JPH0116050B2 - - Google Patents
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- JPH0116050B2 JPH0116050B2 JP53125576A JP12557678A JPH0116050B2 JP H0116050 B2 JPH0116050 B2 JP H0116050B2 JP 53125576 A JP53125576 A JP 53125576A JP 12557678 A JP12557678 A JP 12557678A JP H0116050 B2 JPH0116050 B2 JP H0116050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- transistor
- circuit
- transistors
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/14—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
- H03D1/18—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は振幅変調波信号（以下AM信号と略
す）の検波回路を有するAMラジオ受信回路に関
するもので、本発明の目的は利得が高く、セラミ
ツクフイルター等のセラミツク素子と容易にイン
ピーダンス整合のできる高入力インピーダンスを
有し、AGC回路へのバイアス電圧を直結で供給
する為の温度補償が容易な集積回路に適したAM
ラジオ受信回路を提供することにある。
す）の検波回路を有するAMラジオ受信回路に関
するもので、本発明の目的は利得が高く、セラミ
ツクフイルター等のセラミツク素子と容易にイン
ピーダンス整合のできる高入力インピーダンスを
有し、AGC回路へのバイアス電圧を直結で供給
する為の温度補償が容易な集積回路に適したAM
ラジオ受信回路を提供することにある。
従来のAMラジオ受信回路における検波回路は
第１図に示すように、AM信号源とその信号源イ
ンピーダンスRgとで示される入力信号源から結
合コンデンサC1を介して加えられた入力信号は
トランジスタQ11により増幅される。その負荷抵
抗R16に得られる出力がトランジスタQ12Q13へ伝
達されてトランジスタQ13により検波され、その
トランジスタQ13のエミツタ抵抗R19に得られる
信号を抵抗R20とコンデンサC2C3とのフイルター
を介して端子イから取り出される。トランジスタ
Q12のエミツタに得られる出力は抵抗R17，R18に
より分圧されてトランジスタQ11のベースへ負帰
還されている。さらに端子イの信号は抵抗R21と
コンデンサC4により平滑され端子ウより利得制
御（以下AGCという）を行なわしめる直流電圧
がとり出される。トランジスタQ8，Q9，Q10，抵
抗R12，R13，R14，R15によつて構成される増幅
器はAGC増幅器であり端子エはAGC増幅器の出
力端子である。無信号時の端子ウの直流電圧は抵
抗R17，R18によつて設定される電圧により与え
られ、この端子ウの電圧はトランジスタQ11のベ
ースエミツタ間電圧に比例した値となり、上述し
たAGC増幅器のバイアス供給回路として温度に
対して補償される方向で変動する。ところが上記
抵抗R17，R18はバイアス電圧を設定するととも
に信号時にトランジスタQ11によつて増幅した信
号をトランジスタQ11のベースに負帰還をかける
ように動作するから特に入力信号源インピーダン
スRgが大きいと負帰還量が増大して、トランジ
スタQ11により構成される増幅器の利得が低下し
てしまう不都合さをもつている。特に最近は増幅
器の段間にセラミツクフイルター等のセラミツク
素子を用いAMラジオ受信機の無調整化が進んで
いるがセラミツク素子をこの検波回路の前に接続
するとセラミツク素子の出力インピーダンスが
3KΩ程度と高いので利得低下が著しく、かつセ
ラミツク素子の所望の選択度特性が得られないの
できわめて不都合である。
第１図に示すように、AM信号源とその信号源イ
ンピーダンスRgとで示される入力信号源から結
合コンデンサC1を介して加えられた入力信号は
トランジスタQ11により増幅される。その負荷抵
抗R16に得られる出力がトランジスタQ12Q13へ伝
達されてトランジスタQ13により検波され、その
トランジスタQ13のエミツタ抵抗R19に得られる
信号を抵抗R20とコンデンサC2C3とのフイルター
を介して端子イから取り出される。トランジスタ
Q12のエミツタに得られる出力は抵抗R17，R18に
より分圧されてトランジスタQ11のベースへ負帰
還されている。さらに端子イの信号は抵抗R21と
コンデンサC4により平滑され端子ウより利得制
御（以下AGCという）を行なわしめる直流電圧
がとり出される。トランジスタQ8，Q9，Q10，抵
抗R12，R13，R14，R15によつて構成される増幅
器はAGC増幅器であり端子エはAGC増幅器の出
力端子である。無信号時の端子ウの直流電圧は抵
抗R17，R18によつて設定される電圧により与え
られ、この端子ウの電圧はトランジスタQ11のベ
ースエミツタ間電圧に比例した値となり、上述し
たAGC増幅器のバイアス供給回路として温度に
対して補償される方向で変動する。ところが上記
抵抗R17，R18はバイアス電圧を設定するととも
に信号時にトランジスタQ11によつて増幅した信
号をトランジスタQ11のベースに負帰還をかける
ように動作するから特に入力信号源インピーダン
スRgが大きいと負帰還量が増大して、トランジ
スタQ11により構成される増幅器の利得が低下し
てしまう不都合さをもつている。特に最近は増幅
器の段間にセラミツクフイルター等のセラミツク
素子を用いAMラジオ受信機の無調整化が進んで
いるがセラミツク素子をこの検波回路の前に接続
するとセラミツク素子の出力インピーダンスが
3KΩ程度と高いので利得低下が著しく、かつセ
ラミツク素子の所望の選択度特性が得られないの
できわめて不都合である。
さらに、端子イからの検波信号を用いてAGC
電圧を得ているため、検波利得に影響されること
なく利得制御特性を設定することが困難である。
電圧を得ているため、検波利得に影響されること
なく利得制御特性を設定することが困難である。
本発明の目的は、信号源インピーダンスが大き
くても充分な大きな利得を得ることができる検波
回路を備えると共に、利得制御特性を最適に設定
することができるAMラジオ受信回路を提供する
ことにある。
くても充分な大きな利得を得ることができる検波
回路を備えると共に、利得制御特性を最適に設定
することができるAMラジオ受信回路を提供する
ことにある。
本発明によるAMラジオ受信回路は、受信され
たAM信号をフイルタ特性の中心周波数がAM信
号の中間周波数と同じであるところのフイルタ素
子を介して受け互いに反対位相の第１および第２
の信号を発生する第１の差動増幅器と、前記受信
されたAM信号をフイルタ素子を介することなく
受け互いに反対位相の第３および第４の信号を発
生する第２の差動増幅器と、エミツタが共通接続
され前記第１および第２の信号をそれぞれベース
に受ける第１および第２のトランジスタと、エミ
ツタが共通接続され前記第３および第４の信号を
それぞれベースに受ける第３および第４のトラン
ジスタと、前記第１および第２のトランジスタの
エミツタ共通接続点にベースが接続されたエミツ
タホロワ型式の第５のトランジスタおよびこの第
５のトランジスタのエミツタに接続された第１の
フイルタ回路を有し検波信号を出力する第１の回
路手段と、前記第３および第４のトランジスタの
エミツタ共通接続点にベースが接続されたエミツ
タホロワ型式の第６のトランジスタおよびこの第
６のトランジスタのエミツタに接続された第２の
フイルタ回路を有し利得制御信号を発生する第２
の回路手段とを備えることを特徴とする。以下、
図面を用いて本発明を詳細に説明する。
たAM信号をフイルタ特性の中心周波数がAM信
号の中間周波数と同じであるところのフイルタ素
子を介して受け互いに反対位相の第１および第２
の信号を発生する第１の差動増幅器と、前記受信
されたAM信号をフイルタ素子を介することなく
受け互いに反対位相の第３および第４の信号を発
生する第２の差動増幅器と、エミツタが共通接続
され前記第１および第２の信号をそれぞれベース
に受ける第１および第２のトランジスタと、エミ
ツタが共通接続され前記第３および第４の信号を
それぞれベースに受ける第３および第４のトラン
ジスタと、前記第１および第２のトランジスタの
エミツタ共通接続点にベースが接続されたエミツ
タホロワ型式の第５のトランジスタおよびこの第
５のトランジスタのエミツタに接続された第１の
フイルタ回路を有し検波信号を出力する第１の回
路手段と、前記第３および第４のトランジスタの
エミツタ共通接続点にベースが接続されたエミツ
タホロワ型式の第６のトランジスタおよびこの第
６のトランジスタのエミツタに接続された第２の
フイルタ回路を有し利得制御信号を発生する第２
の回路手段とを備えることを特徴とする。以下、
図面を用いて本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明で用いた検波回路の回路図であ
る。第１図と同一の働きをなすものは同一の番号
と付した。ダイオードD1〜D5、トランジスタQ1，
および抵抗R1，R2の定電流源によつて、トラン
ジスタQ2，Q3、抵抗R5〜R3の差動増幅器は駆動
されている。トランジスタQ2，Q3のベースバイ
アスはダイオードD1〜D5と抵抗R1との直列回路
から抵抗R3，R4を介して与えられている。入力
信号は差動増幅器を構成するトランジスタQ2の
ベースに加えられ、負荷抵抗R7，R8からそれぞ
れ検波トランジスタQ4，Q5のベースに加えられ
トランジスタQ4，Q5によりAM検波されて、ハ
イインピーダンスでローパスフイルタを接続する
ためのインピーダンス変換器としてのトランジス
タQ6のエミツタホロワ回路を介して抵抗R10とコ
ンデンサC3のローパスフイルタ通して端子イよ
りとり出される。トランジスタQ6のエミツタ負
荷はトランジスタQ7と抵抗R9の定電流源負荷で
与えられている。
る。第１図と同一の働きをなすものは同一の番号
と付した。ダイオードD1〜D5、トランジスタQ1，
および抵抗R1，R2の定電流源によつて、トラン
ジスタQ2，Q3、抵抗R5〜R3の差動増幅器は駆動
されている。トランジスタQ2，Q3のベースバイ
アスはダイオードD1〜D5と抵抗R1との直列回路
から抵抗R3，R4を介して与えられている。入力
信号は差動増幅器を構成するトランジスタQ2の
ベースに加えられ、負荷抵抗R7，R8からそれぞ
れ検波トランジスタQ4，Q5のベースに加えられ
トランジスタQ4，Q5によりAM検波されて、ハ
イインピーダンスでローパスフイルタを接続する
ためのインピーダンス変換器としてのトランジス
タQ6のエミツタホロワ回路を介して抵抗R10とコ
ンデンサC3のローパスフイルタ通して端子イよ
りとり出される。トランジスタQ6のエミツタ負
荷はトランジスタQ7と抵抗R9の定電流源負荷で
与えられている。
無信号時の端子ウのAGC電圧は抵抗R7又はR8
の両端電圧からトランジスタQ4又はQ5とQ6のベ
ースエミツタ間電圧だけさしひいたものである。
抵抗R7の両端電圧はトランジスタQ1により構成
される定電流値によつて定まるので抵抗R7の両
端電圧はダイオードD1の順方向電圧に比例する。
通常集積回路化する場合ダイオードはコレクタ・
ベースシヨートのトランジスタで構成するので抵
抗R7の両端電圧はトランジスタのベースエミツ
タ間電圧に比例し、従つて端子ウのAGC電圧は
AGC増幅器に対し温度に対し補償される方向で
変動する。
の両端電圧からトランジスタQ4又はQ5とQ6のベ
ースエミツタ間電圧だけさしひいたものである。
抵抗R7の両端電圧はトランジスタQ1により構成
される定電流値によつて定まるので抵抗R7の両
端電圧はダイオードD1の順方向電圧に比例する。
通常集積回路化する場合ダイオードはコレクタ・
ベースシヨートのトランジスタで構成するので抵
抗R7の両端電圧はトランジスタのベースエミツ
タ間電圧に比例し、従つて端子ウのAGC電圧は
AGC増幅器に対し温度に対し補償される方向で
変動する。
信号源インピーダンスRgが大きくなつても差
動増幅器のバイアス抵抗R3を適切に選べば利得
の低下はきわめて小さくする事ができる。
動増幅器のバイアス抵抗R3を適切に選べば利得
の低下はきわめて小さくする事ができる。
又、集積回路においては検波トランジスタ
Q4Q5はトランジスタQ2，Q3の出力で交互に導通
されてトランジスタQ4とQ5のエミツタとGND間
の寄生容量により平滑されて検波出力を出すとい
う検波作用を行なうので検波の際生じる高周波の
電力は小さく笛音比特性等に有利なばかりでな
く、検波用のコンデンサも不用となり、ローパス
フイルタ用のコンデンサC3を接続するだけで変
調波信号をとり出すことができる。
Q4Q5はトランジスタQ2，Q3の出力で交互に導通
されてトランジスタQ4とQ5のエミツタとGND間
の寄生容量により平滑されて検波出力を出すとい
う検波作用を行なうので検波の際生じる高周波の
電力は小さく笛音比特性等に有利なばかりでな
く、検波用のコンデンサも不用となり、ローパス
フイルタ用のコンデンサC3を接続するだけで変
調波信号をとり出すことができる。
なお、かかる回路において、トランジスタの極
性をすべて逆にしても同一の効果が得られるのは
明白であり、又、トランジスタQ4及びQ5のみを
逆極性にすれば負検波回路を構成できる。
性をすべて逆にしても同一の効果が得られるのは
明白であり、又、トランジスタQ4及びQ5のみを
逆極性にすれば負検波回路を構成できる。
第３図は本発明による一実施例を図示したもの
である。第１図及び第２図と同一の働きをなすも
のについては同一の番号を付した。第３図の回路
において点線でかこまれた回路Ａは受信したAM
信号を検波する検波回路で、第２図の出力端子イ
より右側と同じ構成をしている。一方、回路Ｂは
AGC電圧をとり出す為の検波回路で第２図のト
ランジスタQ6のエミツタを端子ウに直接結合し
た回路構成をしている。又、ｄはセラミツクフイ
ルター等のセラミツク素子であり、同素子のフイ
ルタ特性の中心周波数は、よく知られているよう
に、AM信号の中間周波数と同じである。セラミ
ツク素子ｄの入力側から検波回路Ｂの入力信号を
とり出しセラミツク素子ｄの出力側より検波回路
Ａの入力信号をとり出している。この様に構成す
ることによつてAMラジオ受信機等の受信周波数
を希望局の周波数と同調ダイヤルを回して合わせ
る際、希望局の信号をきわめてスムースに受信で
きるようにする事ができる。すなわち、検波信号
はフイルタｄを介した後のAM信号から得ている
ので、同一レベルのAM信号に対し、その周波数
がフイルタｄの中心周波数と同じになつたところ
で最大レベルの検波信号が得られ、中心周波数か
ら離れるに従がい検波信号レベルが小さくなると
いう効果が得られ、検波信号レベルにAM信号の
周波数特性をも反映させることができる。一方、
AGC電圧はフイルタ素子ｄを介さないAM信号
から得ているので、検波回路Ａの検波利得に影響
されることなく最適なAGC特性を得ることがで
きる。
である。第１図及び第２図と同一の働きをなすも
のについては同一の番号を付した。第３図の回路
において点線でかこまれた回路Ａは受信したAM
信号を検波する検波回路で、第２図の出力端子イ
より右側と同じ構成をしている。一方、回路Ｂは
AGC電圧をとり出す為の検波回路で第２図のト
ランジスタQ6のエミツタを端子ウに直接結合し
た回路構成をしている。又、ｄはセラミツクフイ
ルター等のセラミツク素子であり、同素子のフイ
ルタ特性の中心周波数は、よく知られているよう
に、AM信号の中間周波数と同じである。セラミ
ツク素子ｄの入力側から検波回路Ｂの入力信号を
とり出しセラミツク素子ｄの出力側より検波回路
Ａの入力信号をとり出している。この様に構成す
ることによつてAMラジオ受信機等の受信周波数
を希望局の周波数と同調ダイヤルを回して合わせ
る際、希望局の信号をきわめてスムースに受信で
きるようにする事ができる。すなわち、検波信号
はフイルタｄを介した後のAM信号から得ている
ので、同一レベルのAM信号に対し、その周波数
がフイルタｄの中心周波数と同じになつたところ
で最大レベルの検波信号が得られ、中心周波数か
ら離れるに従がい検波信号レベルが小さくなると
いう効果が得られ、検波信号レベルにAM信号の
周波数特性をも反映させることができる。一方、
AGC電圧はフイルタ素子ｄを介さないAM信号
から得ているので、検波回路Ａの検波利得に影響
されることなく最適なAGC特性を得ることがで
きる。
以上、本発明の回路によれば、インピーダンス
整合が容易で利得が高く外付素子、外付端子の少
ない集積回路化に好適で、かつ検波信号レベルに
周波数特性を反映させることができて、検波特性
と利得制御特性を独自に設定できる。
整合が容易で利得が高く外付素子、外付端子の少
ない集積回路化に好適で、かつ検波信号レベルに
周波数特性を反映させることができて、検波特性
と利得制御特性を独自に設定できる。
第１図は従来の検波回路を示す回路図、第２図
は本発明で用いた検波回路を示す回路図、第３図
は本発明の一実施例を示す回路図である。 抵抗……R1，R2，R3〜R14，R15，R101，R102
〜R114，R115、コンデンサ……C1，C2，C3，C4、
トランジスタ……Q1，Q2，Q9，Q10，Q101，Q102
〜Q109，Q110、ア……入力端子、イ……検波信号
出力端子、ウ……AGC電圧端子、エ……AGC増
幅器出力、Zi……AM信号源、Rg……信号源イ
ンピーダンス、ｄ……セラミツク素子。
は本発明で用いた検波回路を示す回路図、第３図
は本発明の一実施例を示す回路図である。 抵抗……R1，R2，R3〜R14，R15，R101，R102
〜R114，R115、コンデンサ……C1，C2，C3，C4、
トランジスタ……Q1，Q2，Q9，Q10，Q101，Q102
〜Q109，Q110、ア……入力端子、イ……検波信号
出力端子、ウ……AGC電圧端子、エ……AGC増
幅器出力、Zi……AM信号源、Rg……信号源イ
ンピーダンス、ｄ……セラミツク素子。
Claims (1)
- １ 受信されたAM信号をフイルタ特性の中心周
波数がAM信号の中間周波数と同じであるところ
のフイルタ素子を介して受け互いに反対位相の第
１および第２の信号を発生する第１の差動増幅器
と、前記受信されたAM信号を前記フイルタ素子
を介することなく受け互いに反対位相の第３およ
び第４の信号を発生する第２の差動増幅器と、エ
ミツタが共通接続され前記第１および第２の信号
をそれぞれベースに受ける第１および第２のトラ
ンジスタと、エミツタが共通接続され前記第３お
よび第４の信号をそれぞれベースに受ける第３お
よび第４のトランジスタと、前記第１および第２
のトランジスタのエミツタ共通接続点にベースが
接続されたエミツタホロワ型式の第５のトランジ
スタおよびこの第５のトランジスタのエミツタに
接続された第１のフイルタ回路を有し検波信号を
出力する第１の回路手段と、前記第３および第４
のトランジスタのエミツタ共通接続点にベースが
接続されたエミツタホロワ型式の第６のトランジ
スタおよびこの第６のトランジスタのエミツタに
接続された第２のフイルタ回路を有し利得制御信
号を発生する第２の回路手段とを備えることを特
徴とするAMラジオ受信回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12557678A JPS5552605A (en) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Detector circuit |
| US06/083,709 US4319195A (en) | 1978-10-11 | 1979-10-11 | Demodulator for amplitude modulated signal having high input impedance |
| DE19792941284 DE2941284A1 (de) | 1978-10-11 | 1979-10-11 | Demodulator fuer ein amplitudenmoduliertes signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12557678A JPS5552605A (en) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Detector circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5552605A JPS5552605A (en) | 1980-04-17 |
| JPH0116050B2 true JPH0116050B2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=14913590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12557678A Granted JPS5552605A (en) | 1978-10-11 | 1978-10-11 | Detector circuit |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4319195A (ja) |
| JP (1) | JPS5552605A (ja) |
| DE (1) | DE2941284A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
| US4634965A (en) * | 1984-12-31 | 1987-01-06 | Sundstrand Data Control, Inc. | Charge balancing detection circuit |
| JP2533201B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1996-09-11 | 富士通株式会社 | Ａｍ検波回路 |
| FI89110C (fi) * | 1991-09-19 | 1993-08-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Effektdetektor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2412715A1 (de) * | 1973-03-21 | 1974-09-26 | Realisations Ind S A Soc Et | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von emulsionen |
| JPS5424630B2 (ja) * | 1973-08-10 | 1979-08-22 | ||
| GB1492814A (en) * | 1974-05-09 | 1977-11-23 | Siemens Ag | Circuit arrangement for the demodulator of an amplitude-modulated signal |
| JPS5194749A (ja) * | 1975-02-18 | 1976-08-19 | ||
| JP2729431B2 (ja) * | 1991-09-26 | 1998-03-18 | ニスカ株式会社 | 寸法測定装置及び方法 |
-
1978
- 1978-10-11 JP JP12557678A patent/JPS5552605A/ja active Granted
-
1979
- 1979-10-11 US US06/083,709 patent/US4319195A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-10-11 DE DE19792941284 patent/DE2941284A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2941284A1 (de) | 1980-06-12 |
| JPS5552605A (en) | 1980-04-17 |
| US4319195A (en) | 1982-03-09 |
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