JPH01161788A - 酸化物超電導体の電極形成方法 - Google Patents
酸化物超電導体の電極形成方法Info
- Publication number
- JPH01161788A JPH01161788A JP62318776A JP31877687A JPH01161788A JP H01161788 A JPH01161788 A JP H01161788A JP 62318776 A JP62318776 A JP 62318776A JP 31877687 A JP31877687 A JP 31877687A JP H01161788 A JPH01161788 A JP H01161788A
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- Japan
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- electrode
- oxide superconductor
- heat treatment
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化物超電導体の電極形成方法に関する。
（従来の技術）
高温で超電導特性を示す酸化物超電導体は、従来の金属
間化合物超電導体に比べて製作が容易であり、各種電子
素子への応用技術の開発が盛んに行われている。現在の
ところ、超電導特性を示す酸化物は、希土類元素を含有
するペロブスカイト構造を有することが明らかになって
いる。この酸化物超電導体の各種素子応用に当たって、
薄膜化技術も各所で研究されている。酸化物超電導体を
素子に応用する場合に、他の物質との良好な接合特性が
必要である。例えば電極形成に際しては、超電導特性を
破壊することなく、低い接触抵抗をもって形成すること
が要求される。これまでのところ、金や白金等を単に酸
化物超電導体に蒸着するだけでは、低い接触抵抗を有す
る接合特性が得られていない。
間化合物超電導体に比べて製作が容易であり、各種電子
素子への応用技術の開発が盛んに行われている。現在の
ところ、超電導特性を示す酸化物は、希土類元素を含有
するペロブスカイト構造を有することが明らかになって
いる。この酸化物超電導体の各種素子応用に当たって、
薄膜化技術も各所で研究されている。酸化物超電導体を
素子に応用する場合に、他の物質との良好な接合特性が
必要である。例えば電極形成に際しては、超電導特性を
破壊することなく、低い接触抵抗をもって形成すること
が要求される。これまでのところ、金や白金等を単に酸
化物超電導体に蒸着するだけでは、低い接触抵抗を有す
る接合特性が得られていない。
（発明が解決しようとする問題点）
酸化物超電導体の素子応用が期待されているが、良好な
接触特性を示す電極が未だ得られていない、という問題
があった。
接触特性を示す電極が未だ得られていない、という問題
があった。
本発明はこの様な問題を解決して、優れた接触特性を示
す酸化物超電導体の電極形成方法を提供することを目的
とする。
す酸化物超電導体の電極形成方法を提供することを目的
とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、酸化物超電導体に電極材料膜を被着形成した
後、酸素雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする。
後、酸素雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする。
本発明で用いる酸化物超電導体は、希土類元素を含有す
る各種ペロブスカイト型酸化物、例えば、Ａ Ｂ ａ２
ｃ ０３０７−ａ （Ａは、Ｙ、Ｙｂ、Ｈｏ。
る各種ペロブスカイト型酸化物、例えば、Ａ Ｂ ａ２
ｃ ０３０７−ａ （Ａは、Ｙ、Ｙｂ、Ｈｏ。
Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｌｕ等）で表わされる欠陥ペロブス
カイト型酸化物、或いは（Ｓ ｒ＋−ｘＬ ａｘ） ２
Ｃｕｂ４−、（Ｓｒを、Ｂａ、Ｃａで置換したものを含
む）で表わされる層状ペロブスカイト型酸化物がある。
カイト型酸化物、或いは（Ｓ ｒ＋−ｘＬ ａｘ） ２
Ｃｕｂ４−、（Ｓｒを、Ｂａ、Ｃａで置換したものを含
む）で表わされる層状ペロブスカイト型酸化物がある。
酸化物超電導体は、原料粉末を混合して焼結したセラミ
ックスでもよいし、所定の基板上にスパッタ法等で形成
した薄膜でも率い。電極材料膜は、Ａｕ、Ｐｔなどの貴
金属、Ｗ、Ｉｒ。
ックスでもよいし、所定の基板上にスパッタ法等で形成
した薄膜でも率い。電極材料膜は、Ａｕ、Ｐｔなどの貴
金属、Ｗ、Ｉｒ。
Ｏｓ、Ｎｂ、Ｔａなどの高融点金属等を用い得る。
（作用）
本発明の方法によれば、酸化物超電導体と電極の接触抵
抗は、熱処理前に比べて、１０−３〜１０−４倍になる
。従って超電導素子や超電導配線の電極部での発熱を低
減できる。この結果、超電導素子や配線を例えば高密度
実装した場合にも、発熱による超電導特性の破壊がなく
、低消費電力で安定した性能を発揮することが可能にな
る。
抗は、熱処理前に比べて、１０−３〜１０−４倍になる
。従って超電導素子や超電導配線の電極部での発熱を低
減できる。この結果、超電導素子や配線を例えば高密度
実装した場合にも、発熱による超電導特性の破壊がなく
、低消費電力で安定した性能を発揮することが可能にな
る。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は、一実施例の電極形成法を説明するため図であ
る。この実施例では、ＹＢａ２Ｃ０３０７−４セラミツ
クス１にＡｕ電極２を４個並べて形成している。４個並
べているのは、４端子法と２端子法による電気抵抗特性
を測定し比較するためである。Ａｕ電極２は、蒸着法に
より膜形成後バターニングし、次いでこれを熱処理炉に
入れて酸素雰囲気中で熱処理して得られる。熱処理は、
８００〜９００℃まで加熱後１〜２時間保持し、その後
１００℃／ｈｒで冷却する。
る。この実施例では、ＹＢａ２Ｃ０３０７−４セラミツ
クス１にＡｕ電極２を４個並べて形成している。４個並
べているのは、４端子法と２端子法による電気抵抗特性
を測定し比較するためである。Ａｕ電極２は、蒸着法に
より膜形成後バターニングし、次いでこれを熱処理炉に
入れて酸素雰囲気中で熱処理して得られる。熱処理は、
８００〜９００℃まで加熱後１〜２時間保持し、その後
１００℃／ｈｒで冷却する。
第２図は、この実施例でのＡｕ電極２を用いた、２端子
法および４端子法によるＹ Ｂ ａ２ｃ ｕ３０□−６
セラミツクス１の電気抵抗温度特性の測定結果である。
法および４端子法によるＹ Ｂ ａ２ｃ ｕ３０□−６
セラミツクス１の電気抵抗温度特性の測定結果である。
この結果から、Ａｕ電極とＹＢａ２Ｃｕ３０７−６セラ
ミツクス１の接触抵抗は、超電導転移温度以上でのＹ
Ｂ ａ２Ｃｕ３０□、セラミックス１の電気抵抗の数倍
程度しかないことが明らかになった。また、超電導転移
温度以下では２端子法の場合でも零抵抗が得られている
。
ミツクス１の接触抵抗は、超電導転移温度以上でのＹ
Ｂ ａ２Ｃｕ３０□、セラミックス１の電気抵抗の数倍
程度しかないことが明らかになった。また、超電導転移
温度以下では２端子法の場合でも零抵抗が得られている
。
以上のようにこの実施例によれば、電極形成後に酸素雰
囲気中での熱処理を行うことによって、酸化物超電導体
と電極の良好な接触状態が得られる。
囲気中での熱処理を行うことによって、酸化物超電導体
と電極の良好な接触状態が得られる。
本発明は上記実施例に限られない。例えば実施例では、
酸化物超電導体バルクに電極を形成した場合を説明した
が、酸化物超電導体薄膜を用いて各種超電導素子酸いは
超電導配線を形成してこれらに電極を形成する場合にも
、同様に本発明を適用できる。
酸化物超電導体バルクに電極を形成した場合を説明した
が、酸化物超電導体薄膜を用いて各種超電導素子酸いは
超電導配線を形成してこれらに電極を形成する場合にも
、同様に本発明を適用できる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、酸化物超電導体に電
極を形成する際に膜形成後これを酸素雰囲気中で熱処理
することにより、接触抵抗の小さい電極を得ることがで
きる。
極を形成する際に膜形成後これを酸素雰囲気中で熱処理
することにより、接触抵抗の小さい電極を得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例の電極形成法を説明するため
の図、第２図は得られた電極によるＹ Ｂ ａ２Ｃｕ、
０□−、セラミックスの抵抗値測定結果示す図である。 １−Ｙ Ｂ ａ２ｃ ｕ３０７−４セラミツクス、２−
Ａｕ電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
の図、第２図は得られた電極によるＹ Ｂ ａ２Ｃｕ、
０□−、セラミックスの抵抗値測定結果示す図である。 １−Ｙ Ｂ ａ２ｃ ｕ３０７−４セラミツクス、２−
Ａｕ電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (3)
- （１）酸化物超電導体に電極材料膜を被着形成した後、
酸素雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする酸化物超
電導体の電極形成方法。 - （２）前記酸化物超電導体は、希土類元素を含むペロブ
スカイト型酸化物である特許請求の範囲第１項記載の酸
化物超電導体の電極形成方法。 - （３）前記電極材料膜は、貴金属または高融点金属であ
る特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体の電極形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318776A JPH01161788A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 酸化物超電導体の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62318776A JPH01161788A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 酸化物超電導体の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161788A true JPH01161788A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18102816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62318776A Pending JPH01161788A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 酸化物超電導体の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161788A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03235380A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Sumitomo Cement Co Ltd | 超伝導薄膜パターンの製造方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318776A patent/JPH01161788A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03235380A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Sumitomo Cement Co Ltd | 超伝導薄膜パターンの製造方法 |
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