Ｎ脂とナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルの組成物）はＫｒＦエ
キシマレーザ照射では艮好なパターンを与えない。これ
は、ベースポリマであるノボラック樹脂が２４９ｎｍに
大きな元吸収帯を持っていること、および、感光剤であ
るナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが２４９７
＆７７Ｌにおいてブリーチングしないことが原因で、嬉
元元がレジストの底部にまで到遅しないからである。こ
のように、 ＫｒＦエキシマレーザ用の浴屏阻ｖ型ポジ
形レジストとしては、末だ、特性に優れたものは見い出
されておらず、ベースポリマに関しては、２４９３７Ｋ
ＩＣオケる光透過性のよいポリマが、感光剤に関して
は、２４９ ｎｍにおいてブリーチング作用の大きな材
料の開発が望まれていた。
なお、近年、Ｄｇ ｇｐＵＶ用の感光剤として、コール
酸−Ｏ−二トａベンジルエステル（Ｅ 、 Ｒｇｉｃｈ
ｍ−ａｒＬｉｚ 、 ｇｔａｌ、、 ７ 、 Ｖａｃ
、 ５ｔＬｉ 、 Ｔｇｃｈｎｏｌ、、 １９゜１
３３８ （１９８１） ）や５−ジアゾメルドラム酸Ｃ
Ｂ。
酸−Ｏ−二トａベンジルエステル（Ｅ 、 Ｒｇｉｃｈ
ｍ−ａｒＬｉｚ 、 ｇｔａｌ、、 ７ 、 Ｖａｃ
、 ５ｔＬｉ 、 Ｔｇｃｈｎｏｌ、、 １９゜１
３３８ （１９８１） ）や５−ジアゾメルドラム酸Ｃ
Ｂ。
Ｄ、ＧｒａｎＴ ｅｔａｌ、、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ。
、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ。
ＥＤ −２８、１３００（１９８１）鳥が研究されてい
るが、前者は芳香域を含むためブリーチング効果が小さ
（、また、後者は、ブリーチング作用は起きるものの、
昇華性があり、溶解性も悪いという問題があった。
るが、前者は芳香域を含むためブリーチング効果が小さ
（、また、後者は、ブリーチング作用は起きるものの、
昇華性があり、溶解性も悪いという問題があった。
上記シタように、従来の溶解阻害型ポジ形レジストは、
ベースポリマに関しては、２４９ｎｍにおける光透過性
が悪く、また、感光剤に関してはブリーチング作用が起
らないために、 ＫｒＦエキシマレーザレジストとして
は実用に供し得ないものであった。
ベースポリマに関しては、２４９ｎｍにおける光透過性
が悪く、また、感光剤に関してはブリーチング作用が起
らないために、 ＫｒＦエキシマレーザレジストとして
は実用に供し得ないものであった。
本発明の目的は、上記問題点のうち、ＫｒＦエキシマレ
ーザレジストの開発に最も１１Ｌ要となる感光剤、すな
わち、３ＱＱｎｍ以下の光に対してブリーチング作用が
大きく、溶解性に捩れ、昇華性のない感光剤を提供する
ことにある。
ーザレジストの開発に最も１１Ｌ要となる感光剤、すな
わち、３ＱＱｎｍ以下の光に対してブリーチング作用が
大きく、溶解性に捩れ、昇華性のない感光剤を提供する
ことにある。
溶解［害ｍＫｒＦエキシマレーサボジ形レジスト用の感
光剤に要求される王な特性は、■２４９ｎｍの光吸収が
大であること。■元反応の菫子収率が犬であること。■
光反応生成物が２４９４ｍＫ吸収を持ないことの他に、
−船釣には、元反応剖俊でアルカリ浴解阻害幼釆が大き
いことやベースポリマとの相容性か大であること、ある
いは、：１ｍ度の結晶性を有していることなどもｌ豐な
因子である。従来からＵＶ用に使われているナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルは、分子内に芳：ｆ堀を
待っているために、要Ｘ特性■を満足せず、ＫｒＦエキ
シマレーザ用感元感光しては使用できない。そこで、光
反応生成物が２４９ｒＬｍに光吸収を持たないよう、芳
香場を含まないＨｔｌｕ族ジアフジアゾケトンすること
にした。まず、要Ｘ特性■■Ｃを瀾足する脂肪族ジアゾ
ケトンを極々検討した結果、下記一般式（６）で示され
る化合物が上記特性を満足する脂肪族ジアゾケトンであ
ることを見い出した。
光剤に要求される王な特性は、■２４９ｎｍの光吸収が
大であること。■元反応の菫子収率が犬であること。■
光反応生成物が２４９４ｍＫ吸収を持ないことの他に、
−船釣には、元反応剖俊でアルカリ浴解阻害幼釆が大き
いことやベースポリマとの相容性か大であること、ある
いは、：１ｍ度の結晶性を有していることなどもｌ豐な
因子である。従来からＵＶ用に使われているナフトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルは、分子内に芳：ｆ堀を
待っているために、要Ｘ特性■を満足せず、ＫｒＦエキ
シマレーザ用感元感光しては使用できない。そこで、光
反応生成物が２４９ｒＬｍに光吸収を持たないよう、芳
香場を含まないＨｔｌｕ族ジアフジアゾケトンすること
にした。まず、要Ｘ特性■■Ｃを瀾足する脂肪族ジアゾ
ケトンを極々検討した結果、下記一般式（６）で示され
る化合物が上記特性を満足する脂肪族ジアゾケトンであ
ることを見い出した。
ここで、Ｒ１−Ｒ４は芳香環を含まない一価の有機基で
、具体的にはＲ１はＣＩＷＣ，ｏのアルキル基やしては
Ｃ，ＮＣ，。のアルキル基である。しかしながら、これ
ら化合物は、感光剤として一般に賛ｘされる、元反応前
恢における大きな溶解阻害効果の産を出すことは困鐘で
あった。そこで、Ｒ４として。
、具体的にはＲ１はＣＩＷＣ，ｏのアルキル基やしては
Ｃ，ＮＣ，。のアルキル基である。しかしながら、これ
ら化合物は、感光剤として一般に賛ｘされる、元反応前
恢における大きな溶解阻害効果の産を出すことは困鐘で
あった。そこで、Ｒ４として。
エステル結合で結合できる置換基を種々検討した結果、
母体として、水酸基を側鎖に有する飽和炭化水製骨格が
良いことを見い出した。このような化合物としては、例
えば、（７）〜（１５） のような水酸基を有するビ
シクロ化合物や（１６）〜（２１）のようなリトコール
峡、デオΦシコール酸、コール酸およびこれらの優導体
等が挙げられる。（但し、Ｒ８はＨあるいは０１〜Ｃ１
゜のアルキル基である。）感光剤としては、これらの母
体に少なくとも１個の感光基（一般式（１１）をエステ
ル結合を介して結合させれば良い。すなわち、これら母
体の水酸基＋７１ ｇ３＋
（９１のＨを少な（とも１個の一般式（５）に変換すれ
は良い。
母体として、水酸基を側鎖に有する飽和炭化水製骨格が
良いことを見い出した。このような化合物としては、例
えば、（７）〜（１５） のような水酸基を有するビ
シクロ化合物や（１６）〜（２１）のようなリトコール
峡、デオΦシコール酸、コール酸およびこれらの優導体
等が挙げられる。（但し、Ｒ８はＨあるいは０１〜Ｃ１
゜のアルキル基である。）感光剤としては、これらの母
体に少なくとも１個の感光基（一般式（１１）をエステ
ル結合を介して結合させれば良い。すなわち、これら母
体の水酸基＋７１ ｇ３＋
（９１のＨを少な（とも１個の一般式（５）に変換すれ
は良い。
Ｒ，−Ｃ−Ｃ−０−＋５１
これらの感光剤は３００ ｎｍ以下の領域に大きな元吸
収帯を持つか、光照射により効率良（カルボンばに変化
して、光吸収強度が大きく減少し、後れたブリーチング
作用を示す。また、昇華性はなく、ｍｍ性にも優れ、通
常のレジスト溶剤である１−アセトキシ−２−エトキシ
エタンにも容易に溶解する。さらに、アルカリ可溶性樹
脂に対する溶解阻害効果にも優れ、本発明の感光剤は、
アルカリ可溶性樹脂との組成物として、ＫｒＦエキシマ
レーザポジ形レジストに使用することができる。
収帯を持つか、光照射により効率良（カルボンばに変化
して、光吸収強度が大きく減少し、後れたブリーチング
作用を示す。また、昇華性はなく、ｍｍ性にも優れ、通
常のレジスト溶剤である１−アセトキシ−２−エトキシ
エタンにも容易に溶解する。さらに、アルカリ可溶性樹
脂に対する溶解阻害効果にも優れ、本発明の感光剤は、
アルカリ可溶性樹脂との組成物として、ＫｒＦエキシマ
レーザポジ形レジストに使用することができる。
本発明の感光剤は、脂肪族ジアゾケトンを感光基に用い
ることにより、３００ｒＬｒｎ以下の元に対し℃効率の
良い優れたブリーチング作用を発現し、また、上記脂肪
族ジアゾケトンをエステル結合を介して、水酸基を側鎖
に有する飽和炭化水素骨格に結合させることにより、優
れた溶解性を生み出し、昇華性もなくなったものと考え
られる。
ることにより、３００ｒＬｒｎ以下の元に対し℃効率の
良い優れたブリーチング作用を発現し、また、上記脂肪
族ジアゾケトンをエステル結合を介して、水酸基を側鎖
に有する飽和炭化水素骨格に結合させることにより、優
れた溶解性を生み出し、昇華性もなくなったものと考え
られる。
以下、本発明を合成例および実施例をもって具体的に説
明するが、本発明はこれらの合成例および実力例に限定
されるものではない。
明するが、本発明はこれらの合成例および実力例に限定
されるものではない。
合成例１
１．１
の合成
還流管、滴下ａ −）および攪拌子を備えた１００ｍ１
三ツロフラスコに、コール酸メチル２．Ｈｙ （３、Ｑ
Ｏｍｍｏｌ ） 、 １．４−ジオキサン１０ｍ１．お
よびＰ−トルエンスルホン酸水和物０．１４ｙ を入
れ、加熱還流する。攪拌しながら、ジケテン１．６８ｙ
（２００ｍｍｏｌ ）の１，４−ジオキサンｔａｙｘ
ｌ溶液を４０分で滴下し、熟成を４時間行なう。反応終
了恢、溶媒を減圧下貿去し、残渣をジエチルエーテルに
溶解し、水および飽和食塩水で洗う。無水硫酸す） Ｉ
Ｊウムで乾燥後、ジエチルエーテルを留去し、カラムク
ロマドグラフィにて標題化合物を単離する。
三ツロフラスコに、コール酸メチル２．Ｈｙ （３、Ｑ
Ｏｍｍｏｌ ） 、 １．４−ジオキサン１０ｍ１．お
よびＰ−トルエンスルホン酸水和物０．１４ｙ を入
れ、加熱還流する。攪拌しながら、ジケテン１．６８ｙ
（２００ｍｍｏｌ ）の１，４−ジオキサンｔａｙｘ
ｌ溶液を４０分で滴下し、熟成を４時間行なう。反応終
了恢、溶媒を減圧下貿去し、残渣をジエチルエーテルに
溶解し、水および飽和食塩水で洗う。無水硫酸す） Ｉ
Ｊウムで乾燥後、ジエチルエーテルを留去し、カラムク
ロマドグラフィにて標題化合物を単離する。
収電１．５６！１．収率６０．５チ。ＮＭＲスペクトル
（６０、ＭＩＭｚ 、 ＣＤ ＣＩｓ ）の特徴的ビー
ク：Ａ（δ２．１７゜２．２０ ； ＣＨ，−Ｃ−）
ｔ Ｂ （δ、３．３２ 、３．３６ 、３．４１；強
度比、４：Ｂ：（１’＝３：２：１゜ＩＲスペクトルの
特徴的ビーク： １７００’ｙｘ−’ 。
（６０、ＭＩＭｚ 、 ＣＤ ＣＩｓ ）の特徴的ビー
ク：Ａ（δ２．１７゜２．２０ ； ＣＨ，−Ｃ−）
ｔ Ｂ （δ、３．３２ 、３．３６ 、３．４１；強
度比、４：Ｂ：（１’＝３：２：１゜ＩＲスペクトルの
特徴的ビーク： １７００’ｙｘ−’ 。
ＩＣ＝。
還流管および攪拌子を備えたニツロ７ラス；に、１．１
項記載〕化合物１．５６ｇ （２，５１ｍｍｏｌ ）
、 ）リエチルアミン０．７７ｊｌ （７，６２ｒｎ
ｍｏｌ ）およびアセトニトリル１０ ｍｌ ヲ７１
０ｔ、 サラに、Ｐ−）ルエンスルホニルアジドｆ、５
０ｙ （７，６２ｍｙｌ ）のアセトニトリル５ｍｊ
溶液を滴下する。室温で２時間攪拌した後、溶媒を減圧
下留去し、ジエチルエーテルで抽出を行なう。ジエチル
エーテル溶液を、水酸化カリウム水溶液、飽和食塩水で
洗浄した後、無水＊酸ナトリウムで乾燥する。ジエチル
エーテルを減圧下留去し、エタノールから再ｍａＩする
ことにより、標題化合物を得た。収！１．５１３ｊ７゜
収率８０．０チ。融点１３９℃。ＮＭＲスペクトｋ （
６０１ｄＨｚ 。
項記載〕化合物１．５６ｇ （２，５１ｍｍｏｌ ）
、 ）リエチルアミン０．７７ｊｌ （７，６２ｒｎ
ｍｏｌ ）およびアセトニトリル１０ ｍｌ ヲ７１
０ｔ、 サラに、Ｐ−）ルエンスルホニルアジドｆ、５
０ｙ （７，６２ｍｙｌ ）のアセトニトリル５ｍｊ
溶液を滴下する。室温で２時間攪拌した後、溶媒を減圧
下留去し、ジエチルエーテルで抽出を行なう。ジエチル
エーテル溶液を、水酸化カリウム水溶液、飽和食塩水で
洗浄した後、無水＊酸ナトリウムで乾燥する。ジエチル
エーテルを減圧下留去し、エタノールから再ｍａＩする
ことにより、標題化合物を得た。収！１．５１３ｊ７゜
収率８０．０チ。融点１３９℃。ＮＭＲスペクトｋ （
６０１ｄＨｚ 。
比、（：Ｂ＝３：１゜ＩＲスペクトルの特徴的ビーク：
（２１６０Ｃ−” ； Ｊ Ｃ＝Ｈ１） ｇ （１７
５０ｃｍ−’ ｓ １６７５ａｍ” ； ７Ｃ＝ Ｏ）
。ＵＶスペｌ ）ル（ＴＨＦ中）：λｍａｙ： ２５８
ｎｌｎ ｅε２４，５００゜合成例１０１．１項記載の
ジケテンをコール酸メチルに対して２．２倍等童使い、
以下合成例１と同様の操作を行な５ことにより、標題化
合物を得た。
（２１６０Ｃ−” ； Ｊ Ｃ＝Ｈ１） ｇ （１７
５０ｃｍ−’ ｓ １６７５ａｍ” ； ７Ｃ＝ Ｏ）
。ＵＶスペｌ ）ル（ＴＨＦ中）：λｍａｙ： ２５８
ｎｌｎ ｅε２４，５００゜合成例１０１．１項記載の
ジケテンをコール酸メチルに対して２．２倍等童使い、
以下合成例１と同様の操作を行な５ことにより、標題化
合物を得た。
合成例１０１．１項記載のジケテンをコール酸メチルに
対して１．１倍等量使い、以下合成例１と同様の操作を
行なうことにより、標題化合物を得た。
対して１．１倍等量使い、以下合成例１と同様の操作を
行なうことにより、標題化合物を得た。
コール酸−ルーブロビル５．１１ｙ （１１，３ｍｗｏ
ｌ） 。
ｌ） 。
ジケテン５．８１！Ｉ（４５，４ｍｍｏｌ ）およびＰ
−トルエンスルホン醒水和物０．４４ｙから、合成例１
の１．１項と同様の操作でコール酸−ループロピルに５
個アセト酢酸エステル基を導入した化合物を合成した後
（収量７．２５．ｙ ） 、カラムクロマトグラフィで
単離することなしに、Ｐ−トルエンスルホニルアジド６
．０９ｊ／ （５０，９ｍｍｏｌ ）とトリエチルア
ミン３．１４！１（５０，９ｍｍｏｌ ）を反応させ
、合成例１０１．２項と同様の操作でジアゾ化を行なっ
た。反応残渣を酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒から再
結晶することにより、標題化合物を４．５６！／得た。
−トルエンスルホン醒水和物０．４４ｙから、合成例１
の１．１項と同様の操作でコール酸−ループロピルに５
個アセト酢酸エステル基を導入した化合物を合成した後
（収量７．２５．ｙ ） 、カラムクロマトグラフィで
単離することなしに、Ｐ−トルエンスルホニルアジド６
．０９ｊ／ （５０，９ｍｍｏｌ ）とトリエチルア
ミン３．１４！１（５０，９ｍｍｏｌ ）を反応させ
、合成例１０１．２項と同様の操作でジアゾ化を行なっ
た。反応残渣を酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒から再
結晶することにより、標題化合物を４．５６！／得た。
収率６３．０％。融点１１０〜１１２℃。ＮＭＲスペク
トＪＲスペクトルの特徴的ビーク＊ （２１６０ｃｍ−
” ；ＪＣ＝Ｎｚ） ＃ （１７２０ｃｍ−’、 １６
８０ｃｍ−’；／（’＝＝Ｏ）。
トＪＲスペクトルの特徴的ビーク＊ （２１６０ｃｍ−
” ；ＪＣ＝Ｎｚ） ＃ （１７２０ｃｍ−’、 １６
８０ｃｍ−’；／（’＝＝Ｏ）。
ＵＶスペクトｋｃＴＨＦ中）：λｍａ：Ｉ：２５Ｂｎｍ
ｅＢ３，８００ 合成例５ リトコール酸メチルＬ９５ｙ （５，００ｙｙａｎｏｌ
） 。
ｅＢ３，８００ 合成例５ リトコール酸メチルＬ９５ｙ （５，００ｙｙａｎｏｌ
） 。
ジケテン０．５Ｃ１ｙ （６，０ｒｖｎｏｌ ） 、お
よびＰ−）ルエンスルホン酸水和物５７ｍｙ を１，
２−ジクａａエタンｆＪｒｎｌ中で、合成例１の１．１
項と同様の操作で反応させ、残渣をメタノールから再結
晶するととにより、リトコール酸メチルに１個アセト酢
酸エステルを導入した化合物を合成した後（収量Ｌ４４
，９゜収率６０．７％。融点１８４〜１８９℃）、Ｐ−
トルエンスルホニルアジド０．６０ｊ７ （５，０ｍｍ
ｏｌ ）とトリエチルアミン０．３１７ （５，０ｍｍ
ｏｌ ）を、合成例１の１．２項と同様の操作で反応さ
せ、ジアゾ化を行なった。反応残渣からカラムクロマク
グラフィにより標題化合物を１．１２ｙ得た。収率７５
．０％。
よびＰ−）ルエンスルホン酸水和物５７ｍｙ を１，
２−ジクａａエタンｆＪｒｎｌ中で、合成例１の１．１
項と同様の操作で反応させ、残渣をメタノールから再結
晶するととにより、リトコール酸メチルに１個アセト酢
酸エステルを導入した化合物を合成した後（収量Ｌ４４
，９゜収率６０．７％。融点１８４〜１８９℃）、Ｐ−
トルエンスルホニルアジド０．６０ｊ７ （５，０ｍｍ
ｏｌ ）とトリエチルアミン０．３１７ （５，０ｍｍ
ｏｌ ）を、合成例１の１．２項と同様の操作で反応さ
せ、ジアゾ化を行なった。反応残渣からカラムクロマク
グラフィにより標題化合物を１．１２ｙ得た。収率７５
．０％。
−Ｃ−０−ＣＨｓ） 、強度比、４：Ｂ＝１：１゜ＩＲ
スペクトルの特徴的ピーク： （２ｊ６Ｄｃｍ−重；Ｊ
Ｃ＝Ｎｌ ） 、 （１７５５ｃｍ−”、 １７５０ｃ
ｍ−”； ／ Ｃ＝ Ｏ）。ＵＶスペクトルｃＴＨＦ中
）：λｎｕｎｓ ２５８？＆７７Ｌ 、 ｇｓ、６００
゜実施例１ （α１溶解性 合成例１の化合物は、テトラヒトミフランなどのエーテ
ル系溶剤、メタノールなどのアルコール系溶剤、アセト
ンなどのケトン系溶剤、酢酸エチルなどのエステル系溶
剤、りＣ！クロルム等の）”１０グン系溶剤に容易に溶
解し、通常の有機溶剤に対して優れた溶解性を示した。
スペクトルの特徴的ピーク： （２ｊ６Ｄｃｍ−重；Ｊ
Ｃ＝Ｎｌ ） 、 （１７５５ｃｍ−”、 １７５０ｃ
ｍ−”； ／ Ｃ＝ Ｏ）。ＵＶスペクトルｃＴＨＦ中
）：λｎｕｎｓ ２５８？＆７７Ｌ 、 ｇｓ、６００
゜実施例１ （α１溶解性 合成例１の化合物は、テトラヒトミフランなどのエーテ
ル系溶剤、メタノールなどのアルコール系溶剤、アセト
ンなどのケトン系溶剤、酢酸エチルなどのエステル系溶
剤、りＣ！クロルム等の）”１０グン系溶剤に容易に溶
解し、通常の有機溶剤に対して優れた溶解性を示した。
ＩＡＩ感光域、およびブリーチング作用合成例１の化合
物は、テトラヒトミフラン中のＵＶスペクトルからλｍ
ａｒ ２５Ｂｎｍ 、 ｇ ２４４００と３００ｒＬｍ
以下の領域に感光域を持つ。さらに、２４９ａｍではε
２２７００であり、上記ＵＶ６ＪＪ定サンプルにＸｇ
−Ｈ！１ランプを用いて４０秒光照射すると、 ２４９
ｎｍにおいて、ｇ５４００と光吸収強度が約７に減少し
た。
物は、テトラヒトミフラン中のＵＶスペクトルからλｍ
ａｒ ２５Ｂｎｍ 、 ｇ ２４４００と３００ｒＬｍ
以下の領域に感光域を持つ。さらに、２４９ａｍではε
２２７００であり、上記ＵＶ６ＪＪ定サンプルにＸｇ
−Ｈ！１ランプを用いて４０秒光照射すると、 ２４９
ｎｍにおいて、ｇ５４００と光吸収強度が約７に減少し
た。
したがって、合成例１の化合物は３ＤＯ３ｍ以下の光に
効率良く反応して優れたブリーチング作用を示す。
効率良く反応して優れたブリーチング作用を示す。
（Ｃ１元反応生成物
合成例１の化合物の光反応を、ＪＲスペクトルおよびＮ
ＭＲスペクトルを用いて追跡した。
ＭＲスペクトルを用いて追跡した。
ＪＲスペクトルでは、光照射により、ジアゾ基にもとづ
く吸収が消失し、新たに、カンボン酸の−ＯＨ＆Ｃもと
づく幅広い吸収が５２００ｃｍ−１を中心ににもとづく
吸収が消失し、新たに、カルボン酸にもとづ（吸収がδ
８．２５にあられれた。
く吸収が消失し、新たに、カンボン酸の−ＯＨ＆Ｃもと
づく幅広い吸収が５２００ｃｍ−１を中心ににもとづく
吸収が消失し、新たに、カルボン酸にもとづ（吸収がδ
８．２５にあられれた。
以上から、合成例１の化合物は、光照射により、下記の
反応が起こり、カルボン酸が生成する。
反応が起こり、カルボン酸が生成する。
μ）成膜性、昇華性
合成例１の化合物とアルカリ可溶性樹脂Ｃノボラック樹
脂、ポリビニルフェノール、ポリＣＰ−ヒトａキシベン
ジルシルセスキオキサン））は１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン中、種々の配合量で自由に混合し、上記混
合物および合成例１の化合物の１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布した
ところ、均一な膜を形成した。また、熱天秤を用い℃、
加熱による重量減少を観察したところ、合成例１の化合
物の昇華性は見られなかった。
脂、ポリビニルフェノール、ポリＣＰ−ヒトａキシベン
ジルシルセスキオキサン））は１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン中、種々の配合量で自由に混合し、上記混
合物および合成例１の化合物の１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布した
ところ、均一な膜を形成した。また、熱天秤を用い℃、
加熱による重量減少を観察したところ、合成例１の化合
物の昇華性は見られなかった。
（−）溶解阻害性
シリコンウェハ上に成層した、ポリＣＰ−ヒトａキシベ
ンジルシルセスΦオキサン）（サンプル１）および合成
例１の化合物を２０重量部含有させた上記ポリマ（サン
プル２）を、 ｏ、ｏｓｏ規定の（ＨＯＣＨ，ＣＨ，）
４０Ｈ水溶液に浸漬したところ、サンプル２の膜厚減少
速度はサンプル１に比べて、約１７１９に減少し、合成
例１の化合物は優れた溶解阻害効果を示した。
ンジルシルセスΦオキサン）（サンプル１）および合成
例１の化合物を２０重量部含有させた上記ポリマ（サン
プル２）を、 ｏ、ｏｓｏ規定の（ＨＯＣＨ，ＣＨ，）
４０Ｈ水溶液に浸漬したところ、サンプル２の膜厚減少
速度はサンプル１に比べて、約１７１９に減少し、合成
例１の化合物は優れた溶解阻害効果を示した。
実施例２〜５
合成例２〜５の化合物について、実施例１と同様に、感
光剤としての有用性を調べたところ、溶解性、感光域、
１反応生成物、および昇華性については合成例１の化合
物と同様であった。また、これら化合物のブリーチング
作用、溶解阻害性については、それらの大兄の値を表１
にまとめた。
光剤としての有用性を調べたところ、溶解性、感光域、
１反応生成物、および昇華性については合成例１の化合
物と同様であった。また、これら化合物のブリーチング
作用、溶解阻害性については、それらの大兄の値を表１
にまとめた。
表１ 合成例２〜５の化合物に関する実施例１、合成
側番号 ２．２４９ｎｍにおけるＩ比３、膜厚減
少速度比 〔発明の効果〕 本発明の感光剤は、ｓ ｏ ｏｎｕ以下の光照射により
、効率の良い優れたブリーチング作用を示すばかりでな
（、溶解性、成膜性に優れ、昇華性もない。
側番号 ２．２４９ｎｍにおけるＩ比３、膜厚減
少速度比 〔発明の効果〕 本発明の感光剤は、ｓ ｏ ｏｎｕ以下の光照射により
、効率の良い優れたブリーチング作用を示すばかりでな
（、溶解性、成膜性に優れ、昇華性もない。
また、アルカリ可溶性樹脂に対して大きな溶解阻害効果
を有する。したがって、本発明の感光剤は、ＫｒＦエキ
シマレーザ用ポジ形レジスト等の感光剤として、極めて
効用の大なるものである。
を有する。したがって、本発明の感光剤は、ＫｒＦエキ
シマレーザ用ポジ形レジスト等の感光剤として、極めて
効用の大なるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水酸基を側鎖に有する飽和炭化水素骨格を母体とし
、脂肪族ジアゾケトン基を、母体の水酸基から誘導され
るエステル結合を介して母体に結合させてなることを特
徴とする感光剤。 ２、上記母体が、コール酸、デオキシコール酸、リトコ
ール酸およびこれらの誘導体であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の感光剤。 ３、上記脂肪族ジアゾケトン基が下記一般式（１）で示
される脂肪族ジアゾケトン基であることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の感光剤。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 但し、Ｒ＿１は芳香環を含まない一価の有機基である。 ４、下記一般式（２）、（３）、（４）で示される化合
物であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
感光剤。 ▲数式、化学式、表等があります▼（２） 但し、Ｒ＿２はＨあるいはＣ＿１〜Ｃ＿１＿０のアルキ
ル基、Ｒ＿３はＨあるいは下記一般式（５）で示される
基で、ＯＲ＿３基のすべてがＯＨ基の場合を除く。 ▲数式、化学式、表等があります▼（５）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31400287A JPH07117751B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 感光剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31400287A JPH07117751B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 感光剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155337A true JPH01155337A (ja) | 1989-06-19 |
| JPH07117751B2 JPH07117751B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=18048032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31400287A Expired - Lifetime JPH07117751B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 感光剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117751B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110244402A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
| US8435728B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31400287A patent/JPH07117751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110244402A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
| US8338086B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-25 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
| US8435728B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
| JP2013524517A (ja) * | 2010-03-31 | 2013-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | リソグラフィ用途において放射線感受性を有する材料のラインを細くする方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07117751B2 (ja) | 1995-12-18 |
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