JPH01160897A - 単結晶フェライト - Google Patents

単結晶フェライト

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Publication number
JPH01160897A
JPH01160897A JP62317459A JP31745987A JPH01160897A JP H01160897 A JPH01160897 A JP H01160897A JP 62317459 A JP62317459 A JP 62317459A JP 31745987 A JP31745987 A JP 31745987A JP H01160897 A JPH01160897 A JP H01160897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ferrite
oxide
single crystal
amount
mol
Prior art date
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Pending
Application number
JP62317459A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Onodera
小野寺 晃一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、 VTR、8mビy” 、? 、 :x −
/#  VH8゜メタルフロッピー等の磁気ヘッドの素
材として用いられる単結晶フェライトに関する。
〔従来の技術〕
従来、 VTR映像用の記録、再生用ヘッドの素材とし
ては、主としてMn −Zn系単結晶フェライト。
Mn −Zn −Sn単結晶フェライトが用いられてい
る。
ところが、 8 m VTR及びメタルフロッピー、ス
ーA ?−VH8材料の磁気ヘッドとして、 Mn −
Zn系単結晶フェライト、 Mn −Zn −Sn単結
晶フェライトを採用した場合、この単結晶フェライトは
飽和磁化B、が小さく 、 8 M)fz付近の高周波
領域の初透磁率μが小さいため、使用に難点がある。こ
の点を改善するために* Fe2O3の量を増加させて
、飽和磁化B、を向上させた単結晶フェライトが知られ
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上述のように、 Fe2O3の量を増力aし
た単結晶フェライトの場合、飽和磁化B3を向上させる
ことができるが、初透磁率μを8mmVTR,スー/”
−VH8eメタルフロッピー材料に適用できるまでに改
善することが困難である。っまシ、初透磁率μが大幅に
低下してしまうという問題点がある。
本発明の目的は、 8 MHz付近の高周波領域の初透
磁率μを大幅に向上させて、さらに高い飽和磁化Bsを
有する単結晶フェライトを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明による単結晶フェライトは+ Mn及びZnを主
成分として、v&磁気異方性定数負である組成領域を有
するフェライト材料に、酸化ゲルマニウム及び酸化コバ
ルトを添加したことを特徴としている。
〔作用〕
8■VTR、スーツ千−VH8、メタルフロッピー材料
においては、磁気ヘッドに厳しい条件(高飽和磁化B8
.高初透磁率μ)が要求されている。前述のように、飽
和磁化B3を向上させるためには。
Fe2O3の量を増加させればよい。ところが、これに
反してe Fe2O3の量を増加すると、初透磁率μが
大幅に低下してしまう。つまり+ Fe2O3の量を増
加した場合、フェライトの磁気異方性定数KがK(Oと
なり、かつ磁気異方性定数にの絶対値IK+が零よりか
なり大きくなっているため、初透磁率μが大幅に低下す
ると考えられる。そこで。
初透磁率μは、 Fe2O3依存性が大きいのでFe2
O3の組成偏析を防ぐために+ GeO2を適量ドープ
する。
G e O2を適量ドープした組成点のFe2O3は、
49.8モルチ程度となるために、飽和磁束密度B、が
低下スル。この分を向上させるだめに、酸化コバ/L/
 )を微量ドープする。その結果として、フェライトの
磁気異方性定数Kかに#0となり、高透磁率μの単結晶
フェライトが実現するとともに高飽和磁化を達成できる
。
なお2本発明において、酸化ゲルマニウムのドープ量を
0,05〜5重量%に限定した理由は、添加量が0.0
5重量%以下ですと、ドープした効果があられれず、添
加量が5重量%以上ですと+Geのイオン半径が0.5
4Xと小さいために、Fe(イオン半径0.67X)を
置換できずに結晶内に析出する現象が発生するために特
性が大幅に低下するからである。また、酸化コバルトの
ドープ量を0.01〜0.2重量%に限定した理由は、
添加量が0.01重量−以下ですと、ドープした効果が
あられれず。
添加量が0.2重量%以上ですと、coの磁歪定数が。
フェライトの他の化学種と比べて1桁大きい値をもつた
めに、置換量を増加すると、ノイズを増大する傾向があ
るために特性が大幅に低下するからである。
〔実施例〕
以下本発明について実施例によって説明する。
第1図を参照すると、結晶組成でGe02を0.5(モ
ル%) MnOを29.0(モル% ) ZnOを16
.0Cモル%)に固定して、Fe2O3を49〜54.
0Cモル%)に変化させた時の、初透磁率μのF e 
203依存性グラフが示されている。
次に、48.20(モル%)のFe2O3e 30.9
0(モル%)のMn0 、20.40 (モル係〕のZ
nO。
0.5(モル係〕のGeO2を基本組成とする単結晶に
、酸化コバルトの添加量を種々変化させて、単結晶フェ
ライトを製作し、試料1〜8とした。この単結晶フェラ
イトを用いて、初透磁率μ及び飽和磁束密度B+oを測
定した。この結果を第2図に示す。
第1図に示すように、初透磁率μはg Fe2O3が4
8.20 Cモル係)の時最大となり+ Fe2O3の
量がふえていくと減少することがわかる。酸化ケ゛ルマ
ニウムGeO2f 0.5 (モル係)に限定したのは
、酸化ゲルマニウムGeO2を015(モル係)ドープ
すると、結晶長手方向の酸化鉄Fe2O3の偏析が極め
て少なくすることができるからである。
第2図を参照すると、酸化コバルトを適量ドープしたサ
ンプルにおいて、高飽和磁束密度B101高初透磁率μ
を達成できることがわかる。この特性はt8mmビデオ
、スーパーvHs対応単結晶仕様をクリアするものであ
る。
〔発明の効果〕
以上述べたように9本発明による単結晶フェライトは、
高周波領域において高性能のヘッド特性を有する高密度
磁気記録用ヘッド材として実用上きわめてすぐれた効果
を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は酸化ゲルマニウムを0.5モルチドーゾした際
の初透磁率μ5 MHzと酸化鉄Fe 20,3の組成
依存性を示す図、第2図は、酸化コバルトの添加量を変
化させたときの磁気特性を示す図である。 第1図 Fe□03(モル%〕

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マンガン及び亜鉛を主成分として、磁気異方性定数
    が負の組成領域を有するフェライト材料に、酸化ゲルマ
    ニウム及び酸化コバルトを添加したことを特徴とする単
    結晶フェライト。 2、特許請求の範囲第1項において、前記フェライト材
    料は酸化第二鉄45〜50モル%、酸化マンガン20〜
    40モル%、酸化亜鉛5〜25モル%で構成されるMn
    −Znフェライトであって、該Mn−Znフェライトに
    重量比で酸化ゲルマニウム0.05〜3重量%、酸化コ
    バルトを0.01〜0.2重量%複合添加することを特
    徴とする単結晶フェライト。
JP62317459A 1987-12-17 1987-12-17 単結晶フェライト Pending JPH01160897A (ja)

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