JPH0527282B2 - - Google Patents
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- JPH0527282B2 JPH0527282B2 JP58055960A JP5596083A JPH0527282B2 JP H0527282 B2 JPH0527282 B2 JP H0527282B2 JP 58055960 A JP58055960 A JP 58055960A JP 5596083 A JP5596083 A JP 5596083A JP H0527282 B2 JPH0527282 B2 JP H0527282B2
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- emitter
- input
- current
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
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-
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- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
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- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45496—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more extra resistors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は差動出力を有するトランジスタ増幅
器の改良に関する。
器の改良に関する。
従来、音響機器を含む電子機器一般に広く使用
される最も単純なトランジスタ増幅器として第１
図に示すように構成されるものが知られていた。
される最も単純なトランジスタ増幅器として第１
図に示すように構成されるものが知られていた。
すなわち、これは第２図に示す如きトランジス
タQ1，Q2でなる基本的なカレントミラー回路を
利用したもので、入力側トランジスタQ1のコレ
クタまたはエミツタに入力信号を印加し、出力側
トランジスタQ2のコレクタから出力信号を導出
する構成となつている。
タQ1，Q2でなる基本的なカレントミラー回路を
利用したもので、入力側トランジスタQ1のコレ
クタまたはエミツタに入力信号を印加し、出力側
トランジスタQ2のコレクタから出力信号を導出
する構成となつている。
しかしながら、第１図のような増幅器では出力
信号として正逆相一対の出力すなわち差動出力を
得ることができないものであつた。
信号として正逆相一対の出力すなわち差動出力を
得ることができないものであつた。
このため、差動出力が得られる増幅器として従
来より第３図または第４図に示すように構成され
たものが知られていた。
来より第３図または第４図に示すように構成され
たものが知られていた。
しかるに、第３図のものは上下に二段の差動構
成としたトランジスタQ3，Q4およびQ5，Q6を用
いるようにしたものであるが、上側トランジスタ
Q5，Q6のコレクタ電位を約1.0V以上にしなけれ
ばならないので、小型携帯用機器等で要請される
低電圧動作用には不適なものであつた。
成としたトランジスタQ3，Q4およびQ5，Q6を用
いるようにしたものであるが、上側トランジスタ
Q5，Q6のコレクタ電位を約1.0V以上にしなけれ
ばならないので、小型携帯用機器等で要請される
低電圧動作用には不適なものであつた。
また、第４図のものは一対の差動対トランジス
タQ7，Q8と一対のバイアス用トランジスタQ9，
Q10を用いるようにしたものであるが、単なる差
動増幅器に過ぎないので、ゲインを大きくとつて
しまうと、入力のダイナミツクレンジを十分に広
くとることができないという問題を有していた。
タQ7，Q8と一対のバイアス用トランジスタQ9，
Q10を用いるようにしたものであるが、単なる差
動増幅器に過ぎないので、ゲインを大きくとつて
しまうと、入力のダイナミツクレンジを十分に広
くとることができないという問題を有していた。
そこで、この発明は以上のような点に鑑みてな
されたもので、低電圧動作化が可能で且つ十分な
ダイナミツクレンジ特性を確保したうえで容易に
差動出力が得られるように改良した極めて良好な
トランジスタ増幅器を提供することを目的として
いる。
されたもので、低電圧動作化が可能で且つ十分な
ダイナミツクレンジ特性を確保したうえで容易に
差動出力が得られるように改良した極めて良好な
トランジスタ増幅器を提供することを目的として
いる。
すなわち、この発明によるトランジスタ増幅器
は、電流信号が入力され、少なくとも入力用の第
１のトランジスタ及び出力用の第２のトランジス
タを有する第１のカレントミラー回路と、定電流
が入力され、少なくともバイアス用の第３のトラ
ンジスタ及び出力用の第４のトランジスタを有す
る第２のカレントミラー回路と、上記出力用の第
２のトランジスタのエミツタと上記出力用の第４
のトランジスタのエミツタとの間に接続される第
１の抵抗と、第２の抵抗を介して上記出力用の第
２のトランジスタのエミツタに接続され、かつ、
第３の抵抗を介して上記出力用の第４のトランジ
スタのエミツタに接続される基準電位点とを備
え、上記電流信号の入力に応じて、上記出力用の
第２のトランジスタのコレクタ及び第４のトラン
ジスタのコレクタからそれぞれ正逆相一対の差動
電流出力が得られることを特徴としている。
は、電流信号が入力され、少なくとも入力用の第
１のトランジスタ及び出力用の第２のトランジス
タを有する第１のカレントミラー回路と、定電流
が入力され、少なくともバイアス用の第３のトラ
ンジスタ及び出力用の第４のトランジスタを有す
る第２のカレントミラー回路と、上記出力用の第
２のトランジスタのエミツタと上記出力用の第４
のトランジスタのエミツタとの間に接続される第
１の抵抗と、第２の抵抗を介して上記出力用の第
２のトランジスタのエミツタに接続され、かつ、
第３の抵抗を介して上記出力用の第４のトランジ
スタのエミツタに接続される基準電位点とを備
え、上記電流信号の入力に応じて、上記出力用の
第２のトランジスタのコレクタ及び第４のトラン
ジスタのコレクタからそれぞれ正逆相一対の差動
電流出力が得られることを特徴としている。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
すなわち、第５図に示すように入力信号が印加
される入力端INはダイオード接続の入力用トラ
ンジスタQ13のコレクタ−エミツタ通路および抵
抗R14を直列に介して基準電位点１０に接続され
ている。
される入力端INはダイオード接続の入力用トラ
ンジスタQ13のコレクタ−エミツタ通路および抵
抗R14を直列に介して基準電位点１０に接続され
ている。
また、定電流源Ｉはダイオード接続のバイアス
用トランジスタQ14のコレクタ−エミツタ通路お
よび抵抗R15を直列に介して基準電位点１０に接
続されている。
用トランジスタQ14のコレクタ−エミツタ通路お
よび抵抗R15を直列に介して基準電位点１０に接
続されている。
そして、入力用およびバイアス用トランジスタ
Q13，Q14の各ベースに各ベースが対応的に接続
された出力用の一対のトランジスタQ11，Q12は
互いのエミツタが抵抗R11を介して相互に結合さ
れると共に各エミツタが抵抗R12，R13を対応的
に介して基準電位点１０に接続され、且つ各コレ
クタが正逆相一対の出力端IOUT1，IOUT2に対応的に
接続されている。
Q13，Q14の各ベースに各ベースが対応的に接続
された出力用の一対のトランジスタQ11，Q12は
互いのエミツタが抵抗R11を介して相互に結合さ
れると共に各エミツタが抵抗R12，R13を対応的
に介して基準電位点１０に接続され、且つ各コレ
クタが正逆相一対の出力端IOUT1，IOUT2に対応的に
接続されている。
なお、以上においてトランジスタQ13とQ11お
よびQ14とQ12とはそれぞれベース共通のペアト
ランジスタでなる第１および第２のカレントミラ
ー２１，２２を構成している。
よびQ14とQ12とはそれぞれベース共通のペアト
ランジスタでなる第１および第２のカレントミラ
ー２１，２２を構成している。
而して、以上の構成において入力端INからの
入力信号電流ΔIINが大きくなれば、その電流が入
力用トランジスタQ13、抵抗R14に流れるので、
入力用の一方のトランジスタQ11のベース電位が
上昇される。
入力信号電流ΔIINが大きくなれば、その電流が入
力用トランジスタQ13、抵抗R14に流れるので、
入力用の一方のトランジスタQ11のベース電位が
上昇される。
これによつて、該トランジスタQ11のコレクタ
電流Ic(Q14)が増加されるので、同エミツタ端子１
１の電位が上昇される。
電流Ic(Q14)が増加されるので、同エミツタ端子１
１の電位が上昇される。
一方、入力用の他方のトランジスタQ12のベー
ス電位は一定であるから、同エミツタ端子１２の
電位も略一定である。
ス電位は一定であるから、同エミツタ端子１２の
電位も略一定である。
従つて、これら各エミツタ端子１１，１２間の
電位差に応じた電流が抵抗R11を介して端子１１
から端子１２側に流れ込むことになるので、この
電流分だけトランジスタQ12側のコレクタ電流
Ic(Q12)が流少することになる。
電位差に応じた電流が抵抗R11を介して端子１１
から端子１２側に流れ込むことになるので、この
電流分だけトランジスタQ12側のコレクタ電流
Ic(Q12)が流少することになる。
そして、上述と反対に入力信号電流が小さくな
つた場合には、結果的にIc(Q11)が減少し、Ic(Q12)が
増大するようになる。
つた場合には、結果的にIc(Q11)が減少し、Ic(Q12)が
増大するようになる。
つまり、一対の出力端IOUT1，IOUT2からは入力信
号に応じた正逆一対の差動出力が得られるもので
ある。
号に応じた正逆一対の差動出力が得られるもので
ある。
以上の過程を数式的に示すと次のようになる。
但し、入力信号電流ΔIINによるエミツタ抵抗R12
等の電位降下が、トランジスタQ11等のベース・
エミツタ間電位VBEの変動分より十分に大きくな
るように設定すれば、VBEの非線形部分の影響を
無視することができるので、それだけ低歪率でダ
イナミツクレンジを大きくとることができる。
但し、入力信号電流ΔIINによるエミツタ抵抗R12
等の電位降下が、トランジスタQ11等のベース・
エミツタ間電位VBEの変動分より十分に大きくな
るように設定すれば、VBEの非線形部分の影響を
無視することができるので、それだけ低歪率でダ
イナミツクレンジを大きくとることができる。
ΔIIN×R14＝ΔIc(Q11)×（R11R12）
∴ΔIc(Q11)＝R14／（R11R12）・ΔIIN
ΔIcc(Q12)＝−ΔIc(Q11)×（R11R12）×１／R11
＝R14／R11・ΔIIN
そして、以上のようなトランジスタ増幅器によ
れば、上下に２段の差動構成とするものでないと
共に、単なる差動増幅器ではないので、出力用ト
ランジスタQ11，Q12はそのコレクタ電圧が約
0.4V程度までは飽和領域に入るようなことがな
く可及的に低電圧動作化を図ることができると共
に、ゲインを大きくとつたとしても入力のダイナ
ミツクレンジ特性を十分に確保し得るという利点
を有している。
れば、上下に２段の差動構成とするものでないと
共に、単なる差動増幅器ではないので、出力用ト
ランジスタQ11，Q12はそのコレクタ電圧が約
0.4V程度までは飽和領域に入るようなことがな
く可及的に低電圧動作化を図ることができると共
に、ゲインを大きくとつたとしても入力のダイナ
ミツクレンジ特性を十分に確保し得るという利点
を有している。
第６図は第５図のトランジスタ増幅器を実際に
使用する際の具体例を示すもので、入力用トラン
ジスタQ13のコレクタを定電流源I2に接続すると
共に、抵抗Ri、コンデンサCiを介して入力端IN
に接続し、基準電位点１０を接地に接続する如く
した場合である。但し、図示破線で示す如く入力
端INは入力用トランジスタQ13のエミツタ側に接
続するようにしてもよい。
使用する際の具体例を示すもので、入力用トラン
ジスタQ13のコレクタを定電流源I2に接続すると
共に、抵抗Ri、コンデンサCiを介して入力端IN
に接続し、基準電位点１０を接地に接続する如く
した場合である。但し、図示破線で示す如く入力
端INは入力用トランジスタQ13のエミツタ側に接
続するようにしてもよい。
第７図は他の実施例を示すもので、この場合第
５図の出力用トランジスタQ11，Q12に相当する
トランジスタQ11′，Q12をダイオード接続すると
共に、それらの各コレクタを出力端IOUT1，IOUT2で
なしに定電流源I3，I4に接続している。そして、
出力用のトランジスタQ15，Q16を追加し、これ
らの各エミツタを上記トランジスタQ11′，Q12′の
各エミツタに対応して接続し、且つそれらの各ベ
ースを上記トランジスタQ13，Q14に相当するト
ランジスタQ13′，Q14′（但しダイオード接続とは
していない）の各コレクタに対応して接続し、さ
らにそれらの各コレクタを出力端IOUT1′，IOUT2′に
接続している。また、入力用となるトランジスタ
Q13′のコレクタを第６図の場合と同様に定電流源
I2に接続し、同エミツタに抵抗Riを介して入力端
INを接続している。但し、入力端はトランジス
タQ13′のコレクタ側に接続するようにしてもよ
い。
５図の出力用トランジスタQ11，Q12に相当する
トランジスタQ11′，Q12をダイオード接続すると
共に、それらの各コレクタを出力端IOUT1，IOUT2で
なしに定電流源I3，I4に接続している。そして、
出力用のトランジスタQ15，Q16を追加し、これ
らの各エミツタを上記トランジスタQ11′，Q12′の
各エミツタに対応して接続し、且つそれらの各ベ
ースを上記トランジスタQ13，Q14に相当するト
ランジスタQ13′，Q14′（但しダイオード接続とは
していない）の各コレクタに対応して接続し、さ
らにそれらの各コレクタを出力端IOUT1′，IOUT2′に
接続している。また、入力用となるトランジスタ
Q13′のコレクタを第６図の場合と同様に定電流源
I2に接続し、同エミツタに抵抗Riを介して入力端
INを接続している。但し、入力端はトランジス
タQ13′のコレクタ側に接続するようにしてもよ
い。
すなわち、第７図のような構成によれば、帰還
がかかつていることにより、第５図によるものに
加えてさらに低歪率の出力が得られるという利点
を有している。
がかかつていることにより、第５図によるものに
加えてさらに低歪率の出力が得られるという利点
を有している。
なお、この発明は上記し且つ図示した実施例の
みに限定されることなく、この発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形や適用が可能であること
は言う迄もない。
みに限定されることなく、この発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形や適用が可能であること
は言う迄もない。
従つて、以上詳述したようにこの発明によれ
ば、低電圧動作化が可能で且つ十分なダイナミツ
クレンジ特性を確保したうえで容易に差動出力が
得られるように改良した極めて良好なるトランジ
スタ増幅器を提供することが可能となる。
ば、低電圧動作化が可能で且つ十分なダイナミツ
クレンジ特性を確保したうえで容易に差動出力が
得られるように改良した極めて良好なるトランジ
スタ増幅器を提供することが可能となる。
第１図は従来の最も単純なトランジスタ増幅器
を示す構成説明図、第２図は第１図に用いられる
基本的なカレントミラーを示す構成図、第３図，
第４図は差動出力を得る従来のトランジスタ増幅
器を示す構成説明図、第５図はこの発明に係るト
ランジスタ増幅器の一実施例を示す構成説明図、
第６図は第５図を実際に使用する場合の具体例を
示す構成説明図、第７図は同じくこの発明による
他の実施例を示す構成説明図である。 Q11〜Q14…トランジスタ、IIN…入力端、I1…定
電流源、R11〜R15…抵抗、IOUT1，IOUT2…出力端、
２１，２２…カレントミラー。
を示す構成説明図、第２図は第１図に用いられる
基本的なカレントミラーを示す構成図、第３図，
第４図は差動出力を得る従来のトランジスタ増幅
器を示す構成説明図、第５図はこの発明に係るト
ランジスタ増幅器の一実施例を示す構成説明図、
第６図は第５図を実際に使用する場合の具体例を
示す構成説明図、第７図は同じくこの発明による
他の実施例を示す構成説明図である。 Q11〜Q14…トランジスタ、IIN…入力端、I1…定
電流源、R11〜R15…抵抗、IOUT1，IOUT2…出力端、
２１，２２…カレントミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電流信号INが入力され、少なくとも入力用
の第１のトランジスタ及び出力用の第２のトラン
ジスタを有する第１のカレントミラー回路２１
と、 定電流Ｉが入力され、少なくともバイアス用の
第３のトランジスタ及び出力用の第４のトランジ
スタを有する第２のカレントミラー回路２２と、 上記出力用の第２のトランジスタのエミツタと
上記出力用の第４のトランジスタのエミツタとの
間に接続される第１の抵抗と、 第２の抵抗を介して上記出力用の第２のトラン
ジスタのエミツタに接続され、かつ、第３の抵抗
を介して上記出力用の第４のトランジスタのエミ
ツタに接続される基準電位点とを備え、 上記電流信号の入力に応じて、上記出力用の第
２のトランジスタのコレクタ及び第４のトランジ
スタのコレクタからそれぞれ正逆相一対の差動電
流出力が得られることを特徴とするトランジスタ
増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055960A JPS59181807A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | トランジスタ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055960A JPS59181807A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | トランジスタ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181807A JPS59181807A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0527282B2 true JPH0527282B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=13013641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055960A Granted JPS59181807A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | トランジスタ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009040291A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Nansin Co Ltd | 単輪キャスタの制動構造 |
| JP2009513059A (ja) * | 2005-10-20 | 2009-03-26 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） | トランスコンダクタンス段の構成 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857864A (en) * | 1987-06-05 | 1989-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current mirror circuit |
| ES2154791T3 (es) * | 1995-11-01 | 2001-04-16 | Mitel Semiconductor Ltd | Filtro activo plegado. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4829744U (ja) * | 1971-08-16 | 1973-04-12 | ||
| JPS5441146U (ja) * | 1977-08-26 | 1979-03-19 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055960A patent/JPS59181807A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513059A (ja) * | 2005-10-20 | 2009-03-26 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） | トランスコンダクタンス段の構成 |
| JP2009040291A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Nansin Co Ltd | 単輪キャスタの制動構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59181807A (ja) | 1984-10-16 |
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