JPH0115927B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0115927B2 JPH0115927B2 JP55062478A JP6247880A JPH0115927B2 JP H0115927 B2 JPH0115927 B2 JP H0115927B2 JP 55062478 A JP55062478 A JP 55062478A JP 6247880 A JP6247880 A JP 6247880A JP H0115927 B2 JPH0115927 B2 JP H0115927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- insulating layer
- magnetoresistive
- thin film
- ferromagnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気抵抗効果形ヘツドに関し、特に
たとえばパーマロイなどの強磁性体に磁界を印加
したときにその電気的抵抗値が変化するいわゆる
磁気抵抗効果（MR効果）を利用したヘツドに関
する。
たとえばパーマロイなどの強磁性体に磁界を印加
したときにその電気的抵抗値が変化するいわゆる
磁気抵抗効果（MR効果）を利用したヘツドに関
する。
第１図はこの発明の背景となる従来のMR効果
を利用したヘツドの一例を示す構造図解図であ
る。特に、第１図ａはその平面的な図解図を示
し、第１図ｂは第１図ａの線B−Bにおける断
面構造を示す。よく知られているように、従来の
MR効果形ヘツドは、たとえばガラスのような基
板１を含む。そして、この基板１上には、磁気シ
ールド用磁性体２が形成される。そしてその上に
は、たとえばガラスのような絶縁層４１がほぼ全
面にわたつて形成され、この絶縁層４１の端部上
にはバイアス用導体コイル５が形成される。この
バイアス用導体コイル５には、端子６１および６
２を介してバイアス用電流Ibが流される。さらに
全面にわたつて絶縁層４２が形成された後、この
絶縁層４２の端部上にたとえばパーマロイのよう
な強磁性薄膜７が、蒸着あるいはスパツタリング
などで形成される。この強磁性薄膜７は、MR効
果素子として作用し、端子８１および８２を介し
て信号検知用電流ISが与えられる。さらに、この
強磁性薄膜７を含んで全面に絶縁層４３が形成さ
れ、その上には、上述の磁気シールド用磁性体２
とほぼ対向する位置に他方の磁気シールド用磁性
体３が形成される。その後接着剤９によつて、保
護ガラス１０が設けられる。この第１図におい
て、Ａはトラツク幅を示し、Ｂはギヤツプ長（磁
気空隙）を示し、Ｃは磁気記録媒体対向面を示
す。また、強磁性薄膜７は、この第１図ａの矢印
１１で示される方向が、その磁化容易軸となるよ
うな一軸異方性を有するようにされていて、矢印
１２で示される方向から信号磁界HSを受ける。
を利用したヘツドの一例を示す構造図解図であ
る。特に、第１図ａはその平面的な図解図を示
し、第１図ｂは第１図ａの線B−Bにおける断
面構造を示す。よく知られているように、従来の
MR効果形ヘツドは、たとえばガラスのような基
板１を含む。そして、この基板１上には、磁気シ
ールド用磁性体２が形成される。そしてその上に
は、たとえばガラスのような絶縁層４１がほぼ全
面にわたつて形成され、この絶縁層４１の端部上
にはバイアス用導体コイル５が形成される。この
バイアス用導体コイル５には、端子６１および６
２を介してバイアス用電流Ibが流される。さらに
全面にわたつて絶縁層４２が形成された後、この
絶縁層４２の端部上にたとえばパーマロイのよう
な強磁性薄膜７が、蒸着あるいはスパツタリング
などで形成される。この強磁性薄膜７は、MR効
果素子として作用し、端子８１および８２を介し
て信号検知用電流ISが与えられる。さらに、この
強磁性薄膜７を含んで全面に絶縁層４３が形成さ
れ、その上には、上述の磁気シールド用磁性体２
とほぼ対向する位置に他方の磁気シールド用磁性
体３が形成される。その後接着剤９によつて、保
護ガラス１０が設けられる。この第１図におい
て、Ａはトラツク幅を示し、Ｂはギヤツプ長（磁
気空隙）を示し、Ｃは磁気記録媒体対向面を示
す。また、強磁性薄膜７は、この第１図ａの矢印
１１で示される方向が、その磁化容易軸となるよ
うな一軸異方性を有するようにされていて、矢印
１２で示される方向から信号磁界HSを受ける。
次に動作について説明する。磁気媒体（図示せ
ず）よりの信号漏洩磁界HSが信号磁界方向１２
より、一軸異方性を有する強磁性薄膜７に入る
と、この強磁性薄膜７のMR効果によつて、信号
磁界HSに依存してその抵抗値が変化する。一方、
強磁性薄膜７には端子８１，８２より検知電流IS
が定電流値で一方向に流されている。したがつ
て、この検知電流ISと上述の信号磁界HSによつて
変化する強磁性薄膜７の抵抗値とによつて発生す
る電圧を取り出すことにより、記録信号が再生で
きる。
ず）よりの信号漏洩磁界HSが信号磁界方向１２
より、一軸異方性を有する強磁性薄膜７に入る
と、この強磁性薄膜７のMR効果によつて、信号
磁界HSに依存してその抵抗値が変化する。一方、
強磁性薄膜７には端子８１，８２より検知電流IS
が定電流値で一方向に流されている。したがつ
て、この検知電流ISと上述の信号磁界HSによつて
変化する強磁性薄膜７の抵抗値とによつて発生す
る電圧を取り出すことにより、記録信号が再生で
きる。
しかし上述のような抵抗変化Δρは、強磁性薄
膜７の磁化方向と電流方向とのなす角をθとする
と、cos2θに比例する。そのために信号磁界HSと
抵抗変化の関係は第２図のようになり著しく非直
線な特性を呈する。このような非直線に対処する
ためおよびダイナミツクレンジを可及的に広くす
るために、バイアス電流Ibを、バイアス電流印加
端子６１，６２よりバイアス用導体コイル５に流
す。それによつてバイアス磁界Hbを発生させ、
動作点を第２図のＰ点に設定してある。
膜７の磁化方向と電流方向とのなす角をθとする
と、cos2θに比例する。そのために信号磁界HSと
抵抗変化の関係は第２図のようになり著しく非直
線な特性を呈する。このような非直線に対処する
ためおよびダイナミツクレンジを可及的に広くす
るために、バイアス電流Ibを、バイアス電流印加
端子６１，６２よりバイアス用導体コイル５に流
す。それによつてバイアス磁界Hbを発生させ、
動作点を第２図のＰ点に設定してある。
次に、シールド層２，３は、強磁性薄膜７の近
傍の信号磁界HS以外の磁界を遮断する役割をも
つている。そして、このシールド層３と２との間
隔が狭い程、再生出力のうち低周波成分が小さく
なり、したがつて全体の周波数特性としては平坦
になり、一般的にそのようにして用いられてい
る。
傍の信号磁界HS以外の磁界を遮断する役割をも
つている。そして、このシールド層３と２との間
隔が狭い程、再生出力のうち低周波成分が小さく
なり、したがつて全体の周波数特性としては平坦
になり、一般的にそのようにして用いられてい
る。
従来のMR効果形ヘツドは、特に第１図ｂから
わかるように、シールド層２，３、バイアス用導
体および強磁性薄膜７が、媒体対向面Ｃに露出し
ている。そのために、媒体（たとえば磁気テー
プ）とこのヘツドとが接触したとき、シールド層
２，３、バイアス用導体５および強磁性薄膜７
が、摩擦によつて変形し、極端な場合には特にバ
イアス用導体５が強磁性薄膜７と接触する状態に
なる。そのような場合には雑音を発生したりある
いは再生が不能になつたりする。
わかるように、シールド層２，３、バイアス用導
体および強磁性薄膜７が、媒体対向面Ｃに露出し
ている。そのために、媒体（たとえば磁気テー
プ）とこのヘツドとが接触したとき、シールド層
２，３、バイアス用導体５および強磁性薄膜７
が、摩擦によつて変形し、極端な場合には特にバ
イアス用導体５が強磁性薄膜７と接触する状態に
なる。そのような場合には雑音を発生したりある
いは再生が不能になつたりする。
また、従来のものでは、信号磁界HSによる磁
束が強磁性薄膜７内を一様に通過しないうえバイ
アス磁界HSを加えても動作点が部分的にしか第
２図のＰ点に達せず、歪みの多い再生波形しか得
られなかつた。
束が強磁性薄膜７内を一様に通過しないうえバイ
アス磁界HSを加えても動作点が部分的にしか第
２図のＰ点に達せず、歪みの多い再生波形しか得
られなかつた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述の
ような問題点を解消しうる、新規な構造を有する
MR効果形ヘツドを提供することである。
ような問題点を解消しうる、新規な構造を有する
MR効果形ヘツドを提供することである。
この発明は要約すれば、バイアス用導体および
強磁性薄膜を磁気記録媒体対向面より引つこめ、
かつ強磁性薄膜をリングヘツドを形成するコアの
磁路中にもうける。そして、好ましくは、バイア
ス用導体コイルの幅を強磁性薄膜より広くかつ強
磁性薄膜がバイアス用導体コイルのほぼ中央にな
るように形成し、それによつて耐摺動性能を向上
させ、かつ歪みのより少ない再生波形を得るよう
にしたMR効果形ヘツドである。
強磁性薄膜を磁気記録媒体対向面より引つこめ、
かつ強磁性薄膜をリングヘツドを形成するコアの
磁路中にもうける。そして、好ましくは、バイア
ス用導体コイルの幅を強磁性薄膜より広くかつ強
磁性薄膜がバイアス用導体コイルのほぼ中央にな
るように形成し、それによつて耐摺動性能を向上
させ、かつ歪みのより少ない再生波形を得るよう
にしたMR効果形ヘツドである。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は図面を参照して行なう以下の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
徴は図面を参照して行なう以下の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
第３図はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。この実施例では、基板（兼下コア）１３は、
第１および第２の磁性体（たとえばフエライト）
１３１および１３２を含む。このような第１およ
び第２の磁性体１３１および１３２は、ガラス層
１４によつて溶着される。なお、このガラス層１
４は、他のエポキシ系樹脂のような接着剤に代え
られても良い。そして、ガラス層１４上には、
MR効果素子として作用する強磁性薄膜７が形成
される。このような強磁性薄膜７は、いつたんた
とえば写真製版によつて形成されれば、それ以後
の工程において研磨などの必要がないので、第１
図に示す従来のものに比べて、ばらつきが少な
く、精度良く量産することができる。
る。この実施例では、基板（兼下コア）１３は、
第１および第２の磁性体（たとえばフエライト）
１３１および１３２を含む。このような第１およ
び第２の磁性体１３１および１３２は、ガラス層
１４によつて溶着される。なお、このガラス層１
４は、他のエポキシ系樹脂のような接着剤に代え
られても良い。そして、ガラス層１４上には、
MR効果素子として作用する強磁性薄膜７が形成
される。このような強磁性薄膜７は、いつたんた
とえば写真製版によつて形成されれば、それ以後
の工程において研磨などの必要がないので、第１
図に示す従来のものに比べて、ばらつきが少な
く、精度良く量産することができる。
そして、この強磁性薄膜７の両端は、第１およ
び第２の磁性体１３１および１３２に接触（磁気
的に結合）するように設けられる。この強磁性薄
膜７には、端子８１および８２を介して、信号検
知電流ISが与えられる。第２の磁性体１３２の上
面の一部には、絶縁層１５１（たとえばSiO2な
ど）が形成される。さらに、その上には、第１の
磁性体１３１、強磁性薄膜７および絶縁層１５１
を被うように、同様の絶縁層１５２が形成され
る。この絶縁層１５２上には、バイアス用導体コ
イル５が形成される。このバイアス用導体コイル
５は、好ましくは、強磁性薄膜７よりも広い幅を
有するように形成されている（第３図ｂ）。そし
て、強磁性薄膜７が、このバイアス用導体５の幅
のほぼ中央になるように位置決めされる。したが
つて、強磁性薄膜７は一様にこの導体５からの磁
束を受ける。そのために、たとえば第１図に示す
従来のものに比べてその再生波形の歪みが有効に
改善される。このバイアス用導体コイル５には、
端子６１および６２を介して、バイアス用電流Ib
が与えられる。バイアス用導体５を含む絶縁層１
５２上には、さらに、絶縁層１５３が形成され
る。この絶縁層１５３上には、第３の磁性体（上
コア）１６が、第２の磁性体１３２上にまで延び
て形成される、なお、この第３図において、Ａは
トラツク幅を示し、Ｂはギヤツプ長（磁気空隙）
を示しＣは磁気記録媒体対向面を示す。また、第
３図における矢印１１は、強磁性薄膜の磁化容易
軸の方向を示し、矢印１２は信号磁界HSの方向
を示す。
び第２の磁性体１３１および１３２に接触（磁気
的に結合）するように設けられる。この強磁性薄
膜７には、端子８１および８２を介して、信号検
知電流ISが与えられる。第２の磁性体１３２の上
面の一部には、絶縁層１５１（たとえばSiO2な
ど）が形成される。さらに、その上には、第１の
磁性体１３１、強磁性薄膜７および絶縁層１５１
を被うように、同様の絶縁層１５２が形成され
る。この絶縁層１５２上には、バイアス用導体コ
イル５が形成される。このバイアス用導体コイル
５は、好ましくは、強磁性薄膜７よりも広い幅を
有するように形成されている（第３図ｂ）。そし
て、強磁性薄膜７が、このバイアス用導体５の幅
のほぼ中央になるように位置決めされる。したが
つて、強磁性薄膜７は一様にこの導体５からの磁
束を受ける。そのために、たとえば第１図に示す
従来のものに比べてその再生波形の歪みが有効に
改善される。このバイアス用導体コイル５には、
端子６１および６２を介して、バイアス用電流Ib
が与えられる。バイアス用導体５を含む絶縁層１
５２上には、さらに、絶縁層１５３が形成され
る。この絶縁層１５３上には、第３の磁性体（上
コア）１６が、第２の磁性体１３２上にまで延び
て形成される、なお、この第３図において、Ａは
トラツク幅を示し、Ｂはギヤツプ長（磁気空隙）
を示しＣは磁気記録媒体対向面を示す。また、第
３図における矢印１１は、強磁性薄膜の磁化容易
軸の方向を示し、矢印１２は信号磁界HSの方向
を示す。
以上の構成において、前述の磁気空隙Ｂを含む
第１の磁性体（下コア）１３１と上コア１６を磁
気記録媒体（図示せず）に接して移動せしめる。
そうすると、媒体より漏洩する信号磁界HSによ
る磁束は、第１および第２の磁性体（下コア）１
３１，１３２、強磁性薄膜７、上コア１６ならび
に磁気空隙Ｂより成る閉磁気回路内を流れる。こ
のとき、磁束は強磁性薄膜７に有効かつ一様に流
れる。したがつて、端子８１，８２より定電流IS
を一定方向に流すことにより、強磁性薄膜７が信
号磁界HSに応じて生じる抵抗変化を、信号電圧
として再生できる。
第１の磁性体（下コア）１３１と上コア１６を磁
気記録媒体（図示せず）に接して移動せしめる。
そうすると、媒体より漏洩する信号磁界HSによ
る磁束は、第１および第２の磁性体（下コア）１
３１，１３２、強磁性薄膜７、上コア１６ならび
に磁気空隙Ｂより成る閉磁気回路内を流れる。こ
のとき、磁束は強磁性薄膜７に有効かつ一様に流
れる。したがつて、端子８１，８２より定電流IS
を一定方向に流すことにより、強磁性薄膜７が信
号磁界HSに応じて生じる抵抗変化を、信号電圧
として再生できる。
また、バイアス用導体コイル５に所定の値のバ
イアス電流Ibを流すことにより、強磁性薄膜７に
磁化容易軸と直角方向にバイアス磁界（第２図の
Hbに相当）を印加する。このとき、バイアス用
導体コイル５は強磁性薄膜７より幅広で、かつ強
磁性薄膜７がバイアス用導体コイル５の中央にあ
るため、強磁性薄膜７には均一にバイアス磁界
Hbがかかる。したがつて、従来のものに比べて、
歪の少ない再生波形が得られる。
イアス電流Ibを流すことにより、強磁性薄膜７に
磁化容易軸と直角方向にバイアス磁界（第２図の
Hbに相当）を印加する。このとき、バイアス用
導体コイル５は強磁性薄膜７より幅広で、かつ強
磁性薄膜７がバイアス用導体コイル５の中央にあ
るため、強磁性薄膜７には均一にバイアス磁界
Hbがかかる。したがつて、従来のものに比べて、
歪の少ない再生波形が得られる。
また、上述の実施例では単一ヘツドについて示
したが、第４図に示すようにマルチトラツクにし
ても上述の実施例と同様の効果を奏する。この第
４図において、このマルチトラツクヘツドは、ｎ
チヤネルのトラツクを有するものとして構成され
ている。
したが、第４図に示すようにマルチトラツクにし
ても上述の実施例と同様の効果を奏する。この第
４図において、このマルチトラツクヘツドは、ｎ
チヤネルのトラツクを有するものとして構成され
ている。
以上のように、この発明によれば、バイアス用
導体、強磁性薄膜を、媒体対向面により内側に設
け、そしてこの強磁性薄膜を閉磁気回路中に設け
たので、従来のもののように、ヘツドが媒体対向
面と媒体とが摺接することによる、バイアス用導
体などの変形が生じることなく、耐摺動特性を著
しく向上することができる。さらに、強磁性薄膜
の幅は写真製版技術だけで正確に規制しうるた
め、特性のバラツキが小さく、生産性の良いMR
効果形ヘツドが得られる。さらに、バイアス用導
体の幅を強磁性薄膜の幅よりも広くし、しかも強
磁性薄膜をバイアス用導体のほぼ中央に位置決め
するようにすれば、歪みの少ない再生波形を得る
ことができる。
導体、強磁性薄膜を、媒体対向面により内側に設
け、そしてこの強磁性薄膜を閉磁気回路中に設け
たので、従来のもののように、ヘツドが媒体対向
面と媒体とが摺接することによる、バイアス用導
体などの変形が生じることなく、耐摺動特性を著
しく向上することができる。さらに、強磁性薄膜
の幅は写真製版技術だけで正確に規制しうるた
め、特性のバラツキが小さく、生産性の良いMR
効果形ヘツドが得られる。さらに、バイアス用導
体の幅を強磁性薄膜の幅よりも広くし、しかも強
磁性薄膜をバイアス用導体のほぼ中央に位置決め
するようにすれば、歪みの少ない再生波形を得る
ことができる。
第１図はこの発明の背景となる従来のMR効果
形ヘツドの一例を示す図解図であり、第１図ａ
は、特に上シールド層を除いた平面図解図を示
し、第１図ｂは、第１図ａの線B−Bにおける
断面図解図である。第２図はMR効果素子の信号
磁界と抵抗変化とを示すグラフである。第３図は
この発明の一実施例を示す図解図であり、第３図
ａはその平面図解図、第３図ｂは第３図ａの線
Ｂ−Bにおける断面図解図である。第４図はこの
発明をマルチトラツクに適用した場合の例を示す
図解図である。 図において、１３は基板（下コア）、１４はガ
ラス層、１５１，１５２および１５３は絶縁層、
１６は第３の磁性体（上コア）、５はバイアス用
導体、７は強磁性薄膜を示す。
形ヘツドの一例を示す図解図であり、第１図ａ
は、特に上シールド層を除いた平面図解図を示
し、第１図ｂは、第１図ａの線B−Bにおける
断面図解図である。第２図はMR効果素子の信号
磁界と抵抗変化とを示すグラフである。第３図は
この発明の一実施例を示す図解図であり、第３図
ａはその平面図解図、第３図ｂは第３図ａの線
Ｂ−Bにおける断面図解図である。第４図はこの
発明をマルチトラツクに適用した場合の例を示す
図解図である。 図において、１３は基板（下コア）、１４はガ
ラス層、１５１，１５２および１５３は絶縁層、
１６は第３の磁性体（上コア）、５はバイアス用
導体、７は強磁性薄膜を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 微小間隔の非磁性体である結合材料層によつ
て結合される第１および第２の磁性体を含む基
板、 前記基板上の前記結合材料層の上方に形成され
かつその両端において前記第１および第２の磁性
体と磁気結合するように形成される磁気抵抗効果
部材、 前記第１の磁性体および前記磁気抵抗効果部材
ならびに前記第２の磁性体の一部を被う第１の絶
縁層、 前記第１の絶縁層を介して前記磁気抵抗効果部
材上に形成されるバイアス用導体、 少なくとも前記バイアス用導体を被う第２の絶
縁層、および 前記第２の絶縁層を介して形成されるかつ前記
第２の磁性体に磁気的に結合する第３の磁性体と
を備え、 少なくとも前記第１の絶縁層を含んで磁気空隙
を形成し、前記第１の磁性体、前記磁気抵抗効果
部材、前記第２の磁性体、前記第３の磁性体およ
び前記磁気空隙によつて、閉磁気回路を構成す
る、磁気抵抗効果形ヘツド。 ２ 前記バイアス用導体の幅は前記磁気抵抗効果
部材の幅より広く選ばれていて、かつ 前記磁気抵抗効果部材は前記バイアス用導体の
ほぼ中央に位置するように形成された、特許請求
の範囲第１項記載の磁気抵抗効果形ヘツド。 ３ 前記結合材料層はガラスを含み、それによつ
て前記第１および第２の磁性体は前記微小間隔を
隔てて溶着されている、特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の磁気抵抗効果形ヘツド。 ４ 前記第２の絶縁層は前記第１の磁性体上にま
で延び、それによつて前記磁気空隙は前記第１の
絶縁層および第２の絶縁層を含んで形成される、
特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに
記載の磁気抵抗効果形ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247880A JPS56159831A (en) | 1980-05-09 | 1980-05-09 | Reluctance effect type head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247880A JPS56159831A (en) | 1980-05-09 | 1980-05-09 | Reluctance effect type head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56159831A JPS56159831A (en) | 1981-12-09 |
| JPH0115927B2 true JPH0115927B2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=13201327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6247880A Granted JPS56159831A (en) | 1980-05-09 | 1980-05-09 | Reluctance effect type head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56159831A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577250A (en) * | 1981-12-18 | 1986-03-18 | Victor Company Of Japan, Limited | Hall effect magnetic head |
| JPS626420A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-13 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5174614A (en) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Tasoshijikihetsudo |
| JPS5263709A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-26 | Hitachi Ltd | Film magnetic head of magnetic resistance effective type |
-
1980
- 1980-05-09 JP JP6247880A patent/JPS56159831A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56159831A (en) | 1981-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4803580A (en) | Double-gap magnetoresistive head having an elongated central write/shield pole completely shielding the magnetoresistive sensor strip in the read gap | |
| US4967298A (en) | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield | |
| US4841398A (en) | Non linear magnetoresistive sensor | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| US5475550A (en) | Enhanced cross-talk suppression in magnetoresistive sensors | |
| EP0279537B1 (en) | Magnetoresistive sensor and process for its manufacture | |
| JPS61120318A (ja) | 一体化薄膜磁気ヘツド | |
| US4369477A (en) | Magnetic head and method of manufacturing the same | |
| JPS61104413A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0719343B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0473210B2 (ja) | ||
| JP3160947B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JPS61170918A (ja) | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド | |
| JP2583851B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPS61196418A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61134912A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6154012A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| KR100226579B1 (ko) | 미그형 자기 헤드 및 그 제조 방법 | |
| JPS6371914A (ja) | 再生ヘツド | |
| JPH05266435A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5987615A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0542729B2 (ja) | ||
| JPH05182146A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0426909A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド |