JPH01160871A - ポリシラザン、その製造方法、これから製造可能な窒化ケイ素を含有するセラミック材料並びにその製造方法 - Google Patents
ポリシラザン、その製造方法、これから製造可能な窒化ケイ素を含有するセラミック材料並びにその製造方法Info
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Abstract
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Description
ケイ素含有セラミック材料に更に加工する方法、並びに
この材料それ自体に関する。窒化ケイ素を含有するセラ
ミック材料は熱分解によりポリシラザンから得られ、大
部分炭化ケイ素及び炭素を含有する窒化ケイ素から成る
。
料の熱分解はすでに文献(R,R,ウィルス(WitI
s)等、セラミック報告(Ceramic Bulle
tin)、第62巻(1983)、904−915)中
に記載されている。
として使用し、これをアンモニア、第−又は第二アミン
で又はジシラザンと反応させる(米国特許筒4,540
,803号明細書、米国特許筒4.543.344号明
細書、米国特許筒4.535,007号明細書、米国特
許筒4,595.775号明細書、米国特許筒4.39
7.828号明細書、米国特許筒4,482,669号
明細書)。
剰のアンモニア又は過剰の第一アミンとの反応にある。
によって製造する(フランス特許公開第2,583,4
23号公報)。たとえばテトラクロロシラン5iC14
及びメチルアミンからテトラキス(メチルアミノ)シラ
ンSi (NHCH3) aが生じる: 5iC1a+8CHJfh=Si (NHCH3) 4
+4CHJH:+CI次いでアミノシランを過剰のアン
モニアと反応させる。この場合すべてのメチルアミノ基
をNH基に代える。粘性ないし高粘性ポリシランが生じ
、これを熱分解してセラミック収率72−79重量%で
窒化ケイ素を含有する材料となすことができる。
とにある。その時このアミンの半分がアミノシランの製
造でアルキルアミンヒドロクロライドとして再び沈殿す
る。アミノシランから製造されたポリマーは粘性であり
、したがって加工するのが困難である。繊維の製造も不
可能である。
い出すことが課題である。そのポリシラザンは慣用の溶
剤に可溶であり及び(又は)溶融することができ、した
がって溶液及び(又は)溶融物から紡糸することができ
る。本発明はこの課題を解決する。
ル基、 RoはC,−C4アルキル基である。)なるアルキルア
ミノオルガニルジクロロシラン1又は数種とシラン1モ
ルあたりアンモニウム少なくとも3.35モルとを溶剤
中で一80°C〜+70℃の温度で反応させることを特
徴とするポリマーシラザンの製造方法である。Rはメチ
ル−、エチル−、ビニル−又はフェニル基、Roはメチ
ル基であるのが好ましい。特にRはエチル基及びR”は
メチル基である。
ジアルキルアミノオルガニルジクロロシランR51C1
z−NR’ Ro(以下アミノクロロシランと呼称する
。)はS、S、ウォシュバーン(Washburne)
、W、R,ピーターソン(Peterson)、J、
Organometal。
様に得ることができる: オルガニルトリクロロシランR51C1:+ (式中R
はC−原子数1〜4のアルキル−、ビニル−又はフェニ
ル基を示す。)1又は数種をジアルキルアミンHNR’
R”(式中R゛はC−原子数1〜4のアルキル基を示
す。)と反応させる。この反応を非プロトン性溶剤、好
ましくは極性溶剤、たとえばエーテル、特にTHF中で
実施する。
ノ割合は1:1と1:3の間の値を適用することができ
るが、約l:2の割合が好ましい。
方形酸されたアミノクロロシランは溶液中に残存する。
ロシランを本発明によればモルあたり少なくとも3.3
5モル、好ましくは少なくとも3.5モルのアンモニア
と非プロトン性溶剤、好ましくは極性溶剤、たとえばエ
ーテル、特にTHFと反応させる。これは−80’C〜
+70℃、好ましくは一10℃〜0℃の温度で行われる
。その際アンモニア分子が先ず2個の5iC1−官能基
と反応して、2個のケイ素原子の間にNH−架橋を生じ
る: それによってオリゴマー単位を生じる。次いで驚くべき
ことにケイ素原子からジアルキルアミノ基の部分滴置換
が行われるので、架橋されたポリマーシラザンの新しい
種類のクラスが生じる。その際末端ジアルキルアミノ基
をNO−架橋に代え、付加的な架橋を形成する: 1 1 IIしかし
上述の様にすべてのジアルキルアミノ基は置き代えられ
ない。それらの一部がケイ素原子と結合し、それによっ
てポリマーシラザン中に存在する。
ロトン性溶剤中に溶解する。これは次の構造単位を有す
る: 〔式中Rに関すると同一の残基がR9に対して適し、し
かしR及びR1は同−又は異っていてよい(アミノクロ
ロシラン1個よりも多くがNHlと反応する場合は異な
る。)。〕 この場合SiはSiと直接結合するのではなく、常にN
H−架橋を介して結合する。たとえばX=0.9(及び
同時にy=0.1)である場合、主として存在するジア
ルキルアミノ基の10%をポリマー中にまだ含有し、ケ
イ素原子の90%は3回NH−架橋を介して架橋される
。x:yの調節可能な割合は架橋度、それと同時に粘度
及びセラミックへの加工可能性を決定する。
も3.35モルを使用した場合X=0.7−0.95(
y=3.3−0.05)の値が得られる。X = 0.
85−0.95(y=0.15−0.05)が好ましく
、これはアミノクロロシラン1モルあたりNH3少なく
とも3.5モルを使用した場合に生じる。一般にアミノ
クロロシラン1モルあたりNH,精々8モル、好ましく
は精々6モルを使用する。当然8モルより大きいN1h
O量も効果的であるが、このより大きい過剰は不必要で
ある。
びR9は同−又は異っていてよ<、RlR”はC,−C
,アルキル−、ビニル−又はフェニル基、R゛はC1−
C4アルキル基、X+Vは2つの構造単位のモル分率を
示し、但しx+y=1 、Xは0.7−0.95である
。) なるポリマーシラザンである。この際R,R”はメチル
−、エチル−、ビニル−又はフェニル基、R’はメチル
基を示すのが好ましい。特に好ましくはR、R”はエチ
ル基、R”はメチル基である。
ル基、 R1はCl−C4アルキル基である。)なるジアルキル
アミノオルガニルジクロロシラン1又は数種とシラン1
モルあたりアンモニア少なくとも3.35モルとを溶剤
中で−80”C〜+70’Cの温度で反応させることに
よって得られるポリマーシラザンである。
相対含有率が必然的に高いことを示す。
有する。SiJ、に於てこの割合は1:1.33である
。
とによって窒化ケイ素セラミックに重要な、ケイ素と窒
素の正確な割合を容易に調製することができることを示
す。
れはり、セイファース(Seyferth)、G、H,
ヴゼマン(Wtseman)及びC,プルドホーム(P
rud’ homme)(米国特許第4.397.82
8号明細書、J、八mer。
)によって記載された方法の場合大きな問題である。そ
の方法はジクロロシラン11□5iCh及びアンモニア
から出発して5iJ=1:1の割合を有するポリシラザ
ンを生じる。
が生じ、ポリシラザン中の過剰のケイ素は元素ケイ素と
してセラミック中に現われる。
無定形の緊密な材料に変えることができ、この材料は窒
化ケイ素を含有し、痕跡程度の+(及びOも含有するこ
とができる。
て又はその製造方法によって上述されたポリマーシラザ
ンを不活性雰囲気中800〜1400°Cで熱分解する
ことを特徴とする、窒化ケイ素を含有するセラミック材
料の製造方法である。その際不活性雰囲気はN2.Ar
又はlieから成り、好ましくはN2又はArを使用す
ることができる。1200℃以上の熱分解温度で、すな
わちほぼ1200℃〜1400℃の範囲で部分的無定形
の、微品質のセラミック材料が生じ、これは結晶質相と
してα−5i3N4を含有する。
に従って成形して三次元成形体となすことができること
である。成形の最も簡単な方法は例1.2及び3に記載
したプレス加工(−軸性又は立体規則性プレス)である
。他の成形法、たとえば鋳込み成形、押出し等々も同様
に可能である。
る。その際繊維を溶剤、たとえばドルオール、テトラヒ
ドロフラン又は)キサン中にポリシラザンを有する高粘
性溶液から延伸することができる。R,R”・エチル基
、R″==メチル基・0.85〜0.95である場合、
溶剤からの他にポリシラザンの粘性溶融物からも繊維を
延伸する、ことができる。
いて行うのが有利である。引き続きの伸張によって繊維
を細くし、熱分解の後2〜20μm、特に5〜15μm
直径の極めて強い繊維が生じる。溶液から紡糸した場合
、繊維を伸張の後先ず大気又は不活性ガス中で乾燥する
。溶融物から紡糸した場合−但し溶融温度は一般に60
〜150℃であるー、繊維を伸張の後短時間大気又はア
ンモニア中で室温で簡単に架橋する。それによって引き
続きの熱分解で崩壊しない。引き続きの熱分解によって
製造された繊維は、繊維強化アルミニウム、アニミニウ
ム合金及びセラミック成分中に機械的強化包含物として
使用する。
金属、特に畑土又はセラミックス、たとえばAh(h、
ZrOzlMgO,SiC又は窒化ケイ素上に不浸透性
、高付着性無定形又は微品質のセラミック被覆を製造す
ることである。被覆は有機溶剤、たとえばドルオール、
テトラヒドロフラン、ヘキサン中のポリシラザンの溶液
を用いて行われる。R,R”=エチル基、R’=メチル
基及びX=0.85〜0.95である場合、ポリシラザ
ンは溶融することができ、したがって被覆をポリシラザ
ンの溶液を用いても、溶融物を用いても被覆すべき物質
の浸漬によって行うことができる。無定形の又は微品質
層への熱分解的変化は、一般に800℃〜1200℃又
は1200℃〜1400℃の同一温度範囲で不活性ガス
−これはたとえば三次元成形体で記載した一下に行われ
る。
面品質のために機械的及び化学的に要求される機械構成
要素の表面仕上げに特に適する。
85〜0.95を有する溶融可能なポリシラザンを溶融
し、次いで任意の鋳型中に鋳込むこともできる。高いセ
ラミック収率70〜90重量%のために、この鋳物を極
めてゆっくりした温度増加プログラムを用いて熱分解し
て実質上ひび割れ及び細孔のない無定形の微品質の又は
結晶性セラミック成形体に変えることができる。
る本発明によるポリシラザンを不活性ガス中の代りにN
H3−雰囲気中でも熱分解することもできる。その際実
際上炭素不含の、ガラス−透明な、無色の材料を生じる
。N+b中で1000°C又はそれ以上で熱分解した場
合、C−含有率は0.5重量%以下である。熱分解生成
物は、熱分解温度に応じて実質上純粋な無定形窒化ケイ
素(1200°C以下の熱分解)又は結晶性窒化ケイ素
(1250’C以上、好ましくは1300℃以上の熱分
解)から成る。
すべての成形体に、すなわちポリシラザンから成形され
た物質、繊維、被覆物及び鋳物に適用することができる
。
ばA1□01.BN+5IJi+と混合し、更にこれ吉
−緒に加工し、最後に焼結することもできる。その際改
良された機械的、熱的又は化学的性質を有する新規の複
合材料を生じる。
を取り付けた11−三頚フラスコ中で窒素雰囲気下にメ
チルトリクロロシランH3C5iCh30mf (37
,3g ;0.25モル)を乾燥THF600mj!に
溶解する。冷却フィンガーを一78℃に(ドライアイス
)、及びン容液を冷却浴で一10℃に冷却する。この溶
液中に攪拌下でジメチルアミン(H3C) zNH31
,7mff1 (23g ; 0.51モル)を、内部
温度が一5℃以上に上らない様に導入する。その際ジメ
チルアンモニウムクロライド(lhc) JHzCIが
沈殿する。次いでこの様にして得られたジメチルアミノ
ジクロロメチルシランt(:+C3iCh−N(C)l
:+) 2の溶液にアンモニア33+d(25,5g
;1.5モル)を、内部温度が一5℃以上に上らない様
に導入する。次いで冷却浴を除き、反応混合物を室温(
+20℃)に加熱する。1時間この温度で攪拌する。窒
素下に沈殿した塩化アンモニウムNH4,CI及びジメ
チルアンモニウムクロライド(H3C) z−NHgC
1を濾去する。溶剤及び濾液のすべての揮発性成分を減
圧及び室温下で留去する。その際粘度は著しく増加し、
無色の固体が形成し始める。
し、固化する。次いで得られるポリシラザンはもはや溶
剤を含有しない。CDCl2中の’H−NMRはSi−
メチル、NH−及びN−メチル−共鳴を強度3:1.4
5:0.6で夫々幅広いシグナル群として示す。ポリシ
ラザンは通常の非プロトン性溶剤に溶解する。
ポリシラザンを3000バール下でプレス加工して10
X 10 X 10mm’の多孔性物質となし、100
0℃で窒素下に1時間熱分解する。黒いセラミック物体
が得られ、これは使用された物質と比較して質量損失3
0重量%を示す。すなわちセラミック収率は70重量%
である。
スコ中で窒素下ビニルトリクロロシラン50+d<63
.0g : 0.39モル)をTHF600−に溶解す
る。冷却フィンガーを一78℃に(ドライアイス)、反
応溶液を一10°Cに冷却する。次いでジメチルアミン
(113c)2NH49d(35,1g ; 0.78
モル)を、温度が0℃以上に上らない様に導入する。そ
の際ジメチルアンモニウムクロライド()13c) 2
NHzC1が生じ、これは沈殿する。導入の終了後、室
温(+20℃)に加熱し、白色沈殿を濾去する。濾液か
ら溶剤を除去し、残留物を蒸留によって後処理する。
ロルシラン33.5gが、澄明な、容易に移動しうる液
体として留去する。
1)でヒニル基に関してABX−スピン系を、δ=2.
58ppm(強度2)でジメチルアミノ基に関してシン
グレットを示す。
.7g(0,21モル)を冷却フィンガー及び攪拌装置
を有する1 e−二頭フラスコ中で乾燥THF500m
lに窒素雰囲気下に溶解する。
(ドライアイス)冷Wする。アンモニア28−(21,
6g ; 1.27モル)を、内部温度が一5℃を越え
ない様に導入する。反応の終了後、20℃に加熱し、沈
殿する塩化アンモニウムを濾去する。次いで溶剤を濾液
から20℃及び減圧で留去する。この際粘性残留物が残
存し、これは減圧ポンプの乾燥で固化しかつ乾燥する(
12p)。
C1j中の’H−NMRは、ビニル−1NH−及びN(
CI、)、−基に関する共鳴を3:1.45:0.6の
割合で示す。ビニル基は、5.5〜6.5ppmで幅広
いシグナル群として、Nl(はQ、5〜1.5ppmで
、N(CHz)tは2.3〜2.7ppmで現われる。
す。
X 10 X 10mm3の物質とし、窒素下に1時
間1000℃で熱分解する。無定形セラミック体が得ら
れ、その質量は、セラミック収率86重量%に相当する
。
コ中で窒素雰囲気下エチルトリクロロシラザン35mf
(42,5g ; 0.26モル)を乾燥テトラヒド
ロフラン600−に溶解する。冷却フィンガーを一78
℃に(ドライアイス)、溶液を一10℃に冷却する。次
いでジメチルアミンHN (CII3) 231 mf
f1 (23,8g、 0.53モル)を、内部温度が
一5℃以上に上らない様に導入する。次いでアンモニア
17.5mg(13,5g、 0.79モル)を得られ
たジメチルアミノジクロロエチルシランC2H55iC
1z−N(CH:+) 2の溶液中に導入する。
る。溶剤を減圧及び20°Cで留去する。柔らかな固体
が残存する。これを加熱するとこの物質は一定の処理で
ますます液化する。ケイ素と窒素との割合は1:1.4
である。ポリシラザンは、通常の非プロトン性溶剤中に
完全に溶解する。
、’H−NMR−スペクトルで非構造の幅広いシグナル
としてδ−0,lppmとδ−1.6ppmの間にある
。N−メチル−基はδ=2.5ppmで現われる。ポリ
シラザンを+80°Cに加熱した場合、溶融物から繊維
を延伸することができる。これを室温で1時間大気にさ
らす。それによって繊維は溶融できなくなり、熱分解で
その形を維持する。
コ中でエチルトリクロロシラン15m1(18,6g1
0.11モル)及びビニルトリクロロシラン45+++
4! (57,1g10.35モル)を混合し、乾燥T
HF70M中で?8解する。冷却フィンガーを一78°
Cに、溶液を一10℃〜0°Cに冷却する。次いでジメ
チルアミン41.9g(0,93モル)を加え、内部温
度を+10°C以上に上らない様に加える。
。
ドロクロライドを分離する。
’H−NMR−スペクトルでビニル基に関して共鳴はδ
=5.5−6.5ppmの間に、ジメチルアミノ基に関
してはδ=2.3−2.5ppmの間に及びエチル−及
びNH−基に関してはδ=0.2−1.3ppmの間に
現われる。相対強度は上記の順序で15:1.7:18
である。
持を延伸することができる。
ある。
コ中でビニルトリクロロシラン25d(31,6g10
.19モル)及びエチルトリクロロシラン25.1++
+J!(31,19g10.19モル)を混合し、乾燥
THF700ml中で溶解する。冷却フィンガーを一7
8°Cに、溶?(1を一10℃〜0°Cに冷却する。次
いでジメチルアミン34.1g(0,76モル)を、内
部温度が+10°C以上に上らない様に加える。
。
ドロクロライドを分離する。
度の上昇でより一層移動性になる。
関するシグナルはδ=5.5−6.5ppmの間に、ジ
メチルアミノ基に関してはδ”=2.3 2.6ppm
の間に、エチル−及びNH−基に関してはδ−0,2−
1,5ppmの間に現われる。相対強度は上記順序で7
:1.5:17.7である。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式 RSiCl_2−NR’R’ (式中RはC_1−C_4アルキル基、ビニル基又はフ
ェニル基、 R’はC_1−C_4アルキル基である。)なるジアル
キルアミノオルガニルジクロロシラン1又は数種とシラ
ン1モルあたりアンモニア少なくとも3.35モルとを
溶剤中で−80℃〜+70℃の温度で反応させることを
特徴とするポリマーシラザンの製造方法。 2)Rはメチル−、エチル−、ビニル−又はフェニル基
を、R’はメチル基を示す請求項1記載の方法。 3)Rはエチル基、R’はメチル基を示す請求項1記載
の方法。 4)ジアルキルアミノオルガニルジクロロシラン1モル
あたりアンモニア少なくとも3.5モルを使用する請求
項1ないし3のいずれかに記載した方法。 5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Rは及びR^*は同一又は異っていてよく、R,
R^*はC_1−C_4アルキル−、ビニル−又はフェ
ニル基、R’はC_1−C_4アルキル基、x,yは2
つの構造単位のモル分率を示し、但し x+y=1、Xは0.7−0.95である。)なるポリ
マーシラザン。 6)相互に無関係にR,R^*はメチル−、エチル−、
ビニル−又はフェニル基、R’はメチル基を示す請求項
5記載のポリマーシラザン。 7)R,R^*はエチル基、R’はメチル基である請求
項5記載のポリマーシラザン。 8)Xは0.85〜0.95である請求項5記載のポリ
マーシラザン。 9)請求項1に記載した方法に従って得られたポリマー
シラザン。 10)請求項5に記載したポリマーシラザンを不活性雰
囲気中で800〜1400℃で熱分解することを特徴と
する窒化ケイ素を含有するセラミック材料の製造方法。 11)窒化ケイ素を含有するセラミック繊維を製造する
ために、ポリマーシラザンを先ず有機溶剤中に溶解し、
この溶液から繊維を延伸し、これを溶剤の蒸発後に熱分
解する請求項10記載の方法。 12)窒化ケイ素を含有するセラミック成形体の製造の
ために、粉末状ポリマーシラザンを熱分解の前にプレス
加工して成形体となす請求項10記載の方法。 13)窒化ケイ素を含有するセラミック被覆を製造する
ためにポリマーシラザンを先ず有機溶剤中に溶解し、こ
の溶液を用いて被覆処理を行い、これを溶剤の蒸発後に
熱分解する請求項10記載の方法。 14)請求項7記載のポリマーシラザンを溶融し、溶融
物から60〜100℃で繊維を延伸し、これを空気で溶
融できないようにし、次いで800〜1400℃で不活
性雰囲気中で熱分解することを特徴とする、窒化ケイ素
を含有するセラミック繊維を製造する方法。 15)請求項7記載のポリマーシラザンを溶融し、溶融
物を鋳造、射出成形又は押出しによって加工して成形し
、これを空気又はNH_3を用いて溶融できないように
し、次いで800〜1400℃で不活性雰囲気中で熱分
解することを特徴とする窒化ケイ素を含有するセラミッ
ク成形体の製造方法。 16)不活性雰囲気の代りにNH_3−又はN_2/H
_2−雰囲気中で電分解する請求項10ないし15のい
ずれかに記載した方法。 17)800〜1200℃で熱分解する請求項10ない
し16のいずれかに記載した方法。 18)1200〜1400℃で熱分解する請求項10な
いし16のいずれかに記載した方法。 19)請求項10に記載した方法で得られる窒化ケイ素
含有セラミック材料。
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|---|---|---|---|---|
| US5176941A (en) * | 1987-11-07 | 1993-01-05 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process of producing a ceramic/fiber composite using a molten polysilazone |
| DE3840781A1 (de) * | 1988-12-03 | 1990-06-07 | Hoechst Ag | Faserverbundkeramik und verfahren zu ihrer herstellung |
| EP0377118B1 (de) * | 1988-12-03 | 1994-04-20 | Hoechst Aktiengesellschaft | Hochfeste Verbundkeramik, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
| DE4001246A1 (de) * | 1990-01-18 | 1991-07-25 | Bayer Ag | Polymere polysilazane, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung |
| DE4013306A1 (de) * | 1990-04-26 | 1991-10-31 | Hoechst Ag | Optische formkoerper aus siliziumnitrid, sowie verfahren zu deren herstellung |
| US5494867A (en) * | 1991-09-24 | 1996-02-27 | Southwest Research Institute | Method for making fiber-reinforced silicon nitride composites |
| US5248585A (en) * | 1991-12-18 | 1993-09-28 | Hoechst Celanese Corporation | Polyphosphazene binder resins for photoresists comprising as photosensitizers o-quinone diazide esters |
| US5747623A (en) * | 1994-10-14 | 1998-05-05 | Tonen Corporation | Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics |
| JP4482016B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2010-06-16 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 複合セラミックスの製造方法、複合セラミックス、およびセラミックフィルタアセンブリ |
| CN101353426B (zh) * | 2008-09-09 | 2011-04-27 | 西北工业大学 | 一种液态乙烯基聚硅氮烷树脂及其制备方法 |
| DE102009013410A1 (de) | 2009-03-16 | 2010-09-23 | Clariant International Ltd. | Hybridpolymere aus Cyanaten und Silazanen, Verfahren zur ihrer Herstellung sowie deren Verwendung |
| DE102009059777A1 (de) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Clariant International Ltd. | Acrylnitril-Silazan-Copolymere, insbesondere in Faserform, Verfahren zu deren Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102010046914A1 (de) | 2010-09-29 | 2012-03-29 | Clariant International Ltd. | Harze aus ungesättigten Polyestern und Polysilazanen sowie damit hergestellte duroplastische Reaktionsharz-Formstoffe |
| DE102011009873B4 (de) | 2010-09-29 | 2017-02-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Reaktivharze und damit hergestellte Formkörper und flächige oder textile Materialien mit teilchenförmigen Polysilazanen als neuen Flammfestmachern sowie Herstellungsverfahren der Formkörper und Materialien |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108719A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Noritake Co Ltd | 窒化ケイ素の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3036019A (en) * | 1958-11-03 | 1962-05-22 | Richardson Co | Modification of silicon-nitrogen containing compounds |
| DE2218960A1 (de) * | 1972-04-19 | 1973-11-08 | Bayer Ag | Formkoerper aus mogenen mischungen von siliciumcarbid und siliciumnitrid und verfahren zu ihrer erstellung |
| US4397828A (en) * | 1981-11-16 | 1983-08-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process |
| US4543344A (en) * | 1983-11-28 | 1985-09-24 | Dow Corning Corporation | Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3 |
| US4540803A (en) * | 1983-11-28 | 1985-09-10 | Dow Corning Corporation | Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3 |
| US4482669A (en) * | 1984-01-19 | 1984-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Preceramic organosilazane polymers |
| US4595775A (en) * | 1984-04-06 | 1986-06-17 | Petrarch Systems, Inc. | N-methylhydridosilazanes, polymers thereof, methods of making same and silicon nitrides produced therefrom |
| US4535007A (en) * | 1984-07-02 | 1985-08-13 | Dow Corning Corporation | Silicon nitride-containing ceramics |
| NZ216342A (en) * | 1985-06-14 | 1989-08-29 | Colgate Palmolive Co | Aqueous thixotropic dishwasher compositions containing fatty acid metal salts as stabiliser |
| JPS61287930A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Chisso Corp | ポリシラザンの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-07 DE DE19873737921 patent/DE3737921A1/de not_active Withdrawn
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1988
- 1988-11-03 US US07/266,513 patent/US4935481A/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (1)
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| JPS62108719A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Noritake Co Ltd | 窒化ケイ素の製造方法 |
Also Published As
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