JPH01161252A - 電子写真感光体の製造装置 - Google Patents
電子写真感光体の製造装置Info
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- JPH01161252A JPH01161252A JP31863187A JP31863187A JPH01161252A JP H01161252 A JPH01161252 A JP H01161252A JP 31863187 A JP31863187 A JP 31863187A JP 31863187 A JP31863187 A JP 31863187A JP H01161252 A JPH01161252 A JP H01161252A
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
アモルファスシリコンが主構成材料である感光体を基体
上に形成するための電子写真感光体の製造装置に関し、 感光体成膜時の昇温、降温時間を短縮し且つ均一な特性
の感光体が得られるようにすることを目的とし、 アモルファスシリコンが主構成材料である感光体を基体
上に形成するための電子写真感光体の製造装置において
、前記基体を所定の位置に保持するための支持台が、前
記基体と同一の材料で形成された構成とする。
上に形成するための電子写真感光体の製造装置に関し、 感光体成膜時の昇温、降温時間を短縮し且つ均一な特性
の感光体が得られるようにすることを目的とし、 アモルファスシリコンが主構成材料である感光体を基体
上に形成するための電子写真感光体の製造装置において
、前記基体を所定の位置に保持するための支持台が、前
記基体と同一の材料で形成された構成とする。
本発明は基体の表面にアモルファスシリコンが主構成材
料である感光体を形成するための電子写真感光体の製造
装置に関する。
料である感光体を形成するための電子写真感光体の製造
装置に関する。
アルミニウム等の円筒状基体上に形成された感光体を一
様に帯電させ、この上に印字情報に基づいてレーザ光等
を所定のパターンで照射し感光体の帯電電位を減衰させ
て潜像を形成した後、これを現像して形成されたトナー
像を記録紙に転写、定着する電子写真記録装置は周知で
あるが、この場合に使用される感光体としては、近年セ
レン系よりも、機械的強度の強いアモルファスシリコン
（ａ−３ｔ）が用いられるようになってきている。
様に帯電させ、この上に印字情報に基づいてレーザ光等
を所定のパターンで照射し感光体の帯電電位を減衰させ
て潜像を形成した後、これを現像して形成されたトナー
像を記録紙に転写、定着する電子写真記録装置は周知で
あるが、この場合に使用される感光体としては、近年セ
レン系よりも、機械的強度の強いアモルファスシリコン
（ａ−３ｔ）が用いられるようになってきている。
本発明はこのａ −３ｉの感光層を備えた電子写真感光
体の製造装置に適用されるものである。
体の製造装置に適用されるものである。
この製造装置としては従来プラズマＣＶＤ装置等が用い
られているが、この装置により成膜を行う場合には、感
光体の基体を真空容器内の所定位置で支持台により保持
して成膜を行っていた。この支持台には、従来基体に対
向する放電電極の端部の影響をなくすため基体と同一の
外径のものが使用され、且つステンレスが用いられてい
た。ステレスを使用しているのは、成膜する感光層への
不純物混入が少ないことや、支持台に付着した膜をエツ
チングで取り除けば再利用できること等の理由による。
られているが、この装置により成膜を行う場合には、感
光体の基体を真空容器内の所定位置で支持台により保持
して成膜を行っていた。この支持台には、従来基体に対
向する放電電極の端部の影響をなくすため基体と同一の
外径のものが使用され、且つステンレスが用いられてい
た。ステレスを使用しているのは、成膜する感光層への
不純物混入が少ないことや、支持台に付着した膜をエツ
チングで取り除けば再利用できること等の理由による。
一方、基体には、安価、軽量２機械加工が容易等の理由
によりアルミニウムが用いられている。
によりアルミニウムが用いられている。
しかし、上述の従来の製造装置は次の各種の欠点を有し
ていた。
ていた。
（１）ａ−３ｉ悪感光の成膜時には基体を１５０〜３５
０℃に加熱することが必要であるが、ステンレス（支持
台）はアルミニウム（基体）に比べ熱容量が大きいため
、基体に温度分布ができやすく、膜質にも分布ができて
感光体の長さ方向で特性が異なるといった不都合を生じ
ていた。７（２）ステンレスの支持体を用いるため、昇
温。
０℃に加熱することが必要であるが、ステンレス（支持
台）はアルミニウム（基体）に比べ熱容量が大きいため
、基体に温度分布ができやすく、膜質にも分布ができて
感光体の長さ方向で特性が異なるといった不都合を生じ
ていた。７（２）ステンレスの支持体を用いるため、昇
温。
降温にきわめて長い時間が必要であった。
本発明は感光体成膜時の昇温、降温時間を短縮し且つ均
一な特性の感光体を得ることのできる電子写真感光体の
製造装置を提供することを目的とするものである。
一な特性の感光体を得ることのできる電子写真感光体の
製造装置を提供することを目的とするものである。
上述の問題点を解決するため、本発明では、アモルファ
スシリコンが主構成材料である感光体を基体上に形成す
るための電子写真感光体の製造装置において、前記基体
を所定の位置に保持するための支持台が、前記基体と同
一の材料で形成された構成とする。
スシリコンが主構成材料である感光体を基体上に形成す
るための電子写真感光体の製造装置において、前記基体
を所定の位置に保持するための支持台が、前記基体と同
一の材料で形成された構成とする。
従来支持台にステンレスを用いた理由の１つである「感
光層への不純物の混入が少ない」は、支持台の材質を基
体と同じにするため問題にならない。また、もう１つの
理由である「再利用可」についても、支持台を基体と同
じ安価なアルミニウムにすれば、使い捨てにしても、ス
テンレスをエツチングする場合と比べてコスト的に十分
見合うようになる。
光層への不純物の混入が少ない」は、支持台の材質を基
体と同じにするため問題にならない。また、もう１つの
理由である「再利用可」についても、支持台を基体と同
じ安価なアルミニウムにすれば、使い捨てにしても、ス
テンレスをエツチングする場合と比べてコスト的に十分
見合うようになる。
以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。
第１図に第１の実施例を示す。
第１図は高周波電源を用いた電子写真感光体の製造装置
の構造概要説明図で、図中、１００はアルミニウム製の
円筒状基体、■は真空容器、２は支持台である。支持台
２は、基体１００と同一のアルミニウムで形成され、該
基体１００と同一の外径を有している。
の構造概要説明図で、図中、１００はアルミニウム製の
円筒状基体、■は真空容器、２は支持台である。支持台
２は、基体１００と同一のアルミニウムで形成され、該
基体１００と同一の外径を有している。
この製造装置による感光体の成膜は次のように行われる
。
。
成膜に際しては、まず真空容器１内で支持台２に基体１
００を外周面をそろえてセットし、ポンプ３，４，５．
６を適宜使用して真空容器１内を真空排気する。そして
、支持台２を基体１００ごと回転機構７により回転させ
、ヒータ８により基体１００を１５０〜３５０℃に加熱
する。次に、シラン系原料ガス（Ｓｉ）ｌｔ、 ５ｉｚ
Ｌ等）、炭化水素系ガス（ＣＨ４，ＣＪｉ、Ｃ３Ｈｅ、
ＣｚＨｚ等）及びドーピング用のジボランガス（Ｂ２Ｈ
２）等を必要に応じボンベ９．１０．１１等から流量計
１２． １’３． １４を介して放電電極１５の内側に
設けられた噴出口１６より導入する。そして、高周波電
源１７より高周波電力を供給し、放電電極１５と基体１
００の間でグロー放電を起こしてガスをプラズマ状に分
解し、基体１００上に薄膜を形成する。
００を外周面をそろえてセットし、ポンプ３，４，５．
６を適宜使用して真空容器１内を真空排気する。そして
、支持台２を基体１００ごと回転機構７により回転させ
、ヒータ８により基体１００を１５０〜３５０℃に加熱
する。次に、シラン系原料ガス（Ｓｉ）ｌｔ、 ５ｉｚ
Ｌ等）、炭化水素系ガス（ＣＨ４，ＣＪｉ、Ｃ３Ｈｅ、
ＣｚＨｚ等）及びドーピング用のジボランガス（Ｂ２Ｈ
２）等を必要に応じボンベ９．１０．１１等から流量計
１２． １’３． １４を介して放電電極１５の内側に
設けられた噴出口１６より導入する。そして、高周波電
源１７より高周波電力を供給し、放電電極１５と基体１
００の間でグロー放電を起こしてガスをプラズマ状に分
解し、基体１００上に薄膜を形成する。
以上の手順でａ−３ｉ悪感光を作製したところ、支持台
にステンレスを用いた従来の場合と比較して、昇温時間
２時間が０．５時間に、降温時間３時間が１時間にそれ
ぞれ短縮され、しかも温度分布が一定であった。また感
光体特性も、従来基体端部の特性が基体中央部に比べ劣
っていたものが一定の特性となった。
にステンレスを用いた従来の場合と比較して、昇温時間
２時間が０．５時間に、降温時間３時間が１時間にそれ
ぞれ短縮され、しかも温度分布が一定であった。また感
光体特性も、従来基体端部の特性が基体中央部に比べ劣
っていたものが一定の特性となった。
第２図乃至第６図に第２の実施例を示す。
第２図はマイクロ波電源を用いた電子写真感光体の製造
装置の構造概要説明図（第２図（ａ）は要部平面図、第
２図（ｂ）は全体概要を示す正面図）で、図中、３１は
真空容器、３２は支持台、３３．３７はバルブ、３４は
支持台３２を回転させるためのモータ、３５はヒータ電
源３６に接続されるヒータ、３８はマイクロ波電源、３
９は導波管、４０はマイクロ波通過用の窓、４１は真空
容器３１と支持台３２に保持される基体１００との間に
形成されて同軸型空胴共振器を構成するプラズマ室、４
２．４２’はマグネット、２１．２１’は超伝導材から
成り矢印方向に移動可能な超伝導リングである。支持台
３２は、前例と同様に、アルミニウムで形成されて基体
１００と同一の外径を有している。
装置の構造概要説明図（第２図（ａ）は要部平面図、第
２図（ｂ）は全体概要を示す正面図）で、図中、３１は
真空容器、３２は支持台、３３．３７はバルブ、３４は
支持台３２を回転させるためのモータ、３５はヒータ電
源３６に接続されるヒータ、３８はマイクロ波電源、３
９は導波管、４０はマイクロ波通過用の窓、４１は真空
容器３１と支持台３２に保持される基体１００との間に
形成されて同軸型空胴共振器を構成するプラズマ室、４
２．４２’はマグネット、２１．２１’は超伝導材から
成り矢印方向に移動可能な超伝導リングである。支持台
３２は、前例と同様に、アルミニウムで形成されて基体
１００と同一の外径を有している。
この製造装置は、本出願人の出願に係る特願昭６２−１
８７７１０号（昭和６２年７月２９日出願）に開示され
ている製造装置を改良したもので、この既出願のものと
は、超伝導リング２１２１’を設けた点と、上述のよう
に支持台の材質を設定した点で異なっている。ところで
、この種の装置においては成膜に際し、モータ３４によ
り支持台３２を基体１００ごと回転させるとともに、該
基体１００をヒータ３５により所定温度に加熱する。
８７７１０号（昭和６２年７月２９日出願）に開示され
ている製造装置を改良したもので、この既出願のものと
は、超伝導リング２１２１’を設けた点と、上述のよう
に支持台の材質を設定した点で異なっている。ところで
、この種の装置においては成膜に際し、モータ３４によ
り支持台３２を基体１００ごと回転させるとともに、該
基体１００をヒータ３５により所定温度に加熱する。
そして、プラズマ室４１に導入されるシリコン原子含有
ガスを、マイクロ波電源３８から導波管３９゜窓４０を
通り供給されるマイクロ波電力により分解してプラズマ
化し、これに外部のマグネット４２゜４２′に通電する
ことによって磁場を作用させる。
ガスを、マイクロ波電源３８から導波管３９゜窓４０を
通り供給されるマイクロ波電力により分解してプラズマ
化し、これに外部のマグネット４２゜４２′に通電する
ことによって磁場を作用させる。
これにより、プラズマが基体付近に閉じ込められて基体
１００上へのａ −５ｔ膜の形成が行われる。
１００上へのａ −５ｔ膜の形成が行われる。
この場合、軸方向に定圧波が発生するため、プラズマに
も分布が生じ、円筒基体１００の形成薄膜にむらが生じ
る。これを防ぐために、既出願の装置では、プラズマ室
内の磁束密度の分布が第３図の状態に変化するようにマ
グネット４２．４２’に流す電流Ｉ ｍａｇ、 １．
ｍａｇ ’を第４図のようにしている。しかし、マグネ
ットは磁束密度Ｂ＝８．７５ＸＩＯ−２７（マイクロ波
周波数２．４５ Ｇ１１ｚの場合）以上９能力が必要で
あるため、ｎ−１ｍａｇ （ｎ ：巻数）を大きくし
なければならない。Ｉ ｍａｇを大きくするためには高
価な大電流電源とマグネットの冷却が問題となる。また
、ｎを大きくすると、電源等の装置は安価になるが、マ
グネットの自己インダクタンスがｎに比例して大きくな
るため、Ｉ ｍａｇを約数Ｈｚの速い速度で変動させる
ことが困難になるという問題があった。
も分布が生じ、円筒基体１００の形成薄膜にむらが生じ
る。これを防ぐために、既出願の装置では、プラズマ室
内の磁束密度の分布が第３図の状態に変化するようにマ
グネット４２．４２’に流す電流Ｉ ｍａｇ、 １．
ｍａｇ ’を第４図のようにしている。しかし、マグネ
ットは磁束密度Ｂ＝８．７５ＸＩＯ−２７（マイクロ波
周波数２．４５ Ｇ１１ｚの場合）以上９能力が必要で
あるため、ｎ−１ｍａｇ （ｎ ：巻数）を大きくし
なければならない。Ｉ ｍａｇを大きくするためには高
価な大電流電源とマグネットの冷却が問題となる。また
、ｎを大きくすると、電源等の装置は安価になるが、マ
グネットの自己インダクタンスがｎに比例して大きくな
るため、Ｉ ｍａｇを約数Ｈｚの速い速度で変動させる
ことが困難になるという問題があった。
これらの問題は本例の超伝導リング２１．２１’を用い
ることで解決することができる。第５図はその原理説明
図で、図のように磁界中に超伝導材から成る超伝導リン
グ２１を入れると、マイスナー効果により磁束が超伝導
部材を避けて通るため、リング内に磁束が閉じ込められ
て磁束密度が上がる。従って、超伝導リング２１．２１
’を取り付けることで第６図のような磁束密度分布を作
ることができる。そして、この超伝導リング２１゜２１
′を軸線方向に往復運動させることで、マグネット４２
．４２’に流す電流を変動させた既出願の場合と同様の
効果が得られる。しかも、マグネソ）４２．４２’に流
す電流は一定で良く、マグネット４２．４２’の巻数を
多くして電源を小型化することができる。さらに、マグ
ネット４２．４２′の巻線にも超伝導線を用いれば、−
旦マグネソトを励磁してやれば電源は不要となり、非常
に有効である。
ることで解決することができる。第５図はその原理説明
図で、図のように磁界中に超伝導材から成る超伝導リン
グ２１を入れると、マイスナー効果により磁束が超伝導
部材を避けて通るため、リング内に磁束が閉じ込められ
て磁束密度が上がる。従って、超伝導リング２１．２１
’を取り付けることで第６図のような磁束密度分布を作
ることができる。そして、この超伝導リング２１゜２１
′を軸線方向に往復運動させることで、マグネット４２
．４２’に流す電流を変動させた既出願の場合と同様の
効果が得られる。しかも、マグネソ）４２．４２’に流
す電流は一定で良く、マグネット４２．４２’の巻数を
多くして電源を小型化することができる。さらに、マグ
ネット４２．４２′の巻線にも超伝導線を用いれば、−
旦マグネソトを励磁してやれば電源は不要となり、非常
に有効である。
本例の場合も、支持台３２は基体１００と同一のアルミ
ニウムで形成されて基体１００と同一の外径を有してい
るため、感光体成膜時の昇、降温時間を短縮するととも
に均一な特性の感光体を得ることができる・という前例
と同様の効果を得ることが可能である。
ニウムで形成されて基体１００と同一の外径を有してい
るため、感光体成膜時の昇、降温時間を短縮するととも
に均一な特性の感光体を得ることができる・という前例
と同様の効果を得ることが可能である。
この装置により基体１００の表面に感光体を成膜する際
には、基体１００を真空容器ｌの中の支持台３２に保持
させ（このとき、支持台３２．基体１００の外周は面一
になる）で成膜する。成膜要領の概要については前述し
たが、これを補足説明すると次の通りである。
には、基体１００を真空容器ｌの中の支持台３２に保持
させ（このとき、支持台３２．基体１００の外周は面一
になる）で成膜する。成膜要領の概要については前述し
たが、これを補足説明すると次の通りである。
基体１００をセットした後、真空容器３１内をバルブ３
３を介して真空排気し、ヒータ３５で基体１００を１５
０〜３５０℃に加熱しバルブ３７を介して原料ガスを真
空容器３１内に導入する。
３を介して真空排気し、ヒータ３５で基体１００を１５
０〜３５０℃に加熱しバルブ３７を介して原料ガスを真
空容器３１内に導入する。
そして、マイクロ波電源３８から導波管３９．窓４０を
通してプラズマ室４１にマイクロ波を導入し、原料ガス
を分解して基体１００上に薄膜を堆積させる。このとき
、マグネット４２．４２’には一定電流を流し、超伝導
リング２１．２１’はＩＨｚの周期で４ｃｍの距離を往
復運動させた。
通してプラズマ室４１にマイクロ波を導入し、原料ガス
を分解して基体１００上に薄膜を堆積させる。このとき
、マグネット４２．４２’には一定電流を流し、超伝導
リング２１．２１’はＩＨｚの周期で４ｃｍの距離を往
復運動させた。
このようにしてａ −３ｉ悪感光を作製したところ、良
質でむらのないものを短時間で得ることができた。
質でむらのないものを短時間で得ることができた。
以上述べたように、本発明によれば、感光体成膜時の昇
温、降温時間を短縮するとともに、均一な特性の感光体
を作製することが可能である。
温、降温時間を短縮するとともに、均一な特性の感光体
を作製することが可能である。
第１図は本発明の第１の実施例の高周波電源を用いた電
子写真感光体の製造装置の構造概要説明図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第２の実施例のマ
イクロ波電源を用いた電子写真感光体の製造装置の構造
概要説明図、 第３図は本発明の第２の実施例の超伝導リングがない場
合の、プラズマ室内の磁束密度分布を示すグラフ、 第４図は同、マグネットへの供給電流の波形図、第５図
は本発明の第２の実施例の超伝導リングの原理説明図、 第６図は本発明の第２の実施例のプラズマ室内の磁束密
度分布を示すグラフで、 図中、 １．３１は真空容器、 ２．３２は支持台、 １００は基体である。
子写真感光体の製造装置の構造概要説明図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第２の実施例のマ
イクロ波電源を用いた電子写真感光体の製造装置の構造
概要説明図、 第３図は本発明の第２の実施例の超伝導リングがない場
合の、プラズマ室内の磁束密度分布を示すグラフ、 第４図は同、マグネットへの供給電流の波形図、第５図
は本発明の第２の実施例の超伝導リングの原理説明図、 第６図は本発明の第２の実施例のプラズマ室内の磁束密
度分布を示すグラフで、 図中、 １．３１は真空容器、 ２．３２は支持台、 １００は基体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アモルファスシリコンが主構成材料である感光体を基体
（１００）上に形成するための電子写真感光体の製造装
置において、 前記基体（１００）を所定の位置に保持するための支持
台（２、３２）が、前記基体（１００）と同一の材料で
形成されたことを特徴とする電子写真感光体の製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31863187A JPH01161252A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電子写真感光体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31863187A JPH01161252A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電子写真感光体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161252A true JPH01161252A (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=18101295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31863187A Pending JPH01161252A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 電子写真感光体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161252A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106873A (en) * | 1990-06-26 | 1992-04-21 | Warner-Lambert Company | ACAT inhibitors |
| US5310432A (en) * | 1992-06-30 | 1994-05-10 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Toothed wheel for use in automobiles and its manufacturing method |
| US5562785A (en) * | 1994-04-22 | 1996-10-08 | Kubota Iron Works Co., Ltd. | Method for manufacturing toothed gears |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP31863187A patent/JPH01161252A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5106873A (en) * | 1990-06-26 | 1992-04-21 | Warner-Lambert Company | ACAT inhibitors |
| US5310432A (en) * | 1992-06-30 | 1994-05-10 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Toothed wheel for use in automobiles and its manufacturing method |
| US5562785A (en) * | 1994-04-22 | 1996-10-08 | Kubota Iron Works Co., Ltd. | Method for manufacturing toothed gears |
| US5722138A (en) * | 1994-04-22 | 1998-03-03 | Kubota Iron Works Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing toothed gears |
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