JPH01132177A - 超電導素子用電極 - Google Patents
超電導素子用電極Info
- Publication number
- JPH01132177A JPH01132177A JP87310085A JP31008587A JPH01132177A JP H01132177 A JPH01132177 A JP H01132177A JP 87310085 A JP87310085 A JP 87310085A JP 31008587 A JP31008587 A JP 31008587A JP H01132177 A JPH01132177 A JP H01132177A
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- JP
- Japan
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- electrode
- ceramic superconductor
- superconductor
- ceramic
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- Pending
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はセラεツク超電導体を電子デバイスとして用い
る際にオーミック性よく電流、電圧を制御することが可
能であり、かつ密着性、安定性に優れた超電導素子用電
極に関するものである。
る際にオーミック性よく電流、電圧を制御することが可
能であり、かつ密着性、安定性に優れた超電導素子用電
極に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、セラミック超電導体の電気的特性、磁気的特性を
測定する際や、電子デバイスとして用いようとする際、
セラミック超電導体上に形成する電流あるいは電圧端子
用の電極材料として、Ｉｎ（インジウム）、Ａｕ（金）
あるいはＡｇペースト等が用いられている。
測定する際や、電子デバイスとして用いようとする際、
セラミック超電導体上に形成する電流あるいは電圧端子
用の電極材料として、Ｉｎ（インジウム）、Ａｕ（金）
あるいはＡｇペースト等が用いられている。
セラミック超電導体としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系を用い
、電流・電圧端子用電極として上記したＩｎ。
、電流・電圧端子用電極として上記したＩｎ。
Ａｕ、Ａｇペーストのそれぞれを用いた場合の電流−電
圧特性を第４図、第５図及び第６図にそれぞれ示してお
り、またその測定方法を第３図に示している。なお第３
図において、３１はセラミック超電導体、３２は電極、
３３は定電流源、３４は電圧計である。
圧特性を第４図、第５図及び第６図にそれぞれ示してお
り、またその測定方法を第３図に示している。なお第３
図において、３１はセラミック超電導体、３２は電極、
３３は定電流源、３４は電圧計である。
〈発明が解決しようとする問題点〉
第３図に示すようにセラミック超電導体３１０両端に従
来より用いられているＩｎ（インジウム）。
来より用いられているＩｎ（インジウム）。
Ａｕ（金）あるいはＡｇペーストよりなる電極３２を形
成して、その電気的特性を測定したところ、第４図及び
第６図に示すように、ＩｎやＡｇペーストではオーミッ
クコンタクトがとれず、接触抵抗も高かった。またＡｕ
は第５図に示すようにオーピンク性の点ではよいが、セ
ラミック超電導体３１七の密着性が悪く、更には強度、
固ざが弱く取扱いが難しい、コストが高い等の欠点があ
った。
成して、その電気的特性を測定したところ、第４図及び
第６図に示すように、ＩｎやＡｇペーストではオーミッ
クコンタクトがとれず、接触抵抗も高かった。またＡｕ
は第５図に示すようにオーピンク性の点ではよいが、セ
ラミック超電導体３１七の密着性が悪く、更には強度、
固ざが弱く取扱いが難しい、コストが高い等の欠点があ
った。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであリ、セラ
ミック超電導体に対してオーミック性。
ミック超電導体に対してオーミック性。
密着性及び安定性に優れた超電導素子用電極を提供する
ことを目的としている。
ことを目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明の超電導素子用電極
は、セラミック超電導体と接する部分の電極の材料をＴ
ｉ（チタン）で構成するように成している。
は、セラミック超電導体と接する部分の電極の材料をＴ
ｉ（チタン）で構成するように成している。
〈作 用〉
超電導素子用電極として、セラミック超電導体と接する
部分の電極材料にＴ ｉを用いることにより、セラミッ
ク超電導体とのオーミックコンタクトが良好で、かつ密
着性が良く、強度的にも充分である電極が得られる。
部分の電極材料にＴ ｉを用いることにより、セラミッ
ク超電導体とのオーミックコンタクトが良好で、かつ密
着性が良く、強度的にも充分である電極が得られる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明する。
第１図に本発明を用いて作製した超電導素子用電極（２
端子）の構成図を示しており、同図において１１はセラ
ミック超電導体、１２はセラミック超電導体１１に接し
て形成されたＴｉ（チタン）よりなる電極である。
端子）の構成図を示しており、同図において１１はセラ
ミック超電導体、１２はセラミック超電導体１１に接し
て形成されたＴｉ（チタン）よりなる電極である。
セラミック超電導体１１は、例えばＢａ２ＹＩＣｕ３０
ｚ系の一温超電導体よりなり、その具体的な作製方法の
一例を示すと、酸化イツトリウムｙ２ｏ３ 、炭酸バリ
ウムＢａＣ０ａ、酸化第二銅ＣｕＯの微粉末をＹ：Ｂａ
：Ｃｕ＝１ ： ２ ： ３のモル比に秤量して、充分
に混合、粉砕した微粒子を大気中で９００℃。
ｚ系の一温超電導体よりなり、その具体的な作製方法の
一例を示すと、酸化イツトリウムｙ２ｏ３ 、炭酸バリ
ウムＢａＣ０ａ、酸化第二銅ＣｕＯの微粉末をＹ：Ｂａ
：Ｃｕ＝１ ： ２ ： ３のモル比に秤量して、充分
に混合、粉砕した微粒子を大気中で９００℃。
５時間仮焼成し、次に再び粉砕２分散させペロブスカイ
ト型酸化物超電導体の均一な微粒子（１μｍ−以下）か
らなる粉体を作製し、次に例えば加圧力１ｔｏｎ／ｃｊ
にて最適な形にプレス成型した後、本焼成として大気中
で１０００℃、３時間保持し、２００℃まで５時間で降
温させる熱処理を施してセラミック超電導体１１を作製
した。次ＫＴｉを電子ビーム蒸着法により蒸発速度５〜
１０λ／Ｓで電極を設ける必要のない部分をマスキング
した室温のセラミック超電導体１２の上に約１μｍの厚
さに蒸着し、電極１２を形成した。
ト型酸化物超電導体の均一な微粒子（１μｍ−以下）か
らなる粉体を作製し、次に例えば加圧力１ｔｏｎ／ｃｊ
にて最適な形にプレス成型した後、本焼成として大気中
で１０００℃、３時間保持し、２００℃まで５時間で降
温させる熱処理を施してセラミック超電導体１１を作製
した。次ＫＴｉを電子ビーム蒸着法により蒸発速度５〜
１０λ／Ｓで電極を設ける必要のない部分をマスキング
した室温のセラミック超電導体１２の上に約１μｍの厚
さに蒸着し、電極１２を形成した。
また、この電極１２に銀ペーストにてリード線を固定し
て電極１２の電気的特性を測定した。
て電極１２の電気的特性を測定した。
上記によって作製した超電導素子の電流・電圧特性を第
２図に示す。この第２図に示す通り、この素子は良好な
オーミック性を示し接触抵抗もＩｎやＡｇペーストと比
べても１／１００以下であった。
２図に示す。この第２図に示す通り、この素子は良好な
オーミック性を示し接触抵抗もＩｎやＡｇペーストと比
べても１／１００以下であった。
また機械的にも密着性が良く安定性の面でも数ケ月間以
上初期特性を保持している。
上初期特性を保持している。
なお、上記の実施例において超電導素子の材料としてＹ
−Ｂａ系セラミック超電導体を用いたがＹのかわりにＬ
ａ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ 等の超電導体とな
るランタノイド元素や、ＢａのかわりにＳｒを用いて作
製したセラばツク超電導体の場合にも同様に良好なオー
ミック性を示した。
−Ｂａ系セラミック超電導体を用いたがＹのかわりにＬ
ａ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ 等の超電導体とな
るランタノイド元素や、ＢａのかわりにＳｒを用いて作
製したセラばツク超電導体の場合にも同様に良好なオー
ミック性を示した。
また上記の電極形成は電子ビーム法を用いたがスパッタ
法等を用いてＴｉを蒸着してもよい。また電極パターン
の形成も、マスキングによる方法以外に、ｒ ｉはＴ
ｓｕｂ が低くても密着性が優れるため、１Ｊ７トオ７
法を用いれば、セラミック超電導体を電極のエツチング
液に接触させずに微細な電極パターンの形成も容易であ
る。また実施例では２端子電極の場合を示したが、これ
に限らずＴｉがセラミック超電導体との密着性、安定性
が優れている点を用いれば、オーミックコンタクトを必
要としない多端子の超電導素子にも充分適用可能である
。
法等を用いてＴｉを蒸着してもよい。また電極パターン
の形成も、マスキングによる方法以外に、ｒ ｉはＴ
ｓｕｂ が低くても密着性が優れるため、１Ｊ７トオ７
法を用いれば、セラミック超電導体を電極のエツチング
液に接触させずに微細な電極パターンの形成も容易であ
る。また実施例では２端子電極の場合を示したが、これ
に限らずＴｉがセラミック超電導体との密着性、安定性
が優れている点を用いれば、オーミックコンタクトを必
要としない多端子の超電導素子にも充分適用可能である
。
つまりセラミック超電導体を利用する電子デバイス、例
えば超電導磁気抵抗素子、５ＱＵＩＤ 、ジッセ７ソン
素子やセラミック超電導体の物性を応用した種々のセン
サーの電極として用いることができるため、その応用範
囲は非常に広い。
えば超電導磁気抵抗素子、５ＱＵＩＤ 、ジッセ７ソン
素子やセラミック超電導体の物性を応用した種々のセン
サーの電極として用いることができるため、その応用範
囲は非常に広い。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明はセラミック超電導体上に接して
設けられた電極の材料としてＴｉを用いることにより、
オーミック性や密着性、安定性の面でも優れた電流ある
いは電圧を入出力するための電極を容易に得ることが可
能となる。
設けられた電極の材料としてＴｉを用いることにより、
オーミック性や密着性、安定性の面でも優れた電流ある
いは電圧を入出力するための電極を容易に得ることが可
能となる。
第１図は本発明の超電導素子用電極の一実施例を示す図
、第２図は本発明の一実施例において用いた電極の電流
−電圧特性を示す図、第３図はセラミック超電導体と電
極との電流−電圧特性の測定方法を示す図、第４図乃至
第６図はそれぞれ従来の電極の電流−電圧特性を示す図
である。 １１・・・セラミック超電導体、１２・・・Ｔｉ電極、
３１・・・セラミック超電導体、３２・・・電極、３３
・・・定電流源、３４・・・電圧計。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 電−ｉ／Ａ 第２８ −５２′ 劃υＶ
、第２図は本発明の一実施例において用いた電極の電流
−電圧特性を示す図、第３図はセラミック超電導体と電
極との電流−電圧特性の測定方法を示す図、第４図乃至
第６図はそれぞれ従来の電極の電流−電圧特性を示す図
である。 １１・・・セラミック超電導体、１２・・・Ｔｉ電極、
３１・・・セラミック超電導体、３２・・・電極、３３
・・・定電流源、３４・・・電圧計。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 電−ｉ／Ａ 第２８ −５２′ 劃υＶ
Claims (1)
- １、セラミック超電導体と接する部分の電極の材料をＴ
ｉ（チタン）で構成してなることを特徴とする超電導素
子用電極。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP87310085A JPH01132177A (ja) | 1987-08-01 | 1987-12-08 | 超電導素子用電極 |
| EP88307044A EP0301902B1 (en) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Method and device for sensing a magnetic field with use of a magneto-resistive property of a superconductive material |
| AT88307044T ATE95316T1 (de) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Verfahren und anordnung zum nachweisen eines magnetfeldes mittels der magnetowiderstandseigenschaften eines supraleitenden materials. |
| DE88307044T DE3884514T2 (de) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Verfahren und Anordnung zum Nachweisen eines Magnetfeldes mittels der Magneto-widerstandseigenschaften eines supraleitenden Materials. |
| US07/226,067 US5011818A (en) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Sensing a magnetic field with a super conductive material that exhibits magneto resistive properties |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19301487 | 1987-08-01 | ||
| JP62-193014 | 1987-08-01 | ||
| JP87310085A JPH01132177A (ja) | 1987-08-01 | 1987-12-08 | 超電導素子用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132177A true JPH01132177A (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=16300753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP87310085A Pending JPH01132177A (ja) | 1987-07-29 | 1987-12-08 | 超電導素子用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01132177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190139297A (ko) * | 2017-05-03 | 2019-12-17 | 엘지전자 주식회사 | 무선 통신 시스템에서 참조 신호를 수신하기 위한 방법 및 이를 위한 장치 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP87310085A patent/JPH01132177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190139297A (ko) * | 2017-05-03 | 2019-12-17 | 엘지전자 주식회사 | 무선 통신 시스템에서 참조 신호를 수신하기 위한 방법 및 이를 위한 장치 |
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