JPH01160826A - 酸化物超電導薄膜作成法 - Google Patents
酸化物超電導薄膜作成法Info
- Publication number
- JPH01160826A JPH01160826A JP62322169A JP32216987A JPH01160826A JP H01160826 A JPH01160826 A JP H01160826A JP 62322169 A JP62322169 A JP 62322169A JP 32216987 A JP32216987 A JP 32216987A JP H01160826 A JPH01160826 A JP H01160826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- earth element
- oxide
- thin film
- superconducting thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、酸化物超電導薄膜作成法に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
従来、常電導から超電導へと転移する温度（以下］゛ｃ
と略記】が最も高いといわれていたＮｂ５Ｇ ｅでもＩ
−ｃ約２３にで、利用に際しては一般に高価な液体ヘリ
ウムを用いて冷却しなければならなかった。
と略記】が最も高いといわれていたＮｂ５Ｇ ｅでもＩ
−ｃ約２３にで、利用に際しては一般に高価な液体ヘリ
ウムを用いて冷却しなければならなかった。
これに対し、近年ベドノルツ（０ｃｄｎｏｒｚ）やミュ
ーラ−（Ｍ’ｕｌｌｅｒ）などによってＴ ｃが約３０
〜４０にである金属酸化物（１，ａ −［３ａ −Ｓ
ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−０系）が見出された（雑誌； Ｚ、
Ｐｈｙｓ、 ８６４、１８９ （１９８６） ）、、そ
れに続いて％Ｍ、に、ウー（Ｍ、Ｋ、■Ｕ）などによっ
て′「ｃが８０〜９３に程度であるＹ −Ｂ ａ −Ｃ
ｕ −０系物質が発見され（雑誌：Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ
、 Ｌｅｆｔ、、 ５８．９０８（＋９８７１） 、其
の後の検討でＹ Ｆ３ ａ ｚ Ｃｕ ｓ Ｏｙ （
［３≦ｙ≦７）組成近傍が最も良好な特性を示すことが
判明した。また、ＹをＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ等のランタノイドで置き換えて
も同様の特性が得られる。これらの超電導材料は冷媒と
して安価な液体窒素（沸点７７Ｋ）を用いることが１１
Ｊ能で、また、焼結体では７７Ｋにおける臨界電流密度
（以下Ｊｃと略記）がｉｏ’Ａ／ｃｍ冨以上であること
が確認されており、実用上極めて有用な特性をもつ、一
方、この物質の応用としては、ジョセフソン素子や＆ｊ
１気検出素子などへの適用司能性も薄膜形成技術を通し
て検討されてきており、この方面での開発も急速に進め
られている。
ーラ−（Ｍ’ｕｌｌｅｒ）などによってＴ ｃが約３０
〜４０にである金属酸化物（１，ａ −［３ａ −Ｓ
ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−０系）が見出された（雑誌； Ｚ、
Ｐｈｙｓ、 ８６４、１８９ （１９８６） ）、、そ
れに続いて％Ｍ、に、ウー（Ｍ、Ｋ、■Ｕ）などによっ
て′「ｃが８０〜９３に程度であるＹ −Ｂ ａ −Ｃ
ｕ −０系物質が発見され（雑誌：Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ
、 Ｌｅｆｔ、、 ５８．９０８（＋９８７１） 、其
の後の検討でＹ Ｆ３ ａ ｚ Ｃｕ ｓ Ｏｙ （
［３≦ｙ≦７）組成近傍が最も良好な特性を示すことが
判明した。また、ＹをＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ等のランタノイドで置き換えて
も同様の特性が得られる。これらの超電導材料は冷媒と
して安価な液体窒素（沸点７７Ｋ）を用いることが１１
Ｊ能で、また、焼結体では７７Ｋにおける臨界電流密度
（以下Ｊｃと略記）がｉｏ’Ａ／ｃｍ冨以上であること
が確認されており、実用上極めて有用な特性をもつ、一
方、この物質の応用としては、ジョセフソン素子や＆ｊ
１気検出素子などへの適用司能性も薄膜形成技術を通し
て検討されてきており、この方面での開発も急速に進め
られている。
この物質の薄膜化に対していくつかの方法が提案されて
おり、代表的な例としては蒸着法が挙げられ、Ｍａ、Ｌ
ｎ、Ｃｕそれぞれの金属またはその化合物を蒸着源とし
て、抵抗または電子ビームなどにより加熱し、三元同時
蒸着するなどの方法が採られてきている。基板に付着し
た膜を酸素雰囲気中で約９００℃程度に加熱すると、Ｍ
ａ−Ｌｎ −Ｃｕ −０のペロブスカイト型化合物が得
られ。
おり、代表的な例としては蒸着法が挙げられ、Ｍａ、Ｌ
ｎ、Ｃｕそれぞれの金属またはその化合物を蒸着源とし
て、抵抗または電子ビームなどにより加熱し、三元同時
蒸着するなどの方法が採られてきている。基板に付着し
た膜を酸素雰囲気中で約９００℃程度に加熱すると、Ｍ
ａ−Ｌｎ −Ｃｕ −０のペロブスカイト型化合物が得
られ。
しかも、最も単純な成膜方法であるため、比較的簡便に
作成できるなどの利点がある。
作成できるなどの利点がある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の三元同時蒸着法による酸化物超電導薄膜作成法は
以上のようであるので、Ｍａ、Ｌｎ、ＣＵの三元素が混
然一体となって基板に接して生じる。これらの元素のう
ちＭａ、Ｌｎは化学的な反応性が著しく高い物質である
ことが知られているが、特に成膜後の酸素雰囲気中での
熱処理においては、高温下で基板材料と激しく反応し、
基板成分の酸化物超電導膜内への拡散や、その結果生じ
る所望以外の化合物の生成などが起こるなどの問題点が
あった。
以上のようであるので、Ｍａ、Ｌｎ、ＣＵの三元素が混
然一体となって基板に接して生じる。これらの元素のう
ちＭａ、Ｌｎは化学的な反応性が著しく高い物質である
ことが知られているが、特に成膜後の酸素雰囲気中での
熱処理においては、高温下で基板材料と激しく反応し、
基板成分の酸化物超電導膜内への拡散や、その結果生じ
る所望以外の化合物の生成などが起こるなどの問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、酸素雰囲気中での熱処理に伴う基板とＭａや
Ｌｎとの反応を防止することにより、熱処理後に良質の
Ｍａ−Ｌｎ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導薄膜を得ること
を目的とする。
たもので、酸素雰囲気中での熱処理に伴う基板とＭａや
Ｌｎとの反応を防止することにより、熱処理後に良質の
Ｍａ−Ｌｎ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導薄膜を得ること
を目的とする。
Ｌ問題点を解決するための手段］
この発明に係る酸化物超電導薄膜作成法は、基板にＣｕ
またはＣｕ酸化物の膜を作成する工程、上記Ｃｕまたは
Ｃｕ酸化物の膜に上記Ｃｕ、Ｍａ、およびＬｎの三元同
時蒸着膜を作成する工程、並びに」二記三元同時蒸着膜
を酸素雰囲気中で熱処理する工程を順に施すものである
。
またはＣｕ酸化物の膜を作成する工程、上記Ｃｕまたは
Ｃｕ酸化物の膜に上記Ｃｕ、Ｍａ、およびＬｎの三元同
時蒸着膜を作成する工程、並びに」二記三元同時蒸着膜
を酸素雰囲気中で熱処理する工程を順に施すものである
。
［作用］
この発明におけるＣｕまたはＣ１１酸化物膜は、Ｍａ、
Ｌｎと基板との直接反応を防止する。また、Ｃｕまたは
Ｃｕ酸化物の膜は超電導相の成分であるから、熱処理中
に酸化物超電導薄膜中に拡散しても悪影響は小さい６ ［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
Ｌｎと基板との直接反応を防止する。また、Ｃｕまたは
Ｃｕ酸化物の膜は超電導相の成分であるから、熱処理中
に酸化物超電導薄膜中に拡散しても悪影響は小さい６ ［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
実施例１
第１図はこの発明の一実施例に係る三元同時蒸着装置を
示す断面図である。ルツボ（１）〜（３）にそれぞれＹ
、Ｂａ、およびＣｕ金属を充填し、真空外容器（４）を
高真空（〜ｌ Ｏ−”ｔｏｒｒ）とした後、ヒータ（５
）〜（７）でルツボ（１）〜（３）を加熱して各金属を
蒸発せしめる。この時ヒータ（５）〜（７）に流れる電
流を電流制御器（８）〜（１０）で制御卸し、各金属の
蒸発速度をそれぞれ独立に変化させる。
示す断面図である。ルツボ（１）〜（３）にそれぞれＹ
、Ｂａ、およびＣｕ金属を充填し、真空外容器（４）を
高真空（〜ｌ Ｏ−”ｔｏｒｒ）とした後、ヒータ（５
）〜（７）でルツボ（１）〜（３）を加熱して各金属を
蒸発せしめる。この時ヒータ（５）〜（７）に流れる電
流を電流制御器（８）〜（１０）で制御卸し、各金属の
蒸発速度をそれぞれ独立に変化させる。
各元素の蒸発速度は、水晶振動子式膜厚計（１１）〜（
１３）により計測され、電流制御器（８）〜（１ｏ）に
フィードバックされてＲ幣される。 （１４１〜（！６
）はシャッタである。
１３）により計測され、電流制御器（８）〜（１ｏ）に
フィードバックされてＲ幣される。 （１４１〜（！６
）はシャッタである。
次に、作成法について説明する。シャッタ（１４）を開
はヒータ（５）でルツボ（１）を加熱し、例えばサファ
イアよりなる基板（１７）に先ずＣｕを約０．５μｍ蒸
着した上にＹ、Ｂａ、Ｃｕを電流側！、１１１２ｉ！＋
８）〜（１０）と膜厚計（Ｉｔ） 〜（＋３）を使用し
てＹ：Ｂａ：Ｃｕ与１：２：３（モル比）になるように
さらに約１ｔＬｍ三元同時に堆積させ、この三元同時蒸
着膜を酸素雰囲気中で約９００℃、１時間加熱後１００
℃／時間で徐冷し、この抵抗温度特性を計測したところ
、約８０にのＴ ｃをもつ超電導特性を示す膜となった
。第２図はこの膜のオージェ分析の結果であるが、Ｃｕ
１ｌｉｉｉの効果で基板（１７）成分（ＡＩ）の酸化物
超電導膜内への拡散は殆ど見られない。
はヒータ（５）でルツボ（１）を加熱し、例えばサファ
イアよりなる基板（１７）に先ずＣｕを約０．５μｍ蒸
着した上にＹ、Ｂａ、Ｃｕを電流側！、１１１２ｉ！＋
８）〜（１０）と膜厚計（Ｉｔ） 〜（＋３）を使用し
てＹ：Ｂａ：Ｃｕ与１：２：３（モル比）になるように
さらに約１ｔＬｍ三元同時に堆積させ、この三元同時蒸
着膜を酸素雰囲気中で約９００℃、１時間加熱後１００
℃／時間で徐冷し、この抵抗温度特性を計測したところ
、約８０にのＴ ｃをもつ超電導特性を示す膜となった
。第２図はこの膜のオージェ分析の結果であるが、Ｃｕ
１ｌｉｉｉの効果で基板（１７）成分（ＡＩ）の酸化物
超電導膜内への拡散は殆ど見られない。
なお、あらかじめ蒸着する物質なＣｕの酸化物としたも
のも、基本的には同様な超電導特性と膜内組成をもっこ
とを確認した。
のも、基本的には同様な超電導特性と膜内組成をもっこ
とを確認した。
実施例２
第３図はこの発明の他の実施例に係るクラスタ・イオン
ビーム（以下■ＣＢと略す）法による三元同時蒸着装置
を示す断面図である。ルツボ（１１〜（３）にそれぞれ
Ｃｕ、Ｙ、１３ａ金属を充填し、これを高具空とした後
ヒータ（５）を加熱して先ず（：１１を蒸発させ、また
同時に電子シャワーをイオン化フィラメント（１８）〜
（２０）から照射してクラスタイオンとし、直流電源（
２１）によりこれに数ＫＶの電圧を印加して加速し、シ
ャッタ（１４）を開けた状態でサファイア基板（！７）
に付着させる。この膜が約０．３μｍとなったところで
他のルツボ（２）。
ビーム（以下■ＣＢと略す）法による三元同時蒸着装置
を示す断面図である。ルツボ（１１〜（３）にそれぞれ
Ｃｕ、Ｙ、１３ａ金属を充填し、これを高具空とした後
ヒータ（５）を加熱して先ず（：１１を蒸発させ、また
同時に電子シャワーをイオン化フィラメント（１８）〜
（２０）から照射してクラスタイオンとし、直流電源（
２１）によりこれに数ＫＶの電圧を印加して加速し、シ
ャッタ（１４）を開けた状態でサファイア基板（！７）
に付着させる。この膜が約０．３μｍとなったところで
他のルツボ（２）。
（３）をヒータ（６１、＋７）で加熱し、電子シャワー
（１９＋、 （２０１により同様にクラスタイオンを
形成させ、シャッタ（１４）を全開してこれを三元同時
蒸着する。この時、膜厚計（１■）〜（Ｉ３）と電流制
御器（８）〜（ｌＯ）で蒸着速度を制御し、Ｙ：Ｂａ：
Ｃｕ’＝１：２：３ （モル比）となるようにヒータ温
度および加速電圧を調整した。 （２２）は加速電極で
ある。
（１９＋、 （２０１により同様にクラスタイオンを
形成させ、シャッタ（１４）を全開してこれを三元同時
蒸着する。この時、膜厚計（１■）〜（Ｉ３）と電流制
御器（８）〜（ｌＯ）で蒸着速度を制御し、Ｙ：Ｂａ：
Ｃｕ’＝１：２：３ （モル比）となるようにヒータ温
度および加速電圧を調整した。 （２２）は加速電極で
ある。
この膜を実施例１と同様に熱処理し、Ｔｃを計測したと
ころ、約８５Ｋが得られた。また、オージェによる厚さ
方向の元素分布も、傾向は基本的には第２図と一致して
おり、Δｌの校内拡散は殆ど見られなかった。
ころ、約８５Ｋが得られた。また、オージェによる厚さ
方向の元素分布も、傾向は基本的には第２図と一致して
おり、Δｌの校内拡散は殆ど見られなかった。
比較例
サファイア基板（１７）に第１図に示す装置によりＹ、
Ｂａ、ＣｕをＹ：Ｂａ：Ｃｕ’：ｌ ：２：３ （モル
比）で約１６ｍの厚さで三元同時蒸着を行ない、酸素雰
囲気中で約９００℃、１時間加熱後、■００℃／時間で
徐冷した。このようにして得られた膜にＡｕ電極をつけ
四探針法で低温特性を計測したところ、全く超電導現象
を示さなかった。
Ｂａ、ＣｕをＹ：Ｂａ：Ｃｕ’：ｌ ：２：３ （モル
比）で約１６ｍの厚さで三元同時蒸着を行ない、酸素雰
囲気中で約９００℃、１時間加熱後、■００℃／時間で
徐冷した。このようにして得られた膜にＡｕ電極をつけ
四探針法で低温特性を計測したところ、全く超電導現象
を示さなかった。
また、この膜をオージェ分光法により分析したところ第
４図に示すように、サファイア基板の！成分であるＡＩ
が原着膜中に広く拡散していることが判明した。
４図に示すように、サファイア基板の！成分であるＡＩ
が原着膜中に広く拡散していることが判明した。
なお、上記実施例では蒸着源としてＹ、Ｂａ。
Ｃｕの金屑をそれぞれ用いた場合について説明したが、
これらの化合物をそれぞれ用いてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
これらの化合物をそれぞれ用いてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
また、上記実施例では成分系としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の場合を示したが％Ｙを例えばＬａ。
系の場合を示したが％Ｙを例えばＬａ。
Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ等の他の希土類元素、Ｂａを例えばＳｒ等の他のアル
カリ土類元素で置き換えたＬｎ−Ｍａ−Ｃｕ−０系の場
合でも同様の効果を奏する。
ｕ等の他の希土類元素、Ｂａを例えばＳｒ等の他のアル
カリ土類元素で置き換えたＬｎ−Ｍａ−Ｃｕ−０系の場
合でも同様の効果を奏する。
また、上記実施例では基板（１７）としてサファイアを
用いた場合を示したが、ＳｉやＳｉＯやガラスなどであ
ってもよく、上記実施例と同様の効果が得られる。
用いた場合を示したが、ＳｉやＳｉＯやガラスなどであ
ってもよく、上記実施例と同様の効果が得られる。
また、上記実施例では先ず基板（１７）にＣ１１を蒸着
後、連続的にＣｕ、Ｙ、Ｂａを三元同時蒸着したが、Ｃ
ｕを蒸着後、酸素雰囲気中で熱処理し、Ｃｕ酸化物膜と
した上にＣｕ、Ｙ、Ｂａを三元同時蒸着する方法を用い
ても上記実施例と同様の効果がｉｒＪられる。
後、連続的にＣｕ、Ｙ、Ｂａを三元同時蒸着したが、Ｃ
ｕを蒸着後、酸素雰囲気中で熱処理し、Ｃｕ酸化物膜と
した上にＣｕ、Ｙ、Ｂａを三元同時蒸着する方法を用い
ても上記実施例と同様の効果がｉｒＪられる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、基板にＣｕまたはＣ
ｕ酸化物の膜を作成する工程、上記ＣｕまたはＣｕ酸化
物の膜に上記Ｃｕ％Ｍａ、およびＬｎの三元同時蒸着膜
を作成する工程、並びに上記三元同時蒸着膜を酸素雰囲
気中で熱処理する工程を順に施すので、熱処理に伴う基
板とＭａやＬｎとの反応を防ぐことができ、良好な超電
導特性を示す酸化物超電導薄膜が得られる効果がある。
ｕ酸化物の膜を作成する工程、上記ＣｕまたはＣｕ酸化
物の膜に上記Ｃｕ％Ｍａ、およびＬｎの三元同時蒸着膜
を作成する工程、並びに上記三元同時蒸着膜を酸素雰囲
気中で熱処理する工程を順に施すので、熱処理に伴う基
板とＭａやＬｎとの反応を防ぐことができ、良好な超電
導特性を示す酸化物超電導薄膜が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例に係る三元同時蒸着装置を
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例による方法で
作成された酸化物超電導薄膜の厚み方向の元素分布を示
す特性図、第３図はこの発明の他の実施例に係るＩＣＢ
法による三元同時蒸着装置を示す断面図、第４図は比較
例による膜の厚み方向の元素分布を示す特性図である。 図において、（＋）〜（３）はルツボ、（５）〜（７）
はヒータ、（８）〜（ｌＯ）は電流制御器、（１１）〜
（１３）は膜厚計、（１４）〜（■６）はシャッタ、（
１７）は基板、（１８）〜（２０）はイオン化フィラメ
ント、（２２）は加速電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 １〜３ ニルツボ゛ ｊ２７：ヒー７ Ｉ４−１６：シマ゛ツタ １７：基板 第２図 第３図 １Ｆ〜２θ、１ｔノ化フイラメシＦ 、７２ ： ／７Ｕ遣電極 第４図
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例による方法で
作成された酸化物超電導薄膜の厚み方向の元素分布を示
す特性図、第３図はこの発明の他の実施例に係るＩＣＢ
法による三元同時蒸着装置を示す断面図、第４図は比較
例による膜の厚み方向の元素分布を示す特性図である。 図において、（＋）〜（３）はルツボ、（５）〜（７）
はヒータ、（８）〜（ｌＯ）は電流制御器、（１１）〜
（１３）は膜厚計、（１４）〜（■６）はシャッタ、（
１７）は基板、（１８）〜（２０）はイオン化フィラメ
ント、（２２）は加速電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 １〜３ ニルツボ゛ ｊ２７：ヒー７ Ｉ４−１６：シマ゛ツタ １７：基板 第２図 第３図 １Ｆ〜２θ、１ｔノ化フイラメシＦ 、７２ ： ／７Ｕ遣電極 第４図
Claims (2)
- （１）Ｃｕ、アルカリ土類元素（以下Ｍａと略す）およ
び希土類元素（以下Ｌｎと略す）を成分として有する酸
化物超電導薄膜を作成するものにおいて、基板にＣｕま
たはＣｕ酸化物の膜を作成する工程、上記ＣｕまたはＣ
ｕ酸化物の膜に上記Ｃｕ、Ｍａ、およびＬｎの三元同時
蒸着膜を作成する工程、並びに上記三元同時蒸着膜を酸
素雰囲気中で熱処理する工程を順に施す酸化物超電導薄
膜作成法。 - （２）ＣｕまたはＣｕ酸化物の膜、並びにＣｕ、Ｍａ、
およびＬｎの三元同時蒸着膜は、クラスタ・イオンビー
ム蒸着法により作成される特許請求の範囲第１項記載の
酸化物超電導薄膜作成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322169A JPH01160826A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 酸化物超電導薄膜作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62322169A JPH01160826A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 酸化物超電導薄膜作成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01160826A true JPH01160826A (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=18140707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62322169A Pending JPH01160826A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 酸化物超電導薄膜作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01160826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102834879A (zh) * | 2010-04-26 | 2012-12-19 | 株式会社藤仓 | 氧化物超导导体及其制造方法 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62322169A patent/JPH01160826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102834879A (zh) * | 2010-04-26 | 2012-12-19 | 株式会社藤仓 | 氧化物超导导体及其制造方法 |
| US8772201B2 (en) | 2010-04-26 | 2014-07-08 | Fujikura Ltd. | Oxide superconducting conductor and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2567460B2 (ja) | 超伝導薄膜とその作製方法 | |
| US5212148A (en) | Method for manufacturing oxide superconducting films by laser evaporation | |
| DE3889989T2 (de) | Supraleitende Dünnschicht und Verfahren zu deren Herstellung. | |
| EP0285030B1 (en) | Process for producing superconducting thin films | |
| DE68918489T2 (de) | Herstellung von supraleitenden Oxidfilmen durch eine pre-Sauerstoff-Stickstoffglühbehandlung. | |
| EP0292958B1 (en) | Method for preparing thin film of compound oxide superconductor | |
| JP2711253B2 (ja) | 超伝導膜及びその形成方法 | |
| US5196398A (en) | Process for producing thallium type superconducting thin film | |
| JPH01160826A (ja) | 酸化物超電導薄膜作成法 | |
| JPS63310515A (ja) | 超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0825742B2 (ja) | 超電導材料の作製方法 | |
| US5264413A (en) | Bi-Sr-Ca-Cu-O compounds and methods | |
| JP2583552B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH01203203A (ja) | 超伝導材料層の形成方法 | |
| JP2502344B2 (ja) | 複合酸化物超電導体薄膜の作製方法 | |
| JP2564598B2 (ja) | 酸化物超伝導体及びその製造方法 | |
| JP2742418B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
| EP0333513B1 (en) | Oxide superconductor | |
| JPH01160827A (ja) | 酸化物超電導薄膜作成法 | |
| JP2557446B2 (ja) | 複合酸化物系超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH01261204A (ja) | 酸化物系超電導体の製造方法 | |
| JP2835235B2 (ja) | 酸化物超電導体薄膜の形成方法 | |
| JP2611332B2 (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JP2668532B2 (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH07100609B2 (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 |